JPH05101451A - 光学デイスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光学デイスク用スタンパの製造方法Info
- Publication number
- JPH05101451A JPH05101451A JP28733091A JP28733091A JPH05101451A JP H05101451 A JPH05101451 A JP H05101451A JP 28733091 A JP28733091 A JP 28733091A JP 28733091 A JP28733091 A JP 28733091A JP H05101451 A JPH05101451 A JP H05101451A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroforming
- current density
- stamper
- constant current
- nickel
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- Pending
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 光学ディスク用ニッケルスタンパ製造のため
の電鋳において、電鋳初期は時間の増大と共に電流密度
を増加させ、電鋳中期には一定の電流密度を維持し、さ
らに電鋳終期には電鋳中期よりも小さい一定電流密度で
電鋳を行う。ことを特徴とする光学ディスク用ニッケル
スタンパの製造方法。 【効果】 電鋳後のニッケルスタンパの裏面の粗さを小
さくすることができるため、スタンパ裏面の研磨時間の
増大による歩留まりの上昇、射出成型後の基板特性が上
昇する。
の電鋳において、電鋳初期は時間の増大と共に電流密度
を増加させ、電鋳中期には一定の電流密度を維持し、さ
らに電鋳終期には電鋳中期よりも小さい一定電流密度で
電鋳を行う。ことを特徴とする光学ディスク用ニッケル
スタンパの製造方法。 【効果】 電鋳後のニッケルスタンパの裏面の粗さを小
さくすることができるため、スタンパ裏面の研磨時間の
増大による歩留まりの上昇、射出成型後の基板特性が上
昇する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学ディスク用スタン
パ製造のための電鋳方法に関する。
パ製造のための電鋳方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学ディスクは、フロッピーディスクや
ハードディスクに比べ、その容量の大きさ及び記録密度
の高さなどに特徴があり、現在盛んに研究開発が行われ
ている。一般に、光学ディスク用の基板は、上記の優れ
た特徴を保持しながら、大量生産が可能なようにスタン
パを用いて射出成形によって生産されている。この際、
スタンパには、グル−ブやピットが形成されており、こ
れらが、光学ディスクに転写されるようになっている。
従って、スタンパには、原盤としての高度な精度および
射出成形の際の耐久性が要求される。
ハードディスクに比べ、その容量の大きさ及び記録密度
の高さなどに特徴があり、現在盛んに研究開発が行われ
ている。一般に、光学ディスク用の基板は、上記の優れ
た特徴を保持しながら、大量生産が可能なようにスタン
パを用いて射出成形によって生産されている。この際、
スタンパには、グル−ブやピットが形成されており、こ
れらが、光学ディスクに転写されるようになっている。
従って、スタンパには、原盤としての高度な精度および
射出成形の際の耐久性が要求される。
【０００３】これまでの光学ディスク用スタンパの製造
方法は、例えば、以下に示すような方法で行われてい
る。すなわち、表面研磨したガラス基板にレジストを必
要な厚さにスピンコ−ト法で均一に塗布し、プリベ−ク
後レ−ザ−カッティングマシ−ンで所望のパターンに露
光した後、レジストを現像してピット及び／又はグル−
ブを形成する。このピット及び／又はグル−ブを有する
レジスト付きガラス基板表面上に銀あるいはニッケルな
どを無電解メッキ法、スパッタ法、あるいは真空蒸着法
などにより被覆し、導電性を保持させた後、電鋳により
任意の厚みのニッケルを折出させる。その後、ニッケル
をガラス基板より剥離し、スタンパ信号面に残ったレジ
ストを溶剤により除去し、洗浄する。そのあと裏面を研
磨・洗浄し次いで内・外径を加工してスタンパとして完
成させる。
方法は、例えば、以下に示すような方法で行われてい
る。すなわち、表面研磨したガラス基板にレジストを必
要な厚さにスピンコ−ト法で均一に塗布し、プリベ−ク
後レ−ザ−カッティングマシ−ンで所望のパターンに露
光した後、レジストを現像してピット及び／又はグル−
ブを形成する。このピット及び／又はグル−ブを有する
レジスト付きガラス基板表面上に銀あるいはニッケルな
どを無電解メッキ法、スパッタ法、あるいは真空蒸着法
などにより被覆し、導電性を保持させた後、電鋳により
任意の厚みのニッケルを折出させる。その後、ニッケル
をガラス基板より剥離し、スタンパ信号面に残ったレジ
ストを溶剤により除去し、洗浄する。そのあと裏面を研
磨・洗浄し次いで内・外径を加工してスタンパとして完
成させる。
【０００４】従来、ニッケルを折出させる際の電鋳方法
としては、電鋳時間の増大と共に電流密度を徐々に増加
する電鋳前期過程と電鋳時間の増大に関わりなく一定の
電流密度を維持する電鋳後期過程からなっていた。電鋳
前期過程はニッケルの厚みを徐々に増大させることによ
って、電鋳の際の発熱によるレジストのガラス原盤から
の剥離を防止するために行われている。また、電鋳後期
過程は得られるスタンパの物理特性を一定にするため
に、一定の電流密度で電鋳を行っている。
としては、電鋳時間の増大と共に電流密度を徐々に増加
する電鋳前期過程と電鋳時間の増大に関わりなく一定の
電流密度を維持する電鋳後期過程からなっていた。電鋳
前期過程はニッケルの厚みを徐々に増大させることによ
って、電鋳の際の発熱によるレジストのガラス原盤から
の剥離を防止するために行われている。また、電鋳後期
過程は得られるスタンパの物理特性を一定にするため
に、一定の電流密度で電鋳を行っている。
【０００５】しかしながら、このように２種類の過程で
電鋳を行うと、スタンパが任意の厚みになったときに比
較的大きい電流密度で電鋳を止めてしまうために、電鋳
後のニッケルスタンパの裏面が粗くなる。これはスタン
パ裏面の研磨時間の増大や歩留まりの低下などをもたら
すだけでなく、射出成型後の基板の特性にまで悪影響を
与える。さらには裏面の粗さが一定でない場合、研磨し
ろが変化し、結果的にスタンパの厚みが小さくなってし
まうという問題点があった。
電鋳を行うと、スタンパが任意の厚みになったときに比
較的大きい電流密度で電鋳を止めてしまうために、電鋳
後のニッケルスタンパの裏面が粗くなる。これはスタン
パ裏面の研磨時間の増大や歩留まりの低下などをもたら
すだけでなく、射出成型後の基板の特性にまで悪影響を
与える。さらには裏面の粗さが一定でない場合、研磨し
ろが変化し、結果的にスタンパの厚みが小さくなってし
まうという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を解決し、比較的均一な裏面粗さを有するスタン
パを製造することにより、研磨の容易な、歩留まりの高
い光学ディスク用スタンパ製造のための電鋳方法を提供
することにある。
問題点を解決し、比較的均一な裏面粗さを有するスタン
パを製造することにより、研磨の容易な、歩留まりの高
い光学ディスク用スタンパ製造のための電鋳方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するために鋭意検討を行った結果、電鋳により
光学ディスク用スタンパを製造する際の電流密度および
電気量をより細かく制御することにより比較的均一な裏
面粗さを有するスタンパを得られることを見出し、本発
明を完成するに至った。
点を解決するために鋭意検討を行った結果、電鋳により
光学ディスク用スタンパを製造する際の電流密度および
電気量をより細かく制御することにより比較的均一な裏
面粗さを有するスタンパを得られることを見出し、本発
明を完成するに至った。
【０００８】すなわち本発明は、時間の増大と共に電流
密度を増加させる電鋳初期、一定の電流密度を維持する
電鋳中期、そして電鋳中期よりも小さい一定電流密度で
電鋳を行う電鋳終期からなることを特徴とする光学ディ
スク用ニッケルスタンパの製造方法に関する。
密度を増加させる電鋳初期、一定の電流密度を維持する
電鋳中期、そして電鋳中期よりも小さい一定電流密度で
電鋳を行う電鋳終期からなることを特徴とする光学ディ
スク用ニッケルスタンパの製造方法に関する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】電鋳初期の電流密度の増大の割合は、レジ
スト表面に被覆された導電性膜の種類、厚み、そして電
気抵抗値などにもよるが、２ないし１００Ａ／ｄｍ２／
ｈｒが望ましい。２Ａ／ｄｍ２／ｈｒ未満であると、電
解液が弱酸性であるために導電膜の溶解が起きたり、ニ
ッケル析出の競争反応である水素ガスの発生が優先して
起こりスタンパ厚みに再現性が失われてしまったり、ま
た、１００Ａ／ｄｍ２／ｈｒを越えると、上記したよう
に電気抵抗による発熱のためにレジストのガラス原盤か
らの剥離が生じるおそれがある。
スト表面に被覆された導電性膜の種類、厚み、そして電
気抵抗値などにもよるが、２ないし１００Ａ／ｄｍ２／
ｈｒが望ましい。２Ａ／ｄｍ２／ｈｒ未満であると、電
解液が弱酸性であるために導電膜の溶解が起きたり、ニ
ッケル析出の競争反応である水素ガスの発生が優先して
起こりスタンパ厚みに再現性が失われてしまったり、ま
た、１００Ａ／ｄｍ２／ｈｒを越えると、上記したよう
に電気抵抗による発熱のためにレジストのガラス原盤か
らの剥離が生じるおそれがある。
【００１１】さらに、電鋳初期の電気量は全電気量に対
して５％ないし４０％であることが望ましく、５％未満
であると徐々に電流密度を増大させることの目的が達成
されず、４０％を越えるとスタンパの厚みの制御の再現
性が乏しくなる場合がある。
して５％ないし４０％であることが望ましく、５％未満
であると徐々に電流密度を増大させることの目的が達成
されず、４０％を越えるとスタンパの厚みの制御の再現
性が乏しくなる場合がある。
【００１２】電鋳初期においては、上述のように電流密
度を時間と共に増大させてゆくが、電鋳初期の最終的電
流密度としては、４ないし２０Ａ／ｄｍ２が望ましい。
この電流密度になった時点で、電鋳中期に移行するのが
好ましい。
度を時間と共に増大させてゆくが、電鋳初期の最終的電
流密度としては、４ないし２０Ａ／ｄｍ２が望ましい。
この電流密度になった時点で、電鋳中期に移行するのが
好ましい。
【００１３】電鋳中期における一定の電流密度の値は、
電鋳液の組成、目的とするスタンパの物理特性などによ
り異なるが、４ないし２０Ａ／ｄｍ２が望ましい。４Ａ
／ｄｍ２未満であるとスタンパの内部応力が大きくなる
ため、スタンパが反る、変形する、また内外径の加工が
困難になるなどの問題を生じる場合があり、２０Ａ／ｄ
ｍ２を越えると、スタンパの厚み分布が大きくなり、射
出成型後の基板の特性が悪くなることがある。
電鋳液の組成、目的とするスタンパの物理特性などによ
り異なるが、４ないし２０Ａ／ｄｍ２が望ましい。４Ａ
／ｄｍ２未満であるとスタンパの内部応力が大きくなる
ため、スタンパが反る、変形する、また内外径の加工が
困難になるなどの問題を生じる場合があり、２０Ａ／ｄ
ｍ２を越えると、スタンパの厚み分布が大きくなり、射
出成型後の基板の特性が悪くなることがある。
【００１４】この時の電気量は全電気量に対して５０％
ないし９０％であることが望ましい。この範囲以外であ
ると、スタンパの反り、変形、内外径の加工の問題だけ
でなく、厚さの再現性、裏面粗さの増大などの問題が生
じるおそれがある。
ないし９０％であることが望ましい。この範囲以外であ
ると、スタンパの反り、変形、内外径の加工の問題だけ
でなく、厚さの再現性、裏面粗さの増大などの問題が生
じるおそれがある。
【００１５】電鋳終期の電流密度は、電鋳中期の電流密
度にも依存するが、電鋳中期の電流密度の５％ないし８
０％とすることが望ましい。電鋳終期の電流密度が、電
鋳中期の電流密度の５％未満であると、裏面粗さの低減
に効果がないときがあり、電鋳終期の電流密度が、電鋳
中期の電流密度の８０％を越えると、電流密度を下げた
効果がない。電鋳終期の電気量を全電気量に対して１％
ないし１０％が望ましい。１％未満であると電流密度を
下げた効果がなく、１０％を越えてもその効果は変わら
ない。
度にも依存するが、電鋳中期の電流密度の５％ないし８
０％とすることが望ましい。電鋳終期の電流密度が、電
鋳中期の電流密度の５％未満であると、裏面粗さの低減
に効果がないときがあり、電鋳終期の電流密度が、電鋳
中期の電流密度の８０％を越えると、電流密度を下げた
効果がない。電鋳終期の電気量を全電気量に対して１％
ないし１０％が望ましい。１％未満であると電流密度を
下げた効果がなく、１０％を越えてもその効果は変わら
ない。
【００１６】なお、電流密度の低下方法としては、１段
階で低下しても、又、数段階にわたって、徐々に低下し
てもよい。
階で低下しても、又、数段階にわたって、徐々に低下し
てもよい。
【００１７】レジスト表面の導電性の付与の方法は、特
に限定されるものではないが、スパッタ法、真空蒸着
法、および無電解メッキ法などの通常の方法を例示する
ことができる。また、その際に用いられる金属も特に限
定されるものではなく、銀、ニッケル、あるいはそれら
を主成分とする合金などを例示することができる。
に限定されるものではないが、スパッタ法、真空蒸着
法、および無電解メッキ法などの通常の方法を例示する
ことができる。また、その際に用いられる金属も特に限
定されるものではなく、銀、ニッケル、あるいはそれら
を主成分とする合金などを例示することができる。
【００１８】
【実施例】本発明をさらに詳細に説明するために以下に
実施例をあげるが、本発明はこれらに限定されるもので
はない． 実施例１ ５００ｇ／ｌのスルファミン酸ニッケル４水和物、３５
ｇ／ｌのほう酸、５ｇ／ｌの塩化ニッケル６水和物およ
びピット防止剤を主成分とする５０℃の電鋳液におい
て、電鋳初期の電流密度の増大の割合を３０Ａ／ｄｍ２
／ｈｒ、電鋳中期を１５Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電
鋳終期の電流密度を６Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれ
の電気量の割合は３０％、６７％および３％として、裏
面粗さがＲｍａｘで２．０μｍである光学ディスク用ス
タンパを製造した。
実施例をあげるが、本発明はこれらに限定されるもので
はない． 実施例１ ５００ｇ／ｌのスルファミン酸ニッケル４水和物、３５
ｇ／ｌのほう酸、５ｇ／ｌの塩化ニッケル６水和物およ
びピット防止剤を主成分とする５０℃の電鋳液におい
て、電鋳初期の電流密度の増大の割合を３０Ａ／ｄｍ２
／ｈｒ、電鋳中期を１５Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電
鋳終期の電流密度を６Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれ
の電気量の割合は３０％、６７％および３％として、裏
面粗さがＲｍａｘで２．０μｍである光学ディスク用ス
タンパを製造した。
【００１９】実施例２ 電鋳初期の電流密度の増大の割合を２０Ａ／ｄｍ２／ｈ
ｒ、電鋳中期を１０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を８Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は１０％、８０％および１０％とした以外
は、実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで４．
０μｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
ｒ、電鋳中期を１０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を８Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は１０％、８０％および１０％とした以外
は、実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで４．
０μｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
【００２０】実施例３ 電鋳初期の電流密度の増大の割合を１００Ａ／ｄｍ２／
ｈｒ、電鋳中期を２０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳
終期の電流密度を５Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの
電気量の割合は５％、９０％および５％とした以外は、
実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで３．５μ
ｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
ｈｒ、電鋳中期を２０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳
終期の電流密度を５Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの
電気量の割合は５％、９０％および５％とした以外は、
実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで３．５μ
ｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
【００２１】実施例４ 電鋳初期の電流密度の増大の割合を５Ａ／ｄｍ２／ｈ
ｒ、電鋳中期を１０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を２Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は３０％、６５％および５％とした以外は、
実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで１．５μ
ｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
ｒ、電鋳中期を１０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を２Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は３０％、６５％および５％とした以外は、
実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで１．５μ
ｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
【００２２】実施例５ 電鋳初期の電流密度の増大の割合を５０Ａ／ｄｍ２／ｈ
ｒ、電鋳中期を１０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を８Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は２０％、７５％および５％とした以外は、
実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで４．５μ
ｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
ｒ、電鋳中期を１０Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を８Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は２０％、７５％および５％とした以外は、
実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで４．５μ
ｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
【００２３】実施例６ 電鋳初期の電流密度の増大の割合を３０Ａ／ｄｍ２／ｈ
ｒ、電鋳中期を１５Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を６Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は１０％、８０％および１０％とした以外
は、実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで２．
８μｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
ｒ、電鋳中期を１５Ａ／ｄｍ２の一定電流密度、電鋳終
期の電流密度を６Ａ／ｄｍ２とした。またそれぞれの電
気量の割合は１０％、８０％および１０％とした以外
は、実施例１と同様の方法で裏面粗さがＲｍａｘで２．
８μｍである光学ディスク用スタンパを製造した。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電鋳後のニッケルスタンパの裏面の粗さを小
さくすることができ、スタンパ裏面の研磨時間の増大に
よる歩留まりの上昇、射出成型後の基板の特性の改善な
どの効果がある。
によれば、電鋳後のニッケルスタンパの裏面の粗さを小
さくすることができ、スタンパ裏面の研磨時間の増大に
よる歩留まりの上昇、射出成型後の基板の特性の改善な
どの効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 光学ディスク用ニッケルスタンパ製造の
ための電鋳方法において、電鋳初期は時間の増大と共に
電流密度を増加させ、電鋳中期には一定の電流密度を維
持し、さらに電鋳終期には電鋳中期よりも小さい一定電
流密度で電鋳を行うことを特徴とする光学ディスク用ニ
ッケルスタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28733091A JPH05101451A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28733091A JPH05101451A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101451A true JPH05101451A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17715971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28733091A Pending JPH05101451A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05101451A (ja) |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28733091A patent/JPH05101451A/ja active Pending
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