JPH049474A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
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- JPH049474A JPH049474A JP11336890A JP11336890A JPH049474A JP H049474 A JPH049474 A JP H049474A JP 11336890 A JP11336890 A JP 11336890A JP 11336890 A JP11336890 A JP 11336890A JP H049474 A JPH049474 A JP H049474A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、長尺の高分子フィルムを搬送しつつ。
その上に機能性薄膜を形成して機能性フィルムを製造す
る薄膜製造装置に関し、特に金属薄膜型磁剣記録媒体の
保護層を形成するのに好適な薄膜製造装置に関するもの
である。
る薄膜製造装置に関し、特に金属薄膜型磁剣記録媒体の
保護層を形成するのに好適な薄膜製造装置に関するもの
である。
従来の技術
近年、高付加価値製品を求める声の高まりにつれて新機
能を有する材料の開発が活発化している。
能を有する材料の開発が活発化している。
その中で真空蒸着法、ヌバッタ法、イオンブレーティン
グ法、プラズマＣＶＤ法、プラズマ重合法等のドライプ
ロセスを用いた薄膜による高機能化が光学、誘電体、ａ
性体、半導体、トライポロジー等の各分野で有望視され
ている。特にプラズマＣＶＤ法は、各種有機・無根材料
薄膜を比較的低温で、高速・大面積に形成できることか
ら、注目を浴びている。
グ法、プラズマＣＶＤ法、プラズマ重合法等のドライプ
ロセスを用いた薄膜による高機能化が光学、誘電体、ａ
性体、半導体、トライポロジー等の各分野で有望視され
ている。特にプラズマＣＶＤ法は、各種有機・無根材料
薄膜を比較的低温で、高速・大面積に形成できることか
ら、注目を浴びている。
以下、プラズマＣＶＤ法を中心として広幅、長尺の高分
子基板上に機能性薄膜を形成する従来の薄膜製造装置に
ついて図面を参照しながら説明する。第２図は、従来の
機能性フィルムを製造する薄膜製造装置の構成図である
。図において１は巻出しロール、２は巻き出しロールか
ら送シ出された高分子基板、３は機能性薄膜を形成する
放電成膜領域、４は板能性薄膜の付着した高分子基板を
巻き取る巻き塩９０−ルである。なお１１は放電電極で
あるっ以上のような薄膜製造装置において、高分子基板
が一定の速度で走行しつつ、放電成膜領域を通過するこ
とによりその表面に機能性フィルムが連続的に形成され
る。
子基板上に機能性薄膜を形成する従来の薄膜製造装置に
ついて図面を参照しながら説明する。第２図は、従来の
機能性フィルムを製造する薄膜製造装置の構成図である
。図において１は巻出しロール、２は巻き出しロールか
ら送シ出された高分子基板、３は機能性薄膜を形成する
放電成膜領域、４は板能性薄膜の付着した高分子基板を
巻き取る巻き塩９０−ルである。なお１１は放電電極で
あるっ以上のような薄膜製造装置において、高分子基板
が一定の速度で走行しつつ、放電成膜領域を通過するこ
とによりその表面に機能性フィルムが連続的に形成され
る。
発明が解決しようとする課題
このような従来の薄膜製造装置を用いて機能性フィルム
試料を作製すると（ｊ）ロフト間の性能差が大である（
１１）長手方向に、すなわち処理時間とともに性能が変
化するといった量産上の問題が発生する。これは、放電
成膜領域が広範囲にわたっているために各種の成膜反応
が起こっていること。
試料を作製すると（ｊ）ロフト間の性能差が大である（
１１）長手方向に、すなわち処理時間とともに性能が変
化するといった量産上の問題が発生する。これは、放電
成膜領域が広範囲にわたっているために各種の成膜反応
が起こっていること。
又、一部内壁の突起部で発生する不安定な不均一放電の
影響によるものと考えられている。これらを防ぐために
独立の放電成膜室を設けることが有効であると考えられ
るが、単にそれだけでは後述するメチル性能に２０分〜
６０分以上とバラツキが生じることが検討実数により判
明した。
影響によるものと考えられている。これらを防ぐために
独立の放電成膜室を設けることが有効であると考えられ
るが、単にそれだけでは後述するメチル性能に２０分〜
６０分以上とバラツキが生じることが検討実数により判
明した。
本発明は上記課題を解決するもので、長手方向。
幅、ロフト間の性能差を抑えることができる薄膜製造装
置を提供することを目的としている。
置を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために独立した放電成膜室
