JPH0494263A - 画像形成装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技東公国 本発明は、画像形成装置及び方法、より詳細には、レー
ザプリンタに関し、例えば、ディジタル複写機、ディジ
タルカラー複写機等に適用して好適なものである。

災米伎権 電子写真技術とレーザ走査技術とを組み合わせたレーザ
プリンタは、普通紙が使用でき、がっ、高速で高品質な
画像が得られるため、急速にコンピュータの出力装置又
はディジタル複写機として普及してきている。このよう
なもとで更なる高品位画像を得るためには、１ドツト多
値記録力式により解像度と階調性とを両立させる記録方
式が有効な方法である。

多値記録方式には、大きく分けて、半導体レーザの光強
度変調方式とパルス幅変調方式があり、パルス幅変調方
式においては２値記録に近いことから外部変動要因に対
し比較的安定な記録が行える。しかしながら、レーザ走
査速度の上昇（書込み画素クロックの上昇）に伴いパル
ス幅を変化させる時間刻みが非常に短くなる。例えば、
画素クロックが２０ＭＨｚの場合、１ドツトで表現する
階調数を２５６階調とろうとすると約０．２ｎｓ、の時
間刻みが要求され、精度・コストの観点から非常に問題
となる。

一方、半導体レーザの光強度を変調させる方式において
は、感光体の中間露光領域（不飽和領域）を使用するた
め、露光エネルギー制御精度が要求されるが、この技術
は高速に光・電気負帰還ループを形成することにより実
現される。この制御技術により容易に画素クロック２０
ＭＨｚにおいて２５６階調を実現することができる。

しかしながら、半導体レーザの光強度を変化させる方式
により、電子写真プロセスにより、画像形成を行った場
合、次に述べるような問題点力１生じる。

１、記録媒体（感光体）の速度変動による濃度変動があ
る。

２、ポリゴンの面倒れによる濃度変動がある。

３、感光体表面電位が低濃度部におし１て急峻な分布に
ならないため、ドツトの再現が低下する。

４、電子写真プロセスにおいては、上述した濃度変動や
現像バイアス変動などに対して使用する感光体のγ特性
によりある濃度領域で見かけ上の濃度反転や濃度ムラが
発生しやすくなる。

５．１ドツトにより階調表現を行う場合よりも複数個の
ドツトにより階調再現を行った場合の方が、均一な濃度
領域での画像の滑らかさが向上する一方、解像力が低下
する。

従来、上記５の欠点を補う方法として、マトリクス多階
調記録を行う画像出力装置において、マトリクスの大き
さを原画像の情報における空間周波数が高いときは小さ
く、空間周波数が低いときは大きくなるように変化させ
る方法（特開昭５７−１５９１７３号公報）が提案され
ているが、空間周波数を検出してマトリクスのスイッチ
ングを行うという具体的な実現方法については提案され
ていない。また、パルス幅変調、光強度変調どちらの変
調方式においても現在広く用いられている乾式電子写真
プロセスではトナー粒径が大きい等の理由により、１ド
ツト以下の微小ドツトは忠実に再現されずノイジーな画
像となってしまうという欠点を有する。

■−−枚 本発明は、上述のごとき実情に基づいてなされたもので
、上記パルス幅変詞方式における問題点及び光強度変調
方式における問題点を解決し、画像の滑らかさを向上さ
せるような階調再現方法を用い、また、電子写真プロセ
スの不安定さにあまり影響されないようにしてレーザ走
査技術と電子写真技術と組み合せたレーザプリンタによ
り高品位画像が得られる画像形成装置及び方法を提供す
るものである。

