JPH051142Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、分配器、方向性結合器、ミキサー、
アツテネータ、高周波スイツチ、インピーダンス
変換器等の集中定数型高周波回路部品に関するも
のである。

従来の技術 この種の集中定数型高周波回路部品である集中
定数型分配器の従来例としては、添付図面の第７
図に示すような構成のものがあつた。この従来の
集中定数型分配器は、アース基体としての金属板
６を備えており、この金属板６には、ガラス封止
部材１２を用いてハーメチツクシールされた貫通
端子ピン１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１
Ｅおよび１１Ｆが設けられている。これらの端子
ピンの上端は、金属板６の上面から突出してお
り、本分配器を構成する各回路部品のリード端子
が必要に応じて接続されるようになつている。こ
の従来の分配器では、各回路構成部品は、すべて
リードタイプの素子が使用されている。この例で
は、入力コイル１のリード線４Ａは、端子ピン１
１Ａと金属板６とにハンダ１０を用いて接続さ
れ、他方のリード線４Ｂは、端子ピン１１Ｂにの
みハンダ１０を用いて接続されている。この入力
コイル１のタツプリード線４Ｃは、リードタイプ
のコンデンサ２の一方のリード線４Ｄと出力分配
用コイル１′の中間タツプリード４Ｆとにハンダ
１０をもちいて接続されている。コンデンサ２の
他方のリード線４Ｅは、端子ピン１１Ｃと金属板
６とにハンダ１０をもちいて接続され、出力分配
用コイル１′の各出力リード線４Ｇおよび４Ｈは、
それぞれ端子ピン１１Ｄおよび１１Ｅにのみハン
ダ１０にて接続されている。また、リードタイプ
の抵抗３の各リード線４Ｉおよび４Ｊも各端子ピ
ン１１Ｄおよび１１Ｅにハンダ付けされている。
このように各回路素子を接続した後に、金属板６
の上部を樹脂にてモールド成形し、不活性ガス中
にて金属カバーケース（図示していない）を被せ
て、金属板６とその金属カバーケースとの間をハ
ンダ付けすることによつて、封止して集中定数型
分配器を完成していた。

このような集中定数型分配器の回路結線図を第
８図に示している。この第８図においては、対応
する各回路素子には第７図に用いたのと同じ参照
符号を使用した。

考案が解決しようとする問題点 前述したような従来の集中定数型分配器の構成
では、回路部品のすべてがリードタイプであるの
でどうしても相当のスペースを必要とし、小型化
が難しかつた。例えば、従来の構成では、端子ピ
ンの配列ピツチは、5.08mm程度が限度であつた。
また、各回路素子のリード線をそれぞれ端子ピン
の上端にハンダ付けしていかねばならず、そのた
めの接続作業は、非常に面倒なものとなつてい
た。その上、リード線が多数存在するため、高周
波特性が必ずしも安定なものとはならなかつた。

本考案の目的は、前述したような従来技術の問
題点を解決しうる集中定数型高周波回路部品を提
供することである。

問題点を解決するための手段 本考案による集中定数型高周波回路部品は、複
数のハーメチツクシール端子ピンを貫通させて有
するアース基体と、該アース基体の上面に配設さ
れる誘電体板と、該誘電体板の上に配設されるチ
ツプ回路素子とを備えており、前記誘電体板は、
前記端子ピンの各々を通すための複数のスルーホ
ールを有しており、前記誘電体板の裏面には、前
記スルーホールのうちの所定のスルーホールの周
辺近傍部分を除いて全面に亘つて導電性層が施さ
れており、前記誘電体板の表面には、回路の高周
波信号を低損失で伝送できるようにインピーダン
ス整合された所望の導体パターンが施されてお
り、該導体パターンのうちの所定の導体パターン
は、前記対応するスルーホールを通して前記導電
性層に接続されており、前記誘電体板は、前記ア
ース基体の上面に前記導電性層の全体が密着する
ようにして前記アース基体に接触され、前記チツ
プ回路素子は、その各電極を前記対応する導体パ
ターンに接着するようにして前記誘電体板の上面
に固定されており、前記端子ピンのうちの所定の
端子ピンは、前記対応する導体パターンに接着さ
れていることを特徴とする。

