JPH0513051U - 真空チヤツク - Google Patents

真空チヤツク

Info

Publication number
JPH0513051U
JPH0513051U JP6041191U JP6041191U JPH0513051U JP H0513051 U JPH0513051 U JP H0513051U JP 6041191 U JP6041191 U JP 6041191U JP 6041191 U JP6041191 U JP 6041191U JP H0513051 U JPH0513051 U JP H0513051U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
porous ceramic
ceramic plate
glass
outer peripheral
vacuum chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6041191U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2555938Y2 (ja
Inventor
敏一 輪竹
和彦 三嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP6041191U priority Critical patent/JP2555938Y2/ja
Publication of JPH0513051U publication Critical patent/JPH0513051U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2555938Y2 publication Critical patent/JP2555938Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空チャックに関し、研磨によって多孔質セ
ラミック板と外周シール層との間に発生する段差を無視
できる程度に小さくできるようにした真空チャックを提
供することを目的とする。 【構成】 吸着面を構成する多孔質セラミック板1と、
これの外周にガラス接合された緻密質セラミックスから
なる外周シール層2とを備える真空チャックにおいて、
多孔質セラミック板1の周囲部1aに低融点ガラス4を
含浸させる構成とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、真空チャックに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体製造工程において、パターン成形後のウェハの厚み研磨工程、パ ックグライディング、ウェハへの保護テープの貼付け等の工程でウェハを固定支 持するために真空チャックが使用されている。この種の真空チャックとしては、 例えば図4に示すように、吸着面を構成する多孔質セラミック板101と、これの 外周に接合された緻密質セラミックスからなる外周シール層102と、これら多孔 質セラミック板101及び外周シール層102を支持する取付台103とを備えるものが ある。そして、上記多孔質セラミック板101と外周シール層102との接合にはエポ キシ系の接着剤が使用されている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、このような真空チャックで半導体ウェハを吸着支持して研磨する場 合、多孔質セラミック板101の平面出しをするため、研磨材(ダイヤモンド砥粒) の目立てあるいは目直しを兼ねて予め研磨材で多孔質セラミック板101を僅かに 研削している。
【0004】 この研削においては多孔質セラミック板101と材質が異なる外周シール層102と では研磨量が異なるため、例えば図5に示すように、数10μmないし数百μm程 度多孔質セラミック板101が低くなる段差が生じることがある。このような段差 が生じると、この段差からリークが生じて吸着力が低下し、半導体ウェハの固定 が不確実になって加工中に破損することがあった。
【0005】 本考案は、上記の事情に鑑み、研磨によって多孔質セラミック板と外周シール 層との間に発生する段差を無視できる程度に小さくできるようにした真空チャッ クを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本考案に係る真空チャックは、例えば図1に示すように、吸着面を構成する多 孔質セラミック板1と、これの外周にガラス接合された緻密質セラミックスから なる外周シール層2とを備える真空チャックにおいて、上記の目的を達成するた め、多孔質セラミック板1の周囲部1aに低融点ガラス4を含浸させて、空気流 通を阻止するガラス層を形成する。
【0007】
【作用】
本考案においては、多孔質セラミック板1の周囲部1aに低融点ガラス4を含 浸させることにより、多孔質セラミック基板1の周囲部1aが目止めされて緻密 質化され、多孔質セラミック板1の周囲に接合される外周シール層2と機械的特 性が近似するようになって、研削時の段差を極めて小さくできる。
【0008】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図面に基づき具体的に説明する。 図1に示すように、本考案の一実施例に係る真空チャックは、吸着面を構成す る多孔質セラミック板1と、これの外周にガラス接合された緻密質セラミックス からなる外周シール層2と、これら多孔質セラミック板1及び外周シール層2を 保持する取付台3とを備える。また、上記多孔質セラミック板1は気孔率30〜40 %、平均細孔径5〜500μmとしてある。