■二−コ叉 本発明は、上記目的を達成するために、（１）複数のパ
ルス幅に設定され、画像情報に基づいて各パルス幅を選
択した上で露光光量を各画素情報にしたがって各画素ご
とに変化させ、画像情報における特定したある画素濃度
に基づいてパルス幅の選択・切り替えを行なう第１の手
段と、前記入力された画像情報のＭ×Ｎ個の画素情報に
よりあらかじめ決められたＭ×Ｎ個のパターンの画素情
報に変換する第２の手段と、前記入力されたに×Ｌ個の
画素情報の微分係数に応じて、前記第１の手段と前記第
２の手段とを選択する第３の手段とにより構成したこと
、或いは、（２）記録する最小画素に対する露光時間が
１００％ではないパルス幅に設定され、画像情報に基づ
いて各パルス幅を選択した上で露光光量を各画素情報に
したがって各画素ごとに変化させ、画像情報における特
定したある画素濃度に基づいてパルス幅の選択・切り替
えを行なう第１の手段と、前記入力された画像情報のＭ
×Ｎ個の画素情報によりあらかじめ決められたＭ×Ｎ個
のパターンの画素情報に変換する第２の手段と、前記入
力されたＫ×Ｌ個の画素情報の微分係数に応じて、前記
第１の手段と前記第２の手段とを選択する第３の手段と
により構成したことを特徴とするものであり、更には、
（３）前記（１）又は（２）において、記録光源が半導
体レーザであり、被駆動半導体レーザの光出力を受光部
により検知し、この受光部から得られる前記半導体レー
ザの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号と
が等しくなるように前記半導体レーザの順方向電流を制
御する光電気負帰還ループと、前記受光信号と前記発光
レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レーザ
の光出力・順方向電流特性及び前記受光部と前記半導体
レーザの光出力との結合係数、前記受光部の光入力・受
光信号特性に基づいて前記発光レベル指令信号を前記半
導体レーザの順方向電流に変換する変換手段とを有し、
前記光・電気負帰還ループの制御電流と前記変換手段に
より生成された電流との和又は差の電流により前記半導
体レーザを制御する手段により半導体レーザ制御部を構
成したことを特徴とするものである。以下、本発明の実
施例に基づいて説明する。

前述のように、特開昭５７−１５９１７３号公報におい
ては、マトリクス多階調記録を行う画像出力装置におい
て、マトリクスの大きさを原画像の情報における空間周
波数が高いときは小さく、空間周波数が低いときは大き
くなるように変化させることを特徴としている。しかし
、この従来技術と本発明の相違点は以下の説明から明ら
かなように下記の通りである。

１、上記従来技術には、空間周波数を検出してマトリク
スのスイッチングを行う具体的実現方法が記載されてい
ない。

２、上記従来技術ではマトリクスのサイズを大／ＩＸし
ているが１本発明では１ドツト（ＩＸＩ）とマトリクス
（Ｍ×Ｎ）を切り替えている。

３、上記従来技術では、空間周波数を検出しているが、
本発明では画素情報の濃度が大きく変化する所のみ検出
すれば良いので微小分係数を算出している。

第１図は、請求項第１項及び第４項に記載の発明におけ
る第１の手段を説明するための図で、図中、Ａ１．Ａ、
、Ａ３．Ａ４はパルス幅、　Ｂ１．　Ｂ２゜Ｂ、、Ｂ４
はそれぞれのパルス幅における光強度変調範囲で、パル
ス幅は画素ピッチに対する％で示され、第１図において
、八〇は２５％、Ａ２は５０％、Ａ３は７５％、Ａ、は
１００％の場合を示し、図示のように、複数のパルス幅
に対し各々のパルス幅において光強度を変調する光書込
方式を、入力される画像データの各画素濃度に従って組
み合わせると共に、各パルス幅の切り替えを特定された
画素濃度に基づいて行うものである。

ｆＪＳ２図及び第３図は、請求項第２項及び第５項に記
載の発明における第１の手段を説明するための図で、第
２図中、Ａ１はパルス幅が２５％、Ａ２は５０％、Ａ、
は７５％の場合を示し、Ｂ工〜Ｂ。

はそれぞれの場合における光強度変調範囲を示し、図示
のように、露光時間が１００％でない複数のパルス幅Ａ
ユ〜Ａ、に対し各々のパルス幅において光強度を変調す
る光書込方式を、入力される画像データの各画素濃度に
従って組み合せると共に、各パルス幅の切り替えを特定
された画像濃度に基づいて行うものである。

第３図は、デユーティ１００％における光出力波形（、
）図と、デユーティ＜１００％における光出力波形（ｂ
）図との関係を示す図で、図中、ＬＢはレーザビームで
ある。通常、光記録のパルス幅Ｔ０は、 Ｔ、＝ｄ／ｖ （ただしｄ：画素ピッチエ１／記録密度、■＝記録光走
査速度である。） で与えられるが、請求項第２項及び第５項の発明ではパ
ルス幅Ｔ＜Ｔ、として記録を行う。

