JPH0494552A - ボンディング装置およびボンディング方法 - Google Patents
ボンディング装置およびボンディング方法Info
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- JPH0494552A JPH0494552A JP2212916A JP21291690A JPH0494552A JP H0494552 A JPH0494552 A JP H0494552A JP 2212916 A JP2212916 A JP 2212916A JP 21291690 A JP21291690 A JP 21291690A JP H0494552 A JPH0494552 A JP H0494552A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead
- heating
- vacuum
- pressurized
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- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体部品の実装、特ζへ 半導体部品のリー
ドのボンディングに用いるボンディングツールとその方
法に関するものであム 従来の技術 従来のボンディングツールとボンディング方法について
第5図を用いて説明する。従来のボンディングツールl
は一体でてきており取付部7で装置本体に固定されてる
。そ17て、ボンディングツール1はヒーター9により
所定の温度に保たれでいる。基板ll上には半導体部品
12がバッド13にリード14が位百合わせされて置か
れてい4そ(7て、ボンディングツールlは降下し 加
圧部4によりリード14を加圧し リード14とバッド
13を錫−m 金−錫接合等によりボンディングする
。
ドのボンディングに用いるボンディングツールとその方
法に関するものであム 従来の技術 従来のボンディングツールとボンディング方法について
第5図を用いて説明する。従来のボンディングツールl
は一体でてきており取付部7で装置本体に固定されてる
。そ17て、ボンディングツール1はヒーター9により
所定の温度に保たれでいる。基板ll上には半導体部品
12がバッド13にリード14が位百合わせされて置か
れてい4そ(7て、ボンディングツールlは降下し 加
圧部4によりリード14を加圧し リード14とバッド
13を錫−m 金−錫接合等によりボンディングする
。
発明が解決しようとする課題
しか1.なから前記のような構成では ボンディングツ
ール1の加圧面4は一定の決まった平面で固定されてい
るた取 基板11の傾きやそり等のた数 第5図のよう
に加圧面4と半導体部品12のリード14との間に傾き
がある場合、加圧面4をリード14の傾きに合わせるこ
とができずボンディングツールlの加圧面4はリード1
4に片当たりしてしま一\ ボンディングが均一に行わ
れず、ボンディング不良が発生したり、信頼性が低下す
るという欠点があった 本発明はかかる点に鑑ヘ ボンディングツールの加圧面
を半導体部品のリードの傾きに毎回合わせてボンディン
グすることを可能にし ボンディング不良の発生を防止
し また ボンディングの信頼性を高めることを目的と
すム 課題を解決するための手段 本発明(よ 半球状の凸部を有した加圧部と前記加圧部
の半球状に合致し摺動可能な凹部を有した加熱部とから
なり前記加圧部の凸部と前記加熱部凹部間を真空吸着固
定するボンディングツールを用−入 半導体部品のリー
ドに前記ボンディングツールの加圧部が接触する直前に
落下させ、その後加熱部を加圧部に押し当てボンディン
グを行う。
ール1の加圧面4は一定の決まった平面で固定されてい
るた取 基板11の傾きやそり等のた数 第5図のよう
に加圧面4と半導体部品12のリード14との間に傾き
がある場合、加圧面4をリード14の傾きに合わせるこ
とができずボンディングツールlの加圧面4はリード1
4に片当たりしてしま一\ ボンディングが均一に行わ
れず、ボンディング不良が発生したり、信頼性が低下す
るという欠点があった 本発明はかかる点に鑑ヘ ボンディングツールの加圧面
を半導体部品のリードの傾きに毎回合わせてボンディン
グすることを可能にし ボンディング不良の発生を防止
し また ボンディングの信頼性を高めることを目的と
すム 課題を解決するための手段 本発明(よ 半球状の凸部を有した加圧部と前記加圧部
の半球状に合致し摺動可能な凹部を有した加熱部とから
なり前記加圧部の凸部と前記加熱部凹部間を真空吸着固
定するボンディングツールを用−入 半導体部品のリー
ドに前記ボンディングツールの加圧部が接触する直前に
落下させ、その後加熱部を加圧部に押し当てボンディン
グを行う。
作用
本発明は前記した構造のボンディングツールを用い前記
した方法でボンディングを行うた数 半導体部品のリー
ドの傾きにボンディングツールの加圧面を毎回合わせて
ボンディングすることができも そのた数 ボンディン
グ不良の発生を防止し またボンディングの信頼性を高
めることができる。
