JPH049636A - 分析液の抽出方法およびその装置 - Google Patents
分析液の抽出方法およびその装置Info
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- JPH049636A JPH049636A JP2110007A JP11000790A JPH049636A JP H049636 A JPH049636 A JP H049636A JP 2110007 A JP2110007 A JP 2110007A JP 11000790 A JP11000790 A JP 11000790A JP H049636 A JPH049636 A JP H049636A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、材料表前髪分析する際に2選択された任意
の箇所から分析液を抽出するのに好適な分析液の抽出方
法および抽出装置に関するものである。
の箇所から分析液を抽出するのに好適な分析液の抽出方
法および抽出装置に関するものである。
一般に、材料表面の分析に際し薬液等の溶液を使っての
分析液の抽出はビー力あるいはシャーレ等に注いだ溶液
中に試料を全面浸漬し、被分析物質を溶解した溶液を分
析液として抽出L7ている。
分析液の抽出はビー力あるいはシャーレ等に注いだ溶液
中に試料を全面浸漬し、被分析物質を溶解した溶液を分
析液として抽出L7ている。
例えば、半導体シリコン基板上に化学気相成長法で形成
したシリコン酸化膜を分析し、シリコン酸化膜中に取り
込まれた金属不純物を同定する場合には次の方法による
。まずビー力に注いだフン化水素酸(HF)の水溶液に
半導体シリコン基板を浸漬し、シリコン酸化膜と被分析
物質とを完全に溶解された後半導体シリコン基板のみ取
り出し、ビーカ内に残った溶液を分析液として抽出して
いる。
したシリコン酸化膜を分析し、シリコン酸化膜中に取り
込まれた金属不純物を同定する場合には次の方法による
。まずビー力に注いだフン化水素酸(HF)の水溶液に
半導体シリコン基板を浸漬し、シリコン酸化膜と被分析
物質とを完全に溶解された後半導体シリコン基板のみ取
り出し、ビーカ内に残った溶液を分析液として抽出して
いる。
こうして抽出した分析液を様々な分析装置例えば溶液発
光分析装置、溶液質量分析装置、原f吸光分析装置、イ
オンクロマトグラフ等に導入して被分析物質である金属
元素を検出している。
光分析装置、溶液質量分析装置、原f吸光分析装置、イ
オンクロマトグラフ等に導入して被分析物質である金属
元素を検出している。
上記従来技術のように被分析試料を溶液に浸漬する抽出
法では、試料のオモテ面とウラ面とを区別して抽出し分
析することは不可能であり、また同一面上における分布
を把握するために複数点を選択して抽出し分析すること
ができないという問題点がある。また、試料を全面浸漬
するために、試料の形状に合わせて多量の溶液が必要と
なり、分析の際のバックグラウンドレベルが高くなって
分析精度の低下を招く、などの問題点もある。
法では、試料のオモテ面とウラ面とを区別して抽出し分
析することは不可能であり、また同一面上における分布
を把握するために複数点を選択して抽出し分析すること
ができないという問題点がある。また、試料を全面浸漬
するために、試料の形状に合わせて多量の溶液が必要と
なり、分析の際のバックグラウンドレベルが高くなって
分析精度の低下を招く、などの問題点もある。
オモテ面とウラ面とを分離する等の一つの方法として、
非抽出箇所をワックス等で被覆することがある。しかし
、使用するワックス等からの溶液への汚染物質の溶出や
、被覆作業等、試料を取扱う際の試料表面への汚染物質
の付着がある。さらに同一試料での抽出面や抽出箇所の
変更には被覆したワックス等を剥離する作業が必要とな
り、この際に初期の表面状態を維持することができなく
なる。という決定的な欠点がある。
非抽出箇所をワックス等で被覆することがある。しかし
、使用するワックス等からの溶液への汚染物質の溶出や
、被覆作業等、試料を取扱う際の試料表面への汚染物質
の付着がある。さらに同一試料での抽出面や抽出箇所の
変更には被覆したワックス等を剥離する作業が必要とな
り、この際に初期の表面状態を維持することができなく
なる。という決定的な欠点がある。
また抽出用の溶液量を少なくする方法として、被分析試
料の分析箇所のみをあらかじめ切断等によって小さくし
てから抽出液に浸漬する方法もあるが、切断作業時に発
生する粉末等によって試料表面が汚染されてしまう等の
欠点もある。
料の分析箇所のみをあらかじめ切断等によって小さくし
てから抽出液に浸漬する方法もあるが、切断作業時に発
生する粉末等によって試料表面が汚染されてしまう等の
欠点もある。
本発明は、板状の材料表面から分析液を抽出するに際し
て、切断等をせず、ワックス等の被覆もせずに選択され
た任意の箇所から分析液の抽出が可能となる分析液の抽
出方法および抽出装置を提供することを目的とする。
て、切断等をせず、ワックス等の被覆もせずに選択され
た任意の箇所から分析液の抽出が可能となる分析液の抽
出方法および抽出装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明においては、被分析
試料と、開孔した着脱可能なマスクとを重ね合わせ、開
孔部の被分析試料に作用した溶液を分析液として抽出す
るようにした。
試料と、開孔した着脱可能なマスクとを重ね合わせ、開
孔部の被分析試料に作用した溶液を分析液として抽出す
るようにした。
また、被分析箇所はマスクの移動あるいは交換によって
板上の任意の位置が選択できるようにしたものである。
板上の任意の位置が選択できるようにしたものである。
ここで、溶液は薬液等であるために、上記マスク及び抽
出装置の分析液に接触する部分は耐腐触性の材料である
こと、また溶液の流出を防ぎかつ回収率を高めるために
疎水性の材料であることが望ましく、それらの部品は両
者の性質を備えたフッ素樹脂製とすることが望ましい。
出装置の分析液に接触する部分は耐腐触性の材料である
こと、また溶液の流出を防ぎかつ回収率を高めるために
疎水性の材料であることが望ましく、それらの部品は両
者の性質を備えたフッ素樹脂製とすることが望ましい。
(作用〕
被分析試料の分析箇所はマスクによって選定するように
した。抽出用の溶液は耐腐触性かつ疎水性を持つマスク
の開孔部にのみに作用した分析箇所からの分析液の抽出
を可能とする。この時非分析箇所は上記マスクに接して
被覆されるが、マスクはあらかじめ洗浄処理されている
ため汚染混入がなく初期の表面状態が維持される。これ
により再度試料上の別の箇所からの抽出および分析が可
能となる。また非分析面には溶液を供給しないため初期
の表面状態がそのまま維持され、引き続いてのあるいは
別機会での抽出および分析が可能となる。
した。抽出用の溶液は耐腐触性かつ疎水性を持つマスク
の開孔部にのみに作用した分析箇所からの分析液の抽出
を可能とする。この時非分析箇所は上記マスクに接して
被覆されるが、マスクはあらかじめ洗浄処理されている
ため汚染混入がなく初期の表面状態が維持される。これ
により再度試料上の別の箇所からの抽出および分析が可
能となる。また非分析面には溶液を供給しないため初期
の表面状態がそのまま維持され、引き続いてのあるいは
別機会での抽出および分析が可能となる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例による抽出装置の使用時の断
面図を示す。図において被分析試料1の片面からマスク
2を、他の片面からマスク3を重ね合わせ、雌ネジを持
つ第1の円筒型の保持具4に載せ、さらに雄ネジを持つ
第2の円筒型の保持具5を嵌め込んで抽出装置9として
組立てる。
面図を示す。図において被分析試料1の片面からマスク
2を、他の片面からマスク3を重ね合わせ、雌ネジを持
つ第1の円筒型の保持具4に載せ、さらに雄ネジを持つ
第2の円筒型の保持具5を嵌め込んで抽出装置9として
組立てる。
被分析試料1の表面分析箇所はマスク1の開孔部6ある
いはマスク3の開孔部7によって決定される。従ってあ
らかじめ開孔部6,7の形状や面積が異なる各種のマス
クを用意して、これを選択して使用することで任意の箇
所からの抽出および分析が可能となる。また、同一マス
クを用いてもこれを装着しなおして使用することで、異
なった箇所からの抽出および分析が可能となる。薬液等
の溶液8はマスク2の開孔部6を通じて被分析試料1の
表面に供給され、表面の被分析質を完全に溶解するのに
必要な時間適用し続ける。その間。
いはマスク3の開孔部7によって決定される。従ってあ
らかじめ開孔部6,7の形状や面積が異なる各種のマス
クを用意して、これを選択して使用することで任意の箇
所からの抽出および分析が可能となる。また、同一マス
クを用いてもこれを装着しなおして使用することで、異
なった箇所からの抽出および分析が可能となる。薬液等
の溶液8はマスク2の開孔部6を通じて被分析試料1の
表面に供給され、表面の被分析質を完全に溶解するのに
必要な時間適用し続ける。その間。
溶液8は静止しておいてもよいが、溶液が接するマスク
2.保持具5は耐腐触性の材質であるためそれらからの
汚染退入の心配がなく、抽出装置9に振動を惨λて溶液
8を動揺させてもよく、また被分析面内を溶液8で走査
し、でもよい。溶液8の回収は抽出装W9巻傾ける。こ
とによって行われるが、マスク2.保持具5が疎水性で
あるためにほぼ完全に回収することが出来る。
2.保持具5は耐腐触性の材質であるためそれらからの
汚染退入の心配がなく、抽出装置9に振動を惨λて溶液
8を動揺させてもよく、また被分析面内を溶液8で走査
し、でもよい。溶液8の回収は抽出装W9巻傾ける。こ
とによって行われるが、マスク2.保持具5が疎水性で
あるためにほぼ完全に回収することが出来る。
本実施例によると被分析試料]に適用”する薬液等の溶
液8の使用量が従来のビ一方法等)1J比較しておよそ
50分の1と極めて少量で踏むという効果がある。この
ことは第1図の溶液8を開孔部(゛・以外の領域に適用
させる必要がないことと、極少量の水溶液8をもって開
孔部6内を何1【号て゛も紛返し2走査が可能となっ力
ことによる。この時マスク2は溶液8の開孔部6以グへ
の流出を防止t)、たとえ流出しても保持具5が溶液8
の抽出装置9以外への飛散を防止する容器が役目をなす
。このように溶液8が極く少量で済むことは分析精度が
向上するという効果に結びつく。つまり、抽出し、7使
用する溶液量が50分の1になることは1分析における
バックグラウンドレベルが50分の1になることであり
、微量の被分析物質がバックグラウンドレベル番、隠蔽
されて検出できなくなるという結果から免れることに、
なるからである。
液8の使用量が従来のビ一方法等)1J比較しておよそ
50分の1と極めて少量で踏むという効果がある。この
ことは第1図の溶液8を開孔部(゛・以外の領域に適用
させる必要がないことと、極少量の水溶液8をもって開
孔部6内を何1【号て゛も紛返し2走査が可能となっ力
ことによる。この時マスク2は溶液8の開孔部6以グへ
の流出を防止t)、たとえ流出しても保持具5が溶液8
の抽出装置9以外への飛散を防止する容器が役目をなす
。このように溶液8が極く少量で済むことは分析精度が
向上するという効果に結びつく。つまり、抽出し、7使
用する溶液量が50分の1になることは1分析における
バックグラウンドレベルが50分の1になることであり
、微量の被分析物質がバックグラウンドレベル番、隠蔽
されて検出できなくなるという結果から免れることに、
なるからである。
他の実施例と17で、引き続き同一試料の他の面から分
析液を抽出する場合、第1図の被分析試料1やマスク2
.:3にイのまま11、−シで川に抽出装置を」−上進
さにし2で使用するがLづでよく、マスク;3の開孔部
7を通じて溶液を供給することで先と同様な抽出が出来
る。
析液を抽出する場合、第1図の被分析試料1やマスク2
.:3にイのまま11、−シで川に抽出装置を」−上進
さにし2で使用するがLづでよく、マスク;3の開孔部
7を通じて溶液を供給することで先と同様な抽出が出来
る。
なお、当抽出方法および抽出装置は半導体シリコン基板
をはじめガリウム砒素系の基板等1−′板状の相料に適
用できることは勿論で・あろ9〔発明の効果〕 本発明番−よれば、ディスク状材料表面が1′)分析液
を抽出するに際し2、切断やワックス等被覆を避はフッ
素樹脂製マスクを用いることによって汚染混入のない分
析液の抽出が可能となる。。
をはじめガリウム砒素系の基板等1−′板状の相料に適
用できることは勿論で・あろ9〔発明の効果〕 本発明番−よれば、ディスク状材料表面が1′)分析液
を抽出するに際し2、切断やワックス等被覆を避はフッ
素樹脂製マスクを用いることによって汚染混入のない分
析液の抽出が可能となる。。
また、分析箇所の選択を所要寸法の開1−1を有するマ
スクによって行うことができ、試料面上の汚染物質等の
面内分布を把握するための複数点からの抽出がマスクの
再装着あるいは交換によ・コで順次実行できる。
スクによって行うことができ、試料面上の汚染物質等の
面内分布を把握するための複数点からの抽出がマスクの
再装着あるいは交換によ・コで順次実行できる。
さらに、試料のオモテ面とウラ面から別々に分析液の抽
出が可能となる。なおこの際は抽出装置を上下逆さにす
ることのみで行なわれるため操作が簡略化できる。
出が可能となる。なおこの際は抽出装置を上下逆さにす
ることのみで行なわれるため操作が簡略化できる。
第1図は本発明の一実施例による抽出装置の縦断面図で
ある。 ]、・・・被分析試料、2,3・・・マスク、4・・第
]の保持具、5・・・第2の保持具、6・・・マスク2
の開孔部、7・・・マスク3の開孔部、8・・・抽出用
溶液、9・・・抽第 1 図 代理人 升埋士 小川MP力、。 ■
ある。 ]、・・・被分析試料、2,3・・・マスク、4・・第
]の保持具、5・・・第2の保持具、6・・・マスク2
の開孔部、7・・・マスク3の開孔部、8・・・抽出用
溶液、9・・・抽第 1 図 代理人 升埋士 小川MP力、。 ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ディスク状材料表面から分析液を抽出する方法にお
いて、被分析材料の形状を変化することなくまたワック
ス等を被覆することなく、着脱可能なマスクを用いて選
択した任意の箇所から分析液を抽出することを特徴とす
る分析液の抽出方法。 2、平板状の試料面の所望部分を露出させ、他の部分を
覆うマスクと、上記マスクを試料面上に固定する治具を
有してなることを特徴とする分析液の抽出装置。 3、上記マスクおよび治具の少なくとも分析液に接する
部位が耐腐触性かつ疎水性の材質から構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の分析液の抽
出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2110007A JPH049636A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 分析液の抽出方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2110007A JPH049636A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 分析液の抽出方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH049636A true JPH049636A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14524745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2110007A Pending JPH049636A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 分析液の抽出方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH049636A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002328074A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | 表面保護膜の膜質評価方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP2009139148A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 金属汚染物質測定方法及び装置 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2110007A patent/JPH049636A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002328074A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | 表面保護膜の膜質評価方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP2009139148A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 金属汚染物質測定方法及び装置 |
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