JPH05121938A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPH05121938A JPH05121938A JP28466891A JP28466891A JPH05121938A JP H05121938 A JPH05121938 A JP H05121938A JP 28466891 A JP28466891 A JP 28466891A JP 28466891 A JP28466891 A JP 28466891A JP H05121938 A JPH05121938 A JP H05121938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- circuit
- fundamental wave
- harmonic
- oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基本波発振と高調波発振が同一回路基板で、
簡単に切り換え可能な発振回路を提供する。 【構成】水晶振動子Ｘと、該水晶振動子Ｘに接続される
発振部と、基本波発振制御用負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄと
高調波発振用負荷抵抗Ｒ5 Ｅ、、Ｒ7 Ｅを有する増幅段
とからなり、これら基本波発振制御用負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、
Ｒ7 Ｄと高調波発振用負荷抵抗Ｒ5 Ｅ、、Ｒ7 Ｅに接続
される前記回路パターンの一部に一方のみの負荷抵抗を
動作させる選択手段である開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰ
Ｄ2 、ＳＰＥを設けた。
簡単に切り換え可能な発振回路を提供する。 【構成】水晶振動子Ｘと、該水晶振動子Ｘに接続される
発振部と、基本波発振制御用負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄと
高調波発振用負荷抵抗Ｒ5 Ｅ、、Ｒ7 Ｅを有する増幅段
とからなり、これら基本波発振制御用負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、
Ｒ7 Ｄと高調波発振用負荷抵抗Ｒ5 Ｅ、、Ｒ7 Ｅに接続
される前記回路パターンの一部に一方のみの負荷抵抗を
動作させる選択手段である開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰ
Ｄ2 、ＳＰＥを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水晶振動子を用いた発
振回路に関し、特に、基本波発振及び高調波発振が可能
な発振回路に関するものである。
振回路に関し、特に、基本波発振及び高調波発振が可能
な発振回路に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、水晶振動子を用いたコルピッツ
型発振回路として、図５に示す構成が多用されていた。
型発振回路として、図５に示す構成が多用されていた。
【０００３】図において、ＸはＡＴカットされた水晶振
動子であり、Ｃ1 〜Ｃ4 はコンデンサであり、Ｒ1 〜Ｒ
7 は抵抗であり、Ｔｒ1 、Ｔｒ2 はトランジスタであ
る。
動子であり、Ｃ1 〜Ｃ4 はコンデンサであり、Ｒ1 〜Ｒ
7 は抵抗であり、Ｔｒ1 、Ｔｒ2 はトランジスタであ
る。
【０００４】水晶振動子Ｘの一端は、接地されており、
他端はトランジスタＴｒ1 から成る発振部に接続されて
いる。また、トランジスタＴｒ1のエミッタは、トラン
ジスタＴｒ2 、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 等から成る増幅部に
接続されている。
他端はトランジスタＴｒ1 から成る発振部に接続されて
いる。また、トランジスタＴｒ1のエミッタは、トラン
ジスタＴｒ2 、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 等から成る増幅部に
接続されている。
【０００５】水晶振動子ＸはＡＴカットされた厚みすべ
り振動モードを有し、基本波が０．８〜３０ＭＨｚの発
振が可能である。実際には、周波数は１６７０×１／ｔ
（ｔは水晶振動子Ｘの厚み）の関係より、厚みｔを所期
の周波数となるように設定していた。しかし、近時、発
振回路を基準発振部品とするコンピュータなどの電子機
器のクロック周波数が高周波数化が行われているため、
水晶振動子Ｘの高調波発振（３次オーバトーン、５次オ
ーバトーン）の発振を利用していた。３次オーバトーン
では、３〜７５ＭＨｚ、５次オーバトーンでは、５〜１
２５ＭＨｚの発振が可能であった。
り振動モードを有し、基本波が０．８〜３０ＭＨｚの発
振が可能である。実際には、周波数は１６７０×１／ｔ
（ｔは水晶振動子Ｘの厚み）の関係より、厚みｔを所期
の周波数となるように設定していた。しかし、近時、発
振回路を基準発振部品とするコンピュータなどの電子機
器のクロック周波数が高周波数化が行われているため、
水晶振動子Ｘの高調波発振（３次オーバトーン、５次オ
ーバトーン）の発振を利用していた。３次オーバトーン
では、３〜７５ＭＨｚ、５次オーバトーンでは、５〜１