第４図は、パルス幅を２５％（曲線Ａ）、５０％（曲線
Ｂ）、７５％（曲ＩＩＡＣ）、１００％（曲線Ｄ）、と
した場合のパワー変調およびパルス幅変調（曲線Ｅ）に
よる場合の１ドツトピクセルの相対濃度と感光体の通量
露光領域に依存する不飽和濃度領域との関係を示す図で
、この図において、不飽和濃度比が小さいほど感光体に
形成されるポテンシャル井戸が急峻でありドツト再現性
が向上することが分る。

しかしながら、例えば、デユーティ２５％の場合、露光
エネルギーを上げても濃度が上がらなくなる。そこで、
たとえば、相対濃度が０．６のところでデユーティ２５
％のパルス幅から５０％のパルス幅へ切り替え、れば、
パルス幅変調を単独で行った場合より不飽和濃度領域が
少ない部分に設定できる。更に、請求項第１項及び第４
項の発明においては、濃度が０．８で７５％のパルス幅
に切り替え、濃度が１．１のときに１００％のパルス幅
に切り替えれば感光体の中間露光領域に依存する部分を
小さくしたままで、また、パルス幅の設定数が少ないの
でパルス幅の設定精度を上げることが容易に実現できる
。また、請求項第２項及び第５項の発明においては、濃
度が０．８で７５％のパルス幅に切り替えれば、パルス
幅変調を単独で行なった場合やパルス幅デユーティ１０
０％で強度変調を行なった場合よりも、感光体の中間露
光領域に依存する部分を小さくしたままで、゛また、パ
ルス幅の設定数が少ないのでパルス幅の設定精度を上げ
ることが容易に実現できる６さらに。

半導体レーザの制御は、光・電気負帰還ループの制御速
度を１０ｎｓ、程度で実現すれば画素クロックが２０Ｍ
Ｈｚにおいても容易に光の制御精度が実現できる。また
、濃度がいくつであるかは、画像データの値により検知
することができるので、画像データに応じてパルス幅を
選択すれば良い。

ところが、使用する感光体のγ特性によっては画像の濃
度領域で露光エネルギーに対する濃度変動分の大きい場
合があり、不安定な電子写真プロセスにおいては、例え
ば、第５図に示すように。

５０％のパルス幅から７５％のパルス幅へ低濃度領域の
ところで切り替えた場合、現像バイアスの変動ｄから生
じる画像濃度変動により実際の濃度と異なる画素濃度を
形成し易くなり、画像でみた場合、濃度ムラが発生した
り濃度が反転したりしてその濃度変動の影響を無視でき
なくなる。そこで、その濃度変動の影響を見かけ上なく
すために。

各々のパルス幅において光強度を変調する光書込方式を
用いた場合、各パルス幅を選択し切り換えるのを、感光
体γ特性曲線において露光エネルギーに対する濃度変動
分の小さい領域で実施する。

例えば、第６図に示したγ特性曲線において、■は濃度
変動が小さい領域、■は濃度変動が大きい領域、■はハ
イライト部であるが、Ｗｉ光ビームの潜像電位ポテンシ
ャルが２００ｖ以下となるような濃度領域、つまり、γ
特性曲線のなだらかな部分でパルス幅の切り換えを行な
えば上述したような不具合は起こらず、安定、かつ、良
好な画像を得ることができる。また、低濃度領域（ハイ
ライト部）におけるなだらかな部分での切り替えは、画
像パターンによっては改善することが可能である。

第７図は、感光体又は書込み光学系の速度変動（または
レーザ走査位置の変動）により発生する濃度変動を示す
図で、図中、曲線へ〇はパワー変調、曲線Ａ２はパワー
変調（デユーティ５０％）、曲線Ａ３はパワー変調（デ
ユーティ２５％）を示し、曲線Ｂはパルス幅変調を示す
が、この図から、画像濃度によりパルス幅を変化させた
光強度変調の有効性（請求項第１項及び第４項）、更に
は、前記有効性とパルス幅デユーティが１００％でない
方の優位性（請求項第２項及び第５項）が分り、高濃度
領域において、つまり、γ特性曲線のなだらかな部分に
おいて、濃度ムラが減少していることから、この濃度領
域におけるパルス幅切り換えが有効である事がわかる。

以上に述べた説明では、パルス幅が２５％。

５０％、７５％（１００％、請求項第１項及び第４項）
についてしか説明してないが、画像濃度反転が発生しな
いような濃度領域であれば、このパルス幅を更に異なる
値にとっても同様な効果が得られる。

