JPH05125007A - 色相の良好なビスフエノールａ・フエノール結晶アダクトの製造方法 - Google Patents
色相の良好なビスフエノールａ・フエノール結晶アダクトの製造方法Info
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- JPH05125007A JPH05125007A JP3311989A JP31198991A JPH05125007A JP H05125007 A JPH05125007 A JP H05125007A JP 3311989 A JP3311989 A JP 3311989A JP 31198991 A JP31198991 A JP 31198991A JP H05125007 A JPH05125007 A JP H05125007A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 結晶アダクトを得るための晶析装置系を小型
化するとともに、高純度でかつ色相の良好な結晶アダク
トを効率よく製造する。 【構成】 第１段の晶析工程を行うための第１の晶析塔
（Ａ）にビスフェノールＡが溶解したフェノール溶液を
供給し、この晶析工程で得られた種晶を含む晶析生成物
を第２晶析塔（Ｂ）に導入し、第１晶析塔（Ａ）より低
い温度でその種晶の結晶成長を行った後、晶析生成物を
固液分離工程に導入して結晶アダクトを母液から分離
し、この結晶アダクトを該母液よりも純度の高いフェノ
ールで再溶解した後、第２段の晶析工程を行うための第
１の晶析塔（Ｃ）に供給し、この晶析工程で得られた結
晶アダクトを含む晶析生成物を第２晶析塔（Ｄ）に導入
し、第１晶析塔（Ｃ）より低い温度でその種晶の結晶成
長を行うことを特徴とする製造方法。
化するとともに、高純度でかつ色相の良好な結晶アダク
トを効率よく製造する。 【構成】 第１段の晶析工程を行うための第１の晶析塔
（Ａ）にビスフェノールＡが溶解したフェノール溶液を
供給し、この晶析工程で得られた種晶を含む晶析生成物
を第２晶析塔（Ｂ）に導入し、第１晶析塔（Ａ）より低
い温度でその種晶の結晶成長を行った後、晶析生成物を
固液分離工程に導入して結晶アダクトを母液から分離
し、この結晶アダクトを該母液よりも純度の高いフェノ
ールで再溶解した後、第２段の晶析工程を行うための第
１の晶析塔（Ｃ）に供給し、この晶析工程で得られた結
晶アダクトを含む晶析生成物を第２晶析塔（Ｄ）に導入
し、第１晶析塔（Ｃ）より低い温度でその種晶の結晶成
長を行うことを特徴とする製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、色相の良好なビスフェ
ノールＡ・フェノール結晶アダクトの製造方法に関する
ものである。
ノールＡ・フェノール結晶アダクトの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】ビスフェノールＡ〔２，２
−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造
するために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセ
トンを反応させることは知られている。また、この反応
生成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を析出させ、得られたアダクト結晶からフェノール
を除去することも知られている。このようなビスフェノ
ールＡの製造方法において、製品として回収されるビス
フェノールＡの純度及び色相は、その結晶アダクトの純
度及び色相に大きく依存し、高純度で色相の良い結晶ア
ダクトの製造方法が要求される。過剰のフェノールにア
セトンを反応させて得られるビスフェノールＡを含むフ
ェノール溶液から高純度結晶アダクトを得るために、そ
のフェノール溶液を、複数段の晶析工程をその中間に結
晶アダクトの分離工程と溶解工程を介して結合した一連
の晶析工程によって処理する方法は知られている。この
ような複数の晶析工程を用いる従来の結晶アダクトの製
造方法においては、各段の晶析工程では１つの晶析塔が
用いられており、そして、その晶析工程の段数を増加さ
せることによってより高純度の結晶アダクトを得ること
ができる。しかし、この場合、晶析工程の段数を増加さ
せると、その晶析工程段数の増加に応じて、結晶アダク
ト分離装置及び結晶アダクト溶解槽の数も増加させる必
要があり、晶析装置系が複雑になるとともに、大型化
し、装置コストが高くなるという問題を含む。
−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造
するために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセ
トンを反応させることは知られている。また、この反応
生成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を析出させ、得られたアダクト結晶からフェノール
を除去することも知られている。このようなビスフェノ
ールＡの製造方法において、製品として回収されるビス
フェノールＡの純度及び色相は、その結晶アダクトの純
度及び色相に大きく依存し、高純度で色相の良い結晶ア
ダクトの製造方法が要求される。過剰のフェノールにア
セトンを反応させて得られるビスフェノールＡを含むフ
ェノール溶液から高純度結晶アダクトを得るために、そ
のフェノール溶液を、複数段の晶析工程をその中間に結
晶アダクトの分離工程と溶解工程を介して結合した一連
の晶析工程によって処理する方法は知られている。この
ような複数の晶析工程を用いる従来の結晶アダクトの製
造方法においては、各段の晶析工程では１つの晶析塔が
用いられており、そして、その晶析工程の段数を増加さ
せることによってより高純度の結晶アダクトを得ること
ができる。しかし、この場合、晶析工程の段数を増加さ
せると、その晶析工程段数の増加に応じて、結晶アダク
ト分離装置及び結晶アダクト溶解槽の数も増加させる必
要があり、晶析装置系が複雑になるとともに、大型化
し、装置コストが高くなるという問題を含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶アダク
トを得るための晶析装置系を小型化するとともに、高純
度でかつ色相の良好な結晶アダクトを効率よく製造する
ための方法を提供することをその課題とする。
トを得るための晶析装置系を小型化するとともに、高純
度でかつ色相の良好な結晶アダクトを効率よく製造する
ための方法を提供することをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、第１段の晶析工程を
行うための直列に連結された２つの晶析塔の第１の晶析
塔（Ａ）にビスフェノールＡが溶解したフェノール溶液
を供給し、ビスフェノールＡ・フェノールの結晶アダク
トからなる種晶を析出させるとともに、この晶析工程で
得られた種晶を含む晶析生成物を第２晶析塔（Ｂ）に導
入し、前記第１晶析塔（Ａ）より低い温度でその種晶の
結晶成長を行った後、この第１段の晶析工程で得られた
晶析生成物を固液分離工程に導入して結晶アダクトを母
液から分離し、次いでこの結晶アダクトを該母液よりも
純度の高いフェノールで再溶解した後、第２段の晶析工
程を行うための直列に連結された２つの晶析塔の第１の
晶析塔（Ｃ）に供給し、ビスフェノールＡ・フェノール
の結晶アダクトからなる種晶を析出させるとともに、こ
の晶析工程で得られた結晶アダクトを含む晶析生成物を
第２晶析塔（Ｄ）に導入し、前記第１晶析塔（Ｃ）より
低い温度でその種晶の結晶成長を行うことを特徴とする
色相の良好なビスフェノールＡ・フェノール結晶アダク
トの製造方法が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、第１段の晶析工程を
行うための直列に連結された２つの晶析塔の第１の晶析
塔（Ａ）にビスフェノールＡが溶解したフェノール溶液
を供給し、ビスフェノールＡ・フェノールの結晶アダク
トからなる種晶を析出させるとともに、この晶析工程で
得られた種晶を含む晶析生成物を第２晶析塔（Ｂ）に導
入し、前記第１晶析塔（Ａ）より低い温度でその種晶の
結晶成長を行った後、この第１段の晶析工程で得られた
晶析生成物を固液分離工程に導入して結晶アダクトを母
液から分離し、次いでこの結晶アダクトを該母液よりも
純度の高いフェノールで再溶解した後、第２段の晶析工
程を行うための直列に連結された２つの晶析塔の第１の
晶析塔（Ｃ）に供給し、ビスフェノールＡ・フェノール
の結晶アダクトからなる種晶を析出させるとともに、こ
の晶析工程で得られた結晶アダクトを含む晶析生成物を
第２晶析塔（Ｄ）に導入し、前記第１晶析塔（Ｃ）より
低い温度でその種晶の結晶成長を行うことを特徴とする
色相の良好なビスフェノールＡ・フェノール結晶アダク
トの製造方法が提供される。
【０００５】次に本発明を図面により説明する。図１は
本発明を実施する場合の装置系統図を示す。この図にお
いて、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは晶析塔を示し、Ｅは固液分離装
置、Ｆは溶解槽を示す。各晶析塔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、そ
の内部に、上部に開口部を有する内筒Ｐが挿入配設され
ている。また、各晶析塔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄには、微結晶ア
ダクト溶解タンクＱが付設されている。晶析塔Ａ及びＢ
は直列に連結されて、第１段の晶析工程を行うための装
置系を構成し、晶析塔Ｃ及びＤは直列に連結されて第２
段の晶析工程を行うための装置系を構成する。被処理原
料であるビスフェノールＡを含むフェノール溶液は、ラ
イン１及びライン２を通って、直列に連結された２つの
晶析塔Ａ，Ｂのうちの第１晶析塔Ａの下部に供給され、
ここでビスフェノールＡ・フェノール結晶アダクトから
なる種晶が析出される。この晶析塔Ａにおいては、その
塔内上部の結晶アダクト（種晶）を含むフェノール溶液
が内筒Ｐ内を流下し、ライン３を通って外部へ抜出さ
れ、ポンプ４、ライン５及び冷却器６及びライン２を通
って第１晶析塔Ａ内に循環され、これによって、晶析塔
Ａ内のフェノール溶液は冷却され、晶析塔Ａは所定温度
に冷却される。晶析塔Ａ内の内筒Ｐから抜出された種晶
を含む晶析生成物（以下、単にスラリーとも言う）の一
部は、ライン７、ポンプ８、ライン９、ライン１０及び
加熱器１１を通って微結晶アダクト溶解タンクＱに導入
され、ここで結晶アダクトのうちの微細結晶が溶解さ
れ、一定の大きさの粗大結晶の種晶のみを含むスラリー
がライン１３を通って晶析塔Ａの下部に循環され、これ
によって晶析塔Ａ内に含まれる種晶の粒径が揃えら、晶
析塔Ａ内には、微結晶の種晶含有率が低く、粗大結晶の
種晶含有率の高い種晶が生成される。晶析塔Ａ内におけ
る微結晶アダクトは、その比表面積が大きく、着色原因
物質に対して高い吸着性を示す。従って、晶析塔Ａで種
晶として得られる結晶アダクト中の微結晶成分の粒子含
有率を可及的に減少させることにより、色相のよい種晶
を得ることができる。本発明者らの研究によれば、結晶
アダクト中の粒径１００μｍ以下の微結晶成分の粒子含
有率を３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下に保
持することにより、色相の良い高純度結晶アダクトを製
造し得ることが見出された。
本発明を実施する場合の装置系統図を示す。この図にお
