JPH0499199A - 銅めっき液の再生処理方法 - Google Patents
銅めっき液の再生処理方法Info
- Publication number
- JPH0499199A JPH0499199A JP20867790A JP20867790A JPH0499199A JP H0499199 A JPH0499199 A JP H0499199A JP 20867790 A JP20867790 A JP 20867790A JP 20867790 A JP20867790 A JP 20867790A JP H0499199 A JPH0499199 A JP H0499199A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper plating
- liquid
- copper
- reverse osmosis
- sodium sulfate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 52
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 21
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 25
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims abstract description 25
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000004280 Sodium formate Substances 0.000 claims abstract description 21
- HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M sodium formate Chemical compound [Na+].[O-]C=O HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 21
- 235000019254 sodium formate Nutrition 0.000 claims abstract description 21
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012465 retentate Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229940035289 tobi Drugs 0.000 description 2
- NLVFBUXFDBBNBW-PBSUHMDJSA-N tobramycin Chemical compound N[C@@H]1C[C@H](O)[C@@H](CN)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@@H]2[C@@H]([C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](N)C[C@@H]1N NLVFBUXFDBBNBW-PBSUHMDJSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000000276 potassium ferrocyanide Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- XOGGUFAVLNCTRS-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;iron(2+);hexacyanide Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[Fe+2].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] XOGGUFAVLNCTRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は銅めっき液の再生処理方法に関する。
(従来の技術)
プリント配線板を製造する場合、銅めっき液を用いて印
刷配線を形成する方法がある。
刷配線を形成する方法がある。
この時に用いる銅めっき液は、銅めっき反応の際に硫酸
ソーダやギ酸ソーダを生じこれが蓄積したり、基板から
溶出した有害な有1!lelが蓄積したり、あるいは反
応時の副生成物である有機物が蓄積すると考えられてい
る。
ソーダやギ酸ソーダを生じこれが蓄積したり、基板から
溶出した有害な有1!lelが蓄積したり、あるいは反
