JPH05121356A

JPH05121356A - 配線形成方法

Info

Publication number: JPH05121356A
Application number: JP26046491A
Authority: JP
Inventors: Yukiyasu Sugano; 幸保菅野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-09-12
Filing date: 1991-09-12
Publication date: 1993-05-18

Abstract

(57)【要約】【目的】バリヤメタル構造を有するコンタクト部にお
いて、高いバリヤ性と低抵抗化を達成する。【構成】ＳｉＯ₂層間絶縁膜３に開口されたコンタク
ト・ホール４を、第１のＴｉ層５，ＴｉＮ_x層６で順次
被覆した後、減圧酸素，酸素プラズマ等の酸化性雰囲気
中にウェハを真空搬送し、放置する。この酸化処理によ
り、ＴｉＮ_x層６の柱状の結晶粒の表面に薄いＴｉＯ_x
Ｎ_y層が形成されると共に粒界に酸素が偏析し、バリヤ
性が向上する。結晶粒の内部は低抵抗のＴｉＮ_xが残る
ので、全体として抵抗率の上昇は抑えられる。プロセス
途中でウェハが大気開放されないので、ウェハ面への水
分付着による悪影響も回避できる。その後、第２のＴｉ
層７を形成してバリヤメタル８を完成し、Ａｌ−１％Ｓ
ｉ層９でコンタクト・ホール４を埋め込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造等に
適用される配線形成方法に関し、特にバリヤメタル構造
を有するコンタクト部にアルミニウム（Ａｌ）系材料を
埋め込む際のバリヤ性の向上と低抵抗化、あるいはブラ
ンケット・タングステン層の下地密着性の向上等を実現
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられる
ように、半導体装置のデザイン・ルールが高度に縮小さ
れるに伴い、下層配線と上層配線の接続を図るために層
間絶縁膜に開口される接続孔の開口径も微細化し、アス
ペクト比が１を越えるようになってきている。上層配線
は一般にスパッタリング法によりＡｌ系材料を被着させ
ることにより形成されているが、かかる高アスペクト比
を有する接続孔を埋め込むにはもはや十分な段差被覆性
（ステップ・カバレッジ）が達成されにくく、断線を生
ずる原因ともなっている。

【０００３】そこで、段差被覆性の不足を改善するため
の対策として、近年たとえばＪ．Ｖａｃ．Ｓｏｃ．Ｔｅ
ｃ．，Ａ６（３），ｐ．１６３６，（１９８８）に、高
温スパッタリング法が提案されている。これは、スパッ
タリング中にウェハをヒーティング・モジュール等を介
して５００℃付近まで加熱することにより、ウェハ表面
におけるＡｌ粒子の表面マイグレーションを促進し、段
差被覆性を改善する方法である。

【０００４】高温スパッタリング法では、Ａｌ系材料層
の下にＡｌ系材料との濡れ性に優れる下地層を設けてお
くと、接続孔が良好に埋め込まれることが知られてい
る。たとえば、１９８９年ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳ，ｐ．２
１０〜２１４には、開口径１．０μｍ，アスペクト比１
のビア・ホールをＡｌ−２％Ｃｕ合金で埋め込む際に、
チタン（Ｔｉ）層を下地として介在させると該ビア・ホ
ールが均一に埋め込まれ、ウェハ表面が平坦化される旨
が述べられている。

【０００５】ところで、上記Ｔｉ層はバリヤメタルとし
ての機能を期待されているものである。しかし、Ｔｉ層
は低抵抗のオーミック・コンタクトを達成する観点から
は優れたコンタクト材料であるが、単独ではバリヤメタ
ルとしての機能を十分に発揮し得ない。シリコン（Ｓ
ｉ）基板とＡｌ系材料層との間にＴｉ層が単独で介在さ
れていても、ＳｉとＴｉとの反応、およびＡｌとＴｉと
の反応の両方が進行するために、Ｓｉ基板へのＡｌスパ
イクの発生が防止できないからである。

