JPH07176510A - 不純物分析方法 - Google Patents
不純物分析方法Info
- Publication number
- JPH07176510A JPH07176510A JP5320705A JP32070593A JPH07176510A JP H07176510 A JPH07176510 A JP H07176510A JP 5320705 A JP5320705 A JP 5320705A JP 32070593 A JP32070593 A JP 32070593A JP H07176510 A JPH07176510 A JP H07176510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurities
- wafer
- semiconductor substrate
- droplets
- teflon plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10T436/25—Chemistry: analytical and immunological testing including sample preparation
- Y10T436/2575—Volumetric liquid transfer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ウェーハ表面の不純物を分析する分
析方法において、面内分布に関する情報を失うことな
く、ウェーハ表面の不純物を高精度に分析できるように
することを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、ウェーハ１１を弗化水素酸蒸気１２
の雰囲気中にさらし、ウェーハ１１の表面における酸化
膜１３を溶解する。そして、ウェーハ１１の表面に、不
純物を取り込んでなる液滴１４を形成する。この後、液
滴１４の形成されたウェーハ１１の表面にテフロン板１
５を接触させ、その親水性加工処理の施された表面に上
記液滴１４を転写する。こうして、液滴１４の転写され
たテフロン板１５の表面を全反射蛍光Ｘ線１６を用いて
分析することで、シリコンのピークに隠れたアルミニウ
ムの測定とともに、このアルミニウムを含めた不純物の
面内分布に関する情報をも得ることが可能となってい
る。
析方法において、面内分布に関する情報を失うことな
く、ウェーハ表面の不純物を高精度に分析できるように
することを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、ウェーハ１１を弗化水素酸蒸気１２
の雰囲気中にさらし、ウェーハ１１の表面における酸化
膜１３を溶解する。そして、ウェーハ１１の表面に、不
純物を取り込んでなる液滴１４を形成する。この後、液
滴１４の形成されたウェーハ１１の表面にテフロン板１
５を接触させ、その親水性加工処理の施された表面に上
記液滴１４を転写する。こうして、液滴１４の転写され
たテフロン板１５の表面を全反射蛍光Ｘ線１６を用いて
分析することで、シリコンのピークに隠れたアルミニウ
ムの測定とともに、このアルミニウムを含めた不純物の
面内分布に関する情報をも得ることが可能となってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体基板
の表面に存在する不純物をＸ線を用いて分析する不純物
分析方法に関するもので、特にシリコンウェーハ表面の
アルミニウムを全反射蛍光Ｘ線を用いて分析する場合に
用いられるものである。
の表面に存在する不純物をＸ線を用いて分析する不純物
分析方法に関するもので、特にシリコンウェーハ表面の
アルミニウムを全反射蛍光Ｘ線を用いて分析する場合に
用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハ表面の金属不純
物を分析する方法としては、たとえばウェーハ表面の不
純物を弗化水素酸（ＨＦ）液により溶解し、このＨＦ液
中に取り込まれる不純物を原子吸光測定により分析する
方法（ＶＰＤ−ＡＡ）が用いられている。
物を分析する方法としては、たとえばウェーハ表面の不
純物を弗化水素酸（ＨＦ）液により溶解し、このＨＦ液
中に取り込まれる不純物を原子吸光測定により分析する
方法（ＶＰＤ−ＡＡ）が用いられている。
【０００３】この方法は、ウェーハ表面の不純物をＨＦ
液のスキャンにより回収するものであるため、不純物の
面内分布に関する情報が得られないという欠点がある。
これに対し、シリコンウェーハ表面の金属不純物を被破
壊により分析する方法として、全反射蛍光Ｘ線を用いる
方法（ＴＲＸＲＦ）が知られている。
液のスキャンにより回収するものであるため、不純物の
面内分布に関する情報が得られないという欠点がある。
これに対し、シリコンウェーハ表面の金属不純物を被破
壊により分析する方法として、全反射蛍光Ｘ線を用いる
方法（ＴＲＸＲＦ）が知られている。
【０００４】この方法によれば、約１０ｍｍのスポット
サイズでウェーハ面内の不純物の分布を調べることがで
きる。図４は、上記全反射蛍光Ｘ線を用いてシリコンウ
ェーハ表面の不純物を分析した際の分析結果の一例を示
すものである。
サイズでウェーハ面内の不純物の分布を調べることがで
きる。図４は、上記全反射蛍光Ｘ線を用いてシリコンウ
ェーハ表面の不純物を分析した際の分析結果の一例を示
すものである。
【０００５】この場合、ウェーハ表面の不純物は、横軸
に示すエネルギによって定性化され、縦軸の蛍光Ｘ線強