を設け、その放電成膜室が、円筒状ドラムの曲面に沿っ
た開口部を有し、かつ、開口部とドラムとの隙間間隔を
検出する手段と放電成膜室を前後に移動させる駆動手段
を備えたものであり、この装置を用いて一定の放電電圧
と電流となるよう隙間を調節して成膜するものである。
を設け、その放電成膜室が、円筒状ドラムの曲面に沿っ
た開口部を有し、かつ、開口部とドラムとの隙間間隔を
検出する手段と放電成膜室を前後に移動させる駆動手段
を備えたものであり、この装置を用いて一定の放電電圧
と電流となるよう隙間を調節して成膜するものである。
作用
本発明は上記した構成により、内部に突起部等の無い構
造を有する独立し、た放電成膜室を設けることができ、
かつ放電成膜室の開口部とドラムとの隙間間隔を検出す
乙手段と放電成膜室自身を前後に移動させる駆動手段を
有しているので、貞空排戴時の圧力差による変形に起因
する隙間変化や成膜中における熱膨張、熱変形に起因す
乙隙間の変化を逐次検知でき、さらには外部からそ■隙
間の変化に対応して調、節を髪１動機購を動作させてで
きること、これらのことによりロット毎に対し。
造を有する独立し、た放電成膜室を設けることができ、
かつ放電成膜室の開口部とドラムとの隙間間隔を検出す
乙手段と放電成膜室自身を前後に移動させる駆動手段を
有しているので、貞空排戴時の圧力差による変形に起因
する隙間変化や成膜中における熱膨張、熱変形に起因す
乙隙間の変化を逐次検知でき、さらには外部からそ■隙
間の変化に対応して調、節を髪１動機購を動作させてで
きること、これらのことによりロット毎に対し。
あるいは長時間使用に対して安定した条件で成膜が可能
となるものである。
となるものである。
実施例
以下１本発明の一実施例について第１図を参照しながら
説明する１、第１図は５機能性フィルムを製造する薄膜
製造装置の構成図である。第１図において、２は高分子
基板で一般的には５〜ｓｏ、１１ｍの厚さのポリエチレ
ンテレフタレートフィルム。
説明する１、第１図は５機能性フィルムを製造する薄膜
製造装置の構成図である。第１図において、２は高分子
基板で一般的には５〜ｓｏ、１１ｍの厚さのポリエチレ
ンテレフタレートフィルム。
ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリカーボ
ネイトフィルム等であるが、これに限定されるものでは
なく、今回の実施例のように金属薄膜型磁気記録媒体の
保護層への応用ということで、上記のフィルム表面にＧ
ｏ 、 Ｎｉ 、 Ｆｅ系を中心とした強礎性金属の薄
膜をメツキ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタ法等により６００〜６０００人程度形成した高
分子基板も含まれる１、金属薄膜が付着した高分子基板
２は最初、巻き出しロール１に捲回されていて、順次所
定の走行経路を通過して巻き堰りローラー４に巻き取ら
れる。
ネイトフィルム等であるが、これに限定されるものでは
なく、今回の実施例のように金属薄膜型磁気記録媒体の
保護層への応用ということで、上記のフィルム表面にＧ
ｏ 、 Ｎｉ 、 Ｆｅ系を中心とした強礎性金属の薄
膜をメツキ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタ法等により６００〜６０００人程度形成した高
分子基板も含まれる１、金属薄膜が付着した高分子基板
２は最初、巻き出しロール１に捲回されていて、順次所
定の走行経路を通過して巻き堰りローラー４に巻き取ら
れる。
高分子基板２のセツティング後、真空槽内は１０〜４〜
１０−’ Ｔｏｒｒの真空度に到達する迄、クライオポ
ンプや油拡散ポンプ等で真空排気される。
１０−’ Ｔｏｒｒの真空度に到達する迄、クライオポ
ンプや油拡散ポンプ等で真空排気される。
次に放電成膜室６とドラム６吉の隙間を約２００μｍ前
後に調節し、放電成膜室６内にガス導入を行うつ この時、隙間間隔の検出は、放電成膜室６の外側の開口
部近傍の両端と中央に設置された計６カ所の渦電流タイ
プ、あるいは光反射タイプの距離センサーから成る隙間
検出手放アでおこなわれる。、もちろん予め、ドラムと
接触した抜性がｐρ間セロを指示することを点検してお
かなけれ（ばならない１、又、隙間の調節は放電成膜室
６の外側の四角に取り付けられたボールネジナツト８と
これに結合さｉまたポールネジネジ軸９．さらにはこの
ボールネジネジ軸９を回転させる真空槽に固定された真
空用モーター１０から成る駆動手段によってなされる。
後に調節し、放電成膜室６内にガス導入を行うつ この時、隙間間隔の検出は、放電成膜室６の外側の開口
部近傍の両端と中央に設置された計６カ所の渦電流タイ
プ、あるいは光反射タイプの距離センサーから成る隙間