【０００６】そこで、通常はＴｉ層の上にさらに窒化チ
タン（ＴｉＮ_x）層を積層したＴｉ／ＴｉＮ_x系の２層
構造バリヤメタルが採用されている。さらに近年では、
上記ＴｉＮ層の成膜時にスパッタリング雰囲気中に酸素
を導入して酸窒化チタン（ＴｉＯ_xＮ_y）層とした、Ｔ
ｉ／ＴｉＯ_xＮ_y系の２層構造バリヤメタルも提案され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
２層構造バリヤメタルには、それぞれ問題点がある。ま
ず、Ｔｉ／ＴｉＮ_x系の２層構造バリヤメタルを図３
（ａ）に示す。ここでは、予め下層配線となる不純物拡
散領域１２が形成されたシリコン基板１１上にまず層間
絶縁膜１３が形成され、該層間絶縁膜１３に上記不純物
拡散領域１２に臨むコンタクト・ホール１４が開口され
ている。このウェハの全面は、Ｔｉ層１５およびＴｉＮ
_x層１６を順次積層してなるバリヤメタル１７により被
覆されており、さらに上記コンクタト・ホール１４を充
填するごとくウェハの全面にＡｌ−１％Ｓｉ層１８が形
成されている。

【０００８】ＴｉＮ_x層１６はＡｌ−１％Ｓｉ層１８と
の濡れ性に優れているため、コンタクト・ホール１４の
埋め込み状態は良好である。しかし、ＴｉＮ_x層１６は
柱状結晶構造を有しており、Ａｌの粒界拡散を防止する
ことができない。この様子を説明するために、図３
（ａ）におけるコンタクト・ホール１４の底部の領域Ｂ
を拡大した図を、図３（ｂ）に模式的に示す。上記Ｔｉ
Ｎ_x層１６の柱状結晶の粒界はシリコン基板１１方向を
向いてほぼ垂直に配向しているので、粒界を拡散したＡ
ｌはバリヤメタル１７を貫通し、場合によっては不純物
拡散領域１２をも貫通するＡｌスパイク１８ａを形成す
る。これは、ＰＮ接合部におけるリーク電流を発生させ
る原因となる。

【０００９】一方、Ｔｉ／ＴｉＯ_xＮ_y系の２層構造バ
リヤメタルを図４に示す。図４において、前述の図３と
共通部分については同一の符号を付した。ここでは、コ
ンタクト・ホール１４を被覆して形成されているバリヤ
メタル２０は、Ｔｉ層１５とＴｉＯ_xＮ_y層１９とが順
次積層されてなるものである。上記ＴｉＯ_xＮ_y層１９
は、ＴｉＮ_xの粒界に酸素を偏析させることにより、Ａ
ｌの粒界拡散を抑制するようになされた材料層であり、
前述のＴｉＮ_x層１６よりも高いバリヤ性を示す。

【００１０】しかし、ＴｉＯ_xＮ_y層１９は表面モホロ
ジーが粗く、Ａｌ−１％Ｓｉ層に対する濡れ性および反
応性に劣る。また、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）の
生成エネルギーは酸化チタン（ＴｉＯ₂）のそれよりも
大きいため、ＴｉＯ_xＮ_y層１９とＡｌ−１％Ｓｉ層１
８とが接触するとＡｌ₂Ｏ₃が形成されてしまう。これ
らの理由により、Ａｌの表面マイグレーションが阻害さ
れてコンタクト・ホール１４を均一に埋め込むことがで
きなくなり、内部に鬆（す）２１が発生し易くなる。両
者の濡れ性の悪さをカバーするために、Ａｌ−１％Ｓｉ
層１８の成膜速度を低下させてＴｉＯ_xＮ_y層１９との
接触反応時間を延長することも試みられているが、埋め
込み特性は大して改善されない。

【００１１】さらに、ＴｉＯ_xＮ_y層１９がコンタクト
抵抗を増大させる問題もある。たとえば、ＴｉＮ_xの抵
抗率は約０．１ｍΩｃｍと低いのに対し、Ｔｉ₅₀Ｏ₂₀Ｎ
₃₀（数字は原子％）の抵抗率ρは約５ｍΩｃｍと高い。
このＴｉ₅₀Ｏ₂₀Ｎ₃₀で直径０．５μｍのコンタクト・ホ
ールの底面を０．０７μｍの厚さに被覆した場合、コン
タクト抵抗ＲをＲ＝ρ・Ｌ／Ｓ（ただし、Ｌは厚さ、Ｓ
は断面積を表す。）にもとづいて計算すると、約１８Ω
にもなってしまう。