応時の副生成物である有機物が蓄積すると考えられてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
そのため、このままでは銅めっき液の使用期間が短くな
るため、次の通りの処理方法が検討されている。
るため、次の通りの処理方法が検討されている。
1) 電解隔膜法によりギ酸ソーダを分解する。
11) 活性炭により、基板から溶出した有機物や副
生成物である有機物を吸着して除去する。
生成物である有機物を吸着して除去する。
しかし、i)の方法では硫酸ソーダを除去できず銅めっ
き反応に有効なエチレンジアミン4酢酸(以下EDTA
と称す)又はそのナトリウム塩がこれ等の欠点を改良す
る方法として、特願平1254822号に記載する通り
、活性炭で処理して有機物を除去するとともに、逆浸透
膜を通してギ酸ソーダを除去し、冷却して硫酸ソーダを
除去する発明が考えられている。
き反応に有効なエチレンジアミン4酢酸(以下EDTA
と称す)又はそのナトリウム塩がこれ等の欠点を改良す
る方法として、特願平1254822号に記載する通り
、活性炭で処理して有機物を除去するとともに、逆浸透
膜を通してギ酸ソーダを除去し、冷却して硫酸ソーダを
除去する発明が考えられている。
しかし、この発明では、冷却してVA酸ソーダを除去す
る工程において、結晶化した[6ソーダが装置の壁に付
着し、冷却効率が低下する。そのなめ冷却効率を上げる
ために、定期的に洗浄しなければならない、また、電力
費がががりコストが高くつく欠点もある。
る工程において、結晶化した[6ソーダが装置の壁に付
着し、冷却効率が低下する。そのなめ冷却効率を上げる
ために、定期的に洗浄しなければならない、また、電力
費がががりコストが高くつく欠点もある。
本発明の目的は、以上の欠点を改良し、硫酸ソーダ等の
不純物を容易にかつ安価に除去できる銅めっき液の再生
処理方法を提供するものである。
不純物を容易にかつ安価に除去できる銅めっき液の再生
処理方法を提供するものである。
(課頭を解決するための手段)
本発明は、上記の目的を達成するために、銅めっき液に
対して、 a)活性炭により有機物を吸着して除去する処理と、 b)Haソータ及びギ酸ソーダの透過率が80%以上で
、銅及びキレート化合物の透過率が20%以下の逆浸透
膜に通す処理と、を行なうことを特徴とする銅めっき液
の再生処理方法を提供するものである。
対して、 a)活性炭により有機物を吸着して除去する処理と、 b)Haソータ及びギ酸ソーダの透過率が80%以上で
、銅及びキレート化合物の透過率が20%以下の逆浸透
膜に通す処理と、を行なうことを特徴とする銅めっき液
の再生処理方法を提供するものである。
(作用)
銅めっき処理後の液には、めっき処理に有害な有機物が
含まれている。
含まれている。
この銅めっき液を活性炭塔等に通して活性炭処理をする
と、有fi物が活性炭に吸着されるために、処理後の液
からは活性炭を除去できる。
と、有fi物が活性炭に吸着されるために、処理後の液
からは活性炭を除去できる。
また、銅めっき液中には、有機物以外にVA酸ソーダや
ギ酸ソーダ等の不純物が含まれる。
ギ酸ソーダ等の不純物が含まれる。
これ等の不純物は、硫酸及びギ酸ソーダの透過率が80
%以上の逆浸透膜を通すことにより、はとんど除去でき
る。この逆浸透膜は、また、銅やキレート化合物の透過
率が20%以下になっているために、銅めっき処理に必
要な銅等の成分をほとんど透過することがない、従って
、未透過液中のこれ等の成分比が高くなる。
%以上の逆浸透膜を通すことにより、はとんど除去でき
る。この逆浸透膜は、また、銅やキレート化合物の透過
率が20%以下になっているために、銅めっき処理に必
要な銅等の成分をほとんど透過することがない、従って
、未透過液中のこれ等の成分比が高くなる。
なお、活性炭処理をする工程と、逆浸透膜を通す工程と
はどちらを先に行なってもよく、同じ様に銅めっき液か
ら有機物や硫酸ソーダ等の不純物を除去できる。
はどちらを先に行なってもよく、同じ様に銅めっき液か
ら有機物や硫酸ソーダ等の不純物を除去できる。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
再生処理をする銅めっき液は、絶縁基板に銅めっき処理
を行ない配線を形成した後のものとし、銅めっきに必要
な銅及びキレート化合物の他に、有機物や硫酸ソーダ、
ギ酸ソーダ等を含んでいる。
を行ない配線を形成した後のものとし、銅めっきに必要
な銅及びキレート化合物の他に、有機物や硫酸ソーダ、
ギ酸ソーダ等を含んでいる。
そしてこの銅めっき液を活性炭塔に通す、この活性炭塔
には酸洗浄ずみの活性炭を充填している。
には酸洗浄ずみの活性炭を充填している。
そのために、銅めっき液を活性炭塔に通せば、基板から
溶出して混入した有機物や副生成物である有機物は活性
炭に付着するため、これ等の有機物を除去できる。
溶出して混入した有機物や副生成物である有機物は活性
炭に付着するため、これ等の有機物を除去できる。
銅めっき液を活性炭塔に通した後、逆浸透膜に通す、こ
の逆浸透膜は、硫酸ソーダ及びギ酸ソーダの透過率が8
0%以上で、銅及びキレート化合物の透過率が20%以
下とする。銅めっき液をこの逆浸透膜に通すと、硫酸ソ
ーダやギ酸ソーダはほとんど透過し、銅やキレート化合
物は未透過液中に残留する。
の逆浸透膜は、硫酸ソーダ及びギ酸ソーダの透過率が8
0%以上で、銅及びキレート化合物の透過率が20%以
下とする。銅めっき液をこの逆浸透膜に通すと、硫酸ソ
ーダやギ酸ソーダはほとんど透過し、銅やキレート化合
物は未透過液中に残留する。
この未透過液を銅めっき処理前の液にもどすことにより
、銅めっき液の再生利用ができる。
、銅めっき液の再生利用ができる。
なお、上記の実施例とは逆に、先ず銅めっき液を逆浸透
膜に通し、その未透過液を活性炭塔に通せば、活性炭処
理をする液量が少なくてすむ。
膜に通し、その未透過液を活性炭塔に通せば、活性炭処
理をする液量が少なくてすむ。
次に、上記実施例について、再生処理を行なった銅めっ
き液の寿命について調べな。
き液の寿命について調べな。
実釉例1)
再生処理をする銅めっき液
Cu5Ot ・5HzO6t/I
EDTA 22ti/1硫酸ソーダ
53r/j ギ酸ソーダ 30t/j! 38%ホルマリン3.ollJ/1I NaCN 0.5IIIr/J活性剤
0.25nJ/jPH12 活性炭による処理 容量800ojのめっき槽がち、上記成分のめっき液を
1001/hrの割合でくみ出し、容量3001、活性
炭150眩を充填した活性成塔中を通す。
53r/j ギ酸ソーダ 30t/j! 38%ホルマリン3.ollJ/1I NaCN 0.5IIIr/J活性剤
0.25nJ/jPH12 活性炭による処理 容量800ojのめっき槽がち、上記成分のめっき液を
1001/hrの割合でくみ出し、容量3001、活性
炭150眩を充填した活性成塔中を通す。
この活性炭処理により、処理前2ケ月使用した液の生化
学的酸素要求量値(以下BODと称す)が8700w/
jであったが、処理後にこれが6200rNr/jに低
下した。
学的酸素要求量値(以下BODと称す)が8700w/
jであったが、処理後にこれが6200rNr/jに低
下した。
逆浸透膜による処理
逆浸透膜の透過率は、硫酸ソーダ95%、ギ酸ソーダ1
00%、硫#!i#I2%、EDTA2%とする。
00%、硫#!i#I2%、EDTA2%とする。
そして活性炭処理後の液を流量100j/h「、圧力3
6kt/ai1で逆浸透膜に通し、未透過液と透過液と
を1:4の割合に分離した。
6kt/ai1で逆浸透膜に通し、未透過液と透過液と
を1:4の割合に分離した。
逆浸透膜処理後、未透過液の成分は、
Cu5Ot−5H2028,5g/、11EDTA
106 g/JTiA酸ソーダ
54r/Jギ酸ソーダ 30
t/鳶となり、処理前の成分に比べて、CuSO4・5
H20及びEDTAが約4,8倍に濃縮されている。ま
た、硫酸ソーダとギ酸ソーダの濃度はほとんど変わらな
いが、液量が115になっているため、量は同様に11
5に減少する。
106 g/JTiA酸ソーダ
54r/Jギ酸ソーダ 30
t/鳶となり、処理前の成分に比べて、CuSO4・5
H20及びEDTAが約4,8倍に濃縮されている。ま
た、硫酸ソーダとギ酸ソーダの濃度はほとんど変わらな
いが、液量が115になっているため、量は同様に11
5に減少する。
なお、透過液の成分は、
Cu5Ot−5H201,5mg/J
EDTA 8■/j硫酸ソーダ
45r/Jギ酸ソーダ
30 t / Jであり、銅めっき処理に有効なCu
5Ot5H20及びEDTAはほとんど含まれていない
、すなわち、逆浸透膜によるロスはほとんどない。
45r/Jギ酸ソーダ
30 t / Jであり、銅めっき処理に有効なCu
5Ot5H20及びEDTAはほとんど含まれていない
、すなわち、逆浸透膜によるロスはほとんどない。
以上の処理をした未透過の銅めっき液を20j/hrの
割合でめっき槽に戻し、連続2ケ月間リサイクル使用し
たが、絶縁基板に析出した銅めっきの物性の低下は認め
られず、めっき処理に異常もなかった。
割合でめっき槽に戻し、連続2ケ月間リサイクル使用し
たが、絶縁基板に析出した銅めっきの物性の低下は認め
られず、めっき処理に異常もなかった。
実施例2)
再生処理をする銅めっき液
Cu SOz ・5H207t/j
E D T A 23
t / j硫酸ソーダ 60r/Jギ酸
ソーダ 35t/鳶 38%ホルマリン 3.Omj/jポリエチレン
グリコール 2t/Jlフエロシアン化カリウム 1
.5■/J活性炭による処理 容量10,000Jのめっき槽から、160j/hrの
割合で銅めっき液をくみ出し、容量300j−活性炭1
50嘘を充填した活性炭塔中を通す。
t / j硫酸ソーダ 60r/Jギ酸
ソーダ 35t/鳶 38%ホルマリン 3.Omj/jポリエチレン
グリコール 2t/Jlフエロシアン化カリウム 1
.5■/J活性炭による処理 容量10,000Jのめっき槽から、160j/hrの
割合で銅めっき液をくみ出し、容量300j−活性炭1
50嘘を充填した活性炭塔中を通す。
この処理により、BODは処理前3ケ月使用した液が9
800■/Jであり、処理後に7600a+r/Jとな
った。
800■/Jであり、処理後に7600a+r/Jとな
った。
逆浸透膜による処理
逆浸透膜の透過率は、硫酸ソーダ90%、ギ酸ソーダ1
00%、硫酸銅5%、EDTA2%とする。
00%、硫酸銅5%、EDTA2%とする。
そして処理後の液を、流量160j/hr、圧力42k
g/cdで逆浸透膜に通し、未透過液と透過液との割合
を1=3にして分離しな。
g/cdで逆浸透膜に通し、未透過液と透過液との割合
を1=3にして分離しな。
逆浸透膜処理後、未透過液の成分は、
Cu5(1・5820 26.4g/jE D T
A 88 t / j硫酸ソーダ
67t/Jギ酸ソーダ 35
t/鳶 となり、処理前に比べて、cuSOt ・5H20及
びEDTAとも約3.4倍まで濃度が高くなっている。
A 88 t / j硫酸ソーダ
67t/Jギ酸ソーダ 35
t/鳶 となり、処理前に比べて、cuSOt ・5H20及
びEDTAとも約3.4倍まで濃度が高くなっている。
また、硫酸ソーダ及びギ酸ソーダの濃度はほとんど変わ
らないが、mMが1/4になっているため、呈は1/4
に減少する。
らないが、mMが1/4になっているため、呈は1/4
に減少する。
透過液の成分は、
Cu SO4−5H2012m/j
EDTA 8■/」硫酸ソーダ
40r/J ギ酸ソーダ 35t/鳶 となり、Cu5Oa ・5H20及びEDTAはほと
んど透過せず、硫酸ソーダ等の不純物が多量に透過して
いる。
40r/J ギ酸ソーダ 35t/鳶 となり、Cu5Oa ・5H20及びEDTAはほと
んど透過せず、硫酸ソーダ等の不純物が多量に透過して
いる。
以上の処理をした未透過の銅めっき液を401/hrの
割合でめっき槽に戻し、連続して2ケ月間リサイクル使
用したが、絶縁基板に析出した銅めっきの物性の低下は
なく、めっき処理も異常がなかった。
割合でめっき槽に戻し、連続して2ケ月間リサイクル使
用したが、絶縁基板に析出した銅めっきの物性の低下は
なく、めっき処理も異常がなかった。
(発明の効果)
以上の通り、本発明によれば、活性炭により有m物を除
去する処理と、逆浸透膜により硫酸ソーダ等の不純物を
除去する処理を併用しているために、冷却処理等をする
ことなく不純物を除去でき、処理が容易で、コストの安
い銅めっき液の再生処理方法が得られる。
去する処理と、逆浸透膜により硫酸ソーダ等の不純物を
除去する処理を併用しているために、冷却処理等をする
ことなく不純物を除去でき、処理が容易で、コストの安
い銅めっき液の再生処理方法が得られる。
特許出願人 日立コンデンサ株式会社
Claims (1)
- (1)銅めっき液に対して、 a)活性炭により有機物を吸着して除去する処理と、 b)硫酸ソーダ及びギ酸ソーダの透過率が80%以上で
、銅及びキレート化合物の透過 率が20%以下の逆浸透膜に通す処理と、 を行なうことを特徴とする銅めっき液の再生処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20867790A JPH0499199A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 銅めっき液の再生処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20867790A JPH0499199A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 銅めっき液の再生処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499199A true JPH0499199A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16560235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20867790A Pending JPH0499199A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 銅めっき液の再生処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0499199A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0709130A1 (en) | 1994-10-12 | 1996-05-01 | Toray Industries, Inc. | Apparatus and method for multistage reverse osmosis separation |
JP2010517745A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | エドワーズ リミテッド | 液体廃棄物を処理する方法 |
CN105780077A (zh) * | 2015-01-09 | 2016-07-20 | Tdk株式会社 | 镀敷装置 |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP20867790A patent/JPH0499199A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0709130A1 (en) | 1994-10-12 | 1996-05-01 | Toray Industries, Inc. | Apparatus and method for multistage reverse osmosis separation |
JP2010517745A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | エドワーズ リミテッド | 液体廃棄物を処理する方法 |
CN105780077A (zh) * | 2015-01-09 | 2016-07-20 | Tdk株式会社 | 镀敷装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR19990066922A (ko) | 포토레지스트 현상폐액의 재생처리방법 및 장치 | |
JP4599803B2 (ja) | 脱塩水製造装置 | |
TWI705937B (zh) | 金屬污染防止劑、金屬污染防止膜、金屬污染防止方法及製品洗淨方法 | |
JP5189322B2 (ja) | ヨウ化水素酸の製造方法 | |
US6080315A (en) | Process for the partial desalination of water | |
CN104812705B (zh) | 含氨废水的处理装置及含氨废水的处理方法 | |
JPH0499199A (ja) | 銅めっき液の再生処理方法 | |
JP3849724B2 (ja) | 高純度過酸化水素水の製造方法 | |
RU2226429C2 (ru) | Селективное отделение железа обработкой ионообменной смолой, содержащей группы дифосфоновых кислот | |
JP2000301005A (ja) | イオン交換樹脂再生排液の再利用方法 | |
CN1259251C (zh) | 一种生化处理出水的处理方法 | |
JPH07962A (ja) | 純水の製造方法 | |
JP3259557B2 (ja) | 有機物の除去方法 | |
KR20120103633A (ko) | 테트라알킬암모늄 이온 제거 폐액의 재이용 방법 | |
JPH06346299A (ja) | 錫めっき液の回収再生方法 | |
JP3992996B2 (ja) | 排水処理方法及び装置 | |
JPH03118889A (ja) | 半導体製造工程における排水の回収方法 | |
JP4665279B2 (ja) | ホウ素含有水の処理方法 | |
JPH04103782A (ja) | コンデンサ用アルミニウム箔の酸エッチング排液の処理システム | |
JP2001219163A (ja) | ホウ素含有水の処理方法 | |
CN213327182U (zh) | 一种高浓盐水cod生化脱除系统 | |
CN116655191A (zh) | 一种铝箔废酸的零排放回收方法及回收系统 | |
CN108217864A (zh) | 一种将污水中的盐与有机物分离的系统及方法 | |
JP5564817B2 (ja) | イオン交換樹脂の再生方法及び超純水製造装置 | |
SU1475952A1 (ru) | Способ никелировани поверхностей деталей |