２５ＭＨｚの発振が可能であった。
【０００６】水晶振動子Ｘの基本波による発振と、３次
オーバトーンの高調波による発振は、発振部のコンデン
サＣ1 、Ｃ2 の容量値の値により決定され、基本波によ
る発振では、コンデンサＣ1 、Ｃ2の値を例えば、２２
〜４７ｐＦ、３３〜６８ｐＦに設定すればよい。また３
次オーバトーンの高調波による発振では、コンデンサＣ
1 、Ｃ2の値を例えば、１０〜５６ｐＦ、１０〜８２ｐ
Ｆに設定すればよい。
オーバトーンの高調波による発振は、発振部のコンデン
サＣ1 、Ｃ2 の容量値の値により決定され、基本波によ
る発振では、コンデンサＣ1 、Ｃ2の値を例えば、２２
〜４７ｐＦ、３３〜６８ｐＦに設定すればよい。また３
次オーバトーンの高調波による発振では、コンデンサＣ
1 、Ｃ2の値を例えば、１０〜５６ｐＦ、１０〜８２ｐ
Ｆに設定すればよい。
【０００７】増幅部の負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 は、それぞれ
発振の波形整形するために、所定の抵抗値となってお
り、基本波による発振では、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 の値を
例えば、４．３ｋΩ、３００Ωに設定すればよい。また
３次オーバトーンの高調波による発振では、負荷抵抗Ｒ
5 、Ｒ7 の値を例えば、６．８ｋΩ、２３０Ωに設定す
ればよい。
発振の波形整形するために、所定の抵抗値となってお
り、基本波による発振では、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 の値を
例えば、４．３ｋΩ、３００Ωに設定すればよい。また
３次オーバトーンの高調波による発振では、負荷抵抗Ｒ
5 、Ｒ7 の値を例えば、６．８ｋΩ、２３０Ωに設定す
ればよい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来で
は、基本波発振用の回路定数と、３次オーバトーンの高
調波発振用の回路定数が異なるため、２つの発振を達成
するため、それぞれ別体の回路基板を用意しておく必要
があった。
は、基本波発振用の回路定数と、３次オーバトーンの高
調波発振用の回路定数が異なるため、２つの発振を達成
するため、それぞれ別体の回路基板を用意しておく必要
があった。
【０００９】このため、回路基板上の負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ
7 を厚膜抵抗体膜で形成した時には、それぞれの基板に
おいて、抵抗値調整のトリミング量が異なり、製造工程
において極めて煩雑となる。また、コンデンサＣ1 、Ｃ
2 として、チップコンデンサを回路基板上に配置する際
に、誤配置による発振不良があった。従来では、製造工
程中におけるハンドリングミスにより製造歩留が約９７
％であった。
7 を厚膜抵抗体膜で形成した時には、それぞれの基板に
おいて、抵抗値調整のトリミング量が異なり、製造工程
において極めて煩雑となる。また、コンデンサＣ1 、Ｃ
2 として、チップコンデンサを回路基板上に配置する際
に、誤配置による発振不良があった。従来では、製造工
程中におけるハンドリングミスにより製造歩留が約９７
％であった。
【００１０】本発明は、上述の問題点を解決するために
案出されたものであり、その目的は、基本波発振と高調
波発振が同一回路基板で容易に選択でき、両発振回路基
板の加工が簡略でき、基板の選択による発振不良を防止
できる発振回路を提供することにある。
案出されたものであり、その目的は、基本波発振と高調
波発振が同一回路基板で容易に選択でき、両発振回路基
板の加工が簡略でき、基板の選択による発振不良を防止
できる発振回路を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、水晶振
動子と、該水晶振動子に接続される発振部と、該発振部
に接続され、負荷抵抗を有する増幅段とが回路パターン
によって接続されて成る発振回路において、前記負荷抵
抗が基本波発振用負荷抵抗と高調波発振用負荷抵抗とか
ら成り、該各負荷抵抗の各々に、一方の負荷抵抗のみを
動作させる選択手段を接続したことを特徴とする発振回
路である。
動子と、該水晶振動子に接続される発振部と、該発振部
に接続され、負荷抵抗を有する増幅段とが回路パターン
によって接続されて成る発振回路において、前記負荷抵
抗が基本波発振用負荷抵抗と高調波発振用負荷抵抗とか
ら成り、該各負荷抵抗の各々に、一方の負荷抵抗のみを
動作させる選択手段を接続したことを特徴とする発振回
路である。
【００１２】
【作用】上述のように、基本波発振制御用負荷抵抗と高
調波発振制御用負荷抵抗とが、１つの発振回路基板上に
形成されており、これらの抵抗のうちいずれかを動作さ
せるための選択手段が、該抵抗と接続する回路パターン
の一部に設けた。このため、発振回路基板が基本波発振
と３次オーバトーンなどの高調波発振とを兼用できる。
これにより、抵抗器やトリミングの誤値配置、誤値加工
や基板選択の誤りがなく、これらによる発振不良を防止
できる。
調波発振制御用負荷抵抗とが、１つの発振回路基板上に
形成されており、これらの抵抗のうちいずれかを動作さ
せるための選択手段が、該抵抗と接続する回路パターン