以上が第１の手段に対する説明であるが、乾式電子写真
においては、上記方法だけではまだドツト再現性に欠け
る。ドツト再現性が要求される領域は画像濃度変化がゆ
るやかな（空間周波数が低い）領域であり、また、電子
写真においてとりわけ低濃度部でのドツト再現性が悪い
ので、このような画像領域に対してはドツト集中型のマ
トリクスによる擬似中間調表現方法が滑らかな画像を表
現することができる。この方法が第２の手段であり、第
１の手段と第２の手段を併用することにより高品位画像
を得ることができる。

以上に、第１の手段および第２の手段に対する事柄を説
明したが、特に、第２の手段においては、確かに低濃度
部分だけ、もしくは高濃度部分だけにおける画像の滑ら
かさは向上するが、低濃度部と高濃度部の境界において
もマトリクスで書き込むため、境界部における解像度が
低下してしまうという不具合が生じる。そこで、濃度変
化が少ないところでは上述したマトリクスによる擬似中
間調表現を用い、濃度が大きく変化するところでは１ド
ツトのみの多階調表現を用いるように切り替えを行なえ
ば、より高解像度で高品位な画像を得ることができる。

ここで、前記第１の手段と第２の手段の切り替えを、第
３の手段により、Ｋ×Ｌ個の入力画素情報の微分係数に
応じて行う。第８図は、このようにして構成された切り
替え手段の一実施例を示す図で、図中、１０はマトリク
スパターン発生部（Ｍ×Ｎドツトパターン）、１１はパ
ルス幅設定及び発生強度設定（ＩＸＩ）、１２は微分係
数算出部、１３はディジタルコンパレータで、この切り
替え手段として微分係数を用いている理由は、微分係数
は、すなわち、濃度変化の大きさであるので画像濃度変
化部分を常時検出する事が可能となり、濃度が大きく変
化する部分、つまり、微分係数が大きい部分では１ドツ
ト多階調表現を行い、濃度があまり変化しない領域、つ
まり、微分係数が小さい領域では、マトリクスによる擬
似中間調表現を行うことができる。

第１０図は、上記微分係数算出部１２における微分係数
算出の具体例を示す図で、まず、第９図（ａ）、（ｂ）
に示すような２Ｘ２、または３×３の画素情報を考える
。今、注目する画素を（ｉ、ｊ）、画素濃度をＡ　（、
ｊ、微分係数をｆ　（ｊ＋　ｊ）とする。まず、２Ｘ２
の画素情報により微分係数を算出する一例としては、微
分係数ｆ　（ｘ＋　ｊ）をｉ。

ｊ方向の微分係数の２乗和の平均板、つまりｆ　（ｌ　
ｒ　　ｊ）＝　　［（Ａ＋−１１ｊ　　　ＡＩＩＪ）２
＋（Ａｔｙ＊　　　ＡＨＡａ−８）２コ　１／２とする
方法がある。また、第９図（ｂ）に示すような３Ｘ３の
画素情報において微分係数を算出する例として、第１０
図（ａ）、（ｂ）に示すような二次微分の空間フィルタ
を考える。これらのフィルタを第９図（ｂ）の画素情報
にかけて総和をとる事により微分係数ｆ　（１１ｊ）を
算出することができる。ここで、微分係数を算出するマ
トリクスと擬似中間調表現を行うマトリクスのサイズが
同一である必要はない。また、微分係数を検出する領域
を上記例では２×２または３×３のマトリクスとしたが
、どのような領域を設定しても良いし、さらに、微分係
数を簡単に検出する手段は、ここにのべた以外にも多数
存在し、それらの手段を用いても有効であることは勿論
である。

第８図は、前述の第１の手段と第２の手段の切り替えを
行う第３の手段の具体例を示す図で、まず、先に微分係
数算出部１２で算出したｆ　（ｉ。

ｊ）の値の絶対値をディジタルコンパレータ１３に入力
して、ｆ　（１＋　ｊ）の値とある基準値との大小を判
断し、その出力で先に述べた第１の手段と第２の手段の
切り替えを行う。ここで、この基準値の設定の一例とし
ては、ｆ　Ｃｘｐ　Ｊ）の値の絶対値が０〜１００であ
る場合を考え、基準値を５０に設定する。そして、ｆ　
（ｌｙ　Ｊ）の値の絶対値がＯ〜５０であればマトリク
スによる擬似中間調表現を行い、ｆ（ｉ＋　Ｊ）の値の
絶対値が５１〜１００であれば１ドツトで多階調表現を
行う。