【００１２】この問題に対する対策として、ＴｉＮ_x層
の表面改質も提案されている。たとえば、１９９１Ｓ
ｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎＶＬＳＩＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ予稿集，ｐ．３３〜３４には、ＴｉＮ_x層を形成し
た後、Ｎ₂／Ｏ₂混合ガス雰囲気中で電気炉アニールも
しくはランプ・アニールを施すことによりＴｉＮ_x層の
結晶粒界に酸素を偏析させ、バリヤ性を高める旨が述べ
られている。

【００１３】しかしながら、既存の装置でＴｉＮ_x層を
成膜した後にアニールを行うためには、ウェハを一旦大
気中に取り出さねばならず、このときに水分が付着した
り、バリヤメタル表面の平滑性が劣化したりする。ま
た、付着した水分が後工程において脱ガスすると、バリ
ヤメタルとＡｌ系材料層との間に微小な間隙が発生す
る。この間隙に、Ａｌ系材料層をパターニングする際に
発生する塩素系化合物が取り込まれると、アフターコロ
ージョンが助長される原因ともなる。また、製造工程も
複雑化する。

【００１４】さらに別のアプローチとして、本願出願人
は先に特願平３−４５４２２号明細書において、Ｔｉ／
ＴｉＯ_xＮ_y／Ｔｉ系の３層構造バリヤメタルを提案し
ている。これは、前述のＴｉ／ＴｉＯ_xＮ_y系の２層構
造バリヤメタルの表面をさらにＴｉ層で被覆することに
より、バリヤメタル表面のＡｌ系材料嘘に対する濡れ性
を改善したものであり、従来にない優れたバリヤ性と埋
め込み特性とを同時に達成することができた。

【００１５】しかし、上記３層構造バリヤメタルは層厚
の比較的大きいＴｉＯ_xＮ_y層を含１でいるために、コ
ンタクト抵抗の上昇は免れない。さらに、この３層構造
バリヤメタルを構成する各層は単一チャンバ内で連続工
程にて成膜されるため、ＴｉＯ_xＮ_y成膜時の雰囲気中
の残留Ｏ₂が上層側のＴｉ層にも取り込まれ、デザイン
・ルールがさらに微細化した際にはＡｌ系材料層との濡
れ性に悪影響を及ぼす虞れもある。

【００１６】このように、従来の技術には一長一短があ
り、配線形成に関するあらゆる要求を同時に満足するこ
とは容易ではない。そこで本発明は、バリヤ性、生産性
等に優れ、低コンタクト抵抗が実現できる配線形成方法
を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、上述の目的を達成するために提案されるものであ
る。すなわち本願の第１の発明にかかる配線形成方法
は、基板上にＴｉＮ_x層を形成する工程と、前記基板を
高真空下で酸化性雰囲気中へ搬送して酸化処理を行うこ
とにより、前記ＴｉＮ_x層の結晶粒の表面にＴｉＯ_xＮ
_y層を形成する工程と、前記ＴｉＯ_xＮ_y層が形成され
た前記ＴｉＮ_x層の上に配線材料層を積層する工程とを
有することを特徴とする。

【００１８】本願の第２の発明にかかる配線形成方法
は、前記酸化性雰囲気が減圧酸素雰囲気であることを特
徴とする。

【００１９】本願の第３の発明にかかる配線形成方法
は、前記酸化性雰囲気が酸素プラズマ雰囲気であること
を特徴とする。

【００２０】さらに、本願の第４の発明にかかる配線形
成方法は、前記酸化処理が減圧酸素雰囲気中におけるラ
ンプ・アニールであることを特徴とする。

【００２１】

【作用】ＴｉＮ_x層は前述のように柱状結晶構造を有し
ているため、このままではバリヤ性にやや劣る。そこ
で、ＴｉＮ_x層形成後に基板を酸化性雰囲気中へ搬送
し、酸化処理を行う。この酸化処理の過程では、基板表
面に相当するＴｉＮ_x層の上面が酸化されることはもち
ろんであるが、結晶粒界にも酸化性物質が侵入し、ここ
から結晶粒の内部へ向けた酸化を進行させる。つまり、
個々のＴｉＮ_x結晶粒の表面にバリヤ性の高いＴｉＯ_x
Ｎ_y層が形成されるわけである。酸化処理時間を制御す
ることによりＴｉＯ_xＮ_y層の層厚を薄く抑えれば、表
面改質されたＴｉＮ_x層の全体としての抵抗率を大きく
上昇させずに済む。

【００２２】ここで、本発明のポイントは、ＴｉＮ_x層
形成後の基板を酸化性雰囲気中へ搬送する際に、該基板
を大気開放しないことである。これにより、基板表面へ
の水分の付着が防止され、バリヤメタルの表面荒れ、あ
るいは配線材料層の成膜時の脱ガスによる該配線材料層
の密着性不良、さらにあるいはこの密着性不良によるア
フターコロージョンの発生等を防止することができる。

【００２３】以上が本願の４発明に共通の考え方であ
り、第２の発明以下は、酸化性雰囲気ならびに酸化処理
として実用性の高い事例を提案するものである。すなわ
ち、第２の発明では減圧酸素雰囲気中、第３の発明では
酸素プラズマ雰囲気中に基板を放置し、第４の発明では
減圧酸素雰囲気中でランプ・アニールを行う。いずれも
作用は上述のとおりである。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２５】実施例１本実施例は、本願の第２の発明を適用し、ＴｉＮ_x層の
表面を減圧酸素雰囲気中で酸化処理した後に、Ｔｉ層を
介してＡｌ−１％Ｓｉ層を成膜した例である。このプロ
セスを、図１を参照しながら説明する。まず、図１
（ａ）に示されるように、予め不純物拡散領域２が形成
されたシリコン基板１上にＣＶＤ法等により層厚約０．
８μｍのＳｉＯ₂層間絶縁膜３が形成され、該ＳｉＯ₂
層間絶縁膜３に上記不純物拡散領域２に臨んで直径約
０．４μｍのコンタクト・ホール４が開口されたウェハ
を準備し、その全面に第１のＴｉ層５、ＴｉＮ_x層６を
順次成膜した。

【００２６】ここで、上記第１のＴｉ層５、ＴｉＮ_x層
６の成膜には枚葉式スパッタリング装置を使用し、Ｔｉ
ターゲットを装着したスパッタリング・チャンバ内への
供給ガスの組成を順次変更することにより、ウェハを大
気開放することなく連続工程で成膜を行った。上記枚葉
式スパッタリング装置は、前処理のためのマイクロ波プ
ラズマ・クリーニング・チャンバ、バリヤメタルを成膜
するためのスパッタリング・チャンバ、Ａｌ−１％Ｓｉ
層を成膜するためのスパッタリング・チャンバ等がウェ
ハ・ハンドリング・ユニットを介して相互に接続され
た、マルチ・チャンバ型の装置である。

【００２７】まず、前処理としてウェハをＲＦプラズマ
・クリーニング・チャンバにセットし、コンタクト・ホ
ール４の底部を被覆している自然酸化膜を除去した。続
いてウェハを高真空下でスパッタリング・チャンバへ移
送し、まず一例としてＡｒ流量１００ＳＣＣＭ，ガス圧
１．３Ｐａ，ウェハ加熱温度１５０℃，ターゲット電力
４ｋＷの条件でスパッタリングを行うことにより、厚さ
約０．０３μｍの第１のＴｉ層５を形成した。

【００２８】次に、条件を一例としてＡｒ流量４０ＳＣ
ＣＭ，Ｎ₂流量７０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ，ウェ
ハ加熱温度１５０℃，ターゲット電流５ｋＷに切り換
え、厚さ約０．０７μｍのＴｉＮ_x層６を形成した。

【００２９】次に、上記ウェハを同じスパッタリング・
チャンバ内に保持したままターゲット電力の印加を中止
し、Ｏ₂を流量１００ＳＣＣＭにて１分間供給した。こ
れにより、ＴｉＮ_x層６の表面が酸化され、図１（ｂ）
に示されるように、表面酸化ＴｉＮ_x層６ａが形成され
た。ここで、図１（ｂ）におけるコンタクト・ホール４
底部の領域Ａの拡大図を、図２に模式的に示す。

【００３０】第１のＴｉ層５は板状結晶構造を有する
が、表面酸化ＴｉＮ_x層６ａは柱状結晶構造を有する。
この表面酸化ＴｉＮ_x層６ａは、ＴｉＮ_x層６における
ＴｉＮ_x結晶粒がその上面および粒界から内部に向かっ
て酸化され、表面にＴｉＮ_xＯ_y層１０が形成されたも
のである。酸素原子の一部は結晶粒界にも偏析する。こ
れにより、表面酸化ＴｉＮ_x層６ａは、ＴｉＮ_x層６よ
りもバリヤ性が改善される。しかも、表面酸化ＴｉＮ_x
層６ａの体積の大部分は依然としてＴｉＮ_xが占めてい
るため、抵抗率も０．２〜０．３ｍΩｃｍの低い値に維
持された。

【００３１】さらに、図１（ｃ）に示されるように、同
一のスパッタリング・チャンバ内にて第２のＴｉ層７を
０．０３μｍの厚さに成膜してバリヤメタル８を完成し
た後、別のスパッタリング・チャンバへウェハを移送
し、高温スパッタリング法によりコンタクト・ホール４
をＡｌ−１％Ｓｉ層９で埋め込んだ。ここで、上記第２
のＴｉ層７は、表面酸化ＴｉＮ_x層６ａと後工程で形成
されるＡｌ−１％Ｓｉ層９との濡れ性を改善するために
介在される層であり、成膜条件は前述の第１のＴｉ層５
と同じである。

【００３２】また、上記Ａｌ−１％Ｓｉ層９は、一例と
してＡｒ流量１００ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ，ター
ゲット電力２２．５ｋＷ，ウェハ加熱温度５００℃の条
件でＤＣマグネトロン・スパッタリングを行うことによ
り、約０．５μｍの厚さに成膜した。このプロセスで
は、Ａｌ−１％Ｓｉ層９の下地が該Ａｌ−１％Ｓｉ層９
との濡れ性に優れる第２のＴｉ層７であるため、鬆を生
ずることなくコンタクト・ホール４を均一に埋め込むこ
とができた。また、バリヤメタル８の成膜時にウェハが
大気開放されていないため、ウェハ面からの水分の脱ガ
スが起こらず、該バリヤメタル８とＡｌ−１％Ｓｉ層９
の密着性は良好であった。

【００３３】このようにして形成されたコンタクト部に
おいては、従来のＴｉ／ＴｉＮ_x系と比較してバリヤ性
が格段に向上していた。

【００３４】実施例２本実施例は、本願の第３の発明を適用し、ＴｉＮ_x層６
の表面酸化処理を酸素プラズマ雰囲気中で行った例であ
る。本実施例で使用した枚葉式スパッタリング装置は、
実施例１で使用した装置にさらにプラズマ生成室が接続
されてなるものである。

【００３５】プロセスの順序は実施例１で前述したとお
りであり、酸化処理の方法のみが異なる。すなわち、Ｔ
ｉＮ_x層６を成膜した段階でウェハを高真空下でプラズ
マ生成室に移設し、一例としてＯ₂流量１００ＳＣＣ
Ｍ，ガス圧１．３Ｐａ，マイクロ波パワー８５０Ｗ
（２．４５ＧＨｚ）の条件で生成させたＯ₂プラズマ中
にウェハを１分間放置した。ウェハ温度は２００℃とし
た。

【００３６】上記プラズマ処理により、ＴｉＮ_x層６は
同様にバリヤ性に優れ、低抵抗の表面酸化ＴｉＮ_x層６
ａに変化した。

【００３７】実施例３本実施例は、本願の第４の発明を適用し、ＴｉＮ_x層の
表面酸化処理を減圧酸素雰囲気中におけるランプ・アニ
ールにより行った例である。本実施例で使用した枚葉式
スパッタリング装置は、実施例１で使用した装置にさら
に酸化処理チャンバが接続されてなるものである。この
酸化処理チャンバのチャンバ壁の一部には石英窓が開口
されており、チャンバ外部に設置されたハロゲン・ラン
プの光を該石英窓を介してウェハへ照射できるようにな
されている。

【００３８】ここでは、ＴｉＮ_x層６を成膜した段階で
ウェハを上記酸化処理チャンバへ移送し、一例としてＯ
₂流量１００ＳＣＣＭ，ガス圧０．４７Ｐａ，ウェハ温
度５００℃の条件で１０秒間のランプ・アニールを行っ
た。この酸化処理によっても、良好なバリヤ性を有し、
低抵抗の表面酸化ＴｉＮ_x層６ａが形成された。

【００３９】以上、本発明を３つの実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではなく、たとえばバリヤメタル８を構成する各層
の層厚，成膜条件，成膜装置等は適宜変更可能である。
また、上記Ａｌ−１％Ｓｉ層９の成膜条件は上記の条件
に限定されるものではなく、たとえばウェハ加熱温度は
４７０〜５３０℃程度、ガス圧は０．８〜１．６Ｐａ程
度の範囲で適宜設定することができる。

【００４０】さらに、本発明の配線形成方法が適用され
るウェハの構成は、上述のような基板コンタクト部には
限られない。たとえば、ブランケットＷ層の密着層とし
て層間絶縁膜上に形成されるＴｉＮ_x層に同様の酸化処
理を行っても良い。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を基板コンタクト部に適用すれば低抵抗でバリヤ性に
優れる配線を形成することが可能となる。また、ブラン
ケット・タングステン層の下地密着層に適用すれば、バ
リヤ性を向上させることも可能となる。ＴｉＮ_xの酸化
処理はバリヤメタルの成膜と連続工程にて行われるた
め、ウェハを大気開放する場合のような水分の付着によ
る悪影響が現れず、生産性も向上する。

【００４２】本発明は、微細なデザイン・ルールにもと
づいて設計され、高集積度および高性能を有する半導体
装置の製造に極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線形成方法を基板コンタクト部に適
用したプロセス例をその工程順にしたがって示す概略断
面図であり、（ａ）はＳｉＯ₂層間絶縁膜に開口された
コンタクト・ホールが第１のＴｉ層，ＴｉＮ_x層で順次
被覆された状態、（ｂ）は表面酸化処理によりＴｉＮ_x
層が表面酸化ＴｉＮ_x層に変化した状態、（ｃ）は第２
のＴｉ層およびＡｌ−１％Ｓｉ層が形成された状態をそ
れぞれ表す。

【図２】図１（ｂ）中の領域Ａを拡大して示す模式的断
面図である。

【図３】従来のＴｉ／ＴｉＮ_x系の２層構造バリヤメタ
ルの問題点を説明する断面図であり、（ａ）はコンタク
ト・ホール内においてＡｌスパイクが発生した状態を示
す概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の領域Ｂを拡大して示
す模式的断面図である。

【図４】従来のＴｉ／ＴｉＯ_xＮ_y系の２層構造バリヤ
メタルにより被覆されたコンタクト・ホールがＡｌ−１
％Ｓｉ層で完全に埋め込まれず、鬆が発生した状態を示
す概略断面図である。

【符号の説明】

１・・・シリコン基板２・・・不純物拡散領域３・・・ＳｉＯ₂層間絶縁膜４・・・コンタクト・ホール５・・・第１のＴｉ層６・・・ＴｉＮ_x層６ａ・・・表面酸化ＴｉＮ_x層７・・・第２のＴｉ層８・・・バリヤメタル９・・・Ａｌ−１％Ｓｉ層１０・・・ＴｉＯ_xＮ_y層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に窒化チタン層を形成する工程
と、前記基板を高真空下で酸化性雰囲気中へ搬送して酸化処
理を行うことにより、前記窒化チタン層の結晶粒の表面
に酸窒化チタン層を形成する工程と、前記酸窒化チタン層が形成された前記窒化チタン層の上
に配線材料層を積層する工程とを有することを特徴とす
る配線形成方法。
【請求項２】前記酸化性雰囲気が減圧酸素雰囲気であ
ることを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】前記酸化性雰囲気が酸素プラズマ雰囲気
であることを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項４】前記酸化処理が減圧酸素雰囲気中におけ
るランプ・アニールであることを特徴とする請求項１記
載の配線形成方法。