JPH0495833A - 連続焼成炉用温度測定素子 - Google Patents
連続焼成炉用温度測定素子Info
- Publication number
- JPH0495833A JPH0495833A JP21339490A JP21339490A JPH0495833A JP H0495833 A JPH0495833 A JP H0495833A JP 21339490 A JP21339490 A JP 21339490A JP 21339490 A JP21339490 A JP 21339490A JP H0495833 A JPH0495833 A JP H0495833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- baking furnace
- continuous baking
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 14
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、連続焼成用温度測定素子に関するものである
。
。
(従来技術とその問題点)
従来、連続焼成炉では、炉の温度分布が固定された熱電
対等により測定され、設定した温度分布になった状態で
運転されてきた。
対等により測定され、設定した温度分布になった状態で
運転されてきた。
ところが、セラミックス基板、ガラス基板またはホーロ
ー基板等の耐熱絶縁基板を該連続焼成炉に入れて該基板
の昇温、保持、降温等の詳細な温度特性を測定すること
が、該基板は連続的に移動しており、固定式の熱電対で
は1点しか測定できず、該基板の温度変化は前記の設定
した温度分布から推定するだけであった。
ー基板等の耐熱絶縁基板を該連続焼成炉に入れて該基板
の昇温、保持、降温等の詳細な温度特性を測定すること
が、該基板は連続的に移動しており、固定式の熱電対で
は1点しか測定できず、該基板の温度変化は前記の設定
した温度分布から推定するだけであった。
また、従来の熱電対の導線を伸ばしても、薄い基板では
熱負荷を負わせずに固定することは困難であった。
熱負荷を負わせずに固定することは困難であった。
(発明の目的)
本発明は、連続焼成炉を用いて焼成する耐熱絶縁基板の
昇温、保持、降温等の詳細な温度特性を測定することが
できる温度測定素子を提供することである。
昇温、保持、降温等の詳細な温度特性を測定することが
できる温度測定素子を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、連続焼成炉の温度測定用に、耐熱絶縁基板上
に白金薄膜等で抵抗測温体を形成し、少なくとも該連続
焼成炉の長さ以上の導線を接続して成る連続焼成炉用温
度測定素子である。
に白金薄膜等で抵抗測温体を形成し、少なくとも該連続
焼成炉の長さ以上の導線を接続して成る連続焼成炉用温
度測定素子である。
上記の耐熱絶縁基板としては、連続焼成炉で焼成する基
板と同一種類または熱伝導性等の特性が近似する絶縁性
基板であれば良く、例えばセラミックス、ガラス、ホー
ロ等の基板である。
板と同一種類または熱伝導性等の特性が近似する絶縁性
基板であれば良く、例えばセラミックス、ガラス、ホー
ロ等の基板である。
該基板上に形成する抵抗測温体は白金薄膜等のように広
い温度測定が可能で、しかも酸化等のない安定したもの
で、温度変化に対応できるような薄膜で形成させるもの
である。
い温度測定が可能で、しかも酸化等のない安定したもの
で、温度変化に対応できるような薄膜で形成させるもの
である。
上記の抵抗測温体としては、4端子法により温度測定で
きる回路を形成し、それぞれの端子に連続焼成炉の長さ
より長い白金またはクロメル線を接続し、温度測定素子
として連続焼成炉のコンベアに搭載し、温度変化を直接
的に測定することができるものである。
きる回路を形成し、それぞれの端子に連続焼成炉の長さ
より長い白金またはクロメル線を接続し、温度測定素子
として連続焼成炉のコンベアに搭載し、温度変化を直接
的に測定することができるものである。
以下、本発明の詳細について実施例により説明する。
(実施例1)
第1図に示す如< 50. 8mmX 50. 8mm
X厚さ1.0mmの石英ガラスlに厚み1. 0μmの
白金薄膜をスパッタリング法で形成し、次いでフォトレ
ジストにより回路を描きエツチングして線幅50μmの
回路から成る抵抗測温体2を形成させた。
X厚さ1.0mmの石英ガラスlに厚み1. 0μmの
白金薄膜をスパッタリング法で形成し、次いでフォトレ
ジストにより回路を描きエツチングして線幅50μmの
回路から成る抵抗測温体2を形成させた。
次いて、該白金薄膜で形成した抵抗測温体2の4端子A
、B、C,Dに0.1mm径のクロメル線3を接続して
第1図に示す温度測定素子4とした。
、B、C,Dに0.1mm径のクロメル線3を接続して
第1図に示す温度測定素子4とした。
上記で作製した温度測定素子4の端子B−C間の抵抗は
500オームであった。
500オームであった。
また、連続焼成炉のコンベアに搭載して温度変化を測定
したところ従来の設定温度分布からの推定温度では測定
できない温度変化を読み取ることができた。
したところ従来の設定温度分布からの推定温度では測定
できない温度変化を読み取ることができた。
(実施例2)
第2図に示す如< 100mmX 100mmX厚さ0
.635mmのアルミナ基板5に厚み1.0μmの白金
薄膜を蒸着法で形成し、次いでフォトレジストにより回
路を描きエツチングして線幅100μm、長さ1mの回
路から成る抵抗測温体6を形成させた。
.635mmのアルミナ基板5に厚み1.0μmの白金
薄膜を蒸着法で形成し、次いでフォトレジストにより回
路を描きエツチングして線幅100μm、長さ1mの回
路から成る抵抗測温体6を形成させた。
次いで、該白金薄膜で形成した抵抗測温体6の4端子A
、B、C,Dに0.2mm径の白金線7を接続して第2
図に示す温度測定素子8とした。
、B、C,Dに0.2mm径の白金線7を接続して第2
図に示す温度測定素子8とした。
上記で作製した温度測定素子8の端子B−C間の抵抗は
1000オームであった。
1000オームであった。
