JPH05110401A - 出力バツフア - Google Patents

出力バツフア

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JPH05110401A
JPH05110401A JP3264797A JP26479791A JPH05110401A JP H05110401 A JPH05110401 A JP H05110401A JP 3264797 A JP3264797 A JP 3264797A JP 26479791 A JP26479791 A JP 26479791A JP H05110401 A JPH05110401 A JP H05110401A
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JP
Japan
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resistance
trqp3
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transistor
output buffer
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JP3264797A
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Yukio Hachiman
幸雄 八幡
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 駆動能力をおとさず、貫通電流を効果的に減
少させる。 【構成】 CMOS構成のインバータの電源及びグラン
ド側にスイッチング素子としてトランジスタQN3、Q
P3を設けた構成となっている。 【効果】 電源側のみにN型デプレッショントランジス
タを付加した場合、N型トランジスタの駆動能力が大き
いために、面積と駆動能力及び貫通電流の3点で最も効
果的な回路構成が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CMOS構成の出力バ
ッファに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の貫通電流低減のCMOS構成の出
力バッファは、図4に示すようなP型トランジスタ、N
型トランジスタの縦積により構成され、各ゲートは内部
信号INにより制御される。
【0003】本構成の出力バッファは、内部信号INが
中間レベルの状態において、トランジスタの抵抗成分に
よって、貫通電流を減少させることが可能である。しか
しながら、この回路構成の場合には、出力の負荷が大き
い場合には駆動能力が小さいために、出力信号の変化が
遅くなる。
【0004】他の従来例として、図5のように、N型ト
ランジスタQN1、P型トランジスタQP1の各トラン
ジスタのゲート信号のタイミングをずらして、両トラン
ジスタが“オン”する状態を短くする構成の出力バッフ
ァも知られている。本構成の出力バッファでは、各トラ
ンジスタを“オフ”させる信号が“オン”させる信号よ
り早く印加されるように遅延回路を構成する必要があ
り、回路構成が複雑になる。また、遅延時間の変動によ
り、両トランジスタが“オフ”となる状態が生じる可能
性が高い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の第1の出力バッファは、駆動能力が低いために、出力
信号の立ち上がり、立ち下がり時間が大きくなる。
【0006】また、従来の第2の出力バッファでは、立
ち上がりと立ち下がり時間で遅延の異なる2つの遅延回
路が必要であり、出力がハイインピーダンス状態が生
じ、ノイズ等により、次段の回路が誤動作する可能性が
ある等の課題がある。
【0007】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記課題を解決することを可能とした新規な出力バ
ッファを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る出力バッファは、出力信号により制御
されるスイッチング素子を、電源側及びグランド側に備
えて構成される。
【0009】
【実施例】次に、本発明をその好ましい一実施例につい
て図面を参照して具体的に説明する。
【0010】図1は本発明による第1の実施例を示す回
路構成図である。
【0011】図1を参照するに、本発明による第1の実
施例は、通常のCMOS構成のバッファに、電源及びグ
ランド側にP型及びN型のデェプレッショントランジス
タQP3、QN3を備え、各トランジスタのゲート端子
には出力信号が印加される構成になっている。
【0012】入力信号INが“H”レベルの場合には出
力OUTは“L”レベルであり、トランジスタQP3は
ハイインピーダンストランジスタ、QP3は低抵抗化し
ている。入力INが“H”レベルから“L”レベルにな
る場合には、トランジスタQP3、QN3の抵抗値が変
化し、トランジスタQP3の抵抗値は除々にトランジス
タQN3に比較して大きくなり、入力INが“L”レベ
ル電位に近くなると、トランジスタQN3の抵抗値が
大、トランジスタQP3の抵抗値が小となる。
【0013】図3は、安定状態での駆動能力が同じに設
定した場合における従来の回路との貫通電流IT の比較
を示したものであり、5V電源で、トランジスタのスレ
ッシホルド電圧を1V程度の場合に、貫通電流のピーク
値を30%減少させることができるので、同時に“オ
ン”する数が多い場合に電源ラインが安定である。
【0014】図2は本発明による第2の実施例を示す回
路構成図である。
【0015】図2を参照するに、本第2の実施例は、第
1の実施例でグランド側のスイッチ素子をなくし、電源
側のスイッチ素子であるトランジスタQN3のバックゲ
ート電位を電源電位の4分の1程度にしたものであり、
バックゲート効果によるトランジスタQN3の駆動能力
の低下をおさえたものである。トランジスタQN3の電
位が電源の4分の1程度となる場合には、入力信号IN
は、トランジスタQP2、QP1を“オフ”状態にする
レベルとなっているために、バックゲートソース間に流
れる電流は微小である。
【0016】本第2実施例は、電源の4分の1程度の電
位を作成する必要があるが、出力数が多い場合には、面
積的増加はわずかである。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
遅延回路等の作成に要する素子数を最小限におさえ、貫
通電流の減少が達成可能であるという効果が得られる。
【0018】本発明によれば、また、出力信号そのもの
による制御のために、出力がハイインピーダンス状態に
なる可能性がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1の実施例を示す回路構成図で
ある。
【図2】本発明による第2の実施例を示す回路構成図で
ある。
【図3】本発明の特性を示す図である。
【図4】第1の従来例を示す回路図である。
【図5】第2の従来例を示す回路図である。
【符号の説明】
IN…入力信号QP1、QP2…P型エンハンスメント
トランジスタ QN1、QN2…N型エンハンスメントトランジスタ QN3…N型デェプレッショントランジスタ QP3…P型デェプレッショントランジスタ OUT…出力信号 VDD…電源電圧 IT …貫通電流 A、B…遅延回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路内部の信号の駆動能力を高める
    CMOS構成の出力バッファにおいて、該出力バッファ
    の出力により制御されるスイッチを電源側及びグランド
    側に設けたことを特徴とする出力バッファ。
  2. 【請求項2】 前記グランド側のスイッチを除去し、前
    記電源側のスイッチのバックゲート電位を電源電位の約
    4分の1程度にしたことを更に特徴とする請求項1に記
    載の出力バッファ。
JP03264797A 1991-10-14 1991-10-14 出力バッファ Expired - Fee Related JP3132091B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107282A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Nec Corp 出力バッファ回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH09107282A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Nec Corp 出力バッファ回路

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