ここでは基準値を微分係数の最大値の絶対値の半分とし
たが、この設定には微分係数算出の方法や他の種々の要
因も関与するため、状況に応じてどのように設定しても
よい。さらに、切り替えを行なう際、擬似中間調表現を
行うマトリクス内のある１ドツトが１ドツト多階調表現
をしなければならない場合が起こりうるが、この場合は
、マトリクス内のどの１ドツトでも１ドツト多階調表現
が必要ならば、このマトリクス内のドツトすべてを１ド
ツト多階調表現とする、等の方法で切り替えを行なえば
良い。

このようにして得られるドツトパターンの一例を第１１
図に示す。図中、同一パターン内で表現階調が異なるの
は、半導体レーザの光出力強度を変化させているためで
ある。また、第１１図において、設定したパルス幅は４
であるが、これは４でなくとも本発明の効果が得られる
ことは明らかである。

以上述べたように、本発明により、感光体の速度変動、
又はレーザ走査位置の変動の影響を受けにくく、かつド
ツト再現性や露光エネルギー制御精度が良く、濃度ムラ
や濃度反転のない適切な濃度分布を有する画像を出力す
るレーザプリンタを構成できるので、高品位画像を得る
ことが可能な画像形成装置の具体的構成を提供できる。

第１２図は、半導体レーザ制御部（請求項第３項及び第
６項）の動作を説明するための図で、図中、１は比較増
幅器、２は電流変換器、３は半導体レーザ、４は受光素
子で、発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換
器２に入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部
が受光素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半
導体レーザ３、受光素子４は光・電気負帰還ループを形
成し、比較増幅器１は受光素子４に誘起された光起電流
（半導体レーザ３の光出力に比例する）に比例する受光
信号と発光レベル指令信号とを比較してその結果により
半導体レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル指
令信号とが等しくなるように制御する。また電流変換器
２は前記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなる
ように発光レベル指令信号にしたがって予め設定された
電流（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受
光素子４と半４体レーザ３との結合係数、受光素子４の
光入力・受光信号特性に基づいて予め設定された電流）
を出力する。この電流変換器２の出力電流と、比較増幅
器１より出力される制御電流との和の電流が半導体レー
ザ３の順方向電流となる。

ここで、前記光・電気負帰還ループの開ループの交叉周
波数をｆ。とじＤＣゲインを１００００とした場合、半
導体レーザ３の光出力Ｐｏｕｔのステップ応答特性は次
のように近似できる。

Ｐｏｕｔ　＝　ｐＬ＋　（ＰＳ−ＰＬ）ｅｘｐ　（−２
πｆｏｔ）ＰＬ：ｔ＝ωにおける光出力 ＰＳ：電流変換器２により設定された光量光・電気負帰
還ループの開ループでのＤＣゲインを１００００として
いるので、設定誤差の許容範囲を０．１％以下とした場
合にはＰＬは設定した光量に等しいと考えられる。

したがって、かりに電流変換器２により設定された光量
ＰＳがＰＬに等しければ、瞬時に半導体レーザ３の光出
力がＰＬに等しくなる。また、外乱等によりＰＳが５％
変動したとしてもｆ。＝４０ＭＩ（ｚ程度であれば、Ｉ
ｏｎｓ、後には半導体レーザ３の光出力は設定値に対す
る誤差が０．４％以下になる。

このようにして実現される高速・高精度・高分解能半導
体レーザ制御回路を用いることにより、パルス幅が短く
なっても露光光量を精度良く制御できるので、感光体の
速度変動、又はレーザ走査位置の変動の影響を受けに＜
＜、かつ、ドツト再現性が良く、更には、露光エネルギ
ー制御精度の良いレーザプリンタを構成できるので、高
品位画像を得ることが可能な画像形成装置の具体的構成
を提供できる。

処−一部 以上の説明から明らかなように、請求項第１項及び第４
項に記載の発明によると、感光体γ特性曲線において濃
度反転が発生しにくいような濃度領域にある画素につい
てのみパルスの切り替えを行なって、複数のパルス幅に
設定させる光強度変調と、画像情報の微分係数に基づい
て、容易に１ドツト多階調表現方法とマトリクスによる
ｉ似中間調表現方法とを切り替えることができる具体的
手段を有しているので、滑らかで、かつ高解像度である
画像を得ることができ、感光体の速度変動、レーザ走査
位置変動の影響を受けにくく、また、露光エネルギーの
制御精度が良好なレーザプリンタを実現でき、高品位画
像が得られる画像形成装置及び方法を提供できる。

また、請求項第２項及び第５項に記載の発明によると、
感光体γ特性曲線において濃度反転が発生しにくいよう
な濃度領域にある画素についてのみ、デユーティが１０
０％より小さいパルス幅の切り換えを行なって、複数の
パルス幅に設定させる光強度変調と、画像情報の微分係
数に基づいて、容易に１ドツト多階調表現方法とマトリ
クスによる擬似中間調表現方法とを切り替えることがで
きる具体的手段を有しているので、滑らかで、かつ高解
像度である画像を得ることができ、感光体の速度変動、
レーザ走査位置変動の影響を受けにくく、また、露光エ
ネルギーの制御精度が良好なレーザプリンタを実現でき
、高品位画像が得られる画像形成装置及び方法を提供で
きる。

更に、請求項第３項及び第６項に記載の発明によると、
高速・高精度・高分解能半導体レーザ制御回路により半
導体レーザを制御しているので露光エネルギーの制御精
度が高く、また、感光体γ特性曲線において濃度反転が
発生しにくいような濃度領域にある画素についてのみパ
ルスの切り替えを行なって、複数のパルス幅に設定させ
る光強度変調と、画像情報に基づ、いて、容易に１ドツ
ト多階調表呪方法とマトリクスによる擬似中間調表現方
法とを切り替えることができる具体的手段を有している
ので、感光体の速度変動、レーザ走査位置変動の影響を
受けにくく、また、露光エネルギーの制御精度が良いレ
ーザプリンタを実現でき、濃度反転や濃度草創のない解
像度が向上した高品位画像が得られ、更には、高速・高
精度・高分解能半導体レーザ制御回路により半導体レー
ザを制御しているので露光エネルギーの制御精度が高く
、また、感光体γ特性曲線において濃度反転が発生しに
くいような濃度領域にある画素についてのみ、そのデユ
ーティが１００％より小さいパルス幅の切り換えを行な
って、複数のパルス幅に設定させる光強度変調と、画像
情報に基づいて、容易に１ドツト多階調表現方法とマト
リクスによる擬似中間調表現方法とを切り替えることが
できる具体的手段を有しているので、感光体の速度変動
、レーザ走査位置変動の影響を受けにくく、また、露光
エネルギーの制御精度が良いレーザプリンタを実現でき
、濃度反転や濃度草創のない解像度が向上した高品位画
像が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、請求項第１項及び第４項に記載の発明の第一
の手段を説明するための図、第２図は、請求項第２項及
び第５項に記載の発明の第一の手段を説明するための図
、第３図は、光書き込みにおける光源の光出力波形を示
す図、第４図は、パワー変調及びパルス幅変調における
１ドツトピクセルの相対濃度と不飽和濃度領域との関係
を示す図、第５図は、パルス幅を変えた時の現像バイア
スの変化を示す図、第６図は、感光体のγ特性曲線図、
第７図は、画像濃度と濃度ムラの例を示す図、第８図乃
至第１０図は１本発明を乾式電子写真に適用した場合の
一例を説明するための図、第１１図は、その場合のドツ
トパターンの例を示す図で、（ａ□）　、　（、、）は
擬似中間調表現を行う場合、　　（ｂｌ）　、　（ｂｚ
）は１ドツト多値記録を行う場合を示す図、第１２図は
、半導体レーザ制御部の一例を示す図である。 １・・・比較増幅器、２・・・電流変換器、３・・・半
導体レーザ、４・・・受光素子、１０・・・マトリクス
パターン発生部、１１・・・パルス幅設定及び光強度設
定部、１２・・・微分係数算出部、１３・・・ディジタ
ルコンパレータ。 第１図 第２図 特許出願人　　株式会社　リ　コ 第 図 速度Ｖ に＝〉 第 図 柑刈ＪＪｔ 第 図 第 図 第 図 ５Ｃイ一一一一す７シ 第 図 オプテイカルテ）シティｏＤ 第９区 （ａ） 第１０図 （ａ） （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数のパルス幅に設定され、画像情報に基づいて各
   パルス幅を選択した上で露光光量を各画素情報にしたが
   って各画素ごとに変化させ、画像情報における特定した
   ある画素濃度に基づいてパルス幅の選択・切り替えを行
   なう第１の手段と、前記入力された画像情報のＭ×Ｎ個
   の画素情報によりあらかじめ決められたＭ×Ｎ個のパタ
   ーンの画素情報に変換する第２の手段と、前記入力され
   たＫ×Ｌ個の画素情報の微分係数に応じて、前記第１の
   手段と前記第２の手段とを選択する第３の手段とにより
   構成したことを特徴とする画像形成装置。 ２、記録する最小画素に対する露光時間が１００％では
   ないパルス幅に設定され、画像情報に基づいて各パルス
   幅を選択した上で露光光量を各画素情報にしたがって各
   画素ごとに変化させ、画像情報における特定したある画
   素濃度に基づいてパルス幅の選択・切り替えを行なう第
   １の手段と、前記入力された画像情報のＭ×Ｎ個の画素
   情報によりあらかじめ決められたＭ×Ｎ個のパターンの
   画素情報に変換する第２の手段と、前記入力されたＫ×
   Ｌ個の画素情報の微分係数に応じて、前記第１の手段と
   前記第２の手段とを選択する第３の手段とにより構成し
   たことを特徴とする画像形成装置。 ３、記録光源が半導体レーザであり、被駆動半導体レー
   ザの光出力を受光部により検知し、この受光部から得ら
   れる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発
   光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
   ザの順方向電流を制御する光電気負帰還ループと、前記
   受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなるよう
   に前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性及び前記
   受光部と前記半導体レーザの光出力との結合係数、前記
   受光部の光入力・受光信号特性に基づいて前記発光レベ
   ル指令信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換する
   変換手段とを有し、前記光・電気負帰還ループの制御電
   流と前記変換手段により生成された電流との和又は差の
   電流により前記半導体レーザを制御する手段により半導
   体レーザ制御部を構成したことを特徴とする請求項１又
   は２記載の画像形成装置。 ４、複数のパルス幅に設定され、画像情報に基づいて各
   パルス幅を選択した上で露光光量を各画素情報にしたが
   って各画素ごとに変化させ、画像情報における特定した
   ある画素濃度に基づいてパルス幅の選択・切り替えを行
   なう第１の手段と、前記入力された画像情報のＭ×Ｎ個
   の画素情報によりあらかじめ決められたＭ×Ｎ個のパタ
   ーンの画素情報に変換する第２の手段と、前記入力され
   たＫ×Ｌ個の画素情報の微分係数に応じて、前記第１の
   手段と前記第２の手段とを選択する第３の手段とにより
   構成したことを特徴とする画像形成方法。 ５、記録する最小画素に対する露光時間が１００％では
   ないパルス幅に設定され、画像情報に基づいて各パルス
   幅を選択した上で露光光量を各画素情報にしたがって各
   画素ごとに変化させ、画像情報における特定したある画
   素濃度に基づいてパルス幅の選択・切り替えを行なう第
   １の手段と、前記入力された画像情報のＭ×Ｎ個の画素
   情報によりあらかじめ決められたＭ×Ｎ個のパターンの
   画素情報に変換する第２の手段と、前記入力されたＫ×
   Ｌ個の画素情報の微分係数に応じて、前記第１の手段と
   前記第２の手段とを選択する第３の手段とにより構成し
   たことを特徴とする画像形成方法。 ６、記録光源が半導体レーザであり、被駆動半導体レー
   ザの光出力を受光部により検知し、この受光部から得ら
   れる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発
   光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
   ザの順方向電流を制御する光電気負帰還ループと、前記
   受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなるよう
   に前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性及び前記
   受光部と前記半導体レーザの光出力との結合係数、前記
   受光部の光入力・受光信号特性に基づいて前記発光レベ
   ル指令信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換する
   変換手段とを有し、前記光・電気負帰還ループの制御電
   流と前記変換手段により生成された電流との和又は差の
   電流により前記半導体レーザを制御する手段により半導
   体レーザ制御部を構成したことを特徴とする請求項４又
   は５記載の画像形成方法。