JPH0488676A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0488676A JPH0488676A JP2203672A JP20367290A JPH0488676A JP H0488676 A JPH0488676 A JP H0488676A JP 2203672 A JP2203672 A JP 2203672A JP 20367290 A JP20367290 A JP 20367290A JP H0488676 A JPH0488676 A JP H0488676A
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- Japan
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- wiring
- region
- concentration impurity
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- Granted
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は固体撮像素子に関し、特に保護回路を改善した
CCD等の素子に関する。
CCD等の素子に関する。
−iに、CCDは小型、軽量かつ低消費電力である固体
撮像素子であり、テレビジョンカメラを構成できるもの
として発展が著しく、高い信頼性が要求されている。通
常、この種の素子には保護回路が設けられるが、この保
護回路と素子本体回路との間を電気的に分離するための
構成も設けられる。
撮像素子であり、テレビジョンカメラを構成できるもの
として発展が著しく、高い信頼性が要求されている。通
常、この種の素子には保護回路が設けられるが、この保
護回路と素子本体回路との間を電気的に分離するための
構成も設けられる。
例えば、第3図はその一例の平面図、第4図はそのB−
B線に沿う拡大断面図である。これらの図において、1
はN型半導体基板であり、ここに本体回路を構成する本
体Pウェル領域2と、保護回路を構成する保護回路Pウ
ェル領域3を離間配置している。前記本体Pウェル領域
2にはP型窩濃度不純物領域4が形成されている。同様
に、保護回路Pウェル領域3にはP型窩濃度不純物領域
5が形成されている。そして、これら本体Pウェル領域
2と保護回路Pウェル領域3とを分離するために、両者
の間にN型高濃度不純物領域9を形成している。
B線に沿う拡大断面図である。これらの図において、1
はN型半導体基板であり、ここに本体回路を構成する本
体Pウェル領域2と、保護回路を構成する保護回路Pウ
ェル領域3を離間配置している。前記本体Pウェル領域
2にはP型窩濃度不純物領域4が形成されている。同様
に、保護回路Pウェル領域3にはP型窩濃度不純物領域
5が形成されている。そして、これら本体Pウェル領域
2と保護回路Pウェル領域3とを分離するために、両者
の間にN型高濃度不純物領域9を形成している。
なお、前記本体Pウェル領域2と保護回路Pウェル領域
3のそれぞれの上面には絶縁膜6が形成され、この絶縁
膜6上にアルミニウム配線7が延長され、その一部にバ
ンド8が形成されている。
3のそれぞれの上面には絶縁膜6が形成され、この絶縁
膜6上にアルミニウム配線7が延長され、その一部にバ
ンド8が形成されている。
二の構成によれば、本体Pウェル領域2と保護回路Pウ
ェル領域3の間に設けられたN型高濃度不純物領域9に
よって、本体回路と保護回路とが分離されることになる
。
ェル領域3の間に設けられたN型高濃度不純物領域9に
よって、本体回路と保護回路とが分離されることになる
。
〔発明が解決しようとする課題]
上述したようなCCDでは、近年におけるチップの微細
化と高速シャッタ化に伴い、受光素子に蓄積された不用
電荷を基板に高電圧を印加して引き抜く縦型オーバフロ
ードレインが開発されており、このため、基板には電荷
蓄積状態の基板電圧より高電圧を印加することが行われ
ている。また、受光素子以外で発生した電子が、電荷転
送部に拡散し、偽信号となるスミアを防ぎ、かつ感度を
下げないよう斜め方向から入射する光を遮光するため、
遮光アルミニウムの下の絶縁膜、換言すれは前記アルミ
ニウム配線7の下側に設けられる絶縁膜6が薄くなる傾
向にある。
化と高速シャッタ化に伴い、受光素子に蓄積された不用
電荷を基板に高電圧を印加して引き抜く縦型オーバフロ
ードレインが開発されており、このため、基板には電荷
蓄積状態の基板電圧より高電圧を印加することが行われ
ている。また、受光素子以外で発生した電子が、電荷転
送部に拡散し、偽信号となるスミアを防ぎ、かつ感度を
下げないよう斜め方向から入射する光を遮光するため、
遮光アルミニウムの下の絶縁膜、換言すれは前記アルミ
ニウム配線7の下側に設けられる絶縁膜6が薄くなる傾
向にある。
このため、縦型オーバフロードレインを構成するために
N型半導体基板1に高電圧を印加すると、アルミニウム
配線7に負電圧が印加されたときに、接地されているP
層高濃度不純物領域4.5とN型高濃度不純物領域9と
のPN接合部の電位差が大きくなり、アルミニウム配線
7とN型高濃度不純物領域9の間に電界が集中する。そ
して、アルミニウム配線7の下側の絶縁膜6が薄く形成
されているため、この部分で絶縁膜6が静電破壊され易
くなり、CCDの耐圧不良を起こすという問題がある。
N型半導体基板1に高電圧を印加すると、アルミニウム
配線7に負電圧が印加されたときに、接地されているP
層高濃度不純物領域4.5とN型高濃度不純物領域9と
のPN接合部の電位差が大きくなり、アルミニウム配線
7とN型高濃度不純物領域9の間に電界が集中する。そ
して、アルミニウム配線7の下側の絶縁膜6が薄く形成
されているため、この部分で絶縁膜6が静電破壊され易
くなり、CCDの耐圧不良を起こすという問題がある。
本発明の目的は、このような問題を解消して耐圧を改善
した固体撮像素子を提供することにある。
した固体撮像素子を提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
本発明の固体撮像素子は、一導電型の半導体基板に設け
た本体回路と保護回路とを分離するための一導電型の高
濃度不純物領域を、半導体基板上に絶縁膜を介して設け
た配線の直下には設けていない。
た本体回路と保護回路とを分離するための一導電型の高
濃度不純物領域を、半導体基板上に絶縁膜を介して設け