【0009】 図2に示すように、上記多孔質セラミック板1の周囲部1aには低融点ガラス 4を含浸させてあり、多孔質セラミック板1と外周シール層2とは低融点ガラス 5でガラス付けしてある。 多孔質セラミック板1の周囲部1aに低融点ガラス4を含浸させる方法は、特 に限定されず、例えば多孔質セラミック板1の原料粉末を型込めする時に周囲か ら約8〜10mmの周囲部1aにガラス粉末を混入させ、この後焼成する方法を採用 することができる。あるいは焼成後の多孔質セラミック板1の周囲部にガラスペ ーストを含浸させてもよい。
【0010】 なお、多孔質セラミック板1の原料粉末としては、例えば、アルミナ、ジルコ ニア、窒化珪素等、一般に多孔質セラミック板1を形成できるセラミック粉末を 使用すればよく、ここでは、比較的安価にかつ容易に入手できるアルミナを主成 分とするセラミック粉末を原料粉末として使用した。 多孔質セラミック板1に含浸される低融点ガラス4は、特に限定されないが、 熱膨張係数が比較的原料粉末のそれに近似していることが好ましく、例えば平均 熱膨張率が1〜100×10-7(/℃)程度のものであることが好ましい。
【0011】 また、低融点ガラス4の軟化温度は原料粉末の軟化温度よりも低ければよく、 軟化点が例えば900〜920℃程度のものを使用すればよい。 多孔質セラミック板1と外周シール層2とは、加工技術の発達した今日では特 に限定されないが、なるべく材質や特性、特に、熱膨張係数が近似するものを用 いることが好ましい。
【0012】 多孔質セラミック板1と外周シール層2とをガラス接合する方法は特に限定さ れず、例えば予め低融点ガラス4を含浸させた多孔質セラミック板1の周面にペ ースト状の低融点ガラス5を例えば約0.2mm程度の厚さに塗布し、多孔質セラミ ック板1を外周シール層2に嵌め込んだ後、低融点ガラス5の軟化点よりも高温 に加熱させる方法を採用することができる。
【0013】 この方法を採用する場合、多孔質セラミック板1の周面に塗布される低融点ガ ラス5の軟化点は多孔質セラミック板1の物性が変化する温度よりも低ければよ く、例えば900〜920℃程度の低融点ガラス4を使用すればよい。 また、多孔質セラミック板1の周面に塗布される低融点ガラス5は多孔質セラ ミック板1への付着性を得るため、例えば1500〜2000ps程度の粘度を備える必要 がある。
【0014】 更に、多孔質セラミック板1の周面に塗布される低融点ガラス5は、後述する ガラス接合後の冷却時に低融点ガラス5と多孔質セラミック板1との間にクラッ クが発生することを防止するため、熱膨張係数が多孔質セラミック板1の熱膨張 係数に近似する例えば1〜100×10-7(/℃)程度の低融点ガラスを使用することが 好ましい。
【0015】 また、これらの低融点ガラスとしては、例えばホウケイ酸ガラス、ケイ酸系ガ ラスを用いる。 この実施例では、平均熱膨張係数が64.2×10-7/℃、軟化点が914℃、粘度が18 00psの低融点ガラス5を予め低融点ガラス4を含浸させた多孔質セラミック板1 の下面及び周面に塗布し、920 ℃程度に加熱して多孔質セラミック板1と外周シ ール層2とをガラス接合した。
【0016】 このガラス接合の後、取付台3に多孔質セラミック板1と外周シール層2とを 搭載し、研磨したところ、多孔質セラミック板1と外周シール層2との段差は3 〜4μm程度となり、更に、精度が高いラップ盤を用いて研磨したところ、例え ば図3に示すように、多孔質セラミック板1と外周シール層2との段差が1μm 以下となった。
【0017】 また、多孔質セラミック板1の周囲部に低融点ガラス4を含浸させて目止めし ているので、多孔質セラミック板1の周面から外気がリークし難くなり、このリ ークによる真空吸着力の低下を防止して、確実に半導体ウェハ等の加工物を真空 吸着でき、高精度加工を行うことができる。
【0018】
【考案の効果】
以上のように、本考案によれば、多孔質セラミック板の周囲部に低融点ガラス を含浸させることにより、多孔質セラミック基板の周囲部が目止めされて緻密質 化され、多孔質セラミック板の周囲に接合される外周シール層と機械的特性が近 似するようになる。
【0019】 従って、研磨によって平面出しをする場合に多孔質セラミック板と外周シール 層との間に生じる段差が小さくなり、段差からリークが生じ難くなるとともに、 多孔質セラミック基板の周囲部が目止めされ、多孔質セラミック基板の周面から 外気がリークすることが防止され、リークによる真空吸着力の低下を防止して確 実に加工物を真空吸着することができる。その結果、例えば半導体ウェハの研磨 における仕上げ平面度を高めることができ、高精度加工ができるようになる。
【0020】 また、多孔質セラミック板と外周シール層との間に生じる段差が例えば3〜4 μm程度に小さくなるので、ラップ盤による精密な面出し加工をすることができ 、ラップ盤によって上記段差が例えば1μm以下になるように加工できる。 更に、多孔質セラミック板の周囲部が目止めされているので、多孔質セラミッ ク板よりも小径の加工物を真空吸着する際に、多孔質セラミック板の周囲部の上 面が周囲に開放されていてもリークが生ぜず、確実に加工物を多孔質セラミック 板に吸着固定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例に係る真空チャックの縦断面
図である。
【図2】本考案の一実施例に係る真空チャックの組立手
順を示すフロー図である。
【図3】本考案の一実施例に係る真空チャックの要部の
拡大縦断面図である。
【図4】従来例の縦断面図である。
【図5】本考案が解決しようとする課題の説明図であ
る。
【符号の説明】
1…多孔質セラミック板 1a…周囲部 2…外周シール層 4…低融点ガラス