また、連続焼成炉のコンベアに搭載して温度変化を測定
したところ従来の設定温度分布からの推定温度では測定
できない温度変化を読み取ることができた。
したところ従来の設定温度分布からの推定温度では測定
できない温度変化を読み取ることができた。
(発明の効果)
本発明の連続焼成炉用温度測定素子によれば、従来の固
定式熱電対による測定から炉内の温度分布を推定するこ
とでは得られなかった焼成する基板の昇温、保持、降温
等の温度変化が詳細に測定することが可能となった。
定式熱電対による測定から炉内の温度分布を推定するこ
とでは得られなかった焼成する基板の昇温、保持、降温
等の温度変化が詳細に測定することが可能となった。
第1図は本発明の温度測定素子の一実施例を示す平面図
、第2図は他の実施例を示す平面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 7・・・白釡課
、第2図は他の実施例を示す平面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 7・・・白釡課
Claims (1)
- 1)連続焼成炉の温度測定用に、耐熱絶縁基板上に白金
薄膜等で抵抗測温体を形成し、少なくとも該連続焼成炉
の長さ以上の導線を接続して成る連続焼成炉用温度測定
素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21339490A JPH0495833A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 連続焼成炉用温度測定素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21339490A JPH0495833A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 連続焼成炉用温度測定素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0495833A true JPH0495833A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16638480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21339490A Pending JPH0495833A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 連続焼成炉用温度測定素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0495833A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104458191A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 中国航天空气动力技术研究院 | 微型薄膜铂电阻热流传感器及其制造方法 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21339490A patent/JPH0495833A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104458191A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 中国航天空气动力技术研究院 | 微型薄膜铂电阻热流传感器及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960011154B1 (ko) | SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법 | |
US6072165A (en) | Thin film metal/metal oxide thermocouple | |
US5033299A (en) | Flow sensor | |
JPH04142431A (ja) | 電子オーブンのガラスセラミック製温度センサー | |
NL8600088A (nl) | Inrichting voor het meten van de warmtegeleiding van gassen. | |
Sundeen et al. | Thermal sensor properties of cermet resistor films on silicon substrates | |
JPH0495833A (ja) | 連続焼成炉用温度測定素子 | |
US3287976A (en) | Compensation radiation pyrometer | |
JP2616476B2 (ja) | 温度測定用プローブ | |
JPS61259580A (ja) | サ−モパイル | |
JP2645153B2 (ja) | 薄膜温度センサー素子 | |
JP2000241257A (ja) | 絶縁性基板の温度センサ装置 | |
JP5467775B2 (ja) | ガスセンサの性能評価方法 | |
JPH0429023A (ja) | 多点温度測定素子 | |
JPH075050A (ja) | 温度センサ | |
JPH0346527A (ja) | 熱電対用SiC製保護管 | |
JPS5826641B2 (ja) | 温度・湿度検出素子 | |
KR101848764B1 (ko) | 초소형 온도센서 및 그 제조방법 | |
JPH0333215B2 (ja) | ||
JP2004303804A (ja) | 3元合金材料 | |
JPH0282169A (ja) | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 | |
JPH02281704A (ja) | 薄膜白金温度センサ | |
JPH02170401A (ja) | 薄膜サーミスタ | |
JP2984095B2 (ja) | ガスセンサの製造方法 | |
JPH03142901A (ja) | 測温抵抗体 |