JPH0512104A - データ記憶制御装置 - Google Patents

データ記憶制御装置

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Publication number
JPH0512104A
JPH0512104A JP3164515A JP16451591A JPH0512104A JP H0512104 A JPH0512104 A JP H0512104A JP 3164515 A JP3164515 A JP 3164515A JP 16451591 A JP16451591 A JP 16451591A JP H0512104 A JPH0512104 A JP H0512104A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
dram
rom
signal
address bus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3164515A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Sugino
光一 杉野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seikosha KK
Original Assignee
Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seikosha KK filed Critical Seikosha KK
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Priority to US07/906,640 priority patent/US5291456A/en
Publication of JPH0512104A publication Critical patent/JPH0512104A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/005Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡素化した構成のデータ記憶制御装置を提供
する。 【構成】 本発明は、DRAM1と、記憶手段2とを有
するデータ記憶制御装置において、DRAM1と記憶手
段2に共通のアドレスバスBと、アドレスバスBに送出
するDRAM1のアドレス信号と記憶手段2のアドレス
信号とを切り換える制御手段6とを設けてある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、データ記憶制御装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイナミックRAM(以下、DR
AMという。)と、ROMとを有するデータ記憶制御装
置は、CPU等の制御回路にDRAM用のアドレス端子
とROM用のアドレス端子が設けられ、それぞれ個別の
アドレスバスで接続されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の装置は、D
RAMとROMに対して個別にアドレスバスを設けてい
るので、その分装置が大型となりコストアップとなって
いる。
【0004】本発明は、簡素化した構成のデータ記憶制
御装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、DRAMと、
ROM等の記憶手段とを有するデータ記憶制御装置にお
いて、上記DRAMと上記記憶手段に共通のアドレスバ
スと、このアドレスバスに送出する上記DRAMのアド
レス信号と上記記憶手段のアドレス信号とを切り換える
制御手段とを設けることにより、上記課題を解決するも
のである。
【0006】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
【0007】図1において、1は7本のアドレス端子A
0〜A6を有するDRAM、2は15本のアドレス端子
A0〜A14を有する記憶手段であり、本例ではROM
である。3はDRAM1に対するデータのアクセスおよ
びROM2に対するデータの読出しを制御するCPU、
4はDRAM1に対するアドレス指定を制御するDRA
Mコントローラ、5はDRAM1に対するアドレス信号
とROM2に対するアドレス信号とを選択的に切り換え
て出力するセレクタであり、これらによって制御手段6
が構成されている。CPU3とDRAMコントローラ4
は共通のクロック信号に基づいて作動する。本例では、
DRAM1の7本のアドレス端子とROM2の7本のア
ドレス端子を共通のアドレスバスBとし、セレクタ5よ
り導出している。
【0008】つぎに、図2のタイムチャートを参照しな
がら、DRAM1とROM2に対するアクセス動作につ
いて説明する。本例ではアドレス信号をA0〜A15の
16ビットとし、A15が“1”のときDRAM1を、
“0”のときROM2をアクセスするものである。
【0009】図2のaに示すように、まずCPU3から
“00FF”Hというアドレス信号が出力されたとす
る。これはA15が“0”なのでROM2に対するアド
レス信号である。このA15によりセレクタ5は端子b
に切り換わり、図2のeに示すようにアドレスバスBに
は、CPU3から生じるROM2の下位7ビットのアド
レス信号A0〜A6(7FH)が出力される。A7〜A
14はCPU3からROM2へ直接供給される。A15
はROM2のCS(チップセレクト)端子にも供給さ
れ、これによりアクセス可能状態となる。そして図2の
cに示すようにCPU3から読出し信号RDが“0”に
切り換わると、A0〜A14で指定されたアドレスから
図2のbに示す読出しデータD0〜D7が読み出され
る。なお、A15が“0”のときは、図2のf,gに示
すように、DRAMコントローラ4からのRAS(ロー
・アドレス・ストローブ),CAS(カラム・アドレス
・ストローブ)信号は“0”とならず、DRAM1には
アクセスされないようになっている。
【0010】つぎに、図2のaに示すように、CPU3
から“F0F0”Hというアドレス信号が出力されたと
する。これはA15が“1”なのでDRAM1に対する
アドレス信号である。このA15によりセレクタ5は端
子aに切り換わる。DRAMコントローラ4からは最初
にA0〜A6(70H)が、つづいてA7〜A13(6
1H)が時分割で出力され、このアドレス信号がセレク
タ5を介して図2のeに示すようにアドレスバスBに出
力される。そして、図2のfに示すようにRAS信号が
“0”に切り換わるとA0〜A6が、また、図2のgに
示すようにCAS信号が“0”に切り換わるとA7〜A
13がそれぞれDRAM1にラッチされる。そして図2
のdに示すようにCPU3から書込み信号WRが“0”
に切り換わると、A0〜A13で指定されたアドレスに
図2のbに示す書込みデータD0〜D7が書き込まれ
る。
【0011】一方、DRAM1からデータを読み出す場
合は、CPU3からの書込み信号WRが“0”となら
ず、他の動作は書込みの場合と同様である。
【0012】以上のようにして、DRAM1とROM2
に対して共通のアドレスバスBを介してアドレス指定す
ることができる。
【0013】なお、アドレス信号のビット数、記憶手段
の数は任意に設定してよい。また、記憶手段はROMに
限らず、スタティックRAM等を用いてもよい。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、DRAMと記憶手段に
対するアドレスバスを共通とするので、アドレス端子お
よびアドレスバス等の構成要素が削減され、装置の小型
化およびコストダウンを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示したブロック図
【図2】図1の動作を説明するためのタイムチャート
【符号の説明】
1 DRAM 2 記憶手段 6 制御手段 B アドレスバス

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 ダイナミックRAM(ランダムアクセス
    メモリ)と、 ROM(リードオンリーメモリ)等の記憶手段と、 を有するデータ記憶制御装置において、 上記ダイナミックRAMと上記記憶手段に共通のアドレ
    スバスと、 このアドレスバスに送出する上記ダイナミックRAMの
    アドレス信号と上記記憶手段のアドレス信号とを切り換
    える制御手段と、 を具備することを特徴とするデータ記憶制御装置。
JP3164515A 1991-07-04 1991-07-04 データ記憶制御装置 Pending JPH0512104A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3164515A JPH0512104A (ja) 1991-07-04 1991-07-04 データ記憶制御装置
US07/906,640 US5291456A (en) 1991-07-04 1992-06-30 Data storage control device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3164515A JPH0512104A (ja) 1991-07-04 1991-07-04 データ記憶制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0512104A true JPH0512104A (ja) 1993-01-22

Family

ID=15794632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3164515A Pending JPH0512104A (ja) 1991-07-04 1991-07-04 データ記憶制御装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5291456A (ja)
JP (1) JPH0512104A (ja)

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US6911102B2 (en) 1999-08-09 2005-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated type semiconductor ceramic element and production method for the laminated type semiconductor ceramic element

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Also Published As

Publication number Publication date
US5291456A (en) 1994-03-01

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