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 吸着面を構成する多孔質セラミック板
    と、これの外周にガラス接合された緻密質セラミックス
    からなる外周シール層とを備える真空チャックにおい
    て、前記多孔質セラミック板の周囲部に空気流通を阻止
    するためのガラス層を形成したことを特徴とする真空チ
    ャック。
JP6041191U 1991-07-31 1991-07-31 真空チャック Expired - Lifetime JP2555938Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6041191U JP2555938Y2 (ja) 1991-07-31 1991-07-31 真空チャック

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6041191U JP2555938Y2 (ja) 1991-07-31 1991-07-31 真空チャック

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0513051U true JPH0513051U (ja) 1993-02-19
JP2555938Y2 JP2555938Y2 (ja) 1997-11-26

Family

ID=13141413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6041191U Expired - Lifetime JP2555938Y2 (ja) 1991-07-31 1991-07-31 真空チャック

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2555938Y2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004209633A (ja) * 2002-12-18 2004-07-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 加工用基板固定装置およびその製造方法
JP2005142202A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置及び切削ブレードのセットアップ方法
JP2005166423A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Nissan Motor Co Ltd 固体酸化物型燃料電池
WO2005092564A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Ibiden Co., Ltd. 真空チャックおよび吸着板
JP2009147073A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハ加工装置
JP4704971B2 (ja) * 2006-07-21 2011-06-22 太平洋セメント株式会社 真空吸着装置
WO2014035346A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames
WO2016071972A1 (ja) * 2014-11-05 2016-05-12 ギガフォトン株式会社 フィルタ構造体、ターゲット生成装置およびフィルタ構造体の製造方法
JP2017019054A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 株式会社ディスコ チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4731368B2 (ja) * 2006-03-23 2011-07-20 京セラ株式会社 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004209633A (ja) * 2002-12-18 2004-07-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 加工用基板固定装置およびその製造方法
JP4519457B2 (ja) * 2002-12-18 2010-08-04 Sumco Techxiv株式会社 加工用基板固定装置およびその製造方法
JP4549654B2 (ja) * 2003-11-04 2010-09-22 株式会社ディスコ 切削ブレードのセットアップ方法
JP2005142202A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置及び切削ブレードのセットアップ方法
JP2005166423A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Nissan Motor Co Ltd 固体酸化物型燃料電池
JP4682511B2 (ja) * 2003-12-02 2011-05-11 日産自動車株式会社 固体酸化物型燃料電池
US7632594B2 (en) 2003-12-02 2009-12-15 Nissan Motor Co., Ltd. Solid oxide fuel cell with improved gas exhaust
WO2005092564A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Ibiden Co., Ltd. 真空チャックおよび吸着板
JP4704971B2 (ja) * 2006-07-21 2011-06-22 太平洋セメント株式会社 真空吸着装置
JP2009147073A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハ加工装置
WO2014035346A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames
US10312124B2 (en) 2012-08-31 2019-06-04 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames
WO2016071972A1 (ja) * 2014-11-05 2016-05-12 ギガフォトン株式会社 フィルタ構造体、ターゲット生成装置およびフィルタ構造体の製造方法
JPWO2016071972A1 (ja) * 2014-11-05 2017-09-28 ギガフォトン株式会社 フィルタ構造体、ターゲット生成装置およびフィルタ構造体の製造方法
JP2017019054A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 株式会社ディスコ チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2555938Y2 (ja) 1997-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0147094B1 (en) Vacuum suction device
JP3072962B2 (ja) 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
KR100753302B1 (ko) 진공 척, 흡착판, 연마 장치 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
EP0850723B1 (en) Wafer holding jig
JP4666656B2 (ja) 真空吸着装置、その製造方法および被吸着物の吸着方法
JPH0426982B2 (ja)
KR100730501B1 (ko) 웨이퍼 접착 장치와 웨이퍼 접착 방법 및 웨이퍼 연마방법
JP4908263B2 (ja) 真空吸着装置およびその製造方法
JP2555938Y2 (ja) 真空チャック
JP2008060307A (ja) 真空吸着装置及びその製造方法
JP5261057B2 (ja) 吸着盤および真空吸着装置
JP2711424B2 (ja) ウエーハ研削用吸着盤
JP2008028170A (ja) 真空吸着装置及びその製造方法
JP3325441B2 (ja) 真空吸着装置
JP4519457B2 (ja) 加工用基板固定装置およびその製造方法
JP4405887B2 (ja) 真空吸着装置
JP2004283936A (ja) 真空吸着装置
JP2005205507A (ja) 真空吸着装置およびその製造方法
JP2002151580A (ja) ウエハー保持具の製造方法及びウエハー保持具
JP4405886B2 (ja) 真空吸着装置
JP2007180102A (ja) 吸着体の製造方法及び吸着体
JP2002373873A (ja) ウェハ保持用真空チャック
JP3321827B2 (ja) はり合わせ基板形成用支持装置及びはり合わせ基板の形成方法
JP2555938Z (ja)
JPH1148235A (ja) セラミックス基板の加工方法およびセラミックス基板加工用支持板

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term