実施例 次に、添付図面の第１図から第６図に基づいて
本考案の実施例について本考案をより詳細に説明
する。

第１図は、本考案の一実施例としての集中定数
型分配器の分解部品配列斜視図である。第１図に
示されるように、この実施例の集中定数型分配器
は、８本のガラス１２０にてハーメチツクシール
された端子ピン１１０Ａから１１０Ｈを貫通させ
て有する、例えば、鉄である金属にて形成された
アース基体６０を備えている。この集中定数型分
配器は、さらに、このアース基体６０の上面に配
設される誘電体板７０と、この誘電体板７０の上
に配設される入力コイル１、出力分配用コイル
１′およびチツプ回路素子としてのチツプタイプ
のコンデンサ２０、抵抗３０とを備えている。そ
して、この実施例のものでは、アース基体６０、
誘電体板７０および回路構成部品１，１′，２０
および３０を覆うようにする、例えば、鉄である
金属で形成されたカバーケース８０が設けられて
いる。

アース基体６０の下方部の周辺には、フランジ
部６１が設けられており、このフランジ部６１の
上面には、突出部６２が形成されている。

誘電体板７０は、端子ピン１１０Ａから１１０
Ｈの各々を通すための複数のスルーホール７０Ａ
から７０Ｈを有している。第２図は、誘電体板７
０の裏面を示しており、この第２図によく示され
るように、誘電体板７０の裏面のスルーホールの
うちの所定のスルーホール７０Ｂ，７０Ｇおよび
７０Ｈの周辺部分を除いて実質的に全面に亘つ
て、例えば、銅箔にて形成された導電性層７２が
施されている。誘電体板７０の表面には、同様
に、銅箔にて形成された所望の導体パターン７１
Ａ，７１Ｂ，７１Ｄ，７１Ｅ，７１Ｆ，７１Ｇ，
７１Ｈ，７１Ｉが施されている。これら導体パタ
ーンのうち所定の導体パターン７１Ａ，７１Ｄ，
７１Ｅ，７１Ｆは、対応するスルーホール７０
Ａ，７０Ｃ，７０Ｄ，７０Ｅ，７０Ｆを通して導
電性層７２に接続されている。

次に、このような集中定数型分配器の組み立て
順序について説明する。

(1) 先ず、第３図に示すように、アース基体６０
の上に誘電体板７０をその裏面の導電性層７２
が下になるようにしてのせる。より好ましく
は、アース基体の上面と導電性層の面とは、全
面的に半田付けにて固着することである。

(2) 次に、誘電体板７０の表面の導体パターン上
にチツプコンデンサ２０およびチツプ抵抗３０
をハンダ付け１０する。チツプコンデンサ２０
は、その一端の端子２１を導体パターン７１Ａ
に、ハンダ付けされ、他端の端子２２を導体パ
ターン７１Ｉにハンダ付けされる。チツプ抵抗
３０は、その一端の端子３１を導体パターン７
１Ｇにハンダ付けされ、他の端子３２を導体パ
ターン７１Ｈにハンダ付けされる。さらに、入
力コイル１の一方のリード線４を端子ピン１１
０Ａの上端および導体パターン７１Ａにハンダ
付けされ、他方のリード線が端子ピン１１０Ｂ
および導体パターン７１Ｂにハンダ付けされ
る。また、入力コイル１のタツプリード線は、
導体パターン７１Ｉにハンダ付けされる。そし
て、出力分配用コイル１′の中間タツプリード
も導体パターン７１Ｉにハンダ付けされ、両端
のリード線４は、各対応する端子ピン１１０
Ｈ，１１０Ｇおよび導体パターン７１Ｈ，７１
Ｇにハンダ付けされる。この際、前記の(1)の工
程にてアース基体の上面と導電性層とが半田付
けされていない場合には、各端子１１０Ａ〜１
１０Ｇの中で、半田付けする端子を半田付けす
る作業時にアース基体と導電性層が全面的に密
着するように誘電体板を押さえて端子を半田付
けする。ここで、使用する入力コイルおよび出
力分配用コイルは、Ni−Zn係の円筒状フエラ
イトコアに巻線を、複数の線を撚つてほどこし
たものが好ましく、また、使用するハンダは、
高温ハンダが好ましい。

(3) このようにすべての回路構成素子を結線した
後、誘電体板７０の上の回路構成素子を適当な
樹脂を用いてモールド成形する。

(4) 最後に、第４図に示すように、カバーケース
８０を、その下方部のフランジ部８１がアース
基体６０のフランジ部６１に重なるようにし
て、アース基体６０の上に被せる。そして、不
活性ガス中にて、フランジ部６１とフランジ部
８１とを抵抗溶接することにより、封止する。
ここで、樹脂成形したものを不活性ガス中にて
さらに封止を行うことは、回路構成部品にたい
する湿気等による経年変化等を防ぐ上で好まし
い。

第５図は端子ピン１１０Ｂとアース基体６０と
誘電体板７０の導体パターン７１Ｂおよび導電性
層７２との接続関係を分かり易く示すための第３
図のＡ−Ａ線断面図であり、第６図は、端子ピン
１１０Ａとアース基体６０と誘電体板７０の導体
パターン７１Ａおよび導電性層７２との接続関係
を分かり易く示すための第３図のＢ−Ｂ線断面図
である。

尚、前述の実施例では、本考案を集中定数型分
配器に適用した場合について説明してきたもので
あるが、本考案は、その他の同様の集中定数型高
周波回路部品である、例えば、方向性結合器、ミ
キサー、アツテネータ、高周波スイツチ、インピ
ーダンス変換器等にも適用しうるものである。

考案の効果 本考案の集中定数型高周波回路部品は、誘電体
板を用い、しかも、その誘電体板の裏面に、所定
の端子を通すスルーホールの周辺近傍部分を除い
て全面に導電性層を設けて、その導電性層の全体
がアース基体の上面に密着するようにしたので、
次のような効果が得られる。

先ず第一に、その誘電体板の表面に設ける導体
パターンの配置の自由度が大きくなり、したがつ
て、チツプ回路素子の配置の自由度も大きくな
り、種々な用途の回路部品を容易に設計できる。

第二に、その誘電体板の表面に導体パターンを
設けるに際して、インピーダンス整合させたもの
として設計することが容易となり、したがつて、
高周波特性のよい回路部品を容易に設計できる。

第三に、不活性ガス中で封止されたケース内と
いえども、ケース内には残留空気や湿気があり、
このような残留空気や湿気のある雰囲気に対して
導電性層の大部分が露出されているのでは、それ
ら残留空気や湿気に導電性層が触れて酸化等によ
る腐食や経年変化が生じる恐れがある。しかし、
本願考案の如く、誘電体の裏面の導電性層の全体
が、アース基体の上面に密着するようにされてい
ると、導電性層は、それら残留空気や湿気に触れ
ることがないので、酸化等による腐食や経年変化
がなくなり、電気的な不都合、すなわち、インピ
ーダンスの不整合や導通不良等がなくなり、品質
安定が長期間保てるものとなるのであります。ま
た、さらには、誘電体板の上に樹脂を流し込んで
モールド成形する際にも、導電性層とアース基体
との間にその樹脂が流れ込むことがないので、電
気的シールドが不完全になることがなくなるので
ある。

このような効果の他、本考案の集中定数型高周
波回路部品は、前述したような構成であるため、
次のような効果も得られるものである。

(1) チツプ抵抗、チツプコンデンサ等のチツプ部
品を誘電体板上に実装できるので、全体として
小型にすることができる。例えば、従来の構造
では、端子ピンの配列ピツチは、5.08mm程度が
限度であつたのに対し、本考案の構成によれ
ば、その配列ピツチを2.54mm程度にすることが
可能である。

(2) チツプ部品の使用により、接続すべきリード
線の数を減少させることができるので、浮遊容
量をなくして高周波特性を安定させることがで
きる。

(3) 誘電体板上の整合がとられた導体パターン
は、回路の高周波信号を低損失で伝送でき、端
子ピンとリード線との接続も、リード線を端子
ピンにからげる必要がなく、導体パターンへの
ハンダ付けだけで済み、作業性も良い。

(4) 誘電体板に設けたスルーホールにより、端子
ピンと導体パターンとのハンダ付けが確実にで
き、アースをとるためのアース板やアース専用
端子も必要なく、簡単にアースをとることがで
きる。

(5) チツプ部品、コイル等の回路のハンダ付け
は、高温ハンダを使用することにより、リフロ
ーによる製品の実装ができ、誘電体板（例え
ば、テフロンシート）を使用することによりハ
ンダによるシヨートを防止することができる。

(6) 使用コイルのコアに、Ni−Zn係の円筒状フ
エライトコアを使用することにより、コイルの
小型化が可能となり、高周波特性の温度特性も
安定なものとすることができる。また、このコ
イルに施す巻線を、複数の線を撚つたもので形
成することにより、高周波特性のバラツキをな
くし、組み立て時間を短縮させることができ
る。

(7) 誘電体板上に樹脂を塗布してモールド成形す
ることにより、回路構成部品を固定し、回路が
シヨートするのを防ぎ、振動や衝撃からのシヨ
ツクをやわらげることができる。

(8) アース基体のフランジ部とカバーケースのフ
ランジ部とを、抵抗溶接して封止する場合に
は、従来のハンダ封止に比較して作業性が良
く、その結果できる封止の信頼性もより高いも
のとなる。また、カバーケースを鉄製のものと
する場合には、そのカバーケースは、磁気シー
ルド効果も発揮することができる。また、フラ
ンジ部６１の一隅６１Ａを他の隅の如く円くせ
ずに、角張つたものとしておくと、入力端子ピ
ンの位置を指示できて好都合である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の一実施例としての集中定数
型分配器の分解部品配列斜視図、第２図は、第１
図の集中定数型分配器の誘電体板の裏面を示す斜
視図、第３図は、第１図の集中定数型分配器の組
み立て途中の状態を示す斜視図、第４図は、第１
図の集中定数型分配器の組み立て完成時を示す斜
視図、第５図は、第３図のＡ−Ａ線断面図、第６
図は、第３図のＢ−Ｂ線断面図、第７図は、従来
の集中定数型分配器の一例を示す斜視図、第８図
は、第７図の集中定数型分配器の回路結線図であ
る。 １……入力コイル、１′……出力分配用コイル、
２０……チツプコンデンサ、３０……チツプ抵
抗、６０……アース基体、６１……フランジ部、
７０……誘電体板、７０Ａ〜７０Ｈ……スルーホ
ール、７１Ａ〜７１Ｉ……導体パターン、７２…
…導電性層、８０……カバーケース、８１……フ
ランジ部、１１０Ａ〜１１０Ｈ……端子ピン、１
２０……ガラス。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 複数のハーメチツクシール端子ピンを貫通さ
   せて有するアース基体と、該アース基体の上面
   に配設される誘電体板と、該誘電体板の上に配
   設されるチツプ回路素子とを備えており、前記
   誘電体板は、前記端子ピンの各々を通すための
   複数のスルーホールを有しており、前記誘電体
   板の裏面には、前記スルーホールのうちの所定
   のスルーホールの周辺近傍部分を除いて全面に
   亘つて導電性層が施されており、前記誘電体板
   の表面には、回路の高周波信号を低損失で伝送
   できるようにインピーダンス整合された所望の
   導体パターンが施されており、該導体パターン
   のうちの所定の導体パターンは、前記対応する
   スルーホールを通して前記導電性層に接続され
   ており、前記誘電体板は、前記アース基体の上
   面に前記導電性層の全体が密着するようにして
   前記アース基体に接触され、前記チツプ回路素
   子は、その各電極を前記対応する導体パターン
   に接着するようにして前記誘電体板の上面に固
   定されており、前記端子ピンのうちの所定の端
   子ピンは、前記対応する導体パターンに接着さ
   れていることを特徴とする集中定数型高周波回
   路部品。 (2) 前記アース基体には、前記誘電体板および前
   記チツプ回路素子を覆うためのカバーケースが
   結合される実用新案登録請求の範囲第(1)項記載
   の集中定数型高周波回路部品。 (3) 前記アース基体および前記カバーケースは、
   金属製であり、前記アース基体には、その下部
   の周辺部にフランジ部が形成されており、前記
   カバーケースには、その下部の周辺部にフラン
   ジ部が形成されており、前記アース基体と前記
   カバーケースとは、前記フランジ部同志を重ね
   合わせて抵抗溶接することによつて封止されて
   いる実用新案登録請求の範囲第(2)項記載の集中
   定数型高周波回路部品。 (4) 前記封止は、前記誘電体板上のチツプ回路素
   子等のモールド成形後に不活性ガス中にて行わ
   れる実用新案登録請求の範囲第(3)項記載の集中
   定数型高周波回路部品。 (5) 前記チツプ回路素子は、集中定数型分配器を
   構成するためのものである実用新案登録請求の
   範囲第(1)項から第(4)項のうちのいずれかに記載
   の集中定数型高周波回路部品。