JPH0494264A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 伎佐分更 本発明は、画像読取装置に関し、より詳細には。

光電変換素子の出力を、Ｓ／Ｎ比よく高精度で画像情報
として取り込むことのできる画像読取装置に関する。

ｋ末技先 複写機、ファクシミリ、画像ファイル装置等で入力とな
るＪＭ稿両画像読み取るのにＣＣＤセンサ等の光電変換
素子が使われている。これらの光電変換素子は１ライン
構成で１ｍｍを数本〜数十本の分解能で読み取れるだけ
のセルを備えている。画像の読み取りはライン方向には
電気的な走査（主走査）で、これと垂直の方向には光電
変換素子全体を移動させること（副走査）で行なってい
る。

このような画像読取装置の例として、例えば特開昭６２
−２３５８７２号公報に記載されている。

上記のような画像読取装置において、光電変換素子の出
力は、露光量に対応する光電変換出力と露光量とは無関
係に発生する暗出力との和の形で現れる。したがって原
稿のもつ情報を精度よく電気信号にするためには、光電
変換素子の出力信号に対し暗出力を減ずるための何らか
の補正が必要となる。このため行なわれている方法とし
て光電変換素子の端部の何画素かを光シールドし、暗出
力のみを出力させるようにしてこの出力値を有効読み取
り領域の原稿読み取り出力値から減ずるようにしたもの
がある。このとき光シールド部の出力は画素ごとにバラ
ツキを持っておりサンプルするタイミングによっては有
効読み取り領域の暗出力の平均的な値からかなりずれて
いる。つまり不完全な暗出力補正になる可能性がある。

また、原稿の明るさは実際には照明の明るさとの積で読
み取られるため、同一原稿を読み取るに際し照明の輝度
変動がその読み取りレベルの変動要因になる。このため
主走査方向の有効画像読み取り領域の外に白色基準板を
設け、この部分のセンサ出力値を明るさの基準として有
効読み取り領域の出力値を正規化し照明の明るさによら
ず原稿情報を得ようにしたものがある。このとき白色基
準板の出力は画素感度バラツキ、シェーディング、その
他のランダムノイズ等により画素ごとにバラツキを持っ
ており、サンプルするタイミングによりそのレベルが違
ってしまう。したがって正規化が不完全になる可能性が
ある。

また、ＣＣＤのような光電変換素子の出力を相関二重サ
ンプリングにより検出する場合にもそれに含まれる種々
のノイズ（特に高域）のためノイズ分を含んだサンプル
値が得られる。このノイズは信号のフルスケールレベル
に対してかなり小さいがより正確な信号検出のためには
改善が必要である。

ＪＬ−一眞 本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
光シールド部の出力を平均化して暗出力レベルを求め、
高精度の暗出力補正を可能とすること、また、明るさの
基準となる対象を撮影した画素の出力を平均化し、また
光シールド部の出力を平均化して暗出力レベルを求め画
像読取信号の正規化の基準とし、高精度の正規化を図る
こと、さらにセンサ出力の画素ごとに所定の期間を平均
化して出力レベル検出をし、ノイズ成分の影響の少ない
出力を得て、高精度の原稿情報を得るようにした画像読
取装置を提供することを目的としてなされたものである
。

膿−一」叉 本発明は、上記目的を達成するために、（１）光電変換
素子により原稿の濃度に応じた電気信号を画像信号とし
て得る画像読取装置において、１ラインにわたる出力信
号のうち、感光部に光シールドがなされている画素の出
力部分を一定時間所定の積分ゲインで積分することによ
り前記画素出力の平均値を求める第１の平均値サンプル
・ホールド手段３と、該第１の平均値サンプル・ホール
ド手段の後段の出力を画像を読み取り信号の出方から減
ずる減算手段５とを設けたこと、或いは、（２）光電変
換素子により原稿の濃度に応じた電気信号を画像信号と
して得る画像読取装置において、１ラインにわたる出力
信号のうち、明るさの基準となる対象を撮像した画素の
出力部分を一定時間所定の積分ゲインで積分することに
より前記画素出力の平均値を求める第２の平均値サンプ
ル・ホールド手段８と、第一２の平均値サンプル・ホー
ルド手段の出力値を基準として画像の読み取り信号を正
規化する正規化手段１２とを設けたこと、或いは、（３
）光電変換素子により原稿の濃度に応じた電気信号を画
像信号として得る画像読取装置において、１ラインにわ
たる出力信号のうち、感光部に光シールドがなされてい
る画素の出力部分を一定時間所定の積分ゲインで積分す
ることにより前記画素出力の平均値を求める第１の平均
値サンプル・ホールド手段３と、該第１の平均値サンプ
ル・ホールド手段の出力値を基準として画像の読み取り
信号を正規化する正規化手段１２とを設けたこと、或い
は、（４）光電変換素子により原稿の濃度に応じた電気
信号を画像信号として得る画像読取装置において、該光
電変換素子の１画素ごとの出力に対して一定時間所定の
積分ゲインで積分することによりそれぞれの画素の平均
値を求める第３の平均値サンプル・ホールド手段６０を
設けたことを特徴としたものである。以下、本発明の実
施例に基づいて説明する。

すなわち、上記目的は、それぞれのサンプル回路で、サ
ンプル期間内の信号を平均化しその期間中に含まれてい
る変動成分を除去することにより達せられる。サンプル
期間内の信号を平均化するには、あらかじめ決められた
リセットレベル（ゼロ値に相当）からサンプル期間のみ
所定の積分ゲインで信号を積分すればよい。この積分値
をホールドすれば、区間内平均値のサンプルホールドと
なる。すなわち信号Ｖ（ｔ　）の区間Ｓ内の平均値Ｖａ
ｖは、その時間をｔｓとしてＶａｖ＝　ｆ　ｓ　Ｖ　（
ｔ　）ｄ　ｔ　／　ｔ　ｓで表わされる。したがって積
分ゲインを１　／　ｔ　ｓとし信号を積分すればよい。

これにより得られる平均値Ｖａｖはサンプル期間内の変
動成分が除去されたものであり高精度の基準信号として
用いることができる。

第１図は、本発明による画像読取装置の一実施例を説明
するための構成図で、図中、１はＣＣＤセンサ、２はサ
ンプルホールド回路（以下Ｓ＆Ｈと略記する）、３，７
．８は平均値Ｓ＆Ｈ１４は掛算回路、５は差動増幅回路
、６はスイッチ回路、９は増幅回路、１０．１１はスイ
ッチ回路、１２はＡ／Ｄ変換回路、１３は切換回路、１
４は暗出力メモリ、１５はＤ／Ａ変換回路、１６は白基
準メモリ、１７は除算回路、１８は白基準、画像読み取
りと暗出力読み取りとの制御入力端子である。

以下に、第１図に示した画像読取装置の動作を説明する
。ＣＣＤセンサ１の出力の１ライン分は、例えば第１４
図（ａ）に示されるような波形である。第１４図（、）
のＤＳ　（Ｅ）は感光部をもたず転送部のみの画素の出
力であり、ＤＳ　（Ｓ）は光シールドされた感光部をも
つ画素の出力であり、ＷＢは原稿の有効読み取り領域の
外に設けられた基準白色板を読み取った出力であり、こ
れに続き原稿の読み取り出力がある。これら１ラインの
波形はＳ＆Ｈ２に導かれＣＣＤセンサ１の転送りロック
波形を除去されて第１４図（ｂ）の波形になる。この実
施例においてはまず１ラインにわたる暗出力の発生と記
憶を行なう。このためスイッチ回路６，１０．１１を図
示とは反対の切り換え位置とし、Ｓ＆Ｈ２の出力はスイ
ッチ回路６を経て、平均値Ｓ　＆Ｈ７、平均値Ｓ＆Ｈ８
，Ａ／Ｄ変換回路１２に導かれる。１ラインにわたりＣ
ＣＤセンサ１への露光量をゼロとするとその１ライン分
の出力はＳ＆Ｈ２を経て第１５図（ａ）に示すような波
形となる。すなわちＤＳ　（Ｓ）、ＷＢ、読み取り領域
がすべて暗出力レベルとなり画素ごとにその値がばらつ
く。これを平均値Ｓ＆Ｈ７に導きＤＳ　（Ｅ）の区間で
平均値をサンプルホールドし、Ａ／Ｄ変換回路１２の上
限のリファレンス値ＶｒｅｆＨとする。また、平均値Ｓ
＆Ｈ８に導きＤＳ　（Ｓ）の区間で平均値をサンプルホ
ールドし。

増幅回路９で増幅してＡ／Ｄ変換回路１２の下限のリフ
ァレンス値ＶｒｅｆＬとする。っまりＡ／Ｄ変換回路１
２の上限のリファレンスＶ　ｒｅｆ　Ｈ。

ＶｒｅｆＬとＡ／Ｄ変換回路１２への入力（＝Ｓ＆Ｈ２
の出力）との関係は第１５図（ａ）に示されるようにな
る。これによりＡ／Ｄ変換がなされ、その出力は切換回
路１３をいちばん下の切り換え位置として暗出力メモリ
１４に１ライン分記憶される。これにより光シールドさ
九た感光部の画素の平均値を基準にして１ライン分の暗
出カバターンの取り込みが終わる。

次に１ライン分の白基準の取り込みを行なう。

このためスイッチ回路６，１０．１１を図示の切り換え
位置とし、Ｓ＆Ｈ２の出力は平均値Ｓ＆Ｈ３と差動増幅
回路５の正側入力へ導かれる。この波形は第１５図（ｂ
）に示すようにＤＳ　（Ｓ）では暗出力、ＷＢと読み取
り領域では光電変換出力に暗出力が重なったものとなる
。これを平均値Ｓ＆工（３ではＤＳ　（Ｓ）の区間で平
均値をサンプルホールドし、その出力を暗出力メモリ１
４を読み出してＤ／Ａ変換回路１５に導き、アナログ信
号とした１ライン分の暗出カバターンと掛算回路４で順
次掛算してゆく。これにより、この白基準の取り込み時
に発生している１ラインの暗出力を、そ九が事前に行な
った暗出力の取り込み時の値とちがったとしても、画素
ごとにばらつく成分を含め掛算回路４の出力に生成でき
る。これを差動増幅回路５の負側入力へ導き、Ｓ＆Ｈ２
の出力から暗出力を除去し、完全に光電変換出力のみと
して差動増幅回路５の出力に得る。すなわち第１５図（
ｃ）のようになる。これをスイッチ回路６を経て平均値
Ｓ＆Ｈ７に導き、ＤＳ　（Ｓ）あるいはＤＳ　（Ｅ）の
区間で平均値をサンプルホールドし、Ａ／Ｄ変換回路１
２の上限のリファレンス値ＶｒｅｆＨとする。また平均
値Ｓ＆Ｈ８に導き、ＷＢの値でサンプルホールドして増
幅回路９で増幅（ゲインは暗出力取り込み時とは変えで
ある）して、Ａ／Ｄ変換回路１２の下限のリファレンス
値ＶｒｅｆＬとする。つまり、Ａ／Ｄ変換回路１２の上
限のリファレンスＶ　ｒａｆ　Ｈ、下限のリファレンス
値ＶｒｅｆＬとＡ／Ｄ変換回路への入力信号との関係は
第１５図（ｃ）に示されるようになる。

ここで重要なことはＷＢ値が完全に光電変検出力のみ、
つまり暗出力の変動に無関係になっていることであり、
Ａ／Ｄ変換入力のリファレンスとして光電変換出力の忠
実な量子化が達せられることである。このようにしてＡ
／Ｄ変換がなされ、その出力は切換回路１３をいちばん
上の切り換え位置として白基準メモリ１６に記憶される
。

次に画像の入力を行なう。これは上記白基準の取り込み
とＡ／Ｄ変換回路１２の出力まで全く同じに毎ライン行
なわれる。つまりＳ＆Ｈ２の出力は第１５図（ｄ）、Ａ
／Ｄ変換回路１２０入力は第１５図（ｅ）に示されるよ
うになる。そのときのメリットは白基準取り込みと同様
に暗出力の変動に全く左右されずに原稿のもつ情報を得
ることができることである。Ａ／Ｄ変換回路１２の出力
を切換回路１３を図示の切り換え位置として除算回路１
７に導き、白基準メモリ１６の内容を読み出した出力で
除算（正規化）し、端部の暗さによる影？（シェーディ
ング）を補正する。

すなわち、この実施例によれば時々刻々変化する暗出力
に左右されずに量子化、シェーディング補正できる効果
があり、その前提として主走査、副走査のいかなる場所
でも精度の高い暗出力の補正がなされる。

第２図は本発明による画像読取装置の他の実施例を示す
図で、図中、２０は増幅回路、２１はピークホールド回
路、２２はスイッチ回路である。

なお、第１図と同じ作用をする部分は第１図と同一の参
照番号を付しである。第１図に示した実施例との違いは
ＷＢがない読み取り系となっていることであり、このた
め白基準読み取り、画像読み取り時のΔ／Ｄ変換入力の
下限のリファレンス値ＶｒａｆＬの生成方法を変えてい
ることである。すなわち下限のリファレンス値Ｖｒｅｆ
Ｌの生成は白基準を読み取った時の１ライン内のピーク
値にしている。これを白基準読み取り時、画像読み取り
時ともにホールドしておきＡ／Ｄ変換回路１２の下限の
リファレンスとする。これは画像読み取り時間内で照明
系の光量がほとんど変動しない場合には使える方法であ
る。その他は、第１図に示した実施例の場合と同じであ
り、第１６図（ａ）が暗出力取り込み時のＳ＆Ｈ２の出
力、同図（ｂ）が白基準取り込み時のＳ＆Ｈ２の出力、
同図（ｃ）が白基準取り込み時の差動増幅回路５の出力
、同図（ｄ）が画像読み取り時のＳ＆Ｈ２の出力、同図
（ｅ）が画像読み取り時の差動増幅回路５の出力である
。この第２図に示した実施例の効果も第１図に示した実
施例と同様である。

第３図は、本発明による画像読取装置の更に他の実施例
を示す図で、図中、２３は増幅回路、２４は切換回路、
２５は暗出力メモリである。なお、第１図と同じ作用を
する部分は第１図と同一の参照番号を付しである。第１
図に示した実施例との違いは、暗出力メモリ１４を読み
出し専用化（ＲＯＭ化）した暗出力メモリ２５を用いる
ようにしたことである。したがって暗出力の取り込みの
動作はなく、これに必要な要素は省略されている。暗出
力メモリ２５への記憶は１例えば製造時やメンテナンス
時などに第１図に示した実施例の同様の考え方で行なう
ようにする。この第３図に示した実施例は噴出カバター
ンが光電変換素子の個々で経時変化が小さく、ある程度
保存される場合に適用できる。

第４図は、本発明による画像読取装置の更に他の実施例
を示す図で、第２図及び第３図と同じ作用をする部分は
同一の参照番号が付しである。第４図に示した実施例は
、第２図に示した実施例における暗出力メモリ１４に対
しＲＯＭ化した暗出力メモリ２５を用いるようにしたも
のである。したがって第３図に示した実施例と同様に暗
出力の取り込みの動作はなく、これに必要な要素は省略
されている。また暗出力メモリ２５への記憶や適用条件
は第３図に示した実施例と同様であるが、さらに第２図
に示した実施例の適用条件（照明系の光量変動が画像読
み取り時間内でほとんどない）が必要である。

第５図は、本発明による画像読取装置の他の実施例を説
明するための構成図で、図中、３０はＳ＆Ｈ１３１はス
イッチ回路、３２は切り換え回路、３３は加算平均化回
路、３４は乗算回路、３５は減算回路、３６は切り換え
回路で、その他第１図と同じ作用をする部分は第１図と
同一の参照番号を付しである。第１図の実施例との違い
は平均値Ｓ＆Ｈ８、掛算回路４、差動増幅回路５、暗出
力メモリ１４、Ｄ／Ａ変換回路１５で構成される画素ご
との暗出力補正をこの実施例ではＡ／Ｄ変換回路１２の
後段で行なうようにし、これを加算平均化回路３３、乗
算回路３４、減算回路３５、暗出力メモリ１４で行なう
ことである。暗出力の読み込みは第１図の実施例と同様
に第１７図（ａ）に示す暗出力からＡ／Ｄ変換回路１２
の入力リファレンスＶ　ｒｅｆ　Ｈ、Ｖ　ｒｅｆ　Ｌを
作り出し、これによりＡ／Ｄ変換された噴出カバターン
を噴出カバターンを暗出力メモリ１４に記憶する。また
白基準読み込み、画像読み取り時のＡ／Ｄ変換回路１２
の入力リファレンスＶ　ｒｅｆ　Ｈ、Ｖ　ｒｅｆ　Ｌと
信号との関係はそれぞれ第１７図（ｂ）、（ｃ）に示す
ようになる。なお、Ｓ＆Ｈ３０はＤＳ　（Ｅ）の区間で
サンプルホールドするため平均値Ｓ＆Ｈでなく通常のＳ
＆Ｈとした。また加算平均化回路３３はＤＳ　（Ｓ）の
画素出力を順次加算して平均化を得る機能を有しており
、平均値を得た後ＷＢ領領域読み取り領域とではそのま
まの出力値で保たれラインごとに更新される。この実施
例において、第１図の実施例と同様に精度の高い画像の
読み取りができる。

第６図は、本発明による画像読取装置の他の実施例を説
明するための構成図で、第２図及び第５図と同じ作用を
する部分は同一の参照番号を付しである。第２図に示す
実施例との違いは、平均値Ｓ＆Ｈ３、掛算回路４、差動
増幅回路５、噴出カメモリ１４．Ｄ／Ａ変換回路１５で
構成される画素ごとの暗出力補正をＡ／Ｄ変換回路１２
の後段で行なうようにし、これを加算平均化回路３３、
乗算回路３４、減算回路３５、暗出力メモリ１４で行な
うようにしたことである。暗出力の読み込みは第２図の
実施例と同様に第１８図（ａ）に示す暗出力からＡ／Ｄ
変換回Ｎ１２の入力リファレンスＶｒｅｆＨ，Ｖｒｅｆ
Ｌを作り出し、これによりＡ／Ｄ変換された噴出カバタ
ーンを暗出力メモリ１４に記憶する。また白基準読み込
み、画像読ミ取り時のＡ／Ｄ変換回路１２の入力リファ
レンスＶ　ｒｅｆ　Ｈ、Ｖ　ｒｅｆ　Ｌと信号との関係
はそれぞれ第１８図（ｂ）、（Ｃ）に示すようになる。

なおＳ＆Ｈ３０はＤＳ　（Ｅ）の区間でサンプルホール
ドするため平均値Ｓ＆Ｈでなく通常のＳ＆Ｈとした。

この実施例においても第２図に示す実施例と同様に精度
の高い画像の読み取りができる。

第１図、第２図、第５図、第６図の実施例において暗出
力の取り込み方法はその蓄積時間を通常より長くし、暗
出力レベルを大きな値にしてＡ／Ｄ変換回路１２の入力
までの信号処理を行なうことが可能である。これによれ
ば信号処理過程で生ずる他のノイズの影響を小さくして
着出カバターンを取り込むことができる。この場合でも
ＤＳ（Ｓ）の平均値レベルを基準にＡ／Ｄ変換がなされ
るので暗出力メモリ１４では絶対値レベルが変わること
はない。

第７図は、本発明による画像読取装置の他の実施例を説
明するための構成図で、第３図及び第５図と同じ作用を
する部分は同一の参照番号を付しである。第５図の実施
例との違いは、暗出力メモリ１４の代わりに読みだし専
用化（ＲＯＭ化）した暗出力メモリ２５を用いるように
したことである。したがって暗出力の取り込みの動作は
なくこれに必要な要素は省略されている。本実施例にお
いても第５図に示す実施例と同様に精度の高い画像の読
み取りができる。

第８図は、本発明による画像読取装置の他の実施例を説
明するための構成図で、図中、５ｏはＤＳ　（Ｓ）区間
の平均値Ｓ＆Ｈで、その他第１図及び第７図と同じ作用
をする部分は同一の参照番号が付しである。第１図の実
施例との違いは暗出力補正をなくしたことである。これ
は暗出力が微小でかつ画素ごとのバラツキも対さく信号
レベルに対し問題にならない条件であれば適用できる。

第９図は、本発明による画像読取装置の他の実施例を説
明するための構成図で、第２図及び第８図と同じ作用を
する部分は同一の参照番号が付しである。第２図の実施
例との違いは暗出力補正をなくしたことである。これは
暗出力が微対でかつ画素ごとのバラツキも小さく信号レ
ベルに対し問題にならない条件であれば適用できる。

第１０図は、第１図から第９図に示す本発明の実施例に
おけるＳ＆Ｈ２の構成例を示す図である。第１０図にお
いて６ｏ、６１は平均値Ｓ　＆Ｈ。

６２はＳ＆Ｈ１６３は差動増幅回路である。平均値Ｓ＆
Ｈ６０，６１への入力信号は第１１図に示すような波形
であり、ノイズ分を持っている。これを平均値Ｓ＆Ｈ６
０でφ２の区間で平均化してホールドする。また平均値
Ｓ＆Ｈ６１でφｌの区間で平均化しホールドする。これ
をＳ＆Ｈ６２でサンプルしなおしφ２のタイミングにあ
わせる。

しかるのちこれらを差動増幅回路６３で減算すればφ１
区間の平均レベルとφ２区間の平均レベルとの差を得る
ことができ、より高精度のＣＣＤセンサ出力の検出が可
能となる。

第１２図は、第１図から第１０図の実施例における平均
値Ｓ＆Ｈ３，７，８，５ｏ、６ｏ、６１の具体的構成例
を示す図である。第１２図において７０は切り換えスイ
ッチ回路、７１は電圧制御電流源、７２．７６はコンデ
ンサ、７３．７５はスイッチ回路、７４．７７はバッフ
ァである。入力Ｖｉは、切り換えスイッチ回路７０が平
均値を求めるサンプル期間に限って導通して電圧制御電
流源７１へ導かれる。電圧制御電流源７１の入力をＶ□
で表わす。したがってＶｉとｖ、１との関係は第１３図
のＶｉ、Ｖ□に示すようになる。電流源７１はサンプル
期間の電圧に応じて所定のゲインで電荷をコンデンサ７
２に充電する。これが積分動作である。ゆえに積分期間
が完了となる時のｖ２の値が平均化されたサンプル値で
ある。このｖ２をバッファ７４、スイッチ７５を通して
コンデンサ７６に蓄積する。この値をバッファ７７を通
じて出力ｖ０とする。スイッチ回路７３はサンプル期間
の直前に導通し前のサンプル値をリセットする。なおり
２、ｖｏの波形も同時に第１３図に示す。

羞−一米 以上の説明から明らかなように、本発明によると、以下
のような効果がある。

（１）請求項１に対応する効果；光シールド部の出力を
平均化して暗出力レベルを求めているのでより高精度の
暗出力補正ができ、これにより高精度の画像読み取りが
できる。

（２）請求項２に対応する効果；明るさの基準となる対
象を撮像した画素の出力を平均化して画像読み取りがで
きる。

（３）請求項３に対応する効果；光シールド部の出力を
平均化して暗出力レベルを求めこれを画像読み取り信号
の正規化の基準としているので高精度の正規化ができ、
これにより高精度の画像読み取りができる。

（４）請求項４に対応する効果；センサ出力の画素ごと
に所定の期間を平均化して出方レベル検出しているので
ノイズ成分の影響の少ない出方が得られ、これにより高
精度の画像読み取りができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による画像読取装置の一実施例を説明
するための構成図、第２図乃至第９図は、本発明による
画像読取装置の他の実施例を説明するための構成図、第
１０図は、第１図乃至第９図の実施例におけるＳ＆Ｈの
構成例を示す図、第１１図は、第１０図における平均値
Ｓ＆Ｈへの入力信号の波形を示す図、第１２図は、第１
図乃至第１０図の実施例における平均値Ｓ＆Ｈの具体的
な構成例を示す図、第１３図は、第１２図における信号
波形を示す図、第１４図及び第１５図は、第１図におけ
る信号波形を示す図、第１６図は、第２図における信号
波形を示す図、第１７図は、第５図における信号波形を
示す図、第１８図は、第６図における信号波形を示す図
である。 １・・・ＣＣＤセンサ、２・・・サンプルホールド回路
（Ｓ＆Ｈ）　、３，７．８・・・平均値Ｓ＆Ｈ１４・・
・掛算回路、５・・・差動増幅回路、６・・・スイッチ
回路、９・・・増幅回路、１０．１１・・・スイッチ回
路、１２・・・Ａ／Ｄ変換回路、１３・・・切換回路、
１４・・暗出力メモリ、１５・・・Ｄ／Ａ変換回路、１
６・・・白基準メモリ、１７・・・除算回路、１８・・
・白基準、画像読み取りと暗出力読み取りとの制御入力
端子。 特許出願人　　株式会社　リ　コ 代　理　人　　高　野　明　近（ほか１名）−個 第 区 第 図 白基準読み取り 第１０図 φ２ ψ１ 第　１１ 図 １≠１　。 ：　−２・ 一一一一一一一 第１２区 第１３区 第１４ 図 第１５ 区 第 区 ←Ｖｒａた

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光電変換素子により原稿の濃度に応じた電気信号を
   画像信号として得る画像読取装置において、１ラインに
   わたる出力信号のうち、感光部に光シールドがなされて
   いる画素の出力部分を一定時間所定の積分ゲインで積分
   することにより前記画素出力の平均値を求める第１の平
   均値サンプル・ホールド手段と、該第１の平均値サンプ
   ル・ホールド手段の後段の出力を画像を読み取り信号の
   出力から減ずる減算手段とを設けたことを特徴とする画
   像読取装置。 ２、光電変換素子により原稿の濃度に応じた電気信号を
   画像信号として得る画像読取装置において、１ラインに
   わたる出力信号のうち、明るさの基準となる対象を撮像
   した画素の出力部分を一定時間所定の積分ゲインで積分
   することにより前記画素出力の平均値を求める第２の平
   均値サンプル・ホールド手段と、第２の平均値サンプル
   ・ホールド手段の出力値を基準として画像の読み取り信
   号を正規化する正規化手段とを設けたことを特徴とする
   画像読取装置。 ３、光電変換素子により原稿の濃度に応じた電気信号を
   画像信号として得る画像読取装置において、１ラインに
   わたる出力信号のうち、感光部に光シールドがなされて
   いる画素の出力部分を一定時間所定の積分ゲインで積分
   することにより前記画素出力の平均値を求める第１の平
   均値サンプル・ホールド手段と、該第１の平均値サンプ
   ル・ホールド手段の出力値を基準として画像の読み取り
   信号を正規化する正規化手段とを設けたことを特徴とす
   る画像読取装置。 ４、光電変換素子により原稿の濃度に応じた電気信号を
   画像信号として得る画像読取装置において、該光電変換
   素子の１画素ごとの出力に対して一定時間所定の積分ゲ
   インで積分することによりそれぞれの画素の平均値を求
   める第３の平均値サンプル・ホールド手段を設けたこと
   を特徴とする画像読取装置。