JPH05121165A - マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法 - Google Patents

マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH05121165A
JPH05121165A JP30721991A JP30721991A JPH05121165A JP H05121165 A JPH05121165 A JP H05121165A JP 30721991 A JP30721991 A JP 30721991A JP 30721991 A JP30721991 A JP 30721991A JP H05121165 A JPH05121165 A JP H05121165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating element
porous body
conductive layer
microwave absorption
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP30721991A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Iida
恵一 飯田
Toshitaka Fujikawa
俊隆 藤川
Hiroshi Sasaki
博 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP30721991A priority Critical patent/JPH05121165A/ja
Publication of JPH05121165A publication Critical patent/JPH05121165A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波のリークを防ぎ、発熱効率が良
好、しかも導電層の形成が簡単にできること 【構成】 気孔率が40%〜95%のセラミックス多孔
体の片面に導電層を有するマイクロ波吸収発熱体であ
り、セラミックス多孔体としてはSiCセラミックスが
挙げられる。またこの製造方法は、導電層を形成するの
に無電解メッキ法を用いる。この無電解メッキ法のメッ
キ条件は、通常用いられる無電解メッキ条件で良い。導
電層の金属としては、Cu、Cr、Ni、Ag、Au、
Pt、Zr等が用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を吸収して
発熱する材料であるマイクロ波吸収発熱体及びその製造
方法に関し、更に詳しくは熱伝導、熱副射を利用した調
理器具、乾燥器具や熱副射を利用した加熱器具、暖房器
具等に使用されるマイクロ波吸収発熱体及びその製造方
法に関する。
【従来の技術】
【0002】従来、調理器具、乾燥器具、加熱器具、暖
房器具等にはガス等の加熱体、ニクロム線を中心とした
発熱体、更には遠赤外線等も利用されている。近年、マ
イクロ波の利用がなされ、その発熱体としてマイクロ波
吸収発熱体が開発されている。従来のマイクロ波吸収発
熱体には、高密度に焼結されものと多孔質タイプの二種
類がある。
【0003】このうち、多孔質タイプの材料に属してい
る従来の多孔質発熱体には、導電性のセラミックス粒子
を焼結して、気孔を残しているものや、セラミックス微
粒子中に有機系の発泡剤を添加して焼成したもの、もと
もとセラミックスフォーム(セラミックススケレトン)
の気泡内面にSiC材料をコティングしたものなどがあ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の多孔質発熱体は、マイクロ波を吸収して発熱するが、
多孔質体の気孔の大きさや、多孔質体の層厚により、マ
イクロ波の吸収効率が大幅に異なっていた。したがっ
て、気孔サイズが1.0mm以上では、マイクロ波は多
孔体の一方の面からリークし、十分な発熱効果が得られ
ないし、また多孔体の層厚も10mm以下では、マイク
ロ波がリークして問題となる。
【0005】このためマイクロ波のリークを防ぎ、しか
も、発熱効率を上げるためには気孔径を小さくするか、
又は層厚を大きくする必要があった。このような条件を
考慮すると、設計条件に合致した小型でしかも発熱効率
が良好でマイクロ波のリークがない安全な発熱材料を作
ることは非常に困難であった。
【0006】そこで、本発明者等は、上記課題について
種々検討した結果、特にSiC多孔質体の表面に導電性
の金属材料を被覆することによりマイクロ波のリークを
防ぎ、しかも、発熱効率の良好なマイクロ波吸収発熱体
を得ることができることを見出し、また簡単な方法で付
着強度の優れた導電層を形成することができることを見
出し、ここに本発明を完成した。
【0007】発明が解決しようとする課題、いわゆる本
発明の第1の目的は、マイクロ波のリークを防ぎ、しか
も、発熱効率が良好であると共に導電層が付着強度に優
れているマイクロ波吸収発熱体を提供することにある。
本発明の第2の目的は、付着強度の優れた導電層の形成
が簡単にできるマイクロ波吸収発熱体の製造方法を提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の上記各目的は、
下記の(1)及び(2)の構成要件からなる発明によっ
て達成される。 (1)気孔率が40%〜95%を有する板状のセラミッ
クス多孔体の片面に導電層を有するマイクロ波吸収発熱
体。 (2)気孔率が40%〜95%を有する板状のセラミッ
クス多孔体の片面に導電層を被覆するマイクロ波吸収発
熱体の製造方法において、該導電層の形成方法として無
電解メッキ法を用いることを特徴とするマイクロ波吸収
発熱体の製造方法。
【0009】以下、本発明を更に詳しく説明する。本発
明は、気孔率が40%〜95%を有する板状のセラミッ
クス多孔体の片面に導電層を設けることにより、マイク
ロ波のリークを防ぎ、しかも、発熱効率の良好なマイク
ロ波吸収発熱体を得ることができる。
【0010】また導電層を無電解メッキ法を用いて被覆
することにより、付着強度の優れた導電層を簡単に形成
することができるばかりでなく処理コストも安価とな
る。本発明に用いられるセラミックス多孔体としては、
通常の方法で製造することができるもので、例えばSi
Cセラミックスが挙げられ、これが発熱性、耐熱性、ス
ポーリング、コストの面で良好である。このセラミック
ス多孔体は、板状に形成されることが好ましいが、この
板状体は湾曲していてもよい。
【0011】セラミックス多孔体の製造方法は、SiC
セラミックスに有機質発泡剤、例えばメタクリル酸重合
体、スチレン重合体等の少なくとも1種を添加するか、
又はセラミックスフォームにSiCを添加するか、若し
くは、このフォームにCVD(Chemical Va
por Deposition)などによりSiCを担
持させる等の方法で製造する。
【0012】このセラミックス多孔体の気孔率は、40
%〜95%であり、この気孔率が40%未満ではマイク
ロ波が十分に進入しない。また95%を越える時はスケ
レトン強度に問題があり好ましくない。セラミックス多
孔体の気孔率が、40%〜95%のとき、マイクロ波
が、SiC多孔体、即ちSiCスケレトンの一方の側か
ら照射により多孔体内部に進入するとSiCスケレトン
に蓄積されるが、これが多孔体であるために完全には吸
収されないで反対面に到達する。
【0013】本発明では、セラミックス多孔体の片面、
即ちマイクロ波の照射側と反対面に導電性の金属材料を
コーティングすることで、マイクロ波のリークを良好に
防止することができる。更にこの金属のコーティング層
により、未吸収のマイクロ波はこの金属表面から反射さ
れて、再びSiCスケレトン内部へもどるため、熱吸収
効率が良くなり、発熱特性も良好となる。
【0014】本発明に用いられる導電層の金属として
は、好ましくはCu、Cr、Ni、Ag、Au、Pt、
Zr等が挙げられるが、これらの金属に限定されるもの
ではない。この導電層の厚さは、200μm以下が良好
であり、これより厚さが大きいと熱膨張差を吸収できず
にクラックが発生する。通常は、10〜200μm程度
で用いられ、十分効果がある。
【0015】この導電層の被覆を無電解メッキ法を用い
て形成するが、これには通常知られている無電解メッキ
法が用いられる。この方法は、セラミックス表面を塩化
スズ水溶液に入れ、更に塩化パラジウム水溶液中で活性
化する。ここでセラミックス表面パラジウム層を形成し
て無電解メッキ処理を施す。
【0016】この無電解メッキ法の使用条件は、通常用
いられる範囲内で十分である。この方法を用いることに
よりコーティング装置及びコーティング操作が容易で、
処理コストも安価で経済的である。スケレトン表面をコ
ートするため、SiC粒子の焼結強度を助長する。
【0017】
【作用】SiC多孔体(スケレトン)は、発熱基体であ
り、マイクロ波を吸収して発熱する。またSiCスケレ
トン層の片面に導電層を設けることにより、このスケレ
トン層を通過したマイクロ波は、片方の面からリークし
ようとするが、導電層からなる金属メッシュ(多孔質の
表面に金属コーティングしているため)の層より出られ
ずに再び内部に反射し、SiCスケレトン層に再び吸収
され、吸収効率、発熱効率は高くなる。
【0018】
【実施例】以下、本発明を実施例によって更に詳しく説
明するが、本発明は、これによって限定されるものでは
ない。 実施例 通常公知の方法で、SiC粉末に有機質発泡剤として、
スチレンビーズを加えて気孔率が表1に示した多孔質体
を形成した。
【0019】この様にして得られた多孔質体を平板とし
た後、この片面に無電解メッキ法により、導電性の金属
を表1に示したものを使用し、サンプル表面温度は90
℃、浸漬時間60分としコーティング処理して表1で示
した厚さの導電層を形成した。以上の結果を表1に示
す。
【0020】
【0021】表1から明らかなように、No.3の比較
例のものに比べて、本発明のNo.1及びNo.2のも
のは、発熱温度が高く、良好な発熱効率を有することが
わかる。また金属コーティング層を有するので、マイク
ロ波のリークがない。
【0022】
【発明の効果】本発明は、セラミックス多孔体に導電層
を被覆しているので、マイクロ波のリークがないばかり
か短時間に良好に発熱する。しかもコーティング層表面
からの熱発射がすぐれている。また小型のものが作製可
能である。更に無電解メッキ法を用いて導電層を被覆し
ているので、表面の膜の付着強度が大きい導電層が簡単
に得られ、また被覆のランニングコストは安価である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 気孔率が40%〜95%を有する板状の