した方法でボンディングを行うた数 半導体部品のリー
ドの傾きにボンディングツールの加圧面を毎回合わせて
ボンディングすることができも そのた数 ボンディン
グ不良の発生を防止し またボンディングの信頼性を高
めることができる。
実施例
第1図は本発明の実施例におけるボンディングツールの
縦断面図を示すものであム 第1図において、ボンディ
ングツールlは加圧部2と加熱部3とで構成されており
、加圧部2は下面に被ボンディング物(例えば 半導体
部品のリード)と接触する加圧面4を有し 上面に凸部
5を有していも 加熱部3は上面に図示していない装置
本体への取付部7を有し 下面に加圧部2の凸部5と合
致し摺動可能な凹部8を有しており、また ヒーター9
そして凹み部8に通じている真空穴10を有していム
加圧部2の凸部5と加熱部3の凹部8は同一半径の半球
状をしており、加圧部2の凸部5の方が高く、加熱部3
の凹部8の方が浅くなっていも そして、取付部7によ
り装置本体に固定された加熱部3に加圧部2は真空穴1
0からの真空引きにより吸着固定されている。
縦断面図を示すものであム 第1図において、ボンディ
ングツールlは加圧部2と加熱部3とで構成されており
、加圧部2は下面に被ボンディング物(例えば 半導体
部品のリード)と接触する加圧面4を有し 上面に凸部
5を有していも 加熱部3は上面に図示していない装置
本体への取付部7を有し 下面に加圧部2の凸部5と合
致し摺動可能な凹部8を有しており、また ヒーター9
そして凹み部8に通じている真空穴10を有していム
加圧部2の凸部5と加熱部3の凹部8は同一半径の半球
状をしており、加圧部2の凸部5の方が高く、加熱部3
の凹部8の方が浅くなっていも そして、取付部7によ
り装置本体に固定された加熱部3に加圧部2は真空穴1
0からの真空引きにより吸着固定されている。
次に本発明のボンディングツールを用いたボンディング
法について説明すも 第2図はボンディング前の状態を
示していも 基板11の上に半導体部品12が基板11
のパッド13と半導体部品12のリード14が位置合わ
せされて置かれていも そして、その上方にヒーター9
により所定の温度に保たれたボンディングツール1が位
置合わせされていも しかし 基板11が傾いているた
八 ボンディングツール1の加圧面4とリード14とは
平行になっていな11〜 次に ボンディングツールl
は降下し加圧面4がリード14に接触する直前(加圧面
4とリード14との隙間が0602〜0.5mmになっ
た時)に加圧部2と加熱部3を吸着固定している真空を
解放し 加圧部2をリード14上に落下させも 加圧部
2の加圧面4はリード14に密着し加圧面4とリード1
4との間の傾きはまったくなくなっていも この時の状
態を第3図に示す。次に加熱部3がさらに降下し再び加
圧部2の凸部5と合わさり加圧部2に所定の加重を加え
基板11のパッドとリードを錫−組 金−錫接合等に
よりボンディングを行う。この時、第4図に示すようく
加圧部2と加熱部3との間に傾きを生ずるがお互いの
接触面が半球状をしており摺動可能なために傾きは吸収
されもそして、加圧面4とリード14との間に傾きがな
いため均一にボンディングすることができも そして、
ボンディングが終了すると、加熱部3の真空穴lOより
再び真空引きが行われ加圧部2は再び加熱部3に真空吸
着固定され上昇していき、連の工程は終了すa 以上説明したように 本実施例のボンディングツールを
用いボンディングを行うとボンディングツールの加圧面
を半導体部品のリードの傾きに毎回合わせてボンディン
グすることが可能であり、ボンディング不良の発生を防
止し またボンディングの信頼性を高めることができも な耘 本実施例では半導体部品のアウターリードボンデ
ィングを行っている力丈 半導体部品のインナーリード
ボンディングに用いても良(〜発明の詳細 な説明したよう&ミ 本発明によれば 被ボンディング
物個々の傾きに合わせてボンディングを行うことができ
、ボンディング不良の防止し また ボンディングの信
頼性を高めることができ、その実用的効果は太き(〜
法について説明すも 第2図はボンディング前の状態を
示していも 基板11の上に半導体部品12が基板11
のパッド13と半導体部品12のリード14が位置合わ
せされて置かれていも そして、その上方にヒーター9
により所定の温度に保たれたボンディングツール1が位
置合わせされていも しかし 基板11が傾いているた
八 ボンディングツール1の加圧面4とリード14とは
平行になっていな11〜 次に ボンディングツールl
は降下し加圧面4がリード14に接触する直前(加圧面
4とリード14との隙間が0602〜0.5mmになっ
た時)に加圧部2と加熱部3を吸着固定している真空を
解放し 加圧部2をリード14上に落下させも 加圧部
2の加圧面4はリード14に密着し加圧面4とリード1
4との間の傾きはまったくなくなっていも この時の状
態を第3図に示す。次に加熱部3がさらに降下し再び加
圧部2の凸部5と合わさり加圧部2に所定の加重を加え
基板11のパッドとリードを錫−組 金−錫接合等に
よりボンディングを行う。この時、第4図に示すようく
加圧部2と加熱部3との間に傾きを生ずるがお互いの