検出手放アでおこなわれる。、もちろん予め、ドラムと
接触した抜性がｐρ間セロを指示することを点検してお
かなけれ（ばならない１、又、隙間の調節は放電成膜室
６の外側の四角に取り付けられたボールネジナツト８と
これに結合さｉまたポールネジネジ軸９．さらにはこの
ボールネジネジ軸９を回転させる真空槽に固定された真
空用モーター１０から成る駆動手段によってなされる。
すなわち、真空用モーター１０の回転動作をポールネジ
ネジ軸９とナツト８により放電成膜室６の前後動作に変
換する５、この時、動作方向はモーターにかかる電圧の
極性により選定さｆＬ、モーターへの電圧印加は、隙間
の指示か所定のＩＬになるまで続けられる。なお、放電
成膜室の移動速度は１〜６朋／ｚｉｎに設定すると調整
が容易となる。なお、隙間間隔はできるだけ狭い方がガ
スを有効活用できて望ましいが、狭くなり過ぎるとドラ
ム６の偏心による影響で放電成膜室６の開口部との接触
が起こるため適当に決めなければならない。調節が終了
すると、続いて放電成膜室ε内にシラン系ガス（例えば
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，ＳｉＦ４など）を、あるいは、
炭化水素系ガス（例えばＯＨ４゜Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ２，
Ｃ６Ｈ６など）を１ｏ〜１１００５ＣＣ導入し、放電成
膜室５内の真空度を０．１〜０．６Ｔｏｒｒに保つ。
ネジ軸９とナツト８により放電成膜室６の前後動作に変
換する５、この時、動作方向はモーターにかかる電圧の
極性により選定さｆＬ、モーターへの電圧印加は、隙間
の指示か所定のＩＬになるまで続けられる。なお、放電
成膜室の移動速度は１〜６朋／ｚｉｎに設定すると調整
が容易となる。なお、隙間間隔はできるだけ狭い方がガ
スを有効活用できて望ましいが、狭くなり過ぎるとドラ
ム６の偏心による影響で放電成膜室６の開口部との接触
が起こるため適当に決めなければならない。調節が終了
すると、続いて放電成膜室ε内にシラン系ガス（例えば
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，ＳｉＦ４など）を、あるいは、
炭化水素系ガス（例えばＯＨ４゜Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ２，
Ｃ６Ｈ６など）を１ｏ〜１１００５ＣＣ導入し、放電成
膜室５内の真空度を０．１〜０．６Ｔｏｒｒに保つ。
ドラム６が熱負けを防ぐために５〜１０’Ｃに冷却され
ていることを確認してから高分子基板２を５〜５０ ｍ
／ｍｉｎの速度で走行させ、成膜を開始する。成膜は
ドラム６を放電成膜室６内の放電電極１１に直流を高周
波の重畳した電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、
炭化水素系ガフを導入した場合はダイヤモンド状カーボ
ン薄膜を、シリコン系ガスでは非晶質シリコン薄膜や多
結晶シリコン薄膜をそれぞれ金属硅性面上に付着形成す
る。
ていることを確認してから高分子基板２を５〜５０ ｍ
／ｍｉｎの速度で走行させ、成膜を開始する。成膜は
ドラム６を放電成膜室６内の放電電極１１に直流を高周
波の重畳した電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、
炭化水素系ガフを導入した場合はダイヤモンド状カーボ
ン薄膜を、シリコン系ガスでは非晶質シリコン薄膜や多
結晶シリコン薄膜をそれぞれ金属硅性面上に付着形成す
る。
この時の直流電圧、電流はそれぞれ−３００〜−１５０
０Ｖと１００〜１０００ｍムであり１重畳する高周波の
周波数及び電力はそれぞれ１３．５６ＭＨｚと１００〜
ｓｏｏｗである。付着形成する保に層膜厚は６０〜１０
００人で、その膜厚は高分子基板２の走行速度や高周波
投入電力を変化させることにより調節する。
０Ｖと１００〜１０００ｍムであり１重畳する高周波の
周波数及び電力はそれぞれ１３．５６ＭＨｚと１００〜
ｓｏｏｗである。付着形成する保に層膜厚は６０〜１０
００人で、その膜厚は高分子基板２の走行速度や高周波
投入電力を変化させることにより調節する。
一般に、放電時間とともに放電成膜室６の壁温か上昇し
く約１００〜１６０℃）、このため壁材料の膨張によっ
て隙間が不均一に狭まったシ、熱変形による隙間の片寄
シが発生する。このような隙間の不均一な変化は轟然、
放電時の電圧や電流の変化をもたらすため、その指示値
か一定となるように四角の駆動手段のバランスを取シな
から動作させて隙間間隔を調整する。すなわち電圧が上
がり、電流が少なくなってきた時は隙間を狭める方向に
、逆に電圧が下が＃）電流が多くなってきた時は隙間を