度によって定量化される。しかしながら、この全反射蛍
光Ｘ線を用いる方法においては、図に示すように、エネ
ルギがほぼ同じ元素の場合は定性化が困難になるという
問題があった。
に示すエネルギによって定性化され、縦軸の蛍光Ｘ線強
度によって定量化される。しかしながら、この全反射蛍
光Ｘ線を用いる方法においては、図に示すように、エネ
ルギがほぼ同じ元素の場合は定性化が困難になるという
問題があった。
【０００６】すなわち、シリコン（Ｓｉ）とアルミニウ
ム（Ａｌ）のようにエネルギがほぼ同じ場合、Ａｌ
（１．４９ｋｅＶ）のスペクトルのピークがウェーハで
あるＳｉ（１．７４ｋｅＶ）のスペクトルのピークに重
なるため、結果として分析不可能となる。
ム（Ａｌ）のようにエネルギがほぼ同じ場合、Ａｌ
（１．４９ｋｅＶ）のスペクトルのピークがウェーハで
あるＳｉ（１．７４ｋｅＶ）のスペクトルのピークに重
なるため、結果として分析不可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、不純物の面内分布に関する情報を得ること
ができる全反射蛍光Ｘ線を用いて分析する方法の場合、
エネルギがほぼ同じ元素の定性化が困難であるという問
題があった。
においては、不純物の面内分布に関する情報を得ること
ができる全反射蛍光Ｘ線を用いて分析する方法の場合、
エネルギがほぼ同じ元素の定性化が困難であるという問
題があった。
【０００８】そこで、この発明は、不純物の半導体基板
の面内分布に関する情報を失うことなく、半導体基板の
表面に存在する不純物を高精度に分析することが可能な
不純物分析方法を提供することを目的としている。
の面内分布に関する情報を失うことなく、半導体基板の
表面に存在する不純物を高精度に分析することが可能な
不純物分析方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の不純物分析方法にあっては、半導体基
板の表面上に存在する不純物をＸ線を用いて分析する場
合であって、前記半導体基板の表面に存在する不純物を
溶解させ、その溶解された不純物を含む液滴を形成する
工程と、前記半導体基板の表面に形成された液滴を、前
記半導体基板とは材質が異なり、かつ前記半導体基板の
表面よりも高い親水性をもつ試料基板の表面に転写する
工程と、前記液滴の転写された前記試料基板の表面を全
反射蛍光Ｘ線を用いて分析する工程とからなっている。
めに、この発明の不純物分析方法にあっては、半導体基
板の表面上に存在する不純物をＸ線を用いて分析する場
合であって、前記半導体基板の表面に存在する不純物を
溶解させ、その溶解された不純物を含む液滴を形成する
工程と、前記半導体基板の表面に形成された液滴を、前
記半導体基板とは材質が異なり、かつ前記半導体基板の
表面よりも高い親水性をもつ試料基板の表面に転写する
工程と、前記液滴の転写された前記試料基板の表面を全
反射蛍光Ｘ線を用いて分析する工程とからなっている。
【００１０】
【作用】この発明は、上記した手段により、比較的簡単
に半導体基板の表面に存在する不純物を半導体基板とは
材質の異なる試料基板上に転写できるようになるため、
半導体基板とエネルギがほぼ同じ不純物を容易に定性化
することが可能となるものである。
に半導体基板の表面に存在する不純物を半導体基板とは
材質の異なる試料基板上に転写できるようになるため、
半導体基板とエネルギがほぼ同じ不純物を容易に定性化
することが可能となるものである。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかるシリコンウェ
ーハの表面に存在する不純物を、Ｘ線を用いて分析する
ための分析方法（ＴＲＸＲＦ）について概略的に示すも
のである。
照して説明する。図１は、本発明にかかるシリコンウェ
ーハの表面に存在する不純物を、Ｘ線を用いて分析する
ための分析方法（ＴＲＸＲＦ）について概略的に示すも
のである。
【００１２】まず、シリコン（Ｓｉ）からなるウェーハ
１１を、約４９％の弗化水素酸（ＨＦ）蒸気１２からな
る雰囲気中に１時間程度さらす（同図（ａ））。そし
て、ウェーハ１１の表面の酸化膜（自然酸化膜を含む）
１３を溶解させ、ウェーハ１１の表面上に液滴１４を形
成させる（同図（ｂ））。
１１を、約４９％の弗化水素酸（ＨＦ）蒸気１２からな
る雰囲気中に１時間程度さらす（同図（ａ））。そし
て、ウェーハ１１の表面の酸化膜（自然酸化膜を含む）
１３を溶解させ、ウェーハ１１の表面上に液滴１４を形
成させる（同図（ｂ））。
【００１３】この液滴１４中には、ウェーハ１１の表面
に吸着されている、鉄（Ｆｅ），アルミニウム（Ａ
ｌ），カルシウム（Ｃａ）などの金属不純物が溶解され
た状態で取り込まれるようになっている。
に吸着されている、鉄（Ｆｅ），アルミニウム（Ａ
ｌ），カルシウム（Ｃａ）などの金属不純物が溶解され
た状態で取り込まれるようになっている。
【００１４】この液滴１４は、ウェーハ１１の表面が疎
水性を有するために球に近い形状となり、その大きさ
は、たとえば上記ＨＦ蒸気１２の供給時間によりコント
ロールすることができる。
水性を有するために球に近い形状となり、その大きさ
は、たとえば上記ＨＦ蒸気１２の供給時間によりコント
ロールすることができる。
【００１５】この後、上記液滴１４を形成したウェーハ
１１の表面に、たとえば親水性化処理を施したテフロン
板１５の表面を接触させる（同図（ｃ））。そして、こ
のテフロン板１５の表面上に、ウェーハ１１の表面上の
液滴１４を移し取る（同図（ｄ））。
１１の表面に、たとえば親水性化処理を施したテフロン
板１５の表面を接触させる（同図（ｃ））。そして、こ
のテフロン板１５の表面上に、ウェーハ１１の表面上の
液滴１４を移し取る（同図（ｄ））。
【００１６】こうすることにより、シリコンとほぼ同じ
エネルギをもつ元素であるアルミニウムを含む不純物
を、シリコンとは材質（エネルギ）の異なる、たとえば
アルミニウムのピークと分離できるテフロン板１５の表
面上に移し取ってなる分析用試料を簡単に得ることがで
きる。
エネルギをもつ元素であるアルミニウムを含む不純物
を、シリコンとは材質（エネルギ）の異なる、たとえば
アルミニウムのピークと分離できるテフロン板１５の表
面上に移し取ってなる分析用試料を簡単に得ることがで
きる。
【００１７】また、このときに上記テフロン板１５をわ
ずかに加熱しておくことで、ウェーハ１１の表面におけ
る不純物の面内分布をほとんど変化させることなく、テ
フロン板１５の表面に転写できる。
ずかに加熱しておくことで、ウェーハ１１の表面におけ
る不純物の面内分布をほとんど変化させることなく、テ
フロン板１５の表面に転写できる。
【００１８】したがって、液滴１４の面内での移動を抑
えることができ、不純物の面内分布に関する情報を失う
ことなしに、その測定が可能となる。すなわち、得られ
た分析用試料としての、液滴１４の転写されたテフロン
板１５の表面を、たとえば全反射蛍光Ｘ線（Ｘ−ｒａ
ｙ）１６を用いて分析する（同図（ｅ））。
えることができ、不純物の面内分布に関する情報を失う
ことなしに、その測定が可能となる。すなわち、得られ
た分析用試料としての、液滴１４の転写されたテフロン
板１５の表面を、たとえば全反射蛍光Ｘ線（Ｘ−ｒａ
ｙ）１６を用いて分析する（同図（ｅ））。
【００１９】この結果、図２に示すように、シリコンの
ピークに隠れていた、アルミニウムのピークをも容易に
測定できる。このように、シリコンとアルミニウムのよ
うな、エネルギがほぼ同じであり、両者のスペクトルが
重なってしまうために、従来のＴＲＸＲＦでは分析不可
能だったアルミニウムを、シリコンウェーハ１１の表面
上の液滴１４をテフロン板１５の表面上に移し取ること
で、容易に分析することが可能となる。
ピークに隠れていた、アルミニウムのピークをも容易に
測定できる。このように、シリコンとアルミニウムのよ
うな、エネルギがほぼ同じであり、両者のスペクトルが
重なってしまうために、従来のＴＲＸＲＦでは分析不可
能だったアルミニウムを、シリコンウェーハ１１の表面
上の液滴１４をテフロン板１５の表面上に移し取ること
で、容易に分析することが可能となる。
【００２０】この場合、上記液滴１４は、たとえば図３
に示すように、その表面張力（ウェーハ１１の表面は疎
水性を有するために斥力をもち、テフロン板１５の表面
は親水性化処理により引力をもつ）によりウェーハ１１
の表面からテフロン板１５の表面に簡単に移動する。
に示すように、その表面張力（ウェーハ１１の表面は疎
水性を有するために斥力をもち、テフロン板１５の表面
は親水性化処理により引力をもつ）によりウェーハ１１
の表面からテフロン板１５の表面に簡単に移動する。
【００２１】なお、面内分布に関する情報が不要な場
合、つまりウェーハ１１の表面に存在する不純物を単に
測定するだけの場合には、テフロン板１５を加熱するこ
となく、ウェーハ１１の表面上の液滴１４を上記テフロ
ン板１５上に移し取ることで、容易に測定できる。
合、つまりウェーハ１１の表面に存在する不純物を単に
測定するだけの場合には、テフロン板１５を加熱するこ
となく、ウェーハ１１の表面上の液滴１４を上記テフロ
ン板１５上に移し取ることで、容易に測定できる。
【００２２】また、銅（Ｃｕ）のような不純物はＨＦ蒸
気１２中では溶解しにくいため、ＨＦ蒸気１２の供給時
にオゾンガス（Ｏ3 ）を同時に供給することにより、同
様に分析可能となる。
気１２中では溶解しにくいため、ＨＦ蒸気１２の供給時
にオゾンガス（Ｏ3 ）を同時に供給することにより、同
様に分析可能となる。
【００２３】上記したように、比較的簡単にシリコンウ
ェーハの表面に存在する不純物をウェーハとは材質の異
なるテフロン板上に転写できるようにしている。すなわ
ち、ウェーハ表面の不純物をＨＦ蒸気により溶解させ、
その液滴をシリコンの表面の性質（疎水性）を利用し
て、親水性加工処理の施されたテフロン板の表面に移し
取るようにしている。これにより、簡単にウェーハ表面
の不純物を材質の異なるテフロン板上に写し取ってなる
分析用試料を得ることができるようになるため、この試
料を使っての全反射蛍光Ｘ線を用いた分析が容易に可能
となる。したがって、シリコンとエネルギがほぼ同じア
ルミニウムを容易に定性化することが可能となり、従来
では不可能であったアルミニウムをも正確に分析できる
ようになるものである。
ェーハの表面に存在する不純物をウェーハとは材質の異
なるテフロン板上に転写できるようにしている。すなわ
ち、ウェーハ表面の不純物をＨＦ蒸気により溶解させ、
その液滴をシリコンの表面の性質（疎水性）を利用し
て、親水性加工処理の施されたテフロン板の表面に移し
取るようにしている。これにより、簡単にウェーハ表面
の不純物を材質の異なるテフロン板上に写し取ってなる
分析用試料を得ることができるようになるため、この試
料を使っての全反射蛍光Ｘ線を用いた分析が容易に可能
となる。したがって、シリコンとエネルギがほぼ同じア
ルミニウムを容易に定性化することが可能となり、従来
では不可能であったアルミニウムをも正確に分析できる
ようになるものである。
【００２４】しかも、ウェーハ表面の液滴を面内での移
動を抑えて転写できるため、アルミニウムを含めた不純
物の面内分布に関する情報を失うことなく、測定するこ
とができるものである。なお、この発明は上記実施例に
限定されるものではなく、発明の要旨を変えない範囲に
おいて、種々変形実施可能なことは勿論である。
動を抑えて転写できるため、アルミニウムを含めた不純
物の面内分布に関する情報を失うことなく、測定するこ
とができるものである。なお、この発明は上記実施例に
限定されるものではなく、発明の要旨を変えない範囲に
おいて、種々変形実施可能なことは勿論である。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、不純物の半導体基板の面内分布に関する情報を失う
ことなく、半導体基板の表面に存在する不純物を高精度
に分析することが可能な不純物分析方法を提供できる。
ば、不純物の半導体基板の面内分布に関する情報を失う
ことなく、半導体基板の表面に存在する不純物を高精度
に分析することが可能な不純物分析方法を提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかる分析方法について
概略的に示す図。
概略的に示す図。
【図２】同じく、上記分析方法における分析結果の一例
を示す図。
を示す図。
【図３】同じく、上記分析方法におけるウェーハ表面か
らテフロン板上への液滴の転写について説明するために
示す図。
らテフロン板上への液滴の転写について説明するために
示す図。
【図４】従来技術とその問題点を説明するために不純物
の分析結果の例を示す図。
の分析結果の例を示す図。
１１…シリコンウェーハ、１２…弗化水素酸（ＨＦ）蒸
気、１３…酸化膜、１４…液滴、１５…テフロン板、１
６…全反射蛍光Ｘ線。
気、１３…酸化膜、１４…液滴、１５…テフロン板、１
６…全反射蛍光Ｘ線。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板の表面上に存在する不純物を
Ｘ線を用いて分析する方法であって、 前記半導体基板の表面に存在する不純物を溶解させ、そ
の溶解された不純物を含む液滴を形成する工程と、 前記半導体基板の表面に形成された液滴を、前記半導体
基板とは材質が異なり、かつ前記半導体基板の表面より
も高い親水性をもつ試料基板の表面に転写する工程と、 前記液滴の転写された前記試料基板の表面を全反射蛍光
Ｘ線を用いて分析する工程とからなることを特徴とする
不純物分析方法。 - 【請求項２】 前記工程における不純物の溶解は、少な
くとも前記半導体基板の表面を弗化水素酸蒸気雰囲気中
にさらすことで行うことを特徴とする請求項１に記載の
不純物分析方法。 - 【請求項３】 前記工程における不純物の溶解は、前記
半導体基板の表面を弗化水素酸蒸気雰囲気中にさらすと
ともに、オゾンガスを供給しつつ行うことを特徴とする
請求項１に記載の不純物分析方法。 - 【請求項４】 前記工程における液滴の前記試料基板の
表面への転写は、前記試料基板をわずかに加熱した状態
で行うことを特徴とする請求項１に記載の不純物分析方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320705A JP3051013B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 不純物分析方法 |
| US08/359,555 US5527707A (en) | 1993-12-21 | 1994-12-20 | Method of analyzing impurities in the surface of a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320705A JP3051013B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 不純物分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176510A true JPH07176510A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3051013B2 JP3051013B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=18124414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5320705A Expired - Lifetime JP3051013B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 不純物分析方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5527707A (ja) |
| JP (1) | JP3051013B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521187B1 (en) * | 1996-05-31 | 2003-02-18 | Packard Instrument Company | Dispensing liquid drops onto porous brittle substrates |
| WO1996028729A1 (fr) * | 1995-03-14 | 1996-09-19 | Nippon Steel Corporation | Dispositif et technique d'evaluation de la proprete du metal |
