JPH05107527A - 散乱モード液晶表示デバイス - Google Patents
散乱モード液晶表示デバイスInfo
- Publication number
- JPH05107527A JPH05107527A JP29390991A JP29390991A JPH05107527A JP H05107527 A JPH05107527 A JP H05107527A JP 29390991 A JP29390991 A JP 29390991A JP 29390991 A JP29390991 A JP 29390991A JP H05107527 A JPH05107527 A JP H05107527A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal layer
- scattering mode
- glass substrate
- elements
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＴＦＴ素子によりアクティブマトリクス駆動
を行う液晶表示デバイスであって、光を反射又は吸収す
る性質を有する仕切りが上記ＴＦＴ素子及び各信号ライ
ンを内包して液晶層内に形成され、該仕切りにより各画
素間を遮蔽した散乱モード液晶表示デバイス。 【効果】 液晶層における散乱光による画素間のフレア
ー及び、ＴＦＴ素子の明電流を防止し、高コントラスト
の投影画像を得ることができる。
を行う液晶表示デバイスであって、光を反射又は吸収す
る性質を有する仕切りが上記ＴＦＴ素子及び各信号ライ
ンを内包して液晶層内に形成され、該仕切りにより各画
素間を遮蔽した散乱モード液晶表示デバイス。 【効果】 液晶層における散乱光による画素間のフレア
ー及び、ＴＦＴ素子の明電流を防止し、高コントラスト
の投影画像を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマトリクス表示を行う散
乱モードの液晶デバイス、特にシュリーレン光学系を採
用した液晶プロジェクターに好適に用いられる液晶表示
デバイスに関するものである。
乱モードの液晶デバイス、特にシュリーレン光学系を採
用した液晶プロジェクターに好適に用いられる液晶表示
デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来液晶表示デバイスは特開昭６１−１
９６２２９に開示されているように、ＴＦＴ素子、画素
電極、ゲートライン、信号ラインから成るアクティブマ
トリクス回路を一方の基板に形成し、他方の基板に対向
電極を形成し、これら両基板により散乱モードの液晶層
を挟み込むように構成されていた。
９６２２９に開示されているように、ＴＦＴ素子、画素
電極、ゲートライン、信号ラインから成るアクティブマ
トリクス回路を一方の基板に形成し、他方の基板に対向
電極を形成し、これら両基板により散乱モードの液晶層
を挟み込むように構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のデバイスの断面
を図５に示す。ここで５は画素電極、６はＴＦＴ素子及
び信号線を表している。図のように入射光１０が液晶層
３にて散乱されたとするとその一部の散乱光は矢印１２
で示されるように隣の画素に入ってしまうという現象が
発生する。これを画素間のフレアーと呼ぶ。従来このフ
レアーにより滲みが発生し投影画像のコントラストが低
下するという問題が生じていた。
を図５に示す。ここで５は画素電極、６はＴＦＴ素子及
び信号線を表している。図のように入射光１０が液晶層
３にて散乱されたとするとその一部の散乱光は矢印１２
で示されるように隣の画素に入ってしまうという現象が
発生する。これを画素間のフレアーと呼ぶ。従来このフ
レアーにより滲みが発生し投影画像のコントラストが低
下するという問題が生じていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明において
は、液晶層内に仕切りを設けて各画素間を光学的に遮蔽
することにより、上記問題を解決したのである。
は、液晶層内に仕切りを設けて各画素間を光学的に遮蔽
することにより、上記問題を解決したのである。
【０００５】即ち本発明は、マトリクス表示を行う散乱
モードの液晶表示デバイスであって、光を反射又は吸収
する性質を有する仕切りを液晶層内の各画素間に設けた
ことを特徴とする散乱モード液晶表示デバイスである。
モードの液晶表示デバイスであって、光を反射又は吸収
する性質を有する仕切りを液晶層内の各画素間に設けた
ことを特徴とする散乱モード液晶表示デバイスである。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
る。
【０００７】実施例１ 図１は本発明の第１の実施例であり、デバイスの断面を
示している。７は各画素間を遮蔽する仕切りであり、染
色された樹脂又は顔料を分散した樹脂から構成されてい
る。従って図に示したように各画素内の液晶層３からの
散乱光のうち横方向に行くものはこの仕切りにて吸収又
は反射されるため、散乱光は隣の画素に入らなくなり、
画素間のフレアーが防止される。
示している。７は各画素間を遮蔽する仕切りであり、染
色された樹脂又は顔料を分散した樹脂から構成されてい
る。従って図に示したように各画素内の液晶層３からの
散乱光のうち横方向に行くものはこの仕切りにて吸収又
は反射されるため、散乱光は隣の画素に入らなくなり、
画素間のフレアーが防止される。
【０００８】またこの仕切りはちょうどＴＦＴ素子及び
信号線６の上に設けられているため、散乱光がＴＦＴ素
子に当ることが無く、ＴＦＴ素子の明電流が防止され
る。
信号線６の上に設けられているため、散乱光がＴＦＴ素
子に当ることが無く、ＴＦＴ素子の明電流が防止され
る。
【０００９】図３に本デバイスの製造プロセスの１例を
示す。図中の番号に沿って以下に説明する。
示す。図中の番号に沿って以下に説明する。
【００１０】（ａ）ガラス基板４上にＩＴＯ画素電極
５、ＴＦＴ素子及び信号線６等の駆動部を形成する。
５、ＴＦＴ素子及び信号線６等の駆動部を形成する。
【００１１】（ｂ）ゼラチン、カゼイン、グリュー、ポ
リアクリルアミド、ＰＶＡ等の感光性基材樹脂７’を塗
布し、マスク露光、現像により画素電極上のみが除去さ
れるようにパターニングする。
リアクリルアミド、ＰＶＡ等の感光性基材樹脂７’を塗
布し、マスク露光、現像により画素電極上のみが除去さ
れるようにパターニングする。
【００１２】（ｃ）このパターンを黒色染料にて染色
し、タンニン酸等で固定化し画素間仕切り７を形成す
る。
し、タンニン酸等で固定化し画素間仕切り７を形成す
る。
【００１３】（ｄ）この上にＵＶ硬化樹脂とネマティッ
ク液晶との混合物から成る散乱モード液晶（硬化前）
３’を塗布する。
ク液晶との混合物から成る散乱モード液晶（硬化前）
３’を塗布する。
【００１４】（ｅ）これに対して、対向電極（ＩＴＯ）
２が形成されたガラス基板１を貼り合わせ液晶層３をＵ
Ｖ硬化する。
２が形成されたガラス基板１を貼り合わせ液晶層３をＵ
Ｖ硬化する。
【００１５】また以上のプロセスの別法として、上記
（ｂ）（ｃ）のプロセスの替わりに、黒色顔料を分散し
た着色基材を塗布しこれをフォトリソ法にてパターニン
グしてもよい。
（ｂ）（ｃ）のプロセスの替わりに、黒色顔料を分散し
た着色基材を塗布しこれをフォトリソ法にてパターニン
グしてもよい。
【００１６】また黒色顔料の替わりに白色顔料を用いる
ことも可能であり、この場合には仕切りによる反射作用
により画素間が遮光されフレアーが防止される。
ことも可能であり、この場合には仕切りによる反射作用
により画素間が遮光されフレアーが防止される。
【００１７】実施例２ 図２は第２の実施例を示すデバイスの断面図である。８
はＩＴＯから成る対向電極であり、仕切り７と液晶層３
の上に直接デポ形成されている。本例は前例と同様に仕
切り７により画素間とＴＦＴ素子を遮光する効果を有す
ると共に、よりシンプルなプロセスで製造することがで
きる。
はＩＴＯから成る対向電極であり、仕切り７と液晶層３
の上に直接デポ形成されている。本例は前例と同様に仕
切り７により画素間とＴＦＴ素子を遮光する効果を有す
ると共に、よりシンプルなプロセスで製造することがで
きる。
【００１８】図４はそのプロセスを示す。以下にその番
号に沿って説明する。
号に沿って説明する。
【００１９】（ａ）ＴＦＴ素子等の駆動部が形成された
ガラス基板４上に前例のプロセス（ｂ）（ｃ）により仕
切り７をパターニングする。
ガラス基板４上に前例のプロセス（ｂ）（ｃ）により仕
切り７をパターニングする。
【００２０】（ｂ）この上にＵＶ硬化樹脂とネマティッ
ク液晶との混合物から成る散乱モード液晶を塗布し、こ
れをＵＶ硬化させて固定する。
ク液晶との混合物から成る散乱モード液晶を塗布し、こ
れをＵＶ硬化させて固定する。
【００２１】（ｃ）この上にスパッタ法又はＥＢ蒸着法
にてＩＴＯ膜（対向電極）８を形成する。
にてＩＴＯ膜（対向電極）８を形成する。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、パネル内の画素間、
特にＴＦＴ素子及び信号線上に遮光のための仕切りを設
けることにより、液晶層からの散乱光による画素間のフ
レアーとＴＦＴ素子の明電流を防止し、高コントラスト
の投影画像を得ることができる。
特にＴＦＴ素子及び信号線上に遮光のための仕切りを設
けることにより、液晶層からの散乱光による画素間のフ
レアーとＴＦＴ素子の明電流を防止し、高コントラスト
の投影画像を得ることができる。
【図１】本発明の散乱モード液晶デバイスの第１実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の散乱モード液晶デバイスの第２実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図３】第１実施例の製造プロセス説明図である。
【図４】第２実施例の製造プロセス説明図である。
【図５】従来の散乱モード液晶デバイスの断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板（対向電極） ２ 対向電極（ＩＴＯ） ３ 液晶層（散乱モード） ４ ガラス基板（ＴＦＴ素子基板） ５ 画素電極（ＩＴＯ） ６ ＴＦＴ及び信号ライン ７ 仕切り ８ 対向電極（ＩＴＯ） １０ 入射光 １１ 散乱光 １２ フレアー光
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス表示を行う散乱モードの液晶
表示デバイスであって、光を反射又は吸収する性質を有
する仕切りを液晶層内の各画素間に設けたことを特徴と
する散乱モード液晶表示デバイス。 - 【請求項２】 ＴＦＴ素子によりアクティブマトリクス
駆動を行い、該ＴＦＴ素子及び各信号ラインを内包して
仕切りが設けられていることを特徴とする請求項１記載
の散乱モード液晶表示デバイス。 - 【請求項３】 散乱モード液晶としてポリマー分散型液
晶を用い、対向電極を該液晶層上に薄膜プロセスにより
直接形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の散
乱モード液晶表示デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29390991A JPH05107527A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 散乱モード液晶表示デバイス |
| US07/959,718 US5371617A (en) | 1991-10-15 | 1992-10-13 | Liquid crystal projector with one modulator including a member for preventing light from another modulator from entering the one |
| DE69221807T DE69221807T2 (de) | 1991-10-15 | 1992-10-14 | Farbprojektor |
| EP92117542A EP0537708B1 (en) | 1991-10-15 | 1992-10-14 | Colour projector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29390991A JPH05107527A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 散乱モード液晶表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107527A true JPH05107527A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17800726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29390991A Pending JPH05107527A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 散乱モード液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05107527A (ja) |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP29390991A patent/JPH05107527A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991221 |