    セラミックス多孔体の片面に導電層を有するマイクロ波
    吸収発熱体。
  2. 【請求項2】 気孔率が40%〜95%を有する板状の
    セラミックス多孔体の片面に導電層を被覆するマイクロ
    波吸収発熱体の製造方法において、該導電層の形成方法
    として無電解メッキ法を用いることを特徴とするマイク
    ロ波吸収発熱体の製造方法。
JP30721991A 1991-10-28 1991-10-28 マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法 Withdrawn JPH05121165A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30721991A JPH05121165A (ja) 1991-10-28 1991-10-28 マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30721991A JPH05121165A (ja) 1991-10-28 1991-10-28 マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05121165A true JPH05121165A (ja) 1993-05-18

Family

ID=17966481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30721991A Withdrawn JPH05121165A (ja) 1991-10-28 1991-10-28 マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05121165A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10107539B2 (en) 2005-01-03 2018-10-23 Whirlpool Corporation Refrigerator with a water and ice dispenser having an improved ice chute air seal

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10107539B2 (en) 2005-01-03 2018-10-23 Whirlpool Corporation Refrigerator with a water and ice dispenser having an improved ice chute air seal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4188426A (en) Cold plasma modification of organic and inorganic surfaces
KR102056098B1 (ko) 금속폼의 제조 방법
US6815052B2 (en) Filled diamond foam material and method for forming same
KR102040462B1 (ko) 금속폼의 제조 방법
JP2003148887A (ja) ヒートパイプ及びその製造方法
US2974404A (en) Heat exchanger matrix
US5189273A (en) Microwave absorbing heater
JP2018021659A (ja) 断熱材とその製造方法
JPH05121165A (ja) マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法
US4042420A (en) Method of producing manganese oxide solid electrolyte capacitor
CN112210766B (zh) 具有电磁屏蔽性能的碳纳米管泡沫材料及其制备方法与应用
JPH05101882A (ja) マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法
JPH05121163A (ja) マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法
JPH05121164A (ja) マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法
JP2009092344A (ja) 熱輸送特性に優れたベーパチャンバ
CN103952738A (zh) 一种镍泡沫及其制备方法
JPH05339050A (ja) マイクロ波吸収発熱体
CN112696953A (zh) 散热元件的吸收芯的制备方法及散热元件
JP2001329380A5 (ja)
JPS64357B2 (ja)
JPH05330939A (ja) マイクロ波吸収発熱体
TWI594690B (zh) 具電磁波屏蔽效果的導電海綿的製備方法
JPS60124384A (ja) 熱制限装置
JPH05339076A (ja) マイクロ波吸収発熱体
JPH03247778A (ja) 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990107