JPH0490149A - コンタクトリング及び電鋳装置 - Google Patents
コンタクトリング及び電鋳装置Info
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- JPH0490149A JPH0490149A JP20584090A JP20584090A JPH0490149A JP H0490149 A JPH0490149 A JP H0490149A JP 20584090 A JP20584090 A JP 20584090A JP 20584090 A JP20584090 A JP 20584090A JP H0490149 A JPH0490149 A JP H0490149A
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- 238000005323 electroforming Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012847 fine chemical Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TXRHHNYLWVQULI-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O TXRHHNYLWVQULI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はスタンパー5特に光カード、光ディスク、光磁
気ディスク等の情報記録媒体を複製する為の情報記録媒
体成形用スタイバーの製造に用いられる電鋳装置に関す
るものである。
気ディスク等の情報記録媒体を複製する為の情報記録媒
体成形用スタイバーの製造に用いられる電鋳装置に関す
るものである。
[従来の技術]
従来、公開特許公報・昭61−284843公開実用新
案・昭58−141435、及び、日本工業技術センタ
ー発行の「光デイスクプロセス技術の要点No5J (
昭和60年3月15日発行)に記載されているように、
情報記録媒体成型用スタンパーは製造されている。
案・昭58−141435、及び、日本工業技術センタ
ー発行の「光デイスクプロセス技術の要点No5J (
昭和60年3月15日発行)に記載されているように、
情報記録媒体成型用スタンパーは製造されている。
即ち、第4図の(A)〜(E)に示すように、まずガラ
ス基板9の表面にフォトレジスト8を塗布し、この上に
、トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パタ
ーン8を形成することによりガラス原盤6を得る。
ス基板9の表面にフォトレジスト8を塗布し、この上に
、トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パタ
ーン8を形成することによりガラス原盤6を得る。
次に、ガラスNm6の表面に導電化膜11を形成した後
、電鋳法により金属膜、12を形成させ、これら導電化
11111及び金属膜12を一体として同時にガラス原
@6から剥離させ、情報記録媒体成型用スタンパ−13
を製造している。
、電鋳法により金属膜、12を形成させ、これら導電化
11111及び金属膜12を一体として同時にガラス原
@6から剥離させ、情報記録媒体成型用スタンパ−13
を製造している。
電鋳法(Electoroforving)による一般
的な情報記録媒体成型用スタンパ−の製造プロセスは上
述した通りであり、特に電鋳工程の(C)〜(D)を詳
しく説明すると、第4図の導電化膜11は真空中ての金
属の蒸着、もしくは、スパッターリング等の方法により
成膜され、材料には銀、多くはニッケルかよく用いられ
ている。
的な情報記録媒体成型用スタンパ−の製造プロセスは上
述した通りであり、特に電鋳工程の(C)〜(D)を詳
しく説明すると、第4図の導電化膜11は真空中ての金
属の蒸着、もしくは、スパッターリング等の方法により
成膜され、材料には銀、多くはニッケルかよく用いられ
ている。
スパッターリング法により、ニッケル膜を500 A〜
1000人、トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸
の微細パターン8の上に成膜する。
1000人、トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸
の微細パターン8の上に成膜する。
次に電鋳工程(D)ては、導電化膜11を形成したガラ
ス原盤6をバックプレートて保持し20〜30rpmの
回転速度で回転させなから、スルファミン酸ニッケル電
鋳液7中て通電させ、導電化膜11を形成したガラス原
盤6上にニッケル金属を析出させて電鋳を行う。
ス原盤6をバックプレートて保持し20〜30rpmの
回転速度で回転させなから、スルファミン酸ニッケル電
鋳液7中て通電させ、導電化膜11を形成したガラス原
盤6上にニッケル金属を析出させて電鋳を行う。
電鋳装置の断面図を用い説明すると、第5図の(A)に
示されるように、ニッケルチップlOをプラス電極、銅
等の導電率の良いダミー板14をマイナス電極として、
スルファミン酸ニッケル電鋳液7中て通電し、ダミー板
14上にニッケルチップ10の酸化層を析出させて、ニ
ッケルチップ10の表面の酸化層を除去すると同時に、
先に述べた、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の電解ク
リーニングを行う。
示されるように、ニッケルチップlOをプラス電極、銅
等の導電率の良いダミー板14をマイナス電極として、
スルファミン酸ニッケル電鋳液7中て通電し、ダミー板
14上にニッケルチップ10の酸化層を析出させて、ニ
ッケルチップ10の表面の酸化層を除去すると同時に、
先に述べた、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の電解ク
リーニングを行う。
次に(B)に示されるようにニッケルチップ10をプラ
ス電極、導電化膜11を形成したガラス原盤6をマイナ
ス電極として、バックプレート15て、保持された導電
化膜11を形成したガラス原盤6を20〜30rpmの
回転速度て回転させながら、スルファミン酸ニッケル電
鋳液7中て通電させ、導電化膜11を形成したガラス原
g!6上にニッケル金属を析出させて電鋳を行なってい
る。
ス電極、導電化膜11を形成したガラス原盤6をマイナ
ス電極として、バックプレート15て、保持された導電
化膜11を形成したガラス原盤6を20〜30rpmの
回転速度て回転させながら、スルファミン酸ニッケル電
鋳液7中て通電させ、導電化膜11を形成したガラス原
g!6上にニッケル金属を析出させて電鋳を行なってい
る。
このときガラス原盤6上の導電化膜11に電流を供給す
るコンタクトリングか用いられている。
るコンタクトリングか用いられている。
コンタクトリングとして、たとえば第3図(A)及び(
B)に示すように外周部で導電化膜と接触する外周コン
タクトリングや内周部で導電化膜11と接触する内周コ
ンタクトリングがある。いずれの場合にもコンタクトリ
ングは、導電率の良い材料でなくてはならず、主に銅や
、SUSの薄板が用いられている。しかしながら従来コ
ンタクトリングに導電率の良い銅やステンレスの薄板か
用いられているために第6図(A)及び(B)に示すよ
うにコンタクトリングの外周面型は内周面にまで金属が
析出し導電化膜上に析出した金属膜とコンタクトリング
が密着するためコンタクトリングを取り外す際に導電化
膜11と析出したニッケル金属膜12との間で剥離が生
じ、スタンパ−の研磨工程で剥離部分より研磨液が侵入
し、スタンパ−に形成された微細なパターンを侵すとい
う問題点が有った。
B)に示すように外周部で導電化膜と接触する外周コン
タクトリングや内周部で導電化膜11と接触する内周コ
ンタクトリングがある。いずれの場合にもコンタクトリ
ングは、導電率の良い材料でなくてはならず、主に銅や
、SUSの薄板が用いられている。しかしながら従来コ
ンタクトリングに導電率の良い銅やステンレスの薄板か
用いられているために第6図(A)及び(B)に示すよ
うにコンタクトリングの外周面型は内周面にまで金属が
析出し導電化膜上に析出した金属膜とコンタクトリング
が密着するためコンタクトリングを取り外す際に導電化
膜11と析出したニッケル金属膜12との間で剥離が生
じ、スタンパ−の研磨工程で剥離部分より研磨液が侵入
し、スタンパ−に形成された微細なパターンを侵すとい
う問題点が有った。
このような問題点に対し従来は予めプリフォーマツティ
ング情報例えばトラッキング用溝、情報用ピット等に対
応する凹凸パターンが形成されている領域の2倍程度に
ガラス原盤の直径を設定することて解決していたか、不
要な部分は最終工程でトリミングし捨てるため電鋳効率
が悪く又経済性も悪い。
ング情報例えばトラッキング用溝、情報用ピット等に対
応する凹凸パターンが形成されている領域の2倍程度に
ガラス原盤の直径を設定することて解決していたか、不
要な部分は最終工程でトリミングし捨てるため電鋳効率
が悪く又経済性も悪い。
更に1回の電鋳につき1回しかコンタクトリングを使用
できないため、コンタクトリンクの利用効率及び、経済
性か悪い。
できないため、コンタクトリンクの利用効率及び、経済
性か悪い。
[発明が解決しようとしている問題点]本発明は上記問
題点に鑑みなされたものてあり、コンタクトリングと金
属膜との密着を防ぎスタンパ−の導電化膜と電鋳によっ
て析出した金属膜の剥離を防止できるコンタクトリング
を提供することを目的とするものである。又本願発明は
スタンパ−の導電化膜と金属膜との間に剥離の生じない
電鋳装置を提供することを目的とするものである。
題点に鑑みなされたものてあり、コンタクトリングと金
属膜との密着を防ぎスタンパ−の導電化膜と電鋳によっ
て析出した金属膜の剥離を防止できるコンタクトリング
を提供することを目的とするものである。又本願発明は
スタンパ−の導電化膜と金属膜との間に剥離の生じない
電鋳装置を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明のコンタクトリンクは凹凸のプリフォーマットパ
ターンを表面に有するガラス原盤上に形成されてなる導
電化膜上に金属膜を電鋳によって形成する電鋳装置の、
該導電化膜に接して電流を供給するコンタクトリングが
その内周側面及び/又は外周側面に不導体を有すること
を特徴とするものである。
ターンを表面に有するガラス原盤上に形成されてなる導
電化膜上に金属膜を電鋳によって形成する電鋳装置の、
該導電化膜に接して電流を供給するコンタクトリングが
その内周側面及び/又は外周側面に不導体を有すること
を特徴とするものである。
又本発明の電鋳装置はスタンパーを電鋳によって製造す
る電鋳装置に於て、ガラス原盤上の導電化膜に電流を供
給するためのコンタクトリングかその内周面又は外周面
に不導体を形成してなることを#徴とするものである。
る電鋳装置に於て、ガラス原盤上の導電化膜に電流を供
給するためのコンタクトリングかその内周面又は外周面
に不導体を形成してなることを#徴とするものである。
これによってコンタクトリングの外周部又は内周部に金
属膜か析出することかなく電鋳終了後にコンタクトリン
グを取り外す際にもスタンパ−の金属膜と導電化膜の剥
離することかない。
属膜か析出することかなく電鋳終了後にコンタクトリン
グを取り外す際にもスタンパ−の金属膜と導電化膜の剥
離することかない。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図(A)及び(B)は本発明のコンタクトリングの
実施態様を示したものてあり第1図(A)は導電化膜と
その外周部て接触する外周コンタクトリング、第1図(
B)は、導電化膜とその内周部て接触する内周コンタク
トリンつてある。
実施態様を示したものてあり第1図(A)は導電化膜と
その外周部て接触する外周コンタクトリング、第1図(
B)は、導電化膜とその内周部て接触する内周コンタク
トリンつてある。
第1図(A)(B)に於てlはコンタクトリング、6は
ガラス原盤、11は導電化膜でありコンタクトリングl
中の2は導電体、3は絶縁体である。
ガラス原盤、11は導電化膜でありコンタクトリングl
中の2は導電体、3は絶縁体である。
本発明に於て導電体2は該導電化膜ll上に金属膜を電
鋳によって形成するために導電化膜11と接触して電流
を供給する部分てあり導電性の良好な材料が好適に用い
られ、例えば銅、SUS又はシリコン系ゴムやHTV系
ゴムに銅又はブラックカーボン等の導電性の粉末を混合
した導電ゴムを用いることかてきる。
鋳によって形成するために導電化膜11と接触して電流
を供給する部分てあり導電性の良好な材料が好適に用い
られ、例えば銅、SUS又はシリコン系ゴムやHTV系
ゴムに銅又はブラックカーボン等の導電性の粉末を混合
した導電ゴムを用いることかてきる。
又絶縁体3としては例えばポリイミドフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリメチルメタクリル樹脂や光硬化性
樹脂又はシリコン系ゴム等の不導体ゴムが用いられる。
ステルフィルム、ポリメチルメタクリル樹脂や光硬化性
樹脂又はシリコン系ゴム等の不導体ゴムが用いられる。
これらの材料において導電体及び絶縁体ともゴム系の材
料を用いた場合、導電化膜に密着させた際に導電化膜に
傷か発生せず、又絶縁体と導電体との密着性も良好で好
ましい。
料を用いた場合、導電化膜に密着させた際に導電化膜に
傷か発生せず、又絶縁体と導電体との密着性も良好で好
ましい。
次に本願発明の電鋳装置について第1図を用いて説明す
る。
る。
第1図(A)に於て、6はその表面に凹凸プリフォーマ
ットパターンを有するガラス原盤llかガラス原盤上に
形成されるNi等からなる導電化膜lか本発明のコンタ
クトリングであって導体2及びその内側面に形成されて
なる不導体3からなり導体2は導電化膜11に接して、
導電化膜11に電流を供給する。この電鋳装置を用いて
電鋳を行なった場合、導電化膜11上に金属膜12が形
成されるがコンタクトリングの側面は不導体からなるた
め金属膜は析出することはない。
ットパターンを有するガラス原盤llかガラス原盤上に
形成されるNi等からなる導電化膜lか本発明のコンタ
クトリングであって導体2及びその内側面に形成されて
なる不導体3からなり導体2は導電化膜11に接して、
導電化膜11に電流を供給する。この電鋳装置を用いて
電鋳を行なった場合、導電化膜11上に金属膜12が形
成されるがコンタクトリングの側面は不導体からなるた
め金属膜は析出することはない。
なお、本発明において凹凸プリフォーマットパターンと
しては、光記録媒体用のトラック溝や基板に予め形成さ
れるコード化された情報に対応するパターンであり具体
的にはその寸法か例えば幅0.2μm〜3.0pm、特
に0.5gm〜2gm、ピッチO,Igm 〜15.0
μm・特に1・0μm〜5μmのスパイラル状の光デイ
スク用トラック溝や幅1pm〜10 pm、特に27z
m〜5IJ、m、間隔5ILm〜20pm、特に8gm
−151Lmのストライプ状の光カード用トラック溝、
又縦10μm以下、横1101L以下の長方形又は長径
10gm以下の長円形の微細な情報ビットなどが挙げら
れる。
しては、光記録媒体用のトラック溝や基板に予め形成さ
れるコード化された情報に対応するパターンであり具体
的にはその寸法か例えば幅0.2μm〜3.0pm、特
に0.5gm〜2gm、ピッチO,Igm 〜15.0
μm・特に1・0μm〜5μmのスパイラル状の光デイ
スク用トラック溝や幅1pm〜10 pm、特に27z
m〜5IJ、m、間隔5ILm〜20pm、特に8gm
−151Lmのストライプ状の光カード用トラック溝、
又縦10μm以下、横1101L以下の長方形又は長径
10gm以下の長円形の微細な情報ビットなどが挙げら
れる。
実施例
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1
外径135■l・内径115■■・板厚0.51■の銅
のコンタクトリングを製作し、ポリイミドフィルムのベ
ース・フィルムに粘着剤を形成した、カプトンテープ(
社名=3M)を用い、コンタクトリングの内壁に不導体
(絶縁体)を形成することにより、本発明の不導体(絶
縁体)を形成したコンタクトリングを製作した。
のコンタクトリングを製作し、ポリイミドフィルムのベ
ース・フィルムに粘着剤を形成した、カプトンテープ(
社名=3M)を用い、コンタクトリングの内壁に不導体
(絶縁体)を形成することにより、本発明の不導体(絶
縁体)を形成したコンタクトリングを製作した。
また、外径35mm・内径15mm・板厚0.5■の銅
のコンタクトリンクを製作し、ポリイミドフィルム等の
ベース・フィルムに粘着剤を形成した、カプトンテープ
(社名=3M)を用い、コンタクトリングの外壁に不導
体(絶縁体)を形成することにより、本発明の不導体(
絶縁体)を形成した第1図に示すコンタクトリンクを製
作した。
のコンタクトリンクを製作し、ポリイミドフィルム等の
ベース・フィルムに粘着剤を形成した、カプトンテープ
(社名=3M)を用い、コンタクトリングの外壁に不導
体(絶縁体)を形成することにより、本発明の不導体(
絶縁体)を形成した第1図に示すコンタクトリンクを製
作した。
実施例2
実施例1と同様にして、第1図(a)に示す外周コンタ
クトリング、及び第1図(b)に示す内周コンタクトリ
ンクを製作した。コンタクトリングの内周又は外周の不
導体として保護剤クリーンコートS(ファインケミカル
ジャパン製)を塗布し乾燥させ硬化させた。
クトリング、及び第1図(b)に示す内周コンタクトリ
ンクを製作した。コンタクトリングの内周又は外周の不
導体として保護剤クリーンコートS(ファインケミカル
ジャパン製)を塗布し乾燥させ硬化させた。
実施例3
第1図(a)に示す外周コンタクトリンク及び第1図(
b)に示す内周コンタクトリングを、導電体2をSUS
、不導体として2P樹脂を塗布し硬化させた物を用いて
作成した。
b)に示す内周コンタクトリングを、導電体2をSUS
、不導体として2P樹脂を塗布し硬化させた物を用いて
作成した。
実施例4
第1図(a)、(b)に示す外周コンタクトリング及び
内周コンタクトリンクの導電体として銅系の粉末導電材
料をシリコン系ゴムに混合した導電ゴムを用い、不導体
として、シリコン系ゴムを用いて作製した。
内周コンタクトリンクの導電体として銅系の粉末導電材
料をシリコン系ゴムに混合した導電ゴムを用い、不導体
として、シリコン系ゴムを用いて作製した。
以上実施例1〜4て作製した本発明のコンタクトリング
を用いて電鋳装置を作成し、スルファミン酸ニッケル電
鋳液中て、導電化膜の施されたガラス原盤を回転させな
から、通電電流の時間精分値17〜34AH(アンペア
・アワー)の条件てガラス原盤上に100〜200uL
mのニッケル金属膜12を析出させた。ここて使用した
電鋳液は、以下のごとき組成のものである。
を用いて電鋳装置を作成し、スルファミン酸ニッケル電
鋳液中て、導電化膜の施されたガラス原盤を回転させな
から、通電電流の時間精分値17〜34AH(アンペア
・アワー)の条件てガラス原盤上に100〜200uL
mのニッケル金属膜12を析出させた。ここて使用した
電鋳液は、以下のごとき組成のものである。
スルファミン酸ニッケル・4水塩
[N 1 (Nl2 503)2・4H20コ
500g/l硼酸[H3B O3]
:]5 N38g/lピット防止剤
2・51/1結果、コンタクトリングにニッケル金
属か析出せず、コンタクトリンクを取り外しても、ニッ
ケル金属膜12と導電化!allとの間て剥離か生じる
ことかなかった。
500g/l硼酸[H3B O3]
:]5 N38g/lピット防止剤
2・51/1結果、コンタクトリングにニッケル金
属か析出せず、コンタクトリンクを取り外しても、ニッ
ケル金属膜12と導電化!allとの間て剥離か生じる
ことかなかった。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、不導体(絶縁体)を形
成したコンタクトリンクを用い、電鋳法によりニッケル
金属を析出させ、情報記録媒体成型用スタンパーを製作
することにより、次のような、顕著な効果をそうするこ
とかできる。
成したコンタクトリンクを用い、電鋳法によりニッケル
金属を析出させ、情報記録媒体成型用スタンパーを製作
することにより、次のような、顕著な効果をそうするこ
とかできる。
(1)電鋳法によりニッケル金属を析出させた後、コン
タクトリングを取り外しても、導電化膜より剥離か生じ
ることかなく、研磨工程で、剥離部分により研磨液か侵
入し、情報記録媒体成型用スタンパーのトラッキング用
溝、情報用ピット等の凹凸の微細パターンを侵すといっ
た、欠点を解決出来た。
タクトリングを取り外しても、導電化膜より剥離か生じ
ることかなく、研磨工程で、剥離部分により研磨液か侵
入し、情報記録媒体成型用スタンパーのトラッキング用
溝、情報用ピット等の凹凸の微細パターンを侵すといっ
た、欠点を解決出来た。
(2)有効部(トラッキング用溝、情報用ピット等の凹
凸の微細パターン)とほぼ同じ大きさて、ガラス原盤の
直径を設定することか出来るのて、電鋳効率が良くなり
、安価な、情報記録媒体成型用スタンパーを製作するこ
とかてきる。
凸の微細パターン)とほぼ同じ大きさて、ガラス原盤の
直径を設定することか出来るのて、電鋳効率が良くなり
、安価な、情報記録媒体成型用スタンパーを製作するこ
とかてきる。
(3)1回の電鋳につき、数回コンタクトリングを使用
てきるため、コンタクトリンクの利用効率及び、経済性
か良い。
てきるため、コンタクトリンクの利用効率及び、経済性
か良い。
第1図は本願発明のコンタクトリングを用いた電鋳装置
の一実施態様を示す概略図である。 第2図は本願発明のコンタクトリングの断面図である。 第3図は従来の電鋳装置の概略図、 第4図は電鋳法による情報記録媒体成型用スタンパーの
製造方法を示す工程説明図であり、第5図は電鋳装置の
模式的断面図、 第6図は従来のコンタクトリングを用いたガラス原盤の
断面図である。 1・・・コンタクトリンク 2・・・導体 3・・・不導体 4・・・導電性ゴム 5・・・不導体ゴム 6・・・ガラス原盤 7・・・スルファミン酸ニッケル電鋳液8・・・フォト
レジスト 9・・・ガラス基板 10・・・ニッケルチップ 11・・・導電化膜 12・・・金属膜 13・・・情報記録媒体成型用スタンパ−14・・・ダ
ミー板 15・・・バックプレート 16・・・樹脂基材 17・・・コンタクトリングへの金属析出箇所18・・
・コンタクトリング 19・・・導電部材 8′・・・凹凸の微細パターン 第3図 (A) (B) 第5図 (A) 第4図 と 第6図
の一実施態様を示す概略図である。 第2図は本願発明のコンタクトリングの断面図である。 第3図は従来の電鋳装置の概略図、 第4図は電鋳法による情報記録媒体成型用スタンパーの
製造方法を示す工程説明図であり、第5図は電鋳装置の
模式的断面図、 第6図は従来のコンタクトリングを用いたガラス原盤の
断面図である。 1・・・コンタクトリンク 2・・・導体 3・・・不導体 4・・・導電性ゴム 5・・・不導体ゴム 6・・・ガラス原盤 7・・・スルファミン酸ニッケル電鋳液8・・・フォト
レジスト 9・・・ガラス基板 10・・・ニッケルチップ 11・・・導電化膜 12・・・金属膜 13・・・情報記録媒体成型用スタンパ−14・・・ダ
ミー板 15・・・バックプレート 16・・・樹脂基材 17・・・コンタクトリングへの金属析出箇所18・・
・コンタクトリング 19・・・導電部材 8′・・・凹凸の微細パターン 第3図 (A) (B) 第5図 (A) 第4図 と 第6図
Claims (4)
- (1)凹凸のプリフオーマツトパターンを表面に有する
ガラス原盤上に形成されてなる導電化膜上に金属膜を電
鋳によって形成する電鋳装置の、該導電化膜に接して電
流を供給するコンタクトリングがその内周側面及び/又
は外周側面に不導体を有することを特徴とするコンタク
トリング。 - (2)前記不導体に樹脂を用いる請求項1のコンタクト
リング。 - (3)前記コンタクトリングが導電性ゴムからなりその
外周又は内周面に不導体として絶縁性ゴムを用いた請求
項1のコンタクトリング。 - (4)スタンパーを電鋳によって製造する電鋳装置に於
て、ガラス原盤上の導電化膜に電流を供給するためのコ
ンタクトリングがその内周面又は外周面に不導体を形成
してなることを特徴とする電鋳装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20584090A JPH0490149A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | コンタクトリング及び電鋳装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20584090A JPH0490149A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | コンタクトリング及び電鋳装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0490149A true JPH0490149A (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16513586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20584090A Pending JPH0490149A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | コンタクトリング及び電鋳装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0490149A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0813182A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-16 | Nec Corp | 裏打ち用スタンパの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62280392A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | Nec Corp | 電鋳電極 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP20584090A patent/JPH0490149A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62280392A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | Nec Corp | 電鋳電極 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0813182A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-16 | Nec Corp | 裏打ち用スタンパの製造方法 |
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