広げる方向に調整をする。
く約１００〜１６０℃）、このため壁材料の膨張によっ
て隙間が不均一に狭まったシ、熱変形による隙間の片寄
シが発生する。このような隙間の不均一な変化は轟然、
放電時の電圧や電流の変化をもたらすため、その指示値
か一定となるように四角の駆動手段のバランスを取シな
から動作させて隙間間隔を調整する。すなわち電圧が上
がり、電流が少なくなってきた時は隙間を狭める方向に
、逆に電圧が下が＃）電流が多くなってきた時は隙間を
広げる方向に調整をする。
本発明の装置により１以上述べた製造方法で幅３００ｆ
ｌ、長さ１０ｏｏｍの試料を６０ット試作した。作製し
た試材は％インチ幅に裁断し、スチルフレーム耐久試験
機で性能を評価した。この試験は記録再生機能を有する
直径６０ｆｊＦのアルミシリンダーを１８０ＯＲＰＭで
回転させ、その上に裁断した試料を２０９の張力をかけ
ながら接触させて記録再生を行い、その試料の再生出力
が−６（ｉＢに低下する迄の時間で膜の強さを評価する
ものである。この試験によｊ）１２５点を測定（各ロフ
ト毎長手方向６点１幅方向５点のサンプリングを６０ツ
トに対して行った）した結果、測定点のどこをとっても
６０分以上の測定値が得られ、極めて均質な安定した膜
であることを確認した。
ｌ、長さ１０ｏｏｍの試料を６０ット試作した。作製し
た試材は％インチ幅に裁断し、スチルフレーム耐久試験
機で性能を評価した。この試験は記録再生機能を有する
直径６０ｆｊＦのアルミシリンダーを１８０ＯＲＰＭで
回転させ、その上に裁断した試料を２０９の張力をかけ
ながら接触させて記録再生を行い、その試料の再生出力
が−６（ｉＢに低下する迄の時間で膜の強さを評価する
ものである。この試験によｊ）１２５点を測定（各ロフ
ト毎長手方向６点１幅方向５点のサンプリングを６０ツ
トに対して行った）した結果、測定点のどこをとっても
６０分以上の測定値が得られ、極めて均質な安定した膜
であることを確認した。
なお本発明は、プラズマＣｖＤ法のみに限定されるもの
では無く、ヌパソタ法、プラズマ重合法等の成膜方式に
も有効であることは言うまでもない。
では無く、ヌパソタ法、プラズマ重合法等の成膜方式に
も有効であることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように５本発明によれば隙間を検出しながら放電
電圧、電流が一定となるように放電成膜室の位置を調整
できることから、長手方向９幅。
電圧、電流が一定となるように放電成膜室の位置を調整
できることから、長手方向９幅。
ロット間での品質差を抑えることができ、極めて量産性
に優れた機能性フィルムを提供できる。
に優れた機能性フィルムを提供できる。
第１図は本発明の機能性フィルムを製造する薄膜製造装
置の構成図、第２図は従来の薄膜製造装置の構成図であ
る。 １・・・・・・巻き出しロール、２・・・・・・高分子
基板、３・・・・・・放電成膜領域、４・・・・・・巻
き取りロール、５・・・・・放電成膜室、６・・・・・
・ドラム、７・・・・・・隙間検出手段、８・・・・・
ポールネジナツト、９・・・・・・ポールネジネジ軸、
１０・・・・・・真空用モーター、１１・・・・・放電
Ｎ極。
置の構成図、第２図は従来の薄膜製造装置の構成図であ
る。 １・・・・・・巻き出しロール、２・・・・・・高分子
基板、３・・・・・・放電成膜領域、４・・・・・・巻
き取りロール、５・・・・・放電成膜室、６・・・・・
・ドラム、７・・・・・・隙間検出手段、８・・・・・
ポールネジナツト、９・・・・・・ポールネジネジ軸、
１０・・・・・・真空用モーター、１１・・・・・放電
Ｎ極。
Claims (1)
- 真空槽内で高分子基板を円筒状ドラムに添わせながら放
電成膜領域を通過させてその高分子基板上に機能性薄膜
を形成して機能性フィルムを製造する薄膜製造装置にお
いて、独立した放電成膜室を設けこの放電成膜室がドラ
ム曲面に沿った開口部を有し、かつ、開口部とドラムと
の隙間間隔を検出する手段と前記放電成膜室を前後に移
動させる駆動手段を設けたことを特徴とする薄膜製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11336890A JP2932602B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11336890A JP2932602B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049474A true JPH049474A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2932602B2 JP2932602B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=14610513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11336890A Expired - Lifetime JP2932602B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2932602B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383170B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2003-05-12 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 고분자 막 연속증착장치 |
| KR100386506B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2003-06-02 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마중합연속처리장치의 가스시스템 |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| JP2011148659A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブ形成用ｃｖｄ装置 |
| DE102011119013A1 (de) * | 2011-11-21 | 2013-05-23 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum ausbilden einer dielektrischen schicht auf einem substrat |
| JP5234911B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2013-07-10 | 株式会社アルバック | 巻取式プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2013209679A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
| KR20150114528A (ko) * | 2013-01-31 | 2015-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 조정가능한 분리 벽에 의한 가스 분리 |
| JP2019007084A (ja) * | 2013-01-31 | 2019-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 共通の堆積プラットフォーム、処理ステーション、およびその動作方法 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11336890A patent/JP2932602B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
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| DE102011119013B4 (de) | 2011-11-21 | 2022-11-03 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren zum ausbilden einer dielektrischen schicht auf einem substrat |
| JP2013209679A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
| KR20150114528A (ko) * | 2013-01-31 | 2015-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 조정가능한 분리 벽에 의한 가스 분리 |
| JP2016514197A (ja) * | 2013-01-31 | 2016-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 調整可能な分離壁によるガス分離 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP2932602B2 (ja) | 1999-08-09 |
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