いて、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは晶析塔を示し、Ｅは固液分離装
置、Ｆは溶解槽を示す。各晶析塔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、そ
の内部に、上部に開口部を有する内筒Ｐが挿入配設され
ている。また、各晶析塔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄには、微結晶ア
ダクト溶解タンクＱが付設されている。晶析塔Ａ及びＢ
は直列に連結されて、第１段の晶析工程を行うための装
置系を構成し、晶析塔Ｃ及びＤは直列に連結されて第２
段の晶析工程を行うための装置系を構成する。被処理原
料であるビスフェノールＡを含むフェノール溶液は、ラ
イン１及びライン２を通って、直列に連結された２つの
晶析塔Ａ，Ｂのうちの第１晶析塔Ａの下部に供給され、
ここでビスフェノールＡ・フェノール結晶アダクトから
なる種晶が析出される。この晶析塔Ａにおいては、その
塔内上部の結晶アダクト（種晶）を含むフェノール溶液
が内筒Ｐ内を流下し、ライン３を通って外部へ抜出さ
れ、ポンプ４、ライン５及び冷却器６及びライン２を通
って第１晶析塔Ａ内に循環され、これによって、晶析塔
Ａ内のフェノール溶液は冷却され、晶析塔Ａは所定温度
に冷却される。晶析塔Ａ内の内筒Ｐから抜出された種晶
を含む晶析生成物（以下、単にスラリーとも言う）の一
部は、ライン７、ポンプ８、ライン９、ライン１０及び
加熱器１１を通って微結晶アダクト溶解タンクＱに導入
され、ここで結晶アダクトのうちの微細結晶が溶解さ
れ、一定の大きさの粗大結晶の種晶のみを含むスラリー
がライン１３を通って晶析塔Ａの下部に循環され、これ
によって晶析塔Ａ内に含まれる種晶の粒径が揃えら、晶
析塔Ａ内には、微結晶の種晶含有率が低く、粗大結晶の
種晶含有率の高い種晶が生成される。晶析塔Ａ内におけ
る微結晶アダクトは、その比表面積が大きく、着色原因
物質に対して高い吸着性を示す。従って、晶析塔Ａで種
晶として得られる結晶アダクト中の微結晶成分の粒子含
有率を可及的に減少させることにより、色相のよい種晶
を得ることができる。本発明者らの研究によれば、結晶
アダクト中の粒径１００μｍ以下の微結晶成分の粒子含
有率を３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下に保
持することにより、色相の良い高純度結晶アダクトを製
造し得ることが見出された。
【０００６】本発明で被処理原料として用いるビスフェ
ノールＡを含むフェノール溶液は、通常、ビスフェノー
ルＡ：７〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量％を
含有し、その他の成分として、ビスフェノールＡの異性
体、トリスフェノール等を８重量％以下の割合で含む。
ライン１から供給されるビスフェノールＡを含むフェノ
ール溶液の温度は、結晶アダクトの飽和温度より１〜２
０℃程度高い温度である。晶析塔Ａの晶析温度は４５〜
７０℃、好ましくは４８〜５７℃である。ライン３、ポ
ンプ４、冷却器６及びライン２を通って循環されるスラ
リーは、冷却器６において、その温度を１０℃程度以
下、好ましくは、５℃以下程度降下される。晶析塔Ａに
おけるフェノール溶液の滞留時間は０．５〜１０時間、
好ましくは０．５〜５時間である。一方、ライン７、ポ
ンプ８、ライン１０、加熱器１１を通って微結晶アダク
ト溶解タンクＱに導入されるスラリーは、その加熱器１
１において、その温度を０．５〜５℃程度上昇される。
このタンクＱにおけるフェノール溶液の滞留時間は３〜
１５分程度である。微結晶溶解タンクＱ内においては、
主に粒径１００μｍ以下の微結晶アダクトが溶解され、
この微結晶アダクトが溶解されたスラリーは、ライン１
３を通り、晶析塔Ａへ戻され、晶析塔Ａにおいて、結晶
の成長が促進され粗大結晶の種晶が得られる。
ノールＡを含むフェノール溶液は、通常、ビスフェノー
ルＡ：７〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量％を
含有し、その他の成分として、ビスフェノールＡの異性
体、トリスフェノール等を８重量％以下の割合で含む。
ライン１から供給されるビスフェノールＡを含むフェノ
ール溶液の温度は、結晶アダクトの飽和温度より１〜２
０℃程度高い温度である。晶析塔Ａの晶析温度は４５〜
７０℃、好ましくは４８〜５７℃である。ライン３、ポ
ンプ４、冷却器６及びライン２を通って循環されるスラ
リーは、冷却器６において、その温度を１０℃程度以
下、好ましくは、５℃以下程度降下される。晶析塔Ａに
おけるフェノール溶液の滞留時間は０．５〜１０時間、
好ましくは０．５〜５時間である。一方、ライン７、ポ
ンプ８、ライン１０、加熱器１１を通って微結晶アダク
ト溶解タンクＱに導入されるスラリーは、その加熱器１
１において、その温度を０．５〜５℃程度上昇される。
このタンクＱにおけるフェノール溶液の滞留時間は３〜
１５分程度である。微結晶溶解タンクＱ内においては、
主に粒径１００μｍ以下の微結晶アダクトが溶解され、
この微結晶アダクトが溶解されたスラリーは、ライン１
３を通り、晶析塔Ａへ戻され、晶析塔Ａにおいて、結晶
の成長が促進され粗大結晶の種晶が得られる。
【０００７】第１晶析塔Ａ内の内筒Ｐの底部から抜出さ
れたスラリーの一部は、ライン７、ポンプ８、ライン１
２及びライン２１を通って、第２晶析塔Ｂの下部に導入
され、ここで結晶アダクトの成長が行われる。この第２
晶析塔Ｂは、前記晶析塔Ａに関して示したのと同様に操
作される。晶析塔Ｂにおいて、その温度範囲は４５〜７
０℃であり、晶析塔Ａの晶析温度よりも３〜１０℃程度
低く保持される。冷却器２６を通るスラリーは、ここで
その温度を１０℃程度以下、好ましくは、５℃以下程度
降下される。一方、加熱器３１を通るスラリーは、ここ
でその温度を０．５〜５℃程度上昇される。晶析塔Ｂに
付設された微結晶アダクト溶解タンクＱ内においては、
粒径１００μｍ以下の結晶アダクト成分が溶解され、微
結晶アダクトが溶解されたスラリーは、ライン３３を通
り、晶析塔へ戻され、その結晶の成長が促進される。晶
析塔Ｂ内の内筒Ｐの底部から抜出されるスラリー中の結
晶アダクトの濃度は３５重量％以下、好ましくは２５重
量％以下であり、その結晶アダクト中の粒径１００μｍ
以下の微結晶成分の粒子含有率は３０重量％以下、好ま
しくは２０重量％以下である。
れたスラリーの一部は、ライン７、ポンプ８、ライン１
２及びライン２１を通って、第２晶析塔Ｂの下部に導入
され、ここで結晶アダクトの成長が行われる。この第２
晶析塔Ｂは、前記晶析塔Ａに関して示したのと同様に操
作される。晶析塔Ｂにおいて、その温度範囲は４５〜７
０℃であり、晶析塔Ａの晶析温度よりも３〜１０℃程度
低く保持される。冷却器２６を通るスラリーは、ここで
その温度を１０℃程度以下、好ましくは、５℃以下程度
降下される。一方、加熱器３１を通るスラリーは、ここ
でその温度を０．５〜５℃程度上昇される。晶析塔Ｂに
付設された微結晶アダクト溶解タンクＱ内においては、
粒径１００μｍ以下の結晶アダクト成分が溶解され、微
結晶アダクトが溶解されたスラリーは、ライン３３を通
り、晶析塔へ戻され、その結晶の成長が促進される。晶
析塔Ｂ内の内筒Ｐの底部から抜出されるスラリー中の結
晶アダクトの濃度は３５重量％以下、好ましくは２５重
量％以下であり、その結晶アダクト中の粒径１００μｍ
以下の微結晶成分の粒子含有率は３０重量％以下、好ま
しくは２０重量％以下である。
【０００８】第２晶析塔Ｂ内の内筒Ｐの底部から抜出さ
れたスラリーの一部は、ライン３５を通って固液分離装
置Ｅに導入され、ここで結晶アダクトと母液とが分離さ
れ、分離された結晶アダクトはライン３６を通って結晶
アダクト溶解槽Ｆに導入され、ここで再び溶解される。
固液分離装置Ｅとしては、従来公知のもの、例えば、遠
心分離機や、濾過装置等が用いられる。溶解槽Ｅとして
は、従来公知のもの、例えば、内部に撹拌器を有する撹
拌槽や、加熱型の溶解槽が用いられる。溶解槽Ｆにおい
ては、精製フェノールをライン８１から導入し、この精
製フェノールを用いて、撹拌下、結晶アダクトを希釈溶
解させるのが好ましい。この場合、必要に応じ、加熱を
併用することもできる。溶解槽の温度は、７０〜１６０
℃、好ましくは８０〜１００℃である。精製フェノール
としては、その純度が母液よりも高いものを用いる。
れたスラリーの一部は、ライン３５を通って固液分離装
置Ｅに導入され、ここで結晶アダクトと母液とが分離さ
れ、分離された結晶アダクトはライン３６を通って結晶
アダクト溶解槽Ｆに導入され、ここで再び溶解される。
固液分離装置Ｅとしては、従来公知のもの、例えば、遠
心分離機や、濾過装置等が用いられる。溶解槽Ｅとして
は、従来公知のもの、例えば、内部に撹拌器を有する撹
拌槽や、加熱型の溶解槽が用いられる。溶解槽Ｆにおい
ては、精製フェノールをライン８１から導入し、この精
製フェノールを用いて、撹拌下、結晶アダクトを希釈溶
解させるのが好ましい。この場合、必要に応じ、加熱を
併用することもできる。溶解槽の温度は、７０〜１６０
℃、好ましくは８０〜１００℃である。精製フェノール
としては、その純度が母液よりも高いものを用いる。
【０００９】結晶アダクトを精製フェノールで希釈溶解
させる場合、その精製フェノールとしては、製品ビスフ
ェノールＡの着色原因とならない、不純物含有率の少な
いものであればどのようなものでもよい。本発明で好ま
しく用いることのできる精製フェノールとしては、例え
ば、（ｉ）フェノールとアセトンとの反応生成物か分離
されたフェノール、（ｉｉ）ビスフェノールを含むフェ
ノールの晶析生成物から分離されたフェノール、（ｉｉ
ｉ）結晶アダクトを洗浄した後の使用済みフェノール及
び（ｉｖ）工業用フェノールの中から選ばれる少なくと
も一種のフェノールの精製物が用いられる。フェノール
とアセトンとの反応によりえられる反応生成物は、それ
に含まれる生成ビスフェノールＡを濃縮するために、そ
の反応生成物からフェノールが分離されるが、本発明で
は、このフェノールの精製物を洗浄液として用いること
ができる。また、ビスフェノールＡを含むフェノール溶
液を晶析処理して結晶アダクトを析出させる場合、通
常、複数段の晶析工程と晶析生成物の固液分離工程が採
用され、それに応じて複数種の母液（フェノール溶液）
が得られるが、本発明ではこれらの母液を形成するフェ
ノールの精製物を洗浄液として用いることができる。本
発明で用いるフェノール精製物は、それら母液のいずれ
の母液を形成するフェノールの精製物でも良いが、好ま
しくは最終段の晶析工程で得られる晶析生成物から分離
された母液を形成するフェノールの精製物を用いるのが
よい。本発明においては、結晶アダクトを洗浄した後に
は使用済みのフェノールが得られるが、本発明では、こ
の使用済みフェノールの精製物も洗浄液として有利に用
いることができる。本発明で用いる前記フェノール精製
物を得るための原料フェノールとしては、その純度が９
５重量％以上、好ましくは９７重量％以上のものの使用
が好ましい。また、本発明では、工業用フェノールの精
製物を洗浄液として用いることができる。この場合、工
業用フェノールとしては、フェノール純度９５重量％以
上、好ましくは９７重量％以上のものが用いられる。次
に、前記フェノールから精製フェノールを得るための方
法について詳述すると、先ず、フェノールを強酸型イオ
ン交換樹脂と接触させて処理する。強酸型イオン交換樹
脂としては、スルホン基を有するものが用いられ、この
ような強酸型イオン交換樹脂は、従来良く知られている
ものである。例えば、ロームアンドハース社から入手し
得るアンバーライト及びアンバーリストや、三菱化成社
から入手し得るダイヤイオン等のゲル型のものを好まし
く用いることができる。この強酸型イオン交換樹脂を用
いるフェノールの処理は、強酸型イオン交換樹脂を含む
充填塔にフェノールを流通させる方法や、強酸型イオン
交換樹脂を入れた撹拌槽にフェノールを入れて撹拌する
方法等により実施することができる。処理温度は４５〜
１５０℃、好ましくは５０〜１００℃である。強酸型イ
オン交換樹脂とフェノールの接触時間は、５〜２００
分、好ましくは１５〜６０分程度である。この強酸型イ
オン交換樹脂を用いてフェノールの処理を行う場合、フ
ェノール中の水分は、０．５重量％以下、好ましくは
０．１重量％以下にする。これより水分が多くなると、
強酸型イオン交換樹脂による不純物除去効果が悪化す
る。フェノール中からの０．５重量％以下までの水分の
除去は、フェノール中に公知の共沸剤を加え共沸させる
ことによって行うことができる。前記強酸型イオン交換
樹脂と接触処理されたフェノールは、高沸点不純物を含
むもので、蒸留処理することにより、その高沸点不純物
を蒸留残渣として分離する。蒸留塔の運転条件はフェノ
ールと高沸点不純物が分離できればよいが、留出フェノ
ール中に高沸点不純物が混入しない条件で行う必要があ
り、留意すべきポイントとして蒸留処理温度を２００℃
以下にすることである。２００℃以下の温度であれば運
転圧力は任意に設定されるが、通常５０Ｔｏｒｒ〜７６
０Ｔｏｒｒの減圧ないし常圧下で行われる。運転温度が
２００℃をこえると高沸点不純物等の分解がおこり精製
フェノールの品質を低下させるので好ましくない。前記
処理によって得られた精製フェノールは、ＡＰＨＡ基準
の色相が１０以下のものであり、結晶アダクト及び製品
ビスフェノールＡに付着しても、その色相を特に悪化さ
せることはない。
させる場合、その精製フェノールとしては、製品ビスフ
ェノールＡの着色原因とならない、不純物含有率の少な
いものであればどのようなものでもよい。本発明で好ま
しく用いることのできる精製フェノールとしては、例え
ば、（ｉ）フェノールとアセトンとの反応生成物か分離
されたフェノール、（ｉｉ）ビスフェノールを含むフェ
ノールの晶析生成物から分離されたフェノール、（ｉｉ
ｉ）結晶アダクトを洗浄した後の使用済みフェノール及
び（ｉｖ）工業用フェノールの中から選ばれる少なくと
も一種のフェノールの精製物が用いられる。フェノール
とアセトンとの反応によりえられる反応生成物は、それ
に含まれる生成ビスフェノールＡを濃縮するために、そ
の反応生成物からフェノールが分離されるが、本発明で
は、このフェノールの精製物を洗浄液として用いること
ができる。また、ビスフェノールＡを含むフェノール溶
液を晶析処理して結晶アダクトを析出させる場合、通
常、複数段の晶析工程と晶析生成物の固液分離工程が採
用され、それに応じて複数種の母液（フェノール溶液）
が得られるが、本発明ではこれらの母液を形成するフェ
ノールの精製物を洗浄液として用いることができる。本
発明で用いるフェノール精製物は、それら母液のいずれ
の母液を形成するフェノールの精製物でも良いが、好ま
しくは最終段の晶析工程で得られる晶析生成物から分離
された母液を形成するフェノールの精製物を用いるのが
よい。本発明においては、結晶アダクトを洗浄した後に
は使用済みのフェノールが得られるが、本発明では、こ
の使用済みフェノールの精製物も洗浄液として有利に用
いることができる。本発明で用いる前記フェノール精製
物を得るための原料フェノールとしては、その純度が９
５重量％以上、好ましくは９７重量％以上のものの使用
が好ましい。また、本発明では、工業用フェノールの精
製物を洗浄液として用いることができる。この場合、工
業用フェノールとしては、フェノール純度９５重量％以
上、好ましくは９７重量％以上のものが用いられる。次
に、前記フェノールから精製フェノールを得るための方
法について詳述すると、先ず、フェノールを強酸型イオ
ン交換樹脂と接触させて処理する。強酸型イオン交換樹
脂としては、スルホン基を有するものが用いられ、この
ような強酸型イオン交換樹脂は、従来良く知られている
ものである。例えば、ロームアンドハース社から入手し
得るアンバーライト及びアンバーリストや、三菱化成社
から入手し得るダイヤイオン等のゲル型のものを好まし
く用いることができる。この強酸型イオン交換樹脂を用
いるフェノールの処理は、強酸型イオン交換樹脂を含む
充填塔にフェノールを流通させる方法や、強酸型イオン
交換樹脂を入れた撹拌槽にフェノールを入れて撹拌する
方法等により実施することができる。処理温度は４５〜
１５０℃、好ましくは５０〜１００℃である。強酸型イ
オン交換樹脂とフェノールの接触時間は、５〜２００
分、好ましくは１５〜６０分程度である。この強酸型イ
オン交換樹脂を用いてフェノールの処理を行う場合、フ
ェノール中の水分は、０．５重量％以下、好ましくは
０．１重量％以下にする。これより水分が多くなると、
強酸型イオン交換樹脂による不純物除去効果が悪化す
る。フェノール中からの０．５重量％以下までの水分の
除去は、フェノール中に公知の共沸剤を加え共沸させる
ことによって行うことができる。前記強酸型イオン交換
樹脂と接触処理されたフェノールは、高沸点不純物を含
むもので、蒸留処理することにより、その高沸点不純物
を蒸留残渣として分離する。蒸留塔の運転条件はフェノ
ールと高沸点不純物が分離できればよいが、留出フェノ
ール中に高沸点不純物が混入しない条件で行う必要があ
り、留意すべきポイントとして蒸留処理温度を２００℃
以下にすることである。２００℃以下の温度であれば運
転圧力は任意に設定されるが、通常５０Ｔｏｒｒ〜７６
０Ｔｏｒｒの減圧ないし常圧下で行われる。運転温度が
２００℃をこえると高沸点不純物等の分解がおこり精製
フェノールの品質を低下させるので好ましくない。前記
処理によって得られた精製フェノールは、ＡＰＨＡ基準
の色相が１０以下のものであり、結晶アダクト及び製品
ビスフェノールＡに付着しても、その色相を特に悪化さ
せることはない。
【００１０】溶解槽ＦからのビスフェノールＡを含むフ
ェノール溶液は、ライン４１を通り、第２段の晶析系を
構成する第１の晶析塔Ｃの下部に導入する。この場合、
フェノール溶液は、ビスフェノールＡの濃度が７〜５０
重量％、好ましくは１０〜３０重量％になるようにその
濃度を調整する。この晶析塔Ｃは、前記晶析塔Ａに示し
たのと同様に操作される。晶析塔Ｃにおいて、その晶析
温度は、４５〜７０℃であり、晶析塔Ａの温度よりも０
〜１０℃程度高く保持される。冷却器４６を通るスラリ
ーは、ここでその温度を１０℃程度以下、好ましくは、
５℃以下程度降下される。一方、加熱器５１を通るスラ
リーは、ここでその温度を０．５〜５℃程度上昇され
る。晶析塔Ｃに付設された微結晶アダクト溶解タンクＱ
内においては、粒径１００μｍ以下の微結晶アダクト成
分が溶解され、微結晶成分が溶解されたスラリーは、ラ
イン５３を通り、晶析塔Ｃへ戻され、その結晶の成長が
促進される。
ェノール溶液は、ライン４１を通り、第２段の晶析系を
構成する第１の晶析塔Ｃの下部に導入する。この場合、
フェノール溶液は、ビスフェノールＡの濃度が７〜５０
重量％、好ましくは１０〜３０重量％になるようにその
濃度を調整する。この晶析塔Ｃは、前記晶析塔Ａに示し
たのと同様に操作される。晶析塔Ｃにおいて、その晶析
温度は、４５〜７０℃であり、晶析塔Ａの温度よりも０
〜１０℃程度高く保持される。冷却器４６を通るスラリ
ーは、ここでその温度を１０℃程度以下、好ましくは、
５℃以下程度降下される。一方、加熱器５１を通るスラ
リーは、ここでその温度を０．５〜５℃程度上昇され
る。晶析塔Ｃに付設された微結晶アダクト溶解タンクＱ
内においては、粒径１００μｍ以下の微結晶アダクト成
分が溶解され、微結晶成分が溶解されたスラリーは、ラ
イン５３を通り、晶析塔Ｃへ戻され、その結晶の成長が
促進される。
【００１１】晶析塔Ｃ内の内筒Ｐの底部から抜出された
スラリーの一部は、ライン５２、ライン６１及びライン
６２を通って、第２段の晶析系を構成する第２晶析塔Ｄ
の下部に導入され、ここで結晶の成長が行われる。この
第２晶析塔Ｄは、前記晶析塔Ａに示したのと同様に操作
される。晶析塔Ｄにおいて、その晶析温度は４５〜７０
℃であり、晶析塔Ｃの温度よりも０〜１０℃程度低くか
つ晶析塔Ｂよりも０〜１０℃程度高く保持される。一
方、加熱器７１を通るスラリーは、ここでその温度を
０．５〜５℃程度上昇される。晶析塔Ｄに付設された微
結晶アダクト溶解タンクＱ内においては、粒径１００μ
ｍ以下の微結晶アダクト成分が溶解され、微結晶成分が
溶解されたスラリーは、ライン７３を通って、晶析塔へ
戻され、その結晶の成長が行われる。晶析塔Ｄ内の内筒
Ｐの底部から抜出されるスラリー中の結晶アダクトの濃
度は３５重量％以下、好ましくは２５重量％以下であ
り、その結晶アダクト中の粒径１００μｍ以下の微結晶
アダクト成分の含有率は３０重量％以下、好ましくは２
０重量％以下である。晶析塔Ｄ内の内筒Ｐの底部から抜
出されたスラリーは、ライン８０を通って製品スラリー
として回収される。このスラリーは、必要に応じて固液
分離され、得られた結晶アダクトは、これをビスフェノ
ールＡの回収工程へ送って、フェノールを除去し、ビス
フェノールＡを回収する。
スラリーの一部は、ライン５２、ライン６１及びライン
６２を通って、第２段の晶析系を構成する第２晶析塔Ｄ
の下部に導入され、ここで結晶の成長が行われる。この
第２晶析塔Ｄは、前記晶析塔Ａに示したのと同様に操作
される。晶析塔Ｄにおいて、その晶析温度は４５〜７０
℃であり、晶析塔Ｃの温度よりも０〜１０℃程度低くか
つ晶析塔Ｂよりも０〜１０℃程度高く保持される。一
方、加熱器７１を通るスラリーは、ここでその温度を
０．５〜５℃程度上昇される。晶析塔Ｄに付設された微
結晶アダクト溶解タンクＱ内においては、粒径１００μ
ｍ以下の微結晶アダクト成分が溶解され、微結晶成分が
溶解されたスラリーは、ライン７３を通って、晶析塔へ
戻され、その結晶の成長が行われる。晶析塔Ｄ内の内筒
Ｐの底部から抜出されるスラリー中の結晶アダクトの濃
度は３５重量％以下、好ましくは２５重量％以下であ
り、その結晶アダクト中の粒径１００μｍ以下の微結晶
アダクト成分の含有率は３０重量％以下、好ましくは２
０重量％以下である。晶析塔Ｄ内の内筒Ｐの底部から抜
出されたスラリーは、ライン８０を通って製品スラリー
として回収される。このスラリーは、必要に応じて固液
分離され、得られた結晶アダクトは、これをビスフェノ
ールＡの回収工程へ送って、フェノールを除去し、ビス
フェノールＡを回収する。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、高純度で、ＡＰＨＡ１
５以下の色相の良好なビスフェノールＡ・フェノール結
晶アダクトを高収率で得ることができる。このビスフェ
ノールＡ・フェノール結晶アダクトは、これからフェノ
ールを分離除去することにより、高純度で色相のよいビ
スフェノールＡを与える。
５以下の色相の良好なビスフェノールＡ・フェノール結
晶アダクトを高収率で得ることができる。このビスフェ
ノールＡ・フェノール結晶アダクトは、これからフェノ
ールを分離除去することにより、高純度で色相のよいビ
スフェノールＡを与える。
【図１】本発明を実施する場合の装置系統図の１例を示
す。
す。
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 晶析塔 Ｅ 固液分離装置 Ｆ 結晶アダクト溶解槽 Ｐ 内筒 Ｑ 微結晶アダクト溶解タンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀田 孝雄 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 浅岡 佐知夫 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１段の晶析工程を行うための直列に連
結された２つの晶析塔の第１の晶析塔（Ａ）にビスフェ
ノールＡが溶解したフェノール溶液を供給し、ビスフェ
ノールＡ・フェノールの結晶アダクトからなる種晶を析
出させるとともに、この晶析工程で得られた種晶を含む
晶析生成物を第２晶析塔（Ｂ）に導入し、前記第１晶析
塔（Ａ）より低い温度でその種晶の結晶成長を行った
後、この第１段の晶析工程で得られた晶析生成物を固液
分離工程に導入して結晶アダクトを母液から分離し、次
いでこの結晶アダクトを該母液よりも純度の高いフェノ
ールで再溶解した後、第２段の晶析工程を行うための直
列に連結された２つの晶析塔の第１の晶析塔（Ｃ）に供
給し、ビスフェノールＡ・フェノールの結晶アダクトか
らなる種晶を析出させるとともに、この晶析工程で得ら
れた結晶アダクトを含む晶析生成物を第２晶析塔（Ｄ）
に導入し、前記第１晶析塔（Ｃ）より低い温度でその種
晶の結晶成長を行うことを特徴とする色相の良好なビス
フェノールＡ・フェノール結晶アダクトの製造方法。
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311989A JP2683762B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 色相の良好なビスフェノールａ・フェノール結晶アダクトの製造方法 |
| DE69227849T DE69227849T2 (de) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Verfahren und Herstellung eines Kristallinadduktes von Bisphenol A mit Phenol und Vorrichtung dafür |
| DE69217133T DE69217133T2 (de) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Verfahren zur Herstellung eines Kristallinadduktes von Bisphenol A mit Phenol und Vorrichtung dafür |
| DE69227850T DE69227850T2 (de) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Verfahren zur Herstellung eines Kristallinadduktes von Bisphenol A mit Phenol |
| EP96200435A EP0718267B1 (en) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| ES96200436T ES2126977T3 (es) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Procedimento para la produccion de aducto cristalino de bisfenol a y fenol. |
| EP96200436A EP0718268B1 (en) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol |
| ES92304932T ES2097877T3 (es) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Procedimiento para la preparacion de un aducto cristalino del bisfenol a con el fenol y aparato para ello. |
| EP92304932A EP0522700B1 (en) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| ES96200435T ES2126976T3 (es) | 1991-07-10 | 1992-05-29 | Procedimento para la produccion de aducto cristalino de bisfenol a y fenol y aparato para este. |
| CN92105365A CN1059428C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 高品位双酚a的制造方法 |
| CNB991038959A CN1167659C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 酚精制、双酚a·酚结晶加合物精制和制法、双酚a制法 |
| CNB991038614A CN1190403C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 双酚a·酚结晶加合物的晶析装置、制法及其装置 |
| CNB991038622A CN1190404C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 含酚化合物、双酚a和蒸汽的解吸气体的冷凝处理方法 |
| KR1019920012309A KR100189205B1 (ko) | 1991-07-10 | 1992-07-10 | 비스페놀a. 페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a 의 제조방법 |
| US08/026,126 US5345000A (en) | 1991-07-10 | 1993-03-03 | Process for the production of crystalline adduct of bisphenol A and phenol and apparatus therefor |
| KR1019980044546A KR100190336B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044545A KR100190335B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044544A KR100190334B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 페놀의정제방법, 비스페놀a. 페놀결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311989A JP2683762B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 色相の良好なビスフェノールａ・フェノール結晶アダクトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05125007A true JPH05125007A (ja) | 1993-05-21 |
| JP2683762B2 JP2683762B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=18023865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3311989A Expired - Lifetime JP2683762B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-10-30 | 色相の良好なビスフェノールａ・フェノール結晶アダクトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683762B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008273933A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | ビスフェノールａの製造方法 |
| CN110272451A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-09-24 | 肯特催化材料股份有限公司 | 一种四苯基苯酚膦盐的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539585A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-28 | Toshiba Ceramics Co | Protective tube for continuous temperature measurement |
| JPS5519204A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Sanwa Chem:Kk | Production of inorganic acid salt of guanidine |
| JPS6038335A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ビスフエノ−ルａの製造方法 |
| JPH01213246A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ビスフェノールａとフェノールとの付加物の晶出方法 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3311989A patent/JP2683762B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539585A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-28 | Toshiba Ceramics Co | Protective tube for continuous temperature measurement |
| JPS5519204A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Sanwa Chem:Kk | Production of inorganic acid salt of guanidine |
| JPS6038335A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ビスフエノ−ルａの製造方法 |
| JPH01213246A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ビスフェノールａとフェノールとの付加物の晶出方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008273933A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | ビスフェノールａの製造方法 |
| CN110272451A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-09-24 | 肯特催化材料股份有限公司 | 一种四苯基苯酚膦盐的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2683762B2 (ja) | 1997-12-03 |
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