接触面が半球状をしており摺動可能なために傾きは吸収
されもそして、加圧面4とリード14との間に傾きがな
いため均一にボンディングすることができも そして、
ボンディングが終了すると、加熱部3の真空穴lOより
再び真空引きが行われ加圧部2は再び加熱部3に真空吸
着固定され上昇していき、連の工程は終了すa 以上説明したように 本実施例のボンディングツールを
用いボンディングを行うとボンディングツールの加圧面
を半導体部品のリードの傾きに毎回合わせてボンディン
グすることが可能であり、ボンディング不良の発生を防
止し またボンディングの信頼性を高めることができも な耘 本実施例では半導体部品のアウターリードボンデ
ィングを行っている力丈 半導体部品のインナーリード
ボンディングに用いても良(〜発明の詳細 な説明したよう&ミ 本発明によれば 被ボンディング
物個々の傾きに合わせてボンディングを行うことができ
、ボンディング不良の防止し また ボンディングの信
頼性を高めることができ、その実用的効果は太き(〜
第1図は本発明の実施例におけるボンディングツールの
縦断置皿 第2、3、4図は本発明のボンディングツー
ルを用いて行うボンディング工程を示す縦断置皿 第5
図は従来のボンディングツールを示す縦断面図であも
縦断置皿 第2、3、4図は本発明のボンディングツー
ルを用いて行うボンディング工程を示す縦断置皿 第5
図は従来のボンディングツールを示す縦断面図であも
Claims (2)
- (1)半球状の凸部を有した加圧部と、前記加圧部の半
球状に合致し摺動可能な凹部を有した加熱部を有し、前
記加圧部の凸部と前記加熱部の凹部間を真空吸着固定す
るボンディングツールを備えたことを特徴とするボンデ
ィング装置。 - (2)半球状の凸部を有した加圧部と、前記加圧部の半
球状に合致し摺動可能な凹部を有した加熱部からなり、
前記加圧部の凸部と前記加熱部の凹部間を真空吸着する
ボンディングツールを用い前記ボンディングツールが被
ボンディング物に接触する直前に前記加圧部と前記加熱
部を吸着固定している真空を解放し、加圧部を被ボンデ
ィング物に落下させ、その後加熱部を加圧部に押し当て
ボンディングを行う事を特徴とするボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2212916A JP2754884B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2212916A JP2754884B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0494552A true JPH0494552A (ja) | 1992-03-26 |
JP2754884B2 JP2754884B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=16630406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2212916A Expired - Fee Related JP2754884B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2754884B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT414079B (de) * | 2002-12-20 | 2006-08-15 | Datacon Semiconductor Equip | Einrichtung zum positionieren |
WO2022085051A1 (ja) * | 2020-10-19 | 2022-04-28 | 株式会社新川 | 測定装置、測定方法及びボンディングシステム |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2212916A patent/JP2754884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT414079B (de) * | 2002-12-20 | 2006-08-15 | Datacon Semiconductor Equip | Einrichtung zum positionieren |
WO2022085051A1 (ja) * | 2020-10-19 | 2022-04-28 | 株式会社新川 | 測定装置、測定方法及びボンディングシステム |
JPWO2022085051A1 (ja) * | 2020-10-19 | 2022-04-28 | ||
TWI805031B (zh) * | 2020-10-19 | 2023-06-11 | 日商新川股份有限公司 | 測定裝置、測定方法及接合系統 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2754884B2 (ja) | 1998-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |