JPH0492893A - ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 - Google Patents
ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法Info
- Publication number
- JPH0492893A JPH0492893A JP20709090A JP20709090A JPH0492893A JP H0492893 A JPH0492893 A JP H0492893A JP 20709090 A JP20709090 A JP 20709090A JP 20709090 A JP20709090 A JP 20709090A JP H0492893 A JPH0492893 A JP H0492893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- single crystal
- synthesized
- silicon carbide
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title claims description 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 125
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 79
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- -1 distortion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は反応ガスの化学反応によりダイヤモンド薄膜を
合成する方法に関する。
合成する方法に関する。
［従来の技術］
エレクトロニクス材料、光学材料及び超硬工具などに応
用されるダイヤモンド薄膜の需要が最近増大している。
用されるダイヤモンド薄膜の需要が最近増大している。
そしてダイヤモンド薄膜の製造技術として、ＣＶ Ｄ
（ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）と呼ばれる技術が近年注目を集めている。この方法
は、例えばメタンガス（ｃＨ４）等の炭化水素化合物を
加熱したフィラメントあるいはプラズマ等を用いて分解
、イオン化することによって金属、半導体あるいはセラ
ミックス基板上にダイヤモンド状の炭素膜を成長させる
ものである。
（ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）と呼ばれる技術が近年注目を集めている。この方法
は、例えばメタンガス（ｃＨ４）等の炭化水素化合物を
加熱したフィラメントあるいはプラズマ等を用いて分解
、イオン化することによって金属、半導体あるいはセラ
ミックス基板上にダイヤモンド状の炭素膜を成長させる
ものである。
また基板としてダイヤモンド単結晶あるいは立方晶の窒
化ホウ素単結晶を用いると単結晶のダイヤモンド薄膜が
成長可能であることか報告されている。
化ホウ素単結晶を用いると単結晶のダイヤモンド薄膜が
成長可能であることか報告されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし前記ＣＶ Ｄ法等の従来方法により得られたダイ
ヤモンド薄膜は、はとんどかダイヤモンドの微粒子の集
合体からなる多結晶膜であり、単結晶膜は得にくかった
。この理由は主として、基板の結晶構造及び結晶格子定
数かダイヤモンドと大きく異なるためであった。
ヤモンド薄膜は、はとんどかダイヤモンドの微粒子の集
合体からなる多結晶膜であり、単結晶膜は得にくかった
。この理由は主として、基板の結晶構造及び結晶格子定
数かダイヤモンドと大きく異なるためであった。
また後者のように基板を選択する方法によると、現状で
はダイヤモンド及び窒化ホウ素ともに単結晶基板は極め
て高価であり、さらに高品質かつ１ｃｎｆ程度以上の大
きさという基板としての実用的要求を満たすダイヤモン
ド又は窒化ホウ素の単結晶基板は存在しないという問題
かある。従って、従来法によれば、発光素子や電子素子
に必要とされる高品質なダイヤモンド単結晶薄膜は得ら
れ難かった。
はダイヤモンド及び窒化ホウ素ともに単結晶基板は極め
て高価であり、さらに高品質かつ１ｃｎｆ程度以上の大
きさという基板としての実用的要求を満たすダイヤモン
ド又は窒化ホウ素の単結晶基板は存在しないという問題
かある。従って、従来法によれば、発光素子や電子素子
に必要とされる高品質なダイヤモンド単結晶薄膜は得ら
れ難かった。
そこで本発明の課題は、安価に高品質、大面積のダイヤ
モンド薄膜を合成し得る方法を提供することにある。
モンド薄膜を合成し得る方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段及び作用］前記課題を解決
するため請求項１の発明はシリコン単結晶基板上に厚さ
１００Å以上５０００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄
膜を合成し、該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上にダイヤモ
ンド薄膜を合成することを特徴とする請求項２の発明は
シリコン単結晶基板上に（ａ）厚さ２Å以上５００Å以
下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、（ｂ）該立方
晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上５００Å以下の
シリコン単結晶薄膜を合成するという前記（ａ）及び（
ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰り返し行った
後、最表面に合成されたシリコン単結晶薄膜上に厚さ２
Å以上５００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成
することにより、前記シリコン単結晶基板上に厚さ１０
０Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し、該多層膜上
にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とする請求項
３の発明はシリコン単結晶基板上に（ａ）厚さ２Å以上
５００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、（
ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上５０
０Å以下のダイヤモンド薄膜を合成するという前記（ａ
）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰り返
し行うことにより、前記シリコン単結晶基板上に厚さ１
００Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し、該多層膜
上にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とする請求
項４の発明はシリコン単結晶基板上に（ａ）厚さ２Å以
上１００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、
（ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上１
００Å以下のシリコン単結晶薄膜を合成するという前記
（ａ）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰
り返し行った後、最表面に合成されたシリコン単結晶薄
膜上に（ｃ）厚さ２Å以上１００Å以下の立方晶炭化珪
素単結晶薄膜を合成し、（ｄ）該立方晶炭化珪素単結晶
薄膜上に厚さ２Å以上１００Å以下のダイヤモンド薄膜
を合成するという前記（ｃ）及び（ｄ）からなる行程を
少なくとも２回以上繰り返し行うことにより、前記シリ
コン単結晶基板上に厚さ１００Å以上５０００Å以下の
多層膜を合成し、該多層膜上にダイヤモンド薄膜を合成
することを特徴とする請求項１においてダイヤモンド薄
膜の合成に先立ち、シリコン単結晶基板上に立方晶構造
の炭化珪素単結晶薄膜を合成するのは以下の理由による
。
するため請求項１の発明はシリコン単結晶基板上に厚さ
１００Å以上５０００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄
膜を合成し、該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上にダイヤモ
ンド薄膜を合成することを特徴とする請求項２の発明は
シリコン単結晶基板上に（ａ）厚さ２Å以上５００Å以
下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、（ｂ）該立方
晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上５００Å以下の
シリコン単結晶薄膜を合成するという前記（ａ）及び（
ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰り返し行った
後、最表面に合成されたシリコン単結晶薄膜上に厚さ２
Å以上５００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成
することにより、前記シリコン単結晶基板上に厚さ１０
０Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し、該多層膜上
にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とする請求項
３の発明はシリコン単結晶基板上に（ａ）厚さ２Å以上
５００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、（
ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上５０
０Å以下のダイヤモンド薄膜を合成するという前記（ａ
）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰り返
し行うことにより、前記シリコン単結晶基板上に厚さ１
００Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し、該多層膜
上にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とする請求
項４の発明はシリコン単結晶基板上に（ａ）厚さ２Å以
上１００Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、
（ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上１
００Å以下のシリコン単結晶薄膜を合成するという前記
（ａ）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰
り返し行った後、最表面に合成されたシリコン単結晶薄
膜上に（ｃ）厚さ２Å以上１００Å以下の立方晶炭化珪
素単結晶薄膜を合成し、（ｄ）該立方晶炭化珪素単結晶
薄膜上に厚さ２Å以上１００Å以下のダイヤモンド薄膜
を合成するという前記（ｃ）及び（ｄ）からなる行程を
少なくとも２回以上繰り返し行うことにより、前記シリ
コン単結晶基板上に厚さ１００Å以上５０００Å以下の
多層膜を合成し、該多層膜上にダイヤモンド薄膜を合成
することを特徴とする請求項１においてダイヤモンド薄
膜の合成に先立ち、シリコン単結晶基板上に立方晶構造
の炭化珪素単結晶薄膜を合成するのは以下の理由による
。
すなわち、シリコン単結晶はダイヤモンド構造を有する
が、その格子定数は５．４３人とダイヤモンドの格子定
数３．５７人と大きく異なるためシリコン単結晶基板上
に直接、ダイヤモンドの単結晶薄膜を合成することはで
きない。
が、その格子定数は５．４３人とダイヤモンドの格子定
数３．５７人と大きく異なるためシリコン単結晶基板上
に直接、ダイヤモンドの単結晶薄膜を合成することはで
きない。
一方、立方晶炭化珪素はダイヤモンド構造と類似の閃亜
鉛構造を宵し、その格子定数は４．３６人であり、シリ
コンとダイヤモンドの中間の値である。よって、シリコ
ン単結晶基板上に直接炭化珪素の単結晶薄膜を合成する
ことかできる。そしてこのシリコン単結晶基板上に合成
された炭化珪素単結晶薄膜は、ダイヤモンド構造と類似
の閃亜鉛構造を有するため、シリコン単結晶基板のダイ
ヤモンド構造を引き継ぐことかできる。さらには、その
格子定数は４．３６人とダイヤモンドの３．７５人に近
い値である。従ってこの炭化珪素単結晶薄膜上にはダイ
ヤモンド薄膜を合成することか可能とされるのである。
鉛構造を宵し、その格子定数は４．３６人であり、シリ
コンとダイヤモンドの中間の値である。よって、シリコ
ン単結晶基板上に直接炭化珪素の単結晶薄膜を合成する
ことかできる。そしてこのシリコン単結晶基板上に合成
された炭化珪素単結晶薄膜は、ダイヤモンド構造と類似
の閃亜鉛構造を有するため、シリコン単結晶基板のダイ
ヤモンド構造を引き継ぐことかできる。さらには、その
格子定数は４．３６人とダイヤモンドの３．７５人に近
い値である。従ってこの炭化珪素単結晶薄膜上にはダイ
ヤモンド薄膜を合成することか可能とされるのである。
さらには前記薄膜は面内方向に格子か変形して、基板と
の格子定数の違いを吸収してしまう性質を有するので、
結晶欠陥の発生を抑制し得る。すなわち、請求項１にお
いて立方晶炭化珪素単結晶薄膜はシリコン単結晶基板と
ダイヤモンド単結晶間の格子不整合による歪みを緩和し
つつ、シリコン単結晶基板の格子構造を引き継ぐという
緩衝膜として機能している。
の格子定数の違いを吸収してしまう性質を有するので、
結晶欠陥の発生を抑制し得る。すなわち、請求項１にお
いて立方晶炭化珪素単結晶薄膜はシリコン単結晶基板と
ダイヤモンド単結晶間の格子不整合による歪みを緩和し
つつ、シリコン単結晶基板の格子構造を引き継ぐという
緩衝膜として機能している。
請求項２ないし４においてダイヤモンド薄膜の合成に先
立ち、シリコン単結晶基板上に各々の多層膜を合成する
のは各々の多膜層が前記緩衝膜としての機能により、前
記シリコン単結晶基板上にダイヤモンド薄膜の合成を可
能とするためである。
立ち、シリコン単結晶基板上に各々の多層膜を合成する
のは各々の多膜層が前記緩衝膜としての機能により、前
記シリコン単結晶基板上にダイヤモンド薄膜の合成を可
能とするためである。
そして請求項２ないし４において極薄膜が多層に積層さ
れた多層膜を緩衝膜として用いることにより、前記した
薄膜による結晶欠陥発生抑制効果がより向上する。
れた多層膜を緩衝膜として用いることにより、前記した
薄膜による結晶欠陥発生抑制効果がより向上する。
すなわち請求項２においては緩衝膜として機能する多層
膜は、立方晶炭化珪素結晶薄膜及びシリコン単結晶薄膜
か交互に堆積されて成るが、この場合には高品質の多層
膜を合成することが容易であり、さらには格子定数か請
求項１の場合よりも徐々に変化することから前記緩衝膜
としての機能がより向上する。
膜は、立方晶炭化珪素結晶薄膜及びシリコン単結晶薄膜
か交互に堆積されて成るが、この場合には高品質の多層
膜を合成することが容易であり、さらには格子定数か請
求項１の場合よりも徐々に変化することから前記緩衝膜
としての機能がより向上する。
請求項３においては、多膜層は立方晶炭化珪素単結晶薄
膜及びダイヤモンド薄膜が交互に堆積されて成り、格子
定数が請求項１の場合よりも徐々に変化するので前記緩
衝膜としての機能がより向上する。
膜及びダイヤモンド薄膜が交互に堆積されて成り、格子
定数が請求項１の場合よりも徐々に変化するので前記緩
衝膜としての機能がより向上する。
請求項４における多層膜は立方晶炭化珪素単結晶薄膜及
びシリコン単結晶薄膜か交互に堆積され、さらにその上
に立方晶炭化珪素単結晶薄膜及びダイヤモンド薄膜が交
互に堆積されて成るので、前記格子定数の変化か請求項
１ないし３の場合よりもさらに徐々に行われているため
緩衝膜としての機能が一層向上する。従ってより高品質
のダイヤモンド薄膜を合成することが可能となる。
びシリコン単結晶薄膜か交互に堆積され、さらにその上
に立方晶炭化珪素単結晶薄膜及びダイヤモンド薄膜が交
互に堆積されて成るので、前記格子定数の変化か請求項
１ないし３の場合よりもさらに徐々に行われているため
緩衝膜としての機能が一層向上する。従ってより高品質
のダイヤモンド薄膜を合成することが可能となる。
また請求項１において、シリコン単結晶基板上に合成さ
れる立方晶炭化珪素単結晶薄膜の厚さが１００Å以上５
０００Å以下とされるのは、ｌ。
れる立方晶炭化珪素単結晶薄膜の厚さが１００Å以上５
０００Å以下とされるのは、ｌ。
０Å以下の厚さては前記緩衝膜としての機能か小さいた
めである。一方、５０００Å以上の厚さではバルクとし
ての効果が支配的となってしまい前記緩衝膜としての機
能か小さいためである。この立方晶炭化珪素単結晶薄膜
の厚さはより好ましくは５００人〜１０００人である。
めである。一方、５０００Å以上の厚さではバルクとし
ての効果が支配的となってしまい前記緩衝膜としての機
能か小さいためである。この立方晶炭化珪素単結晶薄膜
の厚さはより好ましくは５００人〜１０００人である。
請求項２ないし４において立方晶炭化珪素、シリコン又
はダイヤモンドの薄膜の厚さか２Å以上１００人とされ
るのも、これらの薄膜の堆積より成る多層膜が前記緩衝
層としての機能を生じ得るために上記の厚さが要求され
るためであり、これらの薄膜のより好ましい厚さは１０
人〜５０人である。そして原理的には各薄膜は一原子層
ともなし得るがこの場合には前記多層膜はいわゆる人工
混晶となる。
はダイヤモンドの薄膜の厚さか２Å以上１００人とされ
るのも、これらの薄膜の堆積より成る多層膜が前記緩衝
層としての機能を生じ得るために上記の厚さが要求され
るためであり、これらの薄膜のより好ましい厚さは１０
人〜５０人である。そして原理的には各薄膜は一原子層
ともなし得るがこの場合には前記多層膜はいわゆる人工
混晶となる。
そして請求項２ないし４において多層膜の厚さが１００
Å以上５０００Å以下とされるのも多層膜が前記緩衝層
としての機能を生じ得るために上記の厚さか要求される
ためである。上記多層膜のより好ましい厚さは５００人
〜１０００人である。
Å以上５０００Å以下とされるのも多層膜が前記緩衝層
としての機能を生じ得るために上記の厚さか要求される
ためである。上記多層膜のより好ましい厚さは５００人
〜１０００人である。
以上の各単結晶薄膜の厚さを調節し、請求項１ないし４
に記載の各範囲とするためには、例えば各薄膜を合成す
るための原料を前記基板へ供給する時間を調節すること
によって行う方法を取り得る。
に記載の各範囲とするためには、例えば各薄膜を合成す
るための原料を前記基板へ供給する時間を調節すること
によって行う方法を取り得る。
また請求項２ないし４において（ａ）及び（ｂ）からな
る行程を少なくとも２回以上繰り返し行い、請求項４に
おいて（ｃ）及び（ｄ）からなる行程を少なくとも２回
以上繰り返し行うのもこれらの行程により合成される多
層膜が前記緩衝層としての機能を生じるようにするため
であり、多層膜の前記緩衝層としての機能をより向上さ
せるための前記繰り返しの回数は好ましくは５回以上で
ある。
る行程を少なくとも２回以上繰り返し行い、請求項４に
おいて（ｃ）及び（ｄ）からなる行程を少なくとも２回
以上繰り返し行うのもこれらの行程により合成される多
層膜が前記緩衝層としての機能を生じるようにするため
であり、多層膜の前記緩衝層としての機能をより向上さ
せるための前記繰り返しの回数は好ましくは５回以上で
ある。
請求項１ないし４における炭化珪素、シリコン及びダイ
ヤモンドの各薄膜の合成方法としては従来の種々の方法
を用いてよく、例えばマイクロ波ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、熱フイラメント法と呼ばれるＣＶＤ法、燃焼炎
法、又はイオンビーム法等を用い得る。
ヤモンドの各薄膜の合成方法としては従来の種々の方法
を用いてよく、例えばマイクロ波ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、熱フイラメント法と呼ばれるＣＶＤ法、燃焼炎
法、又はイオンビーム法等を用い得る。
そして請求項１ないし４においてシリコン単結晶基板上
に立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成する場合には、水素
カス、メタン（ｃＨ４）ガス等の炭素元素を有する原料
及びシラン（ＳｉＨ２）ガス等の珪素元素を有する原料
を用いることによって合成することかでき、この場合、
全ガス中、炭素元素を有する原料のガス、珪素元素を有
する原料のガスの含量は各々０．１容量％〜５容量％と
されるのか好ましく、炭素元素を有する原料の気体と珪
素元素を有する原料の気体との容積比は０．２〜１．０
対１とされるのが好ましい。
に立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成する場合には、水素
カス、メタン（ｃＨ４）ガス等の炭素元素を有する原料
及びシラン（ＳｉＨ２）ガス等の珪素元素を有する原料
を用いることによって合成することかでき、この場合、
全ガス中、炭素元素を有する原料のガス、珪素元素を有
する原料のガスの含量は各々０．１容量％〜５容量％と
されるのか好ましく、炭素元素を有する原料の気体と珪
素元素を有する原料の気体との容積比は０．２〜１．０
対１とされるのが好ましい。
請求項２又は３において立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に
シリコン単結晶薄膜を合成する場合には、例えば水素ガ
ス及びシランガス等の珪素元素を有する原料を用いるこ
とによって合成することかでき、この場合、珪素元素を
有する原料のガスの含量は全ガス中０．１容量％〜５容
量％とされるのが好ましい。
シリコン単結晶薄膜を合成する場合には、例えば水素ガ
ス及びシランガス等の珪素元素を有する原料を用いるこ
とによって合成することかでき、この場合、珪素元素を
有する原料のガスの含量は全ガス中０．１容量％〜５容
量％とされるのが好ましい。
請求項１ないし３において炭化珪素単結晶薄膜上にダイ
ヤモンド薄膜を合成する場合には、例えば水素カス及び
メタンガス等の炭素元素を有する原料を用いることによ
って合成することかでき、この場合、炭素元素を有する
原料のガスの含量は全ガス中、０．１容量％〜５容量％
とされるのか好ましい。
ヤモンド薄膜を合成する場合には、例えば水素カス及び
メタンガス等の炭素元素を有する原料を用いることによ
って合成することかでき、この場合、炭素元素を有する
原料のガスの含量は全ガス中、０．１容量％〜５容量％
とされるのか好ましい。
また請求項１ないし４においてシリコン単結晶基板とは
基板全体がシリコンの単結晶であるもの及び基板表面が
シリコンの単結晶より成るものを意味する。シリコン単
結晶は安価に高品質、大面積のものを得うる。従ってこ
の基板上に前記緩衝膜を合成することにより安価に高品
質、大面積のダイヤモンド薄膜を合成し得る。
基板全体がシリコンの単結晶であるもの及び基板表面が
シリコンの単結晶より成るものを意味する。シリコン単
結晶は安価に高品質、大面積のものを得うる。従ってこ
の基板上に前記緩衝膜を合成することにより安価に高品
質、大面積のダイヤモンド薄膜を合成し得る。
このダイヤモンド薄膜の厚さはその用途に応じた厚さの
ものとなすことかでき、工具、ヒートシンク用では数百
μｍ以上、光学膜、半導体デバイス用であれば１００人
〜数μｍ程度とすることができる。
ものとなすことかでき、工具、ヒートシンク用では数百
μｍ以上、光学膜、半導体デバイス用であれば１００人
〜数μｍ程度とすることができる。
［実施例コ
実施例１
次に本発明方法を具現化した実施例について第１図に基
づいて説明する。第１図は本発明方法の実施に適した反
応装置の一例を簡略化した形で示したものである。第１
図の装置において、１は円筒型の反応容器であり、その
−側面上部には三種の気相原料を供給するための三本の
供給管２ａ。
づいて説明する。第１図は本発明方法の実施に適した反
応装置の一例を簡略化した形で示したものである。第１
図の装置において、１は円筒型の反応容器であり、その
−側面上部には三種の気相原料を供給するための三本の
供給管２ａ。
２ｂ、２ｃを備え、前記−側面と並行である側面の下部
には排気口３が設けられている。前記反応容器１内には
基板ホルダー４上に載置されたシリコン単結晶基板５が
前記供給管２ａ、２ｂ、２ｃの開口部とほぼ対向する位
置に配置されている。
には排気口３が設けられている。前記反応容器１内には
基板ホルダー４上に載置されたシリコン単結晶基板５が
前記供給管２ａ、２ｂ、２ｃの開口部とほぼ対向する位
置に配置されている。
そして通常のマイクロ波発振器６が反応容器１の外部で
あって基板ホルダー４の垂直下に相当する位置に設けら
れており、マイクロ波発振器６から発振したマイクロ波
を基板５に供給するためのマイクロ波導波管７が反応容
器ｌの外部において基板ホルダー４の垂直方向上部及び
下部に対向して設けられている。
あって基板ホルダー４の垂直下に相当する位置に設けら
れており、マイクロ波発振器６から発振したマイクロ波
を基板５に供給するためのマイクロ波導波管７が反応容
器ｌの外部において基板ホルダー４の垂直方向上部及び
下部に対向して設けられている。
第１実施例においてダイヤモンド薄膜を製造する場合に
は供給管２ａから水素ガスを毎分１ｆ２、供給管２ｂか
らメタンガス（ｃＨ４）を１０ｃｃ／分及び供給管２ｃ
からシランガス（ＳｉＨ４）を８ｃｃ／分の割合で反応
容器１内に供給し、排気口３に続く図示しない減圧手段
によって反応容器１内を８０トールに減圧した状態でマ
イクロ波発振器６からのマイクロ波（周波数２．４５Ｇ
Ｈｚ、電力約１００Ｗ）をマイクロ波導波管７によって
シリコン単結晶基板５上に導き、このシリコン基板５を
１３００℃まで加熱し約１０分保持した。
は供給管２ａから水素ガスを毎分１ｆ２、供給管２ｂか
らメタンガス（ｃＨ４）を１０ｃｃ／分及び供給管２ｃ
からシランガス（ＳｉＨ４）を８ｃｃ／分の割合で反応
容器１内に供給し、排気口３に続く図示しない減圧手段
によって反応容器１内を８０トールに減圧した状態でマ
イクロ波発振器６からのマイクロ波（周波数２．４５Ｇ
Ｈｚ、電力約１００Ｗ）をマイクロ波導波管７によって
シリコン単結晶基板５上に導き、このシリコン基板５を
１３００℃まで加熱し約１０分保持した。
次に供給管２ｃからのメタンガスの供給を停止し、マイ
クロ波の電力条件を変えることによって基板５の温度を
約１０００℃まで降温し、約１時間保持した。
クロ波の電力条件を変えることによって基板５の温度を
約１０００℃まで降温し、約１時間保持した。
以上の操作によりシリコン基板５上に得られた膜Ｍにつ
いて透過型電子顕微鏡観察及び表面電子回折法によって
調べた基板５及び得られた膜Ｍの断面構造及びその格子
定数を示すグラフを第２図に示す。なお第２図中格子定
数の単位は人であり、以後の記述においても同様である
。
いて透過型電子顕微鏡観察及び表面電子回折法によって
調べた基板５及び得られた膜Ｍの断面構造及びその格子
定数を示すグラフを第２図に示す。なお第２図中格子定
数の単位は人であり、以後の記述においても同様である
。
第２図に示されるように格子定数が５．４３であるシリ
コン単結晶基板５上に、厚さ約１２００人の立方晶炭化
珪素単結晶薄膜８（格子定数４．３６）が形成され、そ
の膜８上にはダイヤモンド単結晶薄膜９（格子定数３．
５７ ）か形成された。このダイヤモンド単結晶薄膜９
をラマン散乱により評価したところ１３３３ｃｍ−’に
強いピークか観測され、ダイヤモンドであることか確認
された。
コン単結晶基板５上に、厚さ約１２００人の立方晶炭化
珪素単結晶薄膜８（格子定数４．３６）が形成され、そ
の膜８上にはダイヤモンド単結晶薄膜９（格子定数３．
５７ ）か形成された。このダイヤモンド単結晶薄膜９
をラマン散乱により評価したところ１３３３ｃｍ−’に
強いピークか観測され、ダイヤモンドであることか確認
された。
実施例２
実施例１と同じ第１図の装置を用いて以下のように各原
料気体の供給を行い、ダイヤモンド薄膜を製造した。
料気体の供給を行い、ダイヤモンド薄膜を製造した。
すなわち反応容器１内を同様に約８０トールに減圧した
状態とし、シリコン基板５をマイクロ発振器６からのマ
イクロ波（周波数２．４５Ｇ＆）により約１０００℃に
加熱した状態とした。そしてまず最初に供給管２ａから
水素ガスを毎分１１、供給管２ｂからプロパンガスを１
０ｃｃ／分及び供給管２ｃからモノクロルシランを７ｃ
ｃ／分の割合で反応容器ｌ内に５０秒間供給した。その
後供給管２ｂからのプロパンガスの供給を停止し、水素
ガスＣＡＩ！／分）及びモノクロルシラン（７ｃｃ／分
）のみを５０秒間供給した。以上の操作を１サイクルと
し、この繰り返しを７サイクル行った。
状態とし、シリコン基板５をマイクロ発振器６からのマ
イクロ波（周波数２．４５Ｇ＆）により約１０００℃に
加熱した状態とした。そしてまず最初に供給管２ａから
水素ガスを毎分１１、供給管２ｂからプロパンガスを１
０ｃｃ／分及び供給管２ｃからモノクロルシランを７ｃ
ｃ／分の割合で反応容器ｌ内に５０秒間供給した。その
後供給管２ｂからのプロパンガスの供給を停止し、水素
ガスＣＡＩ！／分）及びモノクロルシラン（７ｃｃ／分
）のみを５０秒間供給した。以上の操作を１サイクルと
し、この繰り返しを７サイクル行った。
その後前記と同割合にて三種の気体を５０秒間供給した
後、今度は２ｃからのモノクロルシランの供給を停止し
、水素ガス（１β／分）及びプロパンガス（１０ｃｃ／
分）のみを５０秒間供給した。
後、今度は２ｃからのモノクロルシランの供給を停止し
、水素ガス（１β／分）及びプロパンガス（１０ｃｃ／
分）のみを５０秒間供給した。
以上の操作を１サイクルとし、この繰り返しを７サイク
ル行った。その後水素ガス（１１／分）及びプロパンガ
ス（１０ｃｃ／分）のみの供給を約１時間行った。
ル行った。その後水素ガス（１１／分）及びプロパンガ
ス（１０ｃｃ／分）のみの供給を約１時間行った。
以上の操作によりシリコン基板５上に得られた膜Ｍにつ
いて透過型電子顕微鏡観察及び表面電子回折法によって
調へた基板５及び得られた膜Ｍの断面構造及びその格子
定数を示すグラフを第３図に示す。
いて透過型電子顕微鏡観察及び表面電子回折法によって
調へた基板５及び得られた膜Ｍの断面構造及びその格子
定数を示すグラフを第３図に示す。
第３図に示されるようにシリコン基板５（格子定数５．
４３ ）上にはまず炭化珪素−シリコン多層膜Ａが形成
され、その多層膜Ａ上に炭化珪素−ダイヤモンド多層膜
Ｂが形成され、その多層膜Ｂ上に厚さ約１５μｍのダイ
ヤモンド単結晶膜９が形成された。
４３ ）上にはまず炭化珪素−シリコン多層膜Ａが形成
され、その多層膜Ａ上に炭化珪素−ダイヤモンド多層膜
Ｂが形成され、その多層膜Ｂ上に厚さ約１５μｍのダイ
ヤモンド単結晶膜９が形成された。
上記炭化珪素−シリコン多層膜Ａは厚さ約１００人の立
方晶炭化珪素単結晶薄膜８（格子定数４゜３６）の上に
厚さ約７０人のシリコン単結晶薄膜１０（格子定数５．
４３）か形成された構造単位を１周期とし、これか７周
期繰り返されて形成されたものである。そして上記炭化
珪素−ダイヤモンド多層膜Ｂは厚さ約５０人の立方晶炭
化珪素単結晶薄膜８（格子定数４．３６ ）の上に厚さ
約１００人のダイヤモンド薄膜１１ （格子定数３．５
７）が形成された構造単位を１周期とし、これが７周期
繰り返されて形成されたものである。
方晶炭化珪素単結晶薄膜８（格子定数４゜３６）の上に
厚さ約７０人のシリコン単結晶薄膜１０（格子定数５．
４３）か形成された構造単位を１周期とし、これか７周
期繰り返されて形成されたものである。そして上記炭化
珪素−ダイヤモンド多層膜Ｂは厚さ約５０人の立方晶炭
化珪素単結晶薄膜８（格子定数４．３６ ）の上に厚さ
約１００人のダイヤモンド薄膜１１ （格子定数３．５
７）が形成された構造単位を１周期とし、これが７周期
繰り返されて形成されたものである。
また、ラマン散乱法によって最上表面の膜９を測定した
結果、１３３３ｃｍ−’に強いピークが観察され、ダイ
ヤモンド単結晶薄膜であることが確認された。なお、上
記多膜層を二次イオン質量分析法で深さ方向のケイ素（
Ｓｌ）元素と炭素（ｃ）元素の分布を測定したところ、
透過型電子顕微鏡観察の結果に対応した明瞭な周期性が
観測され、ＳｉとＣの相互拡散は極めて小さいものと推
定された。
結果、１３３３ｃｍ−’に強いピークが観察され、ダイ
ヤモンド単結晶薄膜であることが確認された。なお、上
記多膜層を二次イオン質量分析法で深さ方向のケイ素（
Ｓｌ）元素と炭素（ｃ）元素の分布を測定したところ、
透過型電子顕微鏡観察の結果に対応した明瞭な周期性が
観測され、ＳｉとＣの相互拡散は極めて小さいものと推
定された。
以上の実施例において説明した方法はいわゆるマイクロ
波ＣＶＤ法として知られる方法であるが、本発明はこの
他のプラズマＣＶＤ法や熱フイラメント法と呼ばれるＣ
ＶＤ法にも、また燃焼炎法やイオンビーム法にも適用で
き、炭素原料と珪素原料の供給と停止を行うことにより
実施例と同様な構造が実現できることは勿論である。
波ＣＶＤ法として知られる方法であるが、本発明はこの
他のプラズマＣＶＤ法や熱フイラメント法と呼ばれるＣ
ＶＤ法にも、また燃焼炎法やイオンビーム法にも適用で
き、炭素原料と珪素原料の供給と停止を行うことにより
実施例と同様な構造が実現できることは勿論である。
なお、本実施例における諸条件としては、すなわち水素
ガス、メタンカス、シランカスより成る全ガスの流量は
０．１１！／分以上、この全ガス中に含有されるメタン
ガス又はシランガスの各々の量は０．１容量％〜５容量
％、炭化珪素薄膜合成時のメタンガスとシランガスの存
在の容量比はシランガスｌに対してメタンガスは０．２
〜１とされるのが好ましい。
ガス、メタンカス、シランカスより成る全ガスの流量は
０．１１！／分以上、この全ガス中に含有されるメタン
ガス又はシランガスの各々の量は０．１容量％〜５容量
％、炭化珪素薄膜合成時のメタンガスとシランガスの存
在の容量比はシランガスｌに対してメタンガスは０．２
〜１とされるのが好ましい。
そして反応容器内の圧力範囲はｌ０ｈ−ルーフ６０トー
ル（１気圧）とすることができ、１気圧に近いと気体の
流れの制御が困難となることから１０トール〜１００ｈ
−ルがより好ましい。
ル（１気圧）とすることができ、１気圧に近いと気体の
流れの制御が困難となることから１０トール〜１００ｈ
−ルがより好ましい。
さらに本実施例においてマイクロ波の電力は基板形状及
び反応管形形状等の装置に依存するか例えば１００Ｗ−
ＩＫＷの範囲となし得る。またマイクロ波の波数は例え
ばＩＧＨｚ〜数百Ｇ Ｈｚとなし得る。基板温度は７０
０°Ｃ〜１０００℃の範囲が好ましい。
び反応管形形状等の装置に依存するか例えば１００Ｗ−
ＩＫＷの範囲となし得る。またマイクロ波の波数は例え
ばＩＧＨｚ〜数百Ｇ Ｈｚとなし得る。基板温度は７０
０°Ｃ〜１０００℃の範囲が好ましい。
以上の諸条件の選択によって炭化珪素、シリコン又はダ
イヤモンド薄膜の製造速度又はダイヤモンド薄膜の品質
をより改善し得る。
イヤモンド薄膜の製造速度又はダイヤモンド薄膜の品質
をより改善し得る。
［発明の効果コ
請求項１ないし４の発明によると、シリコン単結晶基板
上に合成された立方結晶炭化珪素単結晶薄膜又は各々の
多層膜が緩衝膜として機能するので、該緩衝膜上に多結
晶の存在、歪み及び結晶欠陥が可及的に防止された高品
質のダイヤモンド薄膜を合成し得る。また前記基板及び
前記緩衝膜を構成する元素は共にＶｌ族元素であるため
、固相拡散があったとしても、膜特性に及ぼす影響は極
めて少ない。また基板として使用しているシリコンは高
品質かつ大面積の単結晶が安価に入手可能である。従っ
て請求項１ないし４の発明によると、安価かつ容易に発
光素子や電子素子に必要とされる高品質かつ大面積のダ
イヤモンド薄膜を合成することかでき、新しいエレクト
ロニクス部品の開発に大きく貢献し得る。
上に合成された立方結晶炭化珪素単結晶薄膜又は各々の
多層膜が緩衝膜として機能するので、該緩衝膜上に多結
晶の存在、歪み及び結晶欠陥が可及的に防止された高品
質のダイヤモンド薄膜を合成し得る。また前記基板及び
前記緩衝膜を構成する元素は共にＶｌ族元素であるため
、固相拡散があったとしても、膜特性に及ぼす影響は極
めて少ない。また基板として使用しているシリコンは高
品質かつ大面積の単結晶が安価に入手可能である。従っ
て請求項１ないし４の発明によると、安価かつ容易に発
光素子や電子素子に必要とされる高品質かつ大面積のダ
イヤモンド薄膜を合成することかでき、新しいエレクト
ロニクス部品の開発に大きく貢献し得る。
請求項２ないし３の発明によると立方晶炭化珪素単結晶
薄膜及びシリコン単結晶薄膜を交互に堆積した多層膜又
は立方晶炭化珪素単結晶薄膜及びダイヤモンド薄膜を交
互に堆積した多層膜が緩衝膜として機能し、格子定数の
変化が徐々に行われるので、格子定数の差異に起因する
歪みや結晶欠陥かより効果的に防止され、品質のより向
上したダイヤモンド薄膜を合成し得る。
薄膜及びシリコン単結晶薄膜を交互に堆積した多層膜又
は立方晶炭化珪素単結晶薄膜及びダイヤモンド薄膜を交
互に堆積した多層膜が緩衝膜として機能し、格子定数の
変化が徐々に行われるので、格子定数の差異に起因する
歪みや結晶欠陥かより効果的に防止され、品質のより向
上したダイヤモンド薄膜を合成し得る。
また請求項４の発明によると前記２種の多層膜の両者が
緩衝膜として機能し、格子定数の変化が一層徐々に行わ
れるので、品質のさらに向上したダイヤモンド薄膜を合
成し得る。
緩衝膜として機能し、格子定数の変化が一層徐々に行わ
れるので、品質のさらに向上したダイヤモンド薄膜を合
成し得る。
第１図ないし第３図は実施例に係わり、第１図は反応装
置の簡略化した側断面図であり、第２図及び第３図は各
々第１又は第２実施例により得られた膜及びシリコン基
板の概略断面図及びその格子定数を示すグラフである。 １・・・反応容器 ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃｍ・・供給管 ５・・・シリコン基板 ６・・・マイクロ波発振器 ８・・・立方晶炭化珪素単結晶薄膜 ９・・・ダイヤモンド単結晶薄膜 １０・・・シリコン単結晶薄膜 １１・・・ダイヤモンド薄膜 Ａ・・・立方晶炭化珪素 シリコン多層膜 Ｂ・・・立方晶炭化珪素 ダイヤモンド多層膜
置の簡略化した側断面図であり、第２図及び第３図は各
々第１又は第２実施例により得られた膜及びシリコン基
板の概略断面図及びその格子定数を示すグラフである。 １・・・反応容器 ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃｍ・・供給管 ５・・・シリコン基板 ６・・・マイクロ波発振器 ８・・・立方晶炭化珪素単結晶薄膜 ９・・・ダイヤモンド単結晶薄膜 １０・・・シリコン単結晶薄膜 １１・・・ダイヤモンド薄膜 Ａ・・・立方晶炭化珪素 シリコン多層膜 Ｂ・・・立方晶炭化珪素 ダイヤモンド多層膜
Claims (4)
- １．シリコン単結晶基板上に厚さ１００Å以上５０００
Å以下の立方晶炭化珪素単結晶薄膜を合成し、該立方晶
炭化珪素単結晶薄膜上にダイヤモンド薄膜を合成するこ
とを特徴とするダイヤモンド薄膜の気相合成方法。 - ２．シリコン単結晶基板上に （ａ）厚さ２Å以上５００Å以下の立方晶炭化珪素単結
晶薄膜を合成し、 （ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上５
００Å以下のシリコン単結晶薄膜を合成するという前記
（ａ）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰
り返し行った後、最表面に合成されたシリコン単結晶薄
膜上に厚さ２Å以上５００Å以下の立方晶炭化珪素単結
晶薄膜を合成することにより、前記シリコン単結晶基板
上に厚さ１００Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し
、該多層膜上にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴
とするダイヤモンド薄膜の気相合成方法。 - ３．シリコン単結晶基板上に （ａ）厚さ２Å以上５００Å以下の立方晶炭化珪素単結
晶薄膜を合成し、 （ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上５
００Å以下のダイヤモンド薄膜を合成するという前記（
ａ）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰り
返し行うことにより、前記シリコン単結晶基板上に厚さ
１００Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し、該多層
膜上にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とするダ
イヤモンド薄膜の気相合成方法。 - ４．シリコン単結晶基板上に （ａ）厚さ２Å以上１００Å以下の立方晶炭化珪素単結
晶薄膜を合成し、 （ｂ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上１
００Å以下のシリコン単結晶薄膜を合成するという前記
（ａ）及び（ｂ）からなる行程を少なくとも２回以上繰
り返し行った後、最表面に合成されたシリコン単結晶薄
膜上に （ｃ）厚さ２Å以上１００Å以下の立方晶炭化珪素単結
晶薄膜を合成し、 （ｄ）該立方晶炭化珪素単結晶薄膜上に厚さ２Å以上１
００Å以下のダイヤモンド薄膜を合成するという前記（
ｃ）及び（ｄ）からなる行程を少なくとも２回以上繰り
返し行うことにより、前記シリコン単結晶基板上に厚さ
１００Å以上５０００Å以下の多層膜を合成し、該多層
膜上にダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とするダ
イヤモンド薄膜の気相合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20709090A JP2895179B2 (ja) | 1990-08-04 | 1990-08-04 | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20709090A JP2895179B2 (ja) | 1990-08-04 | 1990-08-04 | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492893A true JPH0492893A (ja) | 1992-03-25 |
| JP2895179B2 JP2895179B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=16534037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20709090A Expired - Fee Related JP2895179B2 (ja) | 1990-08-04 | 1990-08-04 | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895179B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132692A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ダイヤモンド薄膜とその作製方法 |
| JPH0864527A (ja) * | 1994-05-04 | 1996-03-08 | Daimler Benz Ag | 電子部品用複合構造 |
| JP2000086391A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Kobe Steel Ltd | 単結晶ダイヤモンド合成用基板 |
| WO2000032853A1 (fr) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procede de fabrication de cette couche |
| JP2017226573A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社Sumco | 積層基板の製造方法および積層基板 |
-
1990
- 1990-08-04 JP JP20709090A patent/JP2895179B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132692A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ダイヤモンド薄膜とその作製方法 |
| JPH0864527A (ja) * | 1994-05-04 | 1996-03-08 | Daimler Benz Ag | 電子部品用複合構造 |
| US5744825A (en) * | 1994-05-04 | 1998-04-28 | Daimler-Benz Ag | Composite structure for an electronic component comprising a growth substrate, a diamond layer, and an intermediate layer therebetween |
| JP2000086391A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Kobe Steel Ltd | 単結晶ダイヤモンド合成用基板 |
| WO2000032853A1 (fr) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procede de fabrication de cette couche |
| FR2786794A1 (fr) * | 1998-12-02 | 2000-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procede de fabrication de cette couche |
| US6924509B2 (en) | 1998-12-02 | 2005-08-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Monoatomic and moncrystalline layer of large size, in diamond type carbon, and method for the manufacture of this layer |
| JP2017226573A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社Sumco | 積層基板の製造方法および積層基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2895179B2 (ja) | 1999-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07147251A (ja) | 結晶性炭化ケイ素膜の成長方法 | |
| Badzian et al. | Nucleation and growth phenomena in chemically vapor-deposited diamond coatings | |
| JPS63307196A (ja) | ダイヤモンド多層薄膜及びその製造方法 | |
| JP2007051327A (ja) | 成膜方法 | |
| Singh et al. | Low temperature wafer-scale synthesis of hexagonal boron nitride by microwave assisted surface wave plasma chemical vapour deposition | |
| JPS63286334A (ja) | 積層体およびその製造法 | |
| Fu et al. | From diamond to crystalline silicon carbonitride: effect of introduction of nitrogen in CH4/H2 gas mixture using MW-PECVD | |
| JPH0492893A (ja) | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 | |
| JP2002080296A (ja) | 水晶薄膜およびその製造方法 | |
| JPS62138395A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| Irwin et al. | Bias-enhanced nucleation of diamond on silicon dioxide | |
| Sakaguchi et al. | Suppression of surface cracks on (111) homoepitaxial diamond through impurity limitation by oxygen addition | |
| Komatsu et al. | High‐pressure phases of boron nitride grown by laser‐assisted plasma chemical vapor deposition from BCl3+ NH3+ H2+ Ar | |
| Zhu et al. | Low‐Temperature Synthesis of Diamond‐like Carbon Films on Steel Substrates by Electron‐Cyclotron‐Resonance Plasma‐Enhanced Chemical Vapor Deposition | |
| Ben Amor et al. | Effect of the hydrogen flow rate on the structural and optical properties of hydrogenated amorphous silicon thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| JP3728466B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| JPH0587171B2 (ja) | ||
| JPH0341435B2 (ja) | ||
| Fu et al. | Structure, optical property, and reaction process of Si quantum dots embedded in an amorphous silicon carbide matrix | |
| CN113380603B (zh) | 高硼组分二维iii族多元氮化物混合晶体及其制备方法 | |
| JP2799849B2 (ja) | 化学蒸着法によるダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS61247020A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH04372118A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造法 | |
| Wong et al. | Low temperature growth of polycrystalline silicon films by hot-wire chemical vapor deposition using SiCl4/H2 gases | |
| Marcinauskas et al. | Formation of carbon coatings employing plasma torch from argon-acetylene gas mixture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |