JPH05109117A - 光デイスクおよびその製法 - Google Patents

光デイスクおよびその製法

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JPH05109117A
JPH05109117A JP3264611A JP26461191A JPH05109117A JP H05109117 A JPH05109117 A JP H05109117A JP 3264611 A JP3264611 A JP 3264611A JP 26461191 A JP26461191 A JP 26461191A JP H05109117 A JPH05109117 A JP H05109117A
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宏一 保田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】超高解像度再生方式の光ディスクを再生する際
に、安定したトラッキング制御をする。 【構成】透明基板2上に、サーボ領域SAに対応してウ
ォブルピットWP等を、データ領域DAに対応して記録
ピットRPを形成する。この透明基板2上にデータ領域
DAに対応して材料層3を形成した後、反射層4を全面
に形成する。材料層3は、読み出し光の熱により読み出
し光スポット内で部分的に状態変化を起こし、かつ読み
出し光通過後に初期状態に戻り、さらに状態変化によっ
て反射率が変化する。材料層3にGe2Sb2Te3三元
化合物を使用する。反射層4に反射率の高いAlを使用
する。レーザスポット内で光強度分布に応じて材料層3
の反射率が部分的に増加するため、記録ピットRPより
情報の読み出しが可能となる。レーザスポットがサーボ
領域SAを走査する際、そのスポットから充分な反射光
量を得ることができ、安定したトラッキング制御等を行
ない得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば位相ピットが
形成された透明基板上に温度によって反射率が変化する
材料層が形成されてなり、高密度記録をするのに適用し
て好適な光ディスクおよびその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えばディジタルオーディオディスク
(いわゆるコンパクトディスク)や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、そ
の上に保護膜等を形成することで構成されている。
【0003】このような光ディスクでは、ディスク面に
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し(再生)を行なうようにしている。
【0004】ところで、上述のような光ディスクにおい
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数NAで決まり、空間周波数
2NA/λが再生限界となる。
【0005】そのため、このような光ディスクにおいて
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源(例え
ば半導体レーザ)の波長λを短くすること、あるいは対
物レンズの開口数NAを大きくすることが必要となる。
【0006】しかし、光源の波長λや対物レンズの開口
数NAの改善には自ずと限界があり、これによって記録
密度を飛躍的に高めることは難しいのが実情である。
【0007】そこで、本出願人は、読み出し光の走査ス
ポット内の部分的相変化による反射率を利用すること
で、上述した波長λや開口数NAによる制限以上の解像
度を得ることができる光ディスクを提案した(特願平2
−94452号、特願平3−249511号参照)。
【0008】図4は、その一例の概略的断面図を示して
いる。図4の例の光ディスクは、情報信号に応じて位相
ピット1が形成された平滑な透明基板2上に、溶融後結
晶化し得る材料層3が形成されてなるものである。
【0009】この場合、読み出し光、例えば再生レーザ
光が材料層3に照射されるとき、読み出し光の走査スポ
ット内に温度分布が生じる。これにより、材料層3が部
分的に結晶状態から溶融状態となって反射率が低下する
と共に、読み出し後の常態では結晶状態に戻る。
【0010】図4の例の光ディスクに再生レーザ光を照
射する場合を、図5を使用して説明する。
【0011】図5Aにおいて、SPはレーザスポットで
あり、ディスクの回転に伴って矢印SC方向に走査され
ている。この図5Aでは、各位相ピット1が最短記録周
期qで配列されているが、この配列間隔およびピット長
は記録データに応じて変化することは勿論である。
【0012】また、図5Bにおいて、横軸はレーザスポ
ットSPの走査方向SCに関する位置を示している。光
ディスクにレーザスポットSPが照射された状態を考え
ると(図5A参照)、レーザスポットSPの光強度は破
線aで示す分布となる。これに対して、光ディスクの材
料層3における温度分布は、実線bで示すようにレーザ
スポットSPの走査速度に応じてわずかに遅れたものと
なる。
【0013】ここで、上述したようにレーザスポットS
Pが、図5Aに示すように走査方向SCに走査されてい
るとすると、光ディスクはレーザスポットSPの走査方
向先端側から次第に温度が上昇し、遂には材料層3の融
点MP以上の温度となる。
【0014】この段階で材料層3は、初期の結晶状態か
ら溶融状態となって反射率が低下する。そのため、レー
ザスポットSP内には、反射率が低くて位相ピット1の
読み出しが不可能な領域Px(図5Aに斜線図示)と、
結晶状態を保持するため反射率が高くて位相ピット1の
読み出しが可能な領域Pzとが並存する。
【0015】したがって、図5Aに示すように、同一レ
ーザスポットSP内に、例えば2つの位相ピット1が存
在している場合においても、反射率の高い領域Pzに存
在する1つの位相ピット1に関してのみ読み出しが行な
われる。そのため、読み出し光の波長λや対物レンズの
開口数NAに制限されることなく、超高解像度をもって
読み出しを行なうことができ、これにより高密度記録が
可能となる。
【0016】なお、上述した光ディスク(FADタイ
プ)では、材料層3が溶融状態で反射率が低く、結晶状
態で反射率が高くなるようにしたものである。しかし、
材料層3の構成や厚さ等の諸条件の選定によって、材料
層3は、溶融状態で反射率が高く、結晶状態で反射率が
低くなるようにも構成される。このような光ディスク
(RADタイプ)にあっては、溶融状態となって反射率
が増加した領域(図5Aの斜線部参照)のみ読み出し可
能となる。したがって、このRADタイプのものにおい
ても、FADタイプのものと同様に、超高解像度の読み
出しを行なうことができ、これにより高密度記録が可能
となる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに位相ピット1が形成された透明基板2上に材料層3
が形成されてなる光ディスク(以下、「SRディスク」
という)より、情報信号を再生する際、トラッキングサ
ーボとして3ビーム法を用いることが提案されている。
【0018】この3ビーム法においては、光ディスクの
記録面に、情報信号を再生するためのメインスポットの
他に、トラッキングエラー信号を得るための2個のサイ
ドスポットが形成される。例えば、サイドスポットの光
強度はメインスポットより弱くされて、サイドスポット
内で温度によって材料層3に状態変化を生じて反射率が
変化しないようにされる。
【0019】この場合、FADタイプのSRディスクで
あるときは、状態変化前の初期反射率が高いため、サイ
ドスポットからの反射光に基づいて安定してエラー信号
を得ることができ、良好にトラッキング制御できる。
【0020】しかし、RADタイプのSRディスクであ
るときは、状態変化前の初期反射率が低いため、サイド
スポットからの反射光量が充分でなくなり、トラッキン
グ制御をすることが困難であった。
【0021】そこで、この発明では、RADタイプのS
Rディスクを再生する際にも、安定してトラッキング制
御できるようにするものである。
【0022】
【課題を解決するための手段】この発明による光ディス
クは、情報とこの情報を読み出すための制御情報を光学
的に読み出し可能に透明基板に記録し、この透明基板上
の少なくとも情報記録部に対応して温度によって反射率
が変化する材料層を形成してなるものである。
【0023】また、この発明による光ディスクの製法に
よれば、情報とこの情報を読み出すための制御情報を光
学的に読み出し可能に透明基板に記録する工程と、透明
基板上の情報記録部に対応して温度によって反射率が変
化する材料層を形成する工程と、透明基板上の少なくと
も制御情報記録部に対応して反射層を形成する工程とか
らなるものである。
【0024】
【作用】この発明に係る光ディスクは、例えば透明基板
2の情報記録部に対応して材料層3が形成されると共
に、制御情報記録部に対応して反射層4が形成されたも
のとなる。この場合、FADタイプあるいはRADタイ
プのいずれであっても、読み出し光スポットが制御情報
記録部を走査する際には、その読み出し光スポットから
充分な反射光量を得ることができ、安定したトラッキン
グ制御等を行なうことが可能となる。
【0025】
【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の一実
施例について説明する。
【0026】本例の光ディスク10では、トラッキング
方法として、周知のサンプルサーボ方式が採用される。
そのため、本例の光ディスク10では、トラックの一周
に複数箇所のサーボ領域が設けられる。
【0027】図2は、本例の光ディスク10の全体を示
している。同図に示すように、各トラックTRは複数の
セグメントSGでもって構成される。各セグメントSG
には、先頭にサーボ領域SAが設けられると共に、続い
てデータ領域DAが設けられる。
【0028】また、所定セグメントSG毎にアドレスセ
グメントAD・SGが設けられる。詳細説明は省略する
が、アドレスセグメントAD・SGの先頭にも、セグメ
ントSGと同様にサーボ領域SAが設けられる。
【0029】図3は、各セグメントSGのピット構成を
示すものである。サーボ領域SAの先頭には、16トラ
ック周期で変化するグレイコードGCが形成される。ま
た、このグレイコードGCに続いて、同期クロックを得
るためのクロックピットCPおよびトラッキングエラー
信号を得るウォブルピットWPが形成される。なお、図
3において、S・CLKはサーボクロックである。
【0030】図1は、本例の光ディスク10の要部の概
略的断面を示している。この図1において、図4と対応
する部分には同一符号を付して示している。
【0031】本例においては、透明基板2上に、サーボ
領域SAに対応してグレイコードGC、クロックピット
CPおよびウォブルピットWPが形成される(図1に
は、クロックピットCPを図示せず)。また、データ領
域DAに対応して情報信号に応じた記録ピットRPが形
成される。
【0032】このようにグレイコードGC、クロックピ
ットCP、ウォブルピットWPおよび記録ピットRPが
形成された透明基板2上で、データ領域DAに対応する
部分に材料層3が積層形成される。また、このように材
料層3が形成された透明基板2上の全面に反射層4が積
層形成される。
【0033】本例においては、透明基板2として、ポリ
カーボネート基板を使用し、グレイコードGC、クロッ
クピットCP、ウォブルピットWPおよび記録ピットR
Pとして位相ピットを用いた。
【0034】そして、本例においては、トラックピッチ
P=1.6μm、ピット深さDp≒120nm、記録ピ
ットRPのピット幅W1=RPが0.3μm、グレイコ
ードGC、クロックピットCPおよびウォブルピットW
Pのピット幅W2=0.6μmの設定条件で形成した。
【0035】なお、透明基板2の材料としては、アクリ
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いるこ
とができる。
【0036】また、材料層3としては、以下の条件を満
足するものが使用される。すなわち、読み出し光の熱に
より、読み出し光スポット内で部分的に状態変化を起こ
し、かつ読み出し光通過後に初期状態に戻り、さらに状
態変化によって反射率が変化するものである。
【0037】ここでいう状態変化とは、結晶から液体、
非晶質から液体となる融点を境界とする変化である。こ
の場合、結晶から液体になるものは、反射率の変化が大
きいので望ましい。
【0038】上述した条件を満足するものとして、S
e、Te、Bi、Ce、Sb、Pb、Ga、Ge、S
n、In等の単体、もしくはこれらの2種類以上を合金
としたものが挙げられる。本例においては、材料層3と
して、Ge2Sb2Te3三元化合物を使用した。
【0039】上述したようにサーボ領域SAに対応する
部分に材料層3が積層しないようにするため、本例にお
いては材料層3の成膜後にフォトリソグラフィを用い
て、サーボ領域SAに対応する部分の材料層3を取り除
いた。
【0040】サーボ領域SAに材料層3が積層しないよ
うにするには、この他に、成膜時に遮蔽板を取り付ける
方法や、サーボ領域SAにリフトオフ層を設けて材料層
3の形成後に除去する方法等を用いることができる。
【0041】また、反射層4としては、Al、Au、A
g、Pt等の反射率の高い金属が用いられる。本例にお
いては、反射層4としてAlを使用した。
【0042】このように形成された光ディスク10に対
して、レーザ光を照射すると、レーザスポット内で光強
度分布に応じて温度が上昇する。そして、融点を越えた
部分で反射率が増加し、データ領域DAの記録ピットR
Pより情報の読み出しが可能となる。すなわち、本例の
光ディスク10は、RADタイプのSRディスクを構成
することとなる。
【0043】また、サーボ領域SAに対応する部分に
は、材料層3が積層されないようにすると共に反射層4
が積層されるので、レーザスポットがサーボ領域SAを
走査する際には、そのレーザスポットから充分な反射光
量を得ることができるので、安定したトラッキング制御
等を行なうことができる。
【0044】なお、図1の例においては、サーボ領域S
Aに対応部分に材料層3が積層しないようにしたもので
あるが、材料層3の材料構成や厚さ等の諸条件の選定に
よって、光ディスク10が材料層3の初期反射率の高い
FADタイプのものとなるときは、サーボ領域SAに対
応する部分にも材料層3を積層し、この材料層3による
反射を利用する構成とすることもできる。この場合、反
射層4は不要となる。
【0045】これに対して、初期反射率の低いRADタ
イプのものでは、サーボ領域SAに対応する部分に材料
層3を積層する構成とすることはできない。この場合、
融点を越えた部分で反射率が増加するが、その反射率の
増加領域は狭く歪んでおり、反射光量が不安定かつ不充
分となるため、トラッキング制御等を良好に行なうこと
は不可能である。
【0046】なお、図1の例において、サーボ領域SA
に対応する部分に材料層3を積層した光ディスク形成し
て、これを再生する実験をしたが、制御不能となって再
生を行なうことができなかった。
【0047】また、図1の例においては、全面に反射層
4を積層したものであるが、データ領域DAに対応する
部分には積層しないように構成してもよい。
【0048】さらに、図1の例においては、記録ピット
RP等として位相ピットを用いているが、これに限定さ
れるものではなく、光学的に読み出し可能なものであれ
ばよい。
【0049】
【発明の効果】この発明によれば、例えば透明基板の情
報記録部に対応して材料層が形成されると共に、制御情
報記録部に対応して反射層が形成されたものとなり、F
ADタイプあるいはRADタイプのいずれであっても、
読み出し光スポットが制御情報記録部を走査する際に
は、その読み出し光スポットから充分な反射光量を得る
ことができ、安定したトラッキング制御等を行なうこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の構成を示す要部概略断面図である。
【図2】実施例の全体構成を示す図である。
【図3】セグメントのピット構成を示す図である。
【図4】光ディスクの一例の構成を示す要部概略断面図
である。
【図5】レーザスポットの光強度分布と光ディスクの温
度分布(反射率)との関係を示す図である。
【符号の説明】
2 透明基板 3 材料層 4 反射層 10 光ディスク SG セグメント DA データ領域 SA サーボ領域 GC グレイコード CP クロックピット WP ウォブリングピット RP 記録ピット

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 情報とこの情報を読み出すための制御情
    報を光学的に読み出し可能に透明基板に記録し、この透
    明基板上の少なくとも上記情報記録部に対応して温度に
    よって反射率が変化する材料層を形成してなる光ディス
    ク。
  2. 【請求項2】 上記情報は、位相ピットをもって記録す
    ることを特徴とする請求項1記載の光ディスク。
  3. 【請求項3】 情報とこの情報を読み出すための制御情
    報を光学的に読み出し可能に透明基板に記録する工程
    と、 上記透明基板上の上記情報記録部に対応して温度によっ
    て反射率が変化する材料層を形成する工程と、 上記透明基板上の少なくとも上記制御情報記録部に対応
    して反射層を形成する工程とからなる光ディスクの製
    法。
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