JPH0493044A - 半導体ウエハの厚さ測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェハの厚さ測定装置、特に厚さ不
良と判定された半導体ウェハにパッドマークをつける厚
さ測定装置に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体ウェハのチップの電気的特性を測定するウェハプ
ロービング装置では、測定後に不良チップが目視て確認
できるように、インクマーカまたはレーザーマーカ或い
はスクラッチマーカ等によって半導体ウェハのチップ上
にバラ１〜マークをつけるのが普通である。

近年、半導体のピエゾ効果を利用した圧力センサ素子が
量産されるようになり、その電気的特性を測定するほか
に半導体ウェハ上の各チップの厚さを正確に測定する必
要性からウェハ厚み測定装置が使われるようになって来
た。

しかるに、ウェハチップの厚さを正確に測定するには機
械的に測定する方法のほかにＩＴＶ（工業用テレビ〉カ
メラを使った光学的方法が利用されるが、不良チップの
マーキングには従来の電気的特性を測定するウェハプロ
ービング装置と同様にインクマーカ、レーザーマーカ、
或いはスクラッチマーカなどが利用されている。しかし
、圧力センサ用のウェハチップのセンサ部分のチップの
厚さは２０〜４０μｍと一般のＩＣのウェハチップに比
較して１０分の１程度であり、不良チップでは更に薄い
ものや取扱い等によって孔がおいてしまっている場合も
ありうる。このような場合、普通の不良品と同様にマー
カを動作させると半導体ウェハを支持しているブロービ
ング装置のステージに直接マーキングを行ってしまう可
能性があり、ステージを汚しなり傷つけたりする危険性
があった。

また、半導体ウェハをその周辺のみで保持し、半導体ウ
ェハの下方に直接、厚さ測定装置の測定系が組込まれて
いる場合には、マーカのインクが落下して測定系の故障
の原因にもなりがねない問題点を有していた。

従来、この様なトラブルを避けるためにマーキングの位
置を、センサ部分である厚さの薄い部分を避けてその周
辺部の比較的厚くて孔の生じない所に行うなどの方法が
考えられていた。しかし、この方法では相隣るチップと
の誤認識の原因にもなり、必ずしも満足ずべき方法では
なかった。

第２図は半導体ウェハの厚さを測定する従来装置の一例
を示ずブロック図である。なお、説明を簡単にするなめ
、マーキングは厚さを測定したあと直ちにその場で行う
ものを図示した。図において、（１）は厚さが測定され
る半導体ウェハ、（２）はこの半導体（１）を支持する
ためのステージ、（３）は半導体ウェハ（１）の厚さを
測定するための厚さ測定部、（４）はこの厚さ測定部（
３）と電気的に接続され、測定された厚さが不良かどう
かを判定するための厚さ不良判定回路、〈５）はこの厚
さ不良判定回路（４）と電気的に接続されたドライバ回
路、そして（６）はこのドライバ回路（５）によって電
気的に駆動され、半導体ウェハの後述するチップ上にバ
ッドマークをつけるためのマーカである。

第３図は半導体ウェハ例えば圧力センサ用ウェハの一例
を示した断面図であって、センサ部分（１ａ）の厚さが
普通２０〜４０μｍ、不良チップではゼロ即ち孔がおい
ているものもある。チップ部分（１ｂ）はセンサ部分（
１ａ）の周辺部に相当し、普通１５０〜４００μｍの厚
さがあるなめこの部分にマーキングを行うこともあった
が、隣接チップとの誤認識の可能性がある。

従来の厚さ測定装置は上述したように構成されており、
半導体ウェハ（１）の厚さを測定した厚さ測定部（３）
による測定信号が厚さ不良判定回路（４）によって不良
（測定した厚さが所定の基準厚さ範囲に入らない場合）
と判断されると、厚さ不良判定回路（４）は不良信号を
発生する。この不良信号はドライバ回路（５）を通して
マーカ（６）を駆動し、これによりマーカ（６）はバッ
ドマークを不良チップ上につける。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の厚さ測定装置ては、上述したように、半導体ウェ
ハを支持しているブロービング装置のステージを汚した
り傷つけたりする危険性があり、またマーカのインクが
落下して測定系が故障したり、更に相隣るチップとの誤
認識になっなりするという問題点があった。

ところで、半導体ウェハに直接、不良マークをつけるの
は目視による判別を容易に行うためであって、孔あき不
良に対しては必ずしも特別にマークをつけなくても判別
できるのて、この発明は、この事実に着目してなされた
もので、厚さ測定の結果、厚さがゼロと判定されたもの
は孔あき不良であることを利用し、厚さゼロ検出信号で
マーカの動作を禁止させる厚さ測定装置を得ることを目
的としている。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体ウェハの厚さ測定装置は、厚さ測
定・判定手段とマーカ手段の間に接続され、所定の基準
厚さ範囲に入らない厚さがゼロであることを検出した時
に不良信号がマーカ手段に印加されるを禁止するゼロ検
出・禁止手段を設けたものである。

〔作　用〕

この発明においては、厚さ不良判定回路が厚さ不良と判
定して不良信号を発生した時に、更に厚さゼロ検出回路
が厚さゼロを検出すれば、禁止回路が不良信号をマーカ
に印加させない。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について詳しく説明する
。

第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図であり、
図において（１）〜（６）は第２図に示したものと全く
同じである。

（７）は厚さ不良判定回路（４）と電気的に接続され、
厚さ不良判定回路（４）が不良と判定した厚さが更にゼ
ロかどうかを検出するための厚さゼロ検出回路、そして
（８）はこれら厚さ不良判定回路（４）および厚さゼロ
検出回路（７）と電気的に接続され、厚さ不良判定回路
（４）から出力された不良信号を、厚さゼロ検出回路（
７）の検出信号が来たときにドライバ回路へ伝送させな
いための禁止回路である。なお、厚さ測定部（３）およ
び厚さ不良判定回路（４）は厚さ測定・判定手段を構成
し、ドライバ回路（５）およびマーカ（６）はマーカ手
段を構成し、そして厚さゼロ検出回路（７）および禁止
回路（８）はゼロ検出禁止手段を構成する。

この発明でも、半導体ウェハ（１）の厚さは厚さ測定部
（３）で行われるが、その厚さがゼロ即ち孔あきデツプ
の場合には、厚さ不良判定回路（４）、厚さゼロ検出回
路（７）がそれぞれ不良信号、ゼロ検出信号を発生する
。これら不良信号およびゼロ検出信号は禁止回路（８）
に印加され、ゼロ検出信号によって不良信号がドライバ
回路（５）へ行くのを禁止する。従って、孔あき不良に
対してマーカ（６）は動作しない。

しかしながら、厚さ不良判定回路（４）が厚さ不良と判
断して不良信号を出していても厚みゼロ検出回路（７）
が厚みゼロを検出していない場合、即ち孔がおいていな
い場合には、厚みゼロ検出回路（７）からはゼロ検出信
号が出ないため、禁止回路（８）は禁止作用をしない。

従って、不良信号はマーカ（６）を駆動することになり
、マーカ（６）はバッドマークをつけることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第２図
は従来の厚さ測定装置を示すブロック図、第３図は半導
体ウェハの断面図である。 図において、（１）は半導体ウェハ、（３）は厚さ測定
部、（４）は厚さ不良判定回路、（５）はドライバ回路
、（６）はマーカ、（７）は厚さゼロ検出回路、（８）
は禁止回路である。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハの厚さを測定し、この厚さが所定の
   基準厚さ範囲に入らない場合に不良信号を発生する厚さ
   測定・判定手段と、この厚さ測定判定手段によって発生
   された不良信号によって駆動され、前記基準厚さ範囲に
   入らない厚さを持った半導体ウェハに不良であることを
   示すバッドマークをつけるマーカ手段と、これら厚さ測
   定・判定手段とマーカ手段の間に接続され、前記基準厚
   さ範囲に入らない厚さがゼロであることを検出した時に
   は前記不良信号が前記マーカ手段に印加されるのを禁止
   するゼロ検出・禁止手段とを備えたことを特徴とする半
   導体ウェハの厚さ測定装置。