| JP2751953B2 (ja) * | 1995-11-16 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | ホール内部の汚染分析方法 |
| US6010916A (en) * | 1997-12-05 | 2000-01-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for improving semiconductor wafer processing |
| DE19755967C2 (de) * | 1997-12-16 | 2000-12-28 | Ges Foerderung Spektrochemie | Verfahren und Vorrichtung zur Tiefenprofilanalyse von oberflächennahen, dünnen Schichten in Siliciumscheiben |
| US6150175A (en) * | 1998-12-15 | 2000-11-21 | Lsi Logic Corporation | Copper contamination control of in-line probe instruments |
| WO2001025820A2 (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-12 | Edax Inc. | Methods for identification and verification |
| US6477227B1 (en) | 2000-11-20 | 2002-11-05 | Keymaster Technologies, Inc. | Methods for identification and verification |
| US6501825B2 (en) | 2001-01-19 | 2002-12-31 | Keymaster Technologies, Inc. | Methods for identification and verification |
| JP3603278B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2004-12-22 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラム |
| JP3584262B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2004-11-04 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光ｘ線分析システム |
| US20040022355A1 (en) * | 2001-12-05 | 2004-02-05 | Bruce Kaiser | Methods for identification and verification of materials containing elemental constituents |
| US6909770B2 (en) * | 2001-12-05 | 2005-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Methods for identification and verification using vacuum XRF system |
| US6850592B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-02-01 | Keymaster Technologies, Inc. | Methods for identification and verification using digital equivalent data system |
| US20030194052A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-16 | Price L. Stephen | Methods for identification and verification |
| WO2004089056A2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Keymaster Technologies, Inc. | Exempt source for an x-ray fluorescence device |
| KR100906916B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2009-07-08 | 유겐카이샤 나스 기켄 | 기판 검사 장치, 기판 검사 방법, 및 회수 치구 |
| JP2005249546A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Electronics Corp | ウエハ表面の金属元素の分析方法 |