た配線の直下には設けていない。
本発明によれば、配線の直下に分離用の高濃度不純物領
域が形成されていないため、基板に高電圧を印加した際
にも配線と高濃度不純物領域との間の電界集中が緩和で
き、絶縁膜の静電破壊が防止される。
域が形成されていないため、基板に高電圧を印加した際
にも配線と高濃度不純物領域との間の電界集中が緩和で
き、絶縁膜の静電破壊が防止される。
〔実施例]
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図および第2図は本発明をCCDに適用した一実施
例を示す図であり、第1図はCCDの要部の平面図、第
2図はそのA−A線に沿う拡大断面図である。これらの
図において、1はN型半導体基板であり、本体回路には
本体Pウェル領域2を有し、保護回路には保護回路Pウ
ェル領域3を有している。各Pウェル領域2,3にはそ
れぞれP層高濃度不純物領域4.5が設けられている。
例を示す図であり、第1図はCCDの要部の平面図、第
2図はそのA−A線に沿う拡大断面図である。これらの
図において、1はN型半導体基板であり、本体回路には
本体Pウェル領域2を有し、保護回路には保護回路Pウ
ェル領域3を有している。各Pウェル領域2,3にはそ
れぞれP層高濃度不純物領域4.5が設けられている。
また、これらの上には絶縁膜6が形成され、この絶縁膜
6上には本体回路と保護回路とにわたってアルミニウム
配線7が形成され、その一部にバッド8が形成されてい
る。また、前記本体回路と保護回路との間には両者を分
離するためのN型高濃度不純物領域9が設けられている
。そして、ここでは、このN型高濃度不純物領域9は、
前記アルミニウム配線7の直下およびその近傍領域には
設けてはいない。
6上には本体回路と保護回路とにわたってアルミニウム
配線7が形成され、その一部にバッド8が形成されてい
る。また、前記本体回路と保護回路との間には両者を分
離するためのN型高濃度不純物領域9が設けられている
。そして、ここでは、このN型高濃度不純物領域9は、
前記アルミニウム配線7の直下およびその近傍領域には
設けてはいない。
この構成によれば、不用電荷を引き抜くためにN型半導
体基板1に正の高電圧を印加し、これによりN型高濃度
不純物領域9に正の高電圧が印加され、一方バッド8、
つまりアルミニウム配!s7に負の電圧が印加されても
、アルミニウム配線7の下にはN型高濃度不純物領域9
が存在していないため、この部分に電界が集中すること
はない。
体基板1に正の高電圧を印加し、これによりN型高濃度
不純物領域9に正の高電圧が印加され、一方バッド8、
つまりアルミニウム配!s7に負の電圧が印加されても
、アルミニウム配線7の下にはN型高濃度不純物領域9
が存在していないため、この部分に電界が集中すること
はない。
したがって、スミアを防止する目的のために絶縁膜6が
薄く形成されている場合でも、絶縁膜6が静電破壊され
ることを防止でき、耐圧を向上させることができる。
薄く形成されている場合でも、絶縁膜6が静電破壊され
ることを防止でき、耐圧を向上させることができる。
以上説明したように本発明は、配線の直下に分離用の高
濃度不純物領域が形成されていないため、基板に高電圧
を印加した際にも配線と高濃度不純物領域との間の電界
集中を緩和でき、絶縁膜の静電破壊を防止して固体撮像
素子の耐圧を改善することができる効果がある。
濃度不純物領域が形成されていないため、基板に高電圧
を印加した際にも配線と高濃度不純物領域との間の電界
集中を緩和でき、絶縁膜の静電破壊を防止して固体撮像
素子の耐圧を改善することができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の要部の平面図、第2図は第
1図のA−A線拡大断面図、第3図は従来のCCDの一
部の平面図、第4図は第3図のB−B線拡大断面図であ
る。 1・・・N型半導体基板、2・・・本体回路Pウェル領
域、3・・・保護回路Pウェル領域、4,5・・・P型
窩濃度不純物領域、6・・・絶縁膜、7・・・アルミニ
ウム配線、8・・・パッド、9・・・N型高濃度不純物
領域。 第2 図 第4 図
1図のA−A線拡大断面図、第3図は従来のCCDの一
部の平面図、第4図は第3図のB−B線拡大断面図であ
る。 1・・・N型半導体基板、2・・・本体回路Pウェル領
域、3・・・保護回路Pウェル領域、4,5・・・P型
窩濃度不純物領域、6・・・絶縁膜、7・・・アルミニ
ウム配線、8・・・パッド、9・・・N型高濃度不純物
領域。 第2 図 第4 図
Claims (1)
- 1、一導電型の半導体基板に設けた本体回路と保護回路
との間に両回路を分離するための一導電型の高濃度不純
物領域を形成し、かつ前記半導体基板上には薄い絶縁膜
を介して本体回路と保護回路とを結ぶ配線を形成してな
る固体撮像素子において、前記分離用高濃度不純物領域
は前記配線の直下には設けていないことを特徴とする固
体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2203672A JP2600994B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2203672A JP2600994B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0488676A true JPH0488676A (ja) | 1992-03-23 |
JP2600994B2 JP2600994B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=16477941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2203672A Expired - Lifetime JP2600994B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2600994B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2203672A patent/JP2600994B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2600994B2 (ja) | 1997-04-16 |
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