の一部に設けた。このため、発振回路基板が基本波発振
と３次オーバトーンなどの高調波発振とを兼用できる。
これにより、抵抗器やトリミングの誤値配置、誤値加工
や基板選択の誤りがなく、これらによる発振不良を防止
できる。
【００１３】また、１つ発振回路基板のみを用意するた
め、例えば、負荷抵抗を厚膜抵抗体で形成するなどの回
路基板の製造工程が一元化され、抵抗値の調整のトリミ
ング加工も１つのパターンで行えるので、生産性が向上
する。
め、例えば、負荷抵抗を厚膜抵抗体で形成するなどの回
路基板の製造工程が一元化され、抵抗値の調整のトリミ
ング加工も１つのパターンで行えるので、生産性が向上
する。
【００１４】さらに、基本波発振、高調波発振の選択が
回路基板の回路パターンの開放状態で行うので、基本波
発振、高調波発振の確認が目視により容易にできる。
回路基板の回路パターンの開放状態で行うので、基本波
発振、高調波発振の確認が目視により容易にできる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の実施例を示す発振回路図であり、図２はそ
の発振回路に使用する回路基板を示す。
１は本発明の実施例を示す発振回路図であり、図２はそ
の発振回路に使用する回路基板を示す。
【００１６】図において、Ｘは水晶振動子であり、Ｃ1
〜Ｃ4 はコンデンサであり、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ
5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅは抵抗であり、Ｔｒ1 は
発振用トランジスタであり、Ｔｒ2 は増幅用トランジス
タである。
〜Ｃ4 はコンデンサであり、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ
5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅは抵抗であり、Ｔｒ1 は
発振用トランジスタであり、Ｔｒ2 は増幅用トランジス
タである。
【００１７】発振回路は、水晶振動子Ｘと、該水晶振動
子Ｘに接続され、発振用トランジスタＴｒ1 及びコンデ
ンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ4 から主に成る発振部Ｙと、Ｔｒ2
は増幅用トランジスタと負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5
Ｅ、Ｒ7 Ｅとから主に成る増幅部Ｚとから構成されてい
る。
子Ｘに接続され、発振用トランジスタＴｒ1 及びコンデ
ンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ4 から主に成る発振部Ｙと、Ｔｒ2
は増幅用トランジスタと負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5
Ｅ、Ｒ7 Ｅとから主に成る増幅部Ｚとから構成されてい
る。
【００１８】水晶振動子Ｘは、例えば、ＡＴカットかさ
れた水晶片であり、その両主面には夫々振動電極が形成
されている。水晶振動子の厚みｔを１００μｍにすれ
ば、水晶振動子の周波数は、基本波が１６．７ＭＨｚ、
３次オーバトーンの高調波が５０．１ＭＨｚが可能とな
る。
れた水晶片であり、その両主面には夫々振動電極が形成
されている。水晶振動子の厚みｔを１００μｍにすれ
ば、水晶振動子の周波数は、基本波が１６．７ＭＨｚ、
３次オーバトーンの高調波が５０．１ＭＨｚが可能とな
る。
【００１９】この水晶振動子Ｘの一端は接地され、他端
は、発振用トランジスタＴｒ1 に接続されている。ここ
で、水晶振動子Ｘと発振用トランジスタＴｒ1 との間に
接続されたコンデンサＣ1 、Ｃ2 の容量値を制御するこ
とにより、基本波又は３次オーバトーンなどの高調波の
発振が可能となる。例えば、コンデンサＣ1 を２２ｐ
Ｆ、コンデンサＣ2 を４７ｐＦにすれば、基本波発振と
なり、コンデンサＣ1を３３ｐＦ、コンデンサＣ2 を６
８ｐＦにすれば、３次オーバトーンの高調波発振とな
る。
は、発振用トランジスタＴｒ1 に接続されている。ここ
で、水晶振動子Ｘと発振用トランジスタＴｒ1 との間に
接続されたコンデンサＣ1 、Ｃ2 の容量値を制御するこ
とにより、基本波又は３次オーバトーンなどの高調波の
発振が可能となる。例えば、コンデンサＣ1 を２２ｐ
Ｆ、コンデンサＣ2 を４７ｐＦにすれば、基本波発振と
なり、コンデンサＣ1を３３ｐＦ、コンデンサＣ2 を６
８ｐＦにすれば、３次オーバトーンの高調波発振とな
る。
【００２０】前記基本波又は高調波発振は、出力は、発
振用トランジスタＴｒ1 のコレクタと接続された増幅用
トランジスタＴｒ2 のコレクタより出力される。
振用トランジスタＴｒ1 のコレクタと接続された増幅用
トランジスタＴｒ2 のコレクタより出力される。
【００２１】発振回路において、抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又
はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅは発振出力波形を整形するための抵抗
であり、基本波発振時には、抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄを動作
させ、高調波発振時には抵抗Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅを動作させ
る。この基本波発振時に動作する抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ
は、夫々４．３ｋΩ、３００Ω、抵抗Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅ
は、夫々６．８ｋΩ、２３０Ωに設定されている。ま
た、各抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅと駆動電圧
ＶＤＤ間に夫々抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅ
の何れかを動作させるための選択手段である開放スイッ
チＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥが設けられている。水晶
振動子を基本波発振させるようにコンデンサＣ1 、コン
デンサＣ2 の値を設定した時には、同時に開放スイッチ
ＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 を短絡させる。これにより、駆動電
圧ＶＤＤとトランジスタＴｒ2 のベースとが抵抗Ｒ5 Ｄ
を介して接続され、また、コレクターとが抵抗Ｒ7 Ｄ
を介して接続されることになる。
はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅは発振出力波形を整形するための抵抗
であり、基本波発振時には、抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄを動作
させ、高調波発振時には抵抗Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅを動作させ
る。この基本波発振時に動作する抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ
は、夫々４．３ｋΩ、３００Ω、抵抗Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅ
は、夫々６．８ｋΩ、２３０Ωに設定されている。ま
た、各抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅと駆動電圧
ＶＤＤ間に夫々抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅ
の何れかを動作させるための選択手段である開放スイッ
チＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥが設けられている。水晶
振動子を基本波発振させるようにコンデンサＣ1 、コン
デンサＣ2 の値を設定した時には、同時に開放スイッチ
ＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 を短絡させる。これにより、駆動電
圧ＶＤＤとトランジスタＴｒ2 のベースとが抵抗Ｒ5 Ｄ
を介して接続され、また、コレクターとが抵抗Ｒ7 Ｄ
を介して接続されることになる。
【００２２】また、水晶振動子を高調波発振させるよう
にコンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 の値を設定した時に
は、同時に開放スイッチＳＰＥを短絡させる。これによ
り、駆動電圧ＶＤＤとトランジスタＴｒ2 のベースとが
抵抗Ｒ5 Ｅを介して接続され、また、コレクターとが抵
抗Ｒ7 Ｅ を介して接続されることになる。
にコンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 の値を設定した時に
は、同時に開放スイッチＳＰＥを短絡させる。これによ
り、駆動電圧ＶＤＤとトランジスタＴｒ2 のベースとが
抵抗Ｒ5 Ｅを介して接続され、また、コレクターとが抵
抗Ｒ7 Ｅ を介して接続されることになる。
【００２３】次に、上述の発振回路を達成するための基
板構造を図２を用いて説明し、発振回路の製造方法の概
略を説明する。
板構造を図２を用いて説明し、発振回路の製造方法の概
略を説明する。
【００２４】尚、図中、１は基板であり、２は配線パタ
ーンであり、３は絶縁保護膜である。
ーンであり、３は絶縁保護膜である。
【００２５】基板１はセラミックなどの絶縁基板からな
り、この基板１上に上述の発振回路が達成し得るように
配線パターン２・・・が形成される。具体的には、基板
１上に銀、又は銀−パラジウムなどの厚膜導体ペースト
を印刷し、乾燥・焼成によって形成される。また配線パ
ターン２の所定箇所には抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ 7
Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが形成されている。具体的には、配
線パターン２のパッド２１・・・に酸化ルテニウムなど
の厚膜抵抗体ペーストが一部重畳されるように印刷し、
乾燥・焼成し、さらに、レーザートリミング加工によっ
て、それぞれの抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5
Ｅ、Ｒ7 Ｅが所定の抵抗値に調整される。さらに、配線
パターン２の所定箇所には、基本波又は高調波発振に最
適な抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが選択可能
な選択手段が形成されている。このような配線パターン
２、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ
7 Ｅ、及び選択手段である開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰ
Ｄ2 、ＳＰＥが形成された基板１上に、コンデンサ、水
晶振動子が搭載されるパッド部２２を残して絶縁保護膜
３が形成される。
り、この基板１上に上述の発振回路が達成し得るように
配線パターン２・・・が形成される。具体的には、基板
１上に銀、又は銀−パラジウムなどの厚膜導体ペースト
を印刷し、乾燥・焼成によって形成される。また配線パ
ターン２の所定箇所には抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ 7
Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが形成されている。具体的には、配
線パターン２のパッド２１・・・に酸化ルテニウムなど
の厚膜抵抗体ペーストが一部重畳されるように印刷し、
乾燥・焼成し、さらに、レーザートリミング加工によっ
て、それぞれの抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5
Ｅ、Ｒ7 Ｅが所定の抵抗値に調整される。さらに、配線
パターン２の所定箇所には、基本波又は高調波発振に最
適な抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが選択可能
な選択手段が形成されている。このような配線パターン
２、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ
7 Ｅ、及び選択手段である開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰ
Ｄ2 、ＳＰＥが形成された基板１上に、コンデンサ、水
晶振動子が搭載されるパッド部２２を残して絶縁保護膜
３が形成される。
【００２６】その後、パッド部２２にクリーム半田など
を塗布し、当該発振回路基板１を基本波発振又は高調波
発振に用いるのかを考慮して、所定容量値のコンデンサ
Ｃ1 〜Ｃ4 となるチップコンデンサを載置し、また、支
持部材が形成された水晶振動子Ｘを載置した後、リフロ
ー炉などによって前記クリーム半田を加熱溶融し、半田
接合を達成する。
を塗布し、当該発振回路基板１を基本波発振又は高調波
発振に用いるのかを考慮して、所定容量値のコンデンサ
Ｃ1 〜Ｃ4 となるチップコンデンサを載置し、また、支
持部材が形成された水晶振動子Ｘを載置した後、リフロ
ー炉などによって前記クリーム半田を加熱溶融し、半田
接合を達成する。
【００２７】上述の選択手段である開放スイッチＳＰＤ
1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥは、夫々図３に示すように、配線
パターン２がスリット３１によって分断され、このスリ
ット３１及び配線パターン２の一部が露出するように絶
縁保護膜３が形成されて構成されている。スリット３１
は、配線パターン２の印刷時に、スクリーンのパターン
ニングによって形成されるものであり、その幅は７５〜
２００μｍに設定されている。また、絶縁保護膜３によ
って露出する部分３２は、直径１．０〜２．０ｍｍの円
形、又は配線パターン方向に１．０〜２．０ｍｍ程度開
口した矩形状、多角形状と成っている。
1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥは、夫々図３に示すように、配線
パターン２がスリット３１によって分断され、このスリ
ット３１及び配線パターン２の一部が露出するように絶
縁保護膜３が形成されて構成されている。スリット３１
は、配線パターン２の印刷時に、スクリーンのパターン
ニングによって形成されるものであり、その幅は７５〜
２００μｍに設定されている。また、絶縁保護膜３によ
って露出する部分３２は、直径１．０〜２．０ｍｍの円
形、又は配線パターン方向に１．０〜２．０ｍｍ程度開
口した矩形状、多角形状と成っている。
【００２８】このような構成をした選択手段である開放
スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥで、基本波発振の
場合には、開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 を短絡さ
せ、高調波発振の場合には開放スイッチＳＰＥを短絡さ
せることになるが、短絡の方法は、図４のように、上述
露出部分３２に半田３３や導電性接着剤などを供給する
ことによって達成される。即ち、スリット３１の幅が７
５〜２００μｍ程度であるため、供給する半田３３の溶
融時の流動性、張力により容易に短絡させることは可能
である。尚、半田３３の溶融時の流動性を考慮すれば、
露出部分３２の形状は円形で、その中心にスリット３１
が位置させることが好ましい。
スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥで、基本波発振の
場合には、開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 を短絡さ
せ、高調波発振の場合には開放スイッチＳＰＥを短絡さ
せることになるが、短絡の方法は、図４のように、上述
露出部分３２に半田３３や導電性接着剤などを供給する
ことによって達成される。即ち、スリット３１の幅が７
５〜２００μｍ程度であるため、供給する半田３３の溶
融時の流動性、張力により容易に短絡させることは可能
である。尚、半田３３の溶融時の流動性を考慮すれば、
露出部分３２の形状は円形で、その中心にスリット３１
が位置させることが好ましい。
【００２９】具体的な半田３３などの供給方法として
は、上述のコンデンサＣ1 〜Ｃ4 、水晶振動子Ｘを載置
するためにクリーム半田の塗布工程時、同時に何れかの
開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥの露出部分３
２にクリーム半田を塗布し、上述のリフロー炉による加
熱時におこなう。また、クリーム半田を使用せず、例え
ばコンデンサＣ1 〜Ｃ4 を接合した後に、糸半田などで
溶融した半田を露出部分３２に供給したり、また導電性
接着剤をデスペンサーなどで供給して、硬化させても構
わない。
は、上述のコンデンサＣ1 〜Ｃ4 、水晶振動子Ｘを載置
するためにクリーム半田の塗布工程時、同時に何れかの
開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥの露出部分３
２にクリーム半田を塗布し、上述のリフロー炉による加
熱時におこなう。また、クリーム半田を使用せず、例え
ばコンデンサＣ1 〜Ｃ4 を接合した後に、糸半田などで
溶融した半田を露出部分３２に供給したり、また導電性
接着剤をデスペンサーなどで供給して、硬化させても構
わない。
【００３０】上述したように、本発明の発振回路は、図
２に示す１種類の回路基板のみを用いて、選択手段であ
る開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥの選択・短
絡によって基本波発振、３次オーバトーンなどの高調波
発振に適した回路定数が設定できる。
２に示す１種類の回路基板のみを用いて、選択手段であ
る開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥの選択・短
絡によって基本波発振、３次オーバトーンなどの高調波
発振に適した回路定数が設定できる。
【００３１】従来のように、開放スイッチＳＰＤ1 、Ｓ
ＰＤ2 、ＳＰＥを用いず、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 を厚膜抵
抗体膜で形成したり、抵抗値の異なるチップ抵抗器を用
いたりすれば、当然、基本波発振用回路基板、高調波発
振用回路基板の少なくとも２種類の回路基板を準備しな
くてはならず、この厚膜抵抗体膜を調整するたのレーザ
ートリミングパターンも２種類用意しなくてはならなく
なったり、チップ抵抗器の誤配置が発生する。
ＰＤ2 、ＳＰＥを用いず、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 を厚膜抵
抗体膜で形成したり、抵抗値の異なるチップ抵抗器を用
いたりすれば、当然、基本波発振用回路基板、高調波発
振用回路基板の少なくとも２種類の回路基板を準備しな
くてはならず、この厚膜抵抗体膜を調整するたのレーザ
ートリミングパターンも２種類用意しなくてはならなく
なったり、チップ抵抗器の誤配置が発生する。
【００３２】これに対して、本発明によれば、回路基板
を１種類のみを用意すればよく、レーザートリミングパ
ターンも１パターンで済み、製造工程の一元化が可能と
なり、また回路基板の汎用性が向上し、製造コスト全体
が安価となる。ここで、全く機能しない抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ
7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが存在し、それにもレーザート
リミング加工を行うことになるが、何れも同一工程で形
成、加工されるものであり、その付加的コスト、作業は
実質的に無視できることは明らかである。
を１種類のみを用意すればよく、レーザートリミングパ
ターンも１パターンで済み、製造工程の一元化が可能と
なり、また回路基板の汎用性が向上し、製造コスト全体
が安価となる。ここで、全く機能しない抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ
7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが存在し、それにもレーザート
リミング加工を行うことになるが、何れも同一工程で形
成、加工されるものであり、その付加的コスト、作業は
実質的に無視できることは明らかである。
【００３３】上述した本発明において、基板１に搭載す
る部品はコンデンサ、水晶振動子であり、それらの誤配
置による歩留りが９９．８％と従来に比較して大幅に歩
留りを向上させることができる。
る部品はコンデンサ、水晶振動子であり、それらの誤配
置による歩留りが９９．８％と従来に比較して大幅に歩
留りを向上させることができる。
【００３４】また、発振回路の特性検査などにおいて、
基本波発振回路か、高調波発振回路かの判断が、どの選
択手段を短絡させたかを、簡単な目視によって決定でき
るので、特性検査などに有益となる。
基本波発振回路か、高調波発振回路かの判断が、どの選
択手段を短絡させたかを、簡単な目視によって決定でき
るので、特性検査などに有益となる。
【００３５】尚、上述の実施例では、抵抗の全てが厚膜
抵抗体膜で形成されているが、これは、最適な実施例を
示すものであり、例えば厚膜抵抗体膜を用いず、チップ
抵抗器を用いても、基板の汎用性、基板形成までの工程
が一元化させることができる。
抵抗体膜で形成されているが、これは、最適な実施例を
示すものであり、例えば厚膜抵抗体膜を用いず、チップ
抵抗器を用いても、基板の汎用性、基板形成までの工程
が一元化させることができる。
【００３６】また、選択手段である開放スイッチＳＰＥ
１０で、抵抗Ｒ7 Ｄ、Ｒ7 Ｅとの接続に共用している
が、回路パターン設計などによってその数を減しても構
わない。
１０で、抵抗Ｒ7 Ｄ、Ｒ7 Ｅとの接続に共用している
が、回路パターン設計などによってその数を減しても構
わない。
【００３７】また、回路定数の設定により、基準波発
振、３次オーバトーンの高調波発振、５次のオーバトー
ンの高調波発振の３種類より、１つの発振を選択するよ
うにしてもよいし、また、３次オーバトーンの高調波発
振、５次のオーバトーンの高調波発振から１つの発振を
選択するようにしてもよいなど種々の発振回路に適用で
きるものである。
振、３次オーバトーンの高調波発振、５次のオーバトー
ンの高調波発振の３種類より、１つの発振を選択するよ
うにしてもよいし、また、３次オーバトーンの高調波発
振、５次のオーバトーンの高調波発振から１つの発振を
選択するようにしてもよいなど種々の発振回路に適用で
きるものである。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、発振回
路中に、基本波発振と高調波発振が選択可能な手段を設
けたので、複数種類の発振が同一回路基板で達成でき、
回路基板の製造工程が一元化できるため、回路基板の汎
用性が向上し、生産性が向上し、しかも、回路基板の誤
選択による発振不良を防止することができる。
路中に、基本波発振と高調波発振が選択可能な手段を設
けたので、複数種類の発振が同一回路基板で達成でき、
回路基板の製造工程が一元化できるため、回路基板の汎
用性が向上し、生産性が向上し、しかも、回路基板の誤
選択による発振不良を防止することができる。
【図１】本発明の発振回路図である。
【図２】本発明の発振回路に用いる回路基板の平面図で
ある。
ある。
【図３】選択手段の構造を示す平面図である。
【図４】短絡状態の選択手段の断面図である。
【図５】従来の発振回路の回路図である。
１・・・・回路基板 ２・・・・配線パターン ３・・・・絶縁保護膜 ３１・・・スリット ３２・・・露出部 Ｘ・・・水晶振動子 Ｙ・・・発振部 Ｚ・・・増幅部 Ｔｒ1 、Ｔｒ2 ・・・トランジスタ ＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥ・・開放スイッチ Ｒ5 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ7 Ｅ・・・負荷抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】水晶振動子と、該水晶振動子に接続される
発振部と、該発振部に接続され、負荷抵抗を有する増幅
段とが回路パターンによって接続されて成る発振回路に
おいて、 前記負荷抵抗が基本波発振用負荷抵抗と高調波発振用負
荷抵抗とから成り、該各負荷抵抗の各々に、一方の負荷
抵抗のみを動作させる選択手段を接続したことを特徴と
する発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284668A JP2752277B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284668A JP2752277B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121938A true JPH05121938A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2752277B2 JP2752277B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17681437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3284668A Expired - Lifetime JP2752277B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752277B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016152447A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、電子機器および移動体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156002A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Nec Corp | 温度補償圧電発振器 |
| JPS6451806A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nihon Dempa Kogyo Co | Ic for crystal oscillator |
| JPH02207603A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | New Japan Radio Co Ltd | 水晶発振回路 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3284668A patent/JP2752277B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156002A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Nec Corp | 温度補償圧電発振器 |
| JPS6451806A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nihon Dempa Kogyo Co | Ic for crystal oscillator |
| JPH02207603A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | New Japan Radio Co Ltd | 水晶発振回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016152447A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、電子機器および移動体 |
| CN105897165A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 精工爱普生株式会社 | 振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体 |
| CN105897165B (zh) * | 2015-02-16 | 2021-01-05 | 精工爱普生株式会社 | 振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752277B2 (ja) | 1998-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05121938A (ja) | 発振回路 | |
| US6380662B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| JP2597382Y2 (ja) | 水晶発振器 | |
| JP2919688B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2002043700A (ja) | Ｐｌｌ回路を有する高周波電子機器 | |
| JP2549796Y2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
| JPH075695Y2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
| JP3128253B2 (ja) | 小型水晶発振器 | |
| JP2020178259A (ja) | 水晶発振器 | |
| JPS61208907A (ja) | 水晶発振器 | |
| JPH077888B2 (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
| JPH05191144A (ja) | 圧電発振回路 | |
| JPH08222953A (ja) | 発振器の製造方法 | |
| JPH1093345A (ja) | 振動子装置 | |
| JPS587631Y2 (ja) | プリント基板における回路装置 | |
| JPH0555721A (ja) | トリマーコンデンサ | |
| JPH0837421A (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
| JPS6120735Y2 (ja) | ||
| JPH0951228A (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
| JP3234397B2 (ja) | 圧電発振器の製造方法 | |
| JPS6334335Y2 (ja) | ||
| JPH0582936A (ja) | リードレス部品搭載基板の電気回路 | |
| JP3033384B2 (ja) | 電圧制御発振器の製造方法 | |
| JPH05283933A (ja) | 発振器モジュール及びその調整方法 | |
| JPS61273004A (ja) | 電圧制御発振器 |