| US9575018B2 (en) * | 2013-09-16 | 2017-02-21 | Cerium Laboratories, Llc | System and method for testing ceramic coatings |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006382A (en) * | 1981-08-20 | 1991-04-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| JPH0658927B2 (ja) * | 1983-09-26 | 1994-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体薄膜の分析方法および分析用試料の回収装置 |
| JP2535675B2 (ja) * | 1990-06-28 | 1996-09-18 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| JPH04270953A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 元素分析方法および元素分析装置ならびに薄膜形成装置 |
| US5476006A (en) * | 1992-07-07 | 1995-12-19 | Matsushita Electronics Corporation | Crystal evaluation apparatus and crystal evaluation method |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP5320705A patent/JP3051013B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-20 US US08/359,555 patent/US5527707A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5527707A (en) | 1996-06-18 |
| JP3051013B2 (ja) | 2000-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3051013B2 (ja) | 不純物分析方法 | |
| JP2944099B2 (ja) | 不純物の測定方法及び不純物の回収装置 | |
| JP3249316B2 (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析が行われる被測定体の表面処理方法 | |
| Murray Gibson | Reading and writing with electron beams | |
| JPH08220006A (ja) | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 | |
| KR960002722A (ko) | 외부 미립자의 위치 조정 방법과 분석 방법 그리고 이에 사용되는 분석기 | |
| JP3278513B2 (ja) | 半導体基板の不純物分析方法 | |
| JP2008298770A (ja) | レーザーイオン化質量分析法及びレーザーイオン化質量分析に使用される試料支持用基板 | |
| JPH07297245A (ja) | 分析用試料板 | |
| Chi et al. | Direct impurity analysis of semiconductor photoresist samples with laser ablation ICP-MS | |
| JPH09145564A (ja) | ホール内部の汚染分析方法 | |
| Hues et al. | Ultratrace impurity analysis of wafer surfaces | |
| JP2001242052A (ja) | 半導体基板又は薬品の不純物分析方法 | |
| JP3280531B2 (ja) | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 | |
| JP2002184828A (ja) | 半導体基板の金属不純物の分析方法 | |
| US5055413A (en) | Method of measuring impurities in oxide films using a meltable sample collection stick | |
| JPH08160032A (ja) | 半導体基板表面の不純物分析方法 | |
| JPH10332554A (ja) | 表面不純物測定方法 | |
| JPH08178876A (ja) | 濃度分布の解析方法 | |
| JPH10339691A (ja) | 表面不純物測定方法 | |
| JP4212749B2 (ja) | ダイオキシン測定方法および装置 | |
| US5987092A (en) | Method of soft x-ray imaging | |
| JP3097622B2 (ja) | 定量汚染試料の作成方法 | |
| JP2004301623A (ja) | 蛍光ｘ線分析用標準試料およびその製造方法 | |
| JP2002248338A (ja) | 真空排気装置、粒子線装置、光線装置及びｘ線装置並びにそれらを用いた半導体集積回路装置の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080331 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140331 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |