JPH0430460A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0430460A JPH0430460A JP13658890A JP13658890A JPH0430460A JP H0430460 A JPH0430460 A JP H0430460A JP 13658890 A JP13658890 A JP 13658890A JP 13658890 A JP13658890 A JP 13658890A JP H0430460 A JPH0430460 A JP H0430460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high concentration
- type high
- impurity region
- concentration impurity
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体撮像素子に間し、持に、固体撮像素子の
ＣＣＤの保護回路の構造に関する。
ＣＣＤの保護回路の構造に関する。
従来の技術
現在ＣＣＤは、小型軽量かつ低消費電力である固体撮像
素子であり、テレビジョンカメラを構成できるものとし
て発展が著るしく、又高い信頼性が要求されている。近
年、チップの微小化と、高速シャッタ化に伴い、受光素
子に蓄積された不用電荷を、基板に高電圧を印加して引
き抜く縦型オーバフロードレインが開発されている。こ
の為に、基板には電化蓄積状態の基板電圧より高電圧を
印加しなければならない。また、受光素子部分以外で発
生した電子が電荷転送部に拡散し偽信号となるスミアを
防ぎ、かつ感度を下げないように斜め方向から入射する
光を遮光するために、遮光アルミニウムの直下の絶縁膜
は薄く作られている。よって、保護回路では、配線部分
のアルミニウム配線と基板との間の絶縁膜も薄くなる。
素子であり、テレビジョンカメラを構成できるものとし
て発展が著るしく、又高い信頼性が要求されている。近
年、チップの微小化と、高速シャッタ化に伴い、受光素
子に蓄積された不用電荷を、基板に高電圧を印加して引
き抜く縦型オーバフロードレインが開発されている。こ
の為に、基板には電化蓄積状態の基板電圧より高電圧を
印加しなければならない。また、受光素子部分以外で発
生した電子が電荷転送部に拡散し偽信号となるスミアを
防ぎ、かつ感度を下げないように斜め方向から入射する
光を遮光するために、遮光アルミニウムの直下の絶縁膜
は薄く作られている。よって、保護回路では、配線部分
のアルミニウム配線と基板との間の絶縁膜も薄くなる。
第２図は、ＣＣＤの素子領域の本体Ｐウェルと保護回路
のＰウェルを分離するためのＮ型高濃度不純物が注入さ
れている保護回路の配線部の一部分の垂直断面図である
。第２図において、１１はアルミニウム配線で、１２は
Ｎ基板、１３はＰ型高濃度不純物領域、１４は本体Ｐウ
ェル、１５はＮ型高濃度不純物領域、１６は絶縁膜であ
る。
のＰウェルを分離するためのＮ型高濃度不純物が注入さ
れている保護回路の配線部の一部分の垂直断面図である
。第２図において、１１はアルミニウム配線で、１２は
Ｎ基板、１３はＰ型高濃度不純物領域、１４は本体Ｐウ
ェル、１５はＮ型高濃度不純物領域、１６は絶縁膜であ
る。
第３図は第２図の構造を更に簡略化し、アルミニウム配
線１１に低電圧が印加され、Ｎ基板１２に高電圧が印加
されているときの二次元等電位図である。Ｐ型窩濃度不
純物領域１３は接地されている。
線１１に低電圧が印加され、Ｎ基板１２に高電圧が印加
されているときの二次元等電位図である。Ｐ型窩濃度不
純物領域１３は接地されている。
このとき、アルミニウム配４！１１とＮ型高濃度不純物
領域１５との闇に大きな電位差が生じ、Ｎ型高濃度不純
物領域１５のＢの領域の等電位線の間隔が狭くなってい
て電界が集中していた。
領域１５との闇に大きな電位差が生じ、Ｎ型高濃度不純
物領域１５のＢの領域の等電位線の間隔が狭くなってい
て電界が集中していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述したように基板に高電圧を印加する
と、基板上の配線に印加された電圧が低いとき、基板内
の界面に存在するＰ型高濃度不純物領域と、Ｎ型高濃度
不純物領域とのＰＮ接合部に高電圧がかかり、アルミニ
ウム配線とＮ型高濃度不純物領域の間に電界が集中し、
静電破壊などの耐圧不良を惹き起こすという課題があっ
た９本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであ
り、従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記
課題を解決することを可能とした新規な固体撮像素子を
提供することにある。
と、基板上の配線に印加された電圧が低いとき、基板内
の界面に存在するＰ型高濃度不純物領域と、Ｎ型高濃度
不純物領域とのＰＮ接合部に高電圧がかかり、アルミニ
ウム配線とＮ型高濃度不純物領域の間に電界が集中し、
静電破壊などの耐圧不良を惹き起こすという課題があっ
た９本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであ
り、従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記
課題を解決することを可能とした新規な固体撮像素子を
提供することにある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子
は、受光素子と電荷転送部を有し、各パッドと内部回路
との間に少なくとも一つの保護回路を有し、前記保護回
路の配線が半導体基板内の接近して存在するＮ型高濃度
不純物領域とＰ型高濃度不純物領域を絶縁膜を介して交
差する部分において、前５己配線と前記半導体基板の間
に、ポリシリコンを絶縁膜を介して存在させて構成され
る。
は、受光素子と電荷転送部を有し、各パッドと内部回路
との間に少なくとも一つの保護回路を有し、前記保護回
路の配線が半導体基板内の接近して存在するＮ型高濃度
不純物領域とＰ型高濃度不純物領域を絶縁膜を介して交
差する部分において、前５己配線と前記半導体基板の間
に、ポリシリコンを絶縁膜を介して存在させて構成され
る。
実施例
次に、本発明をその好ましい一実施例について図面を参
照して具体的に説明する。
照して具体的に説明する。
第１図は本発明に係る保護回路の配線部の一実施例によ
る一部分の垂直断面図である。
る一部分の垂直断面図である。
第１図を参照するに、参照番号１はアルミニウム配線、
２はＮ基板、３はＮ型高濃度不純物領域、４はＰウェル
、５はＰ型高濃度不純物領域、６は絶縁膜、７はポリシ
リコンをそれぞれ示している。
２はＮ基板、３はＮ型高濃度不純物領域、４はＰウェル
、５はＰ型高濃度不純物領域、６は絶縁膜、７はポリシ
リコンをそれぞれ示している。
例えば、アルミニウム配線１にＯｖを印加し、Ｎ基板２
に５０Ｖを印加する。ポリシリコン７は２０００人から
４００１）人の厚さで、例えば、ｌＯ”ｖ−の電位を与
える。このように絶縁膜６の間にポリシリコン７を挟む
ことによってＮ型高濃度不純物領域３と、ポリシリコン
７との間の電位差は、従来のＮ型高濃度不純物領域１３
とアルミニウム配線１１との電位差より小さくすること
ができ、また、Ｎ型高濃度不純物領域５とＰ型高濃度不
純物領域３との間の電界集中を緩和させることが出来る
。このポリシリコン７は、電荷転送部のゲート電極と同
時に作成されるので、プロセスが複雑になるという心配
はない。
に５０Ｖを印加する。ポリシリコン７は２０００人から
４００１）人の厚さで、例えば、ｌＯ”ｖ−の電位を与
える。このように絶縁膜６の間にポリシリコン７を挟む
ことによってＮ型高濃度不純物領域３と、ポリシリコン
７との間の電位差は、従来のＮ型高濃度不純物領域１３
とアルミニウム配線１１との電位差より小さくすること
ができ、また、Ｎ型高濃度不純物領域５とＰ型高濃度不
純物領域３との間の電界集中を緩和させることが出来る
。このポリシリコン７は、電荷転送部のゲート電極と同
時に作成されるので、プロセスが複雑になるという心配
はない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、保護回路において
、アルミニウム配線と基板内のＮ型高濃度不純物領域と
Ｐ型高濃度不純物領域が接近して存在するときに、アル
ミニウム配線と基板との間に絶縁膜を介しポリシリコン
などの電極を介在させて正電位を与えることによって、
Ｎ型高濃度不純物領域とＰ型高濃度不純物領域との間に
発生する電界集中を緩和することが可能となり、この為
に、静電破壊などの耐圧不良をなくすことが出来る。
、アルミニウム配線と基板内のＮ型高濃度不純物領域と
Ｐ型高濃度不純物領域が接近して存在するときに、アル
ミニウム配線と基板との間に絶縁膜を介しポリシリコン
などの電極を介在させて正電位を与えることによって、
Ｎ型高濃度不純物領域とＰ型高濃度不純物領域との間に
発生する電界集中を緩和することが可能となり、この為
に、静電破壊などの耐圧不良をなくすことが出来る。
第１図は本発明に係る保護回路の一実施例を示す配線部
の一部分の垂直断面図、第２図は従来の保護回路の配線
部の一部分の垂直断面図、第３図は第２図の構造をさら
に簡略化したときの二次元電位分布図である。 １・・・アルミニウム配線、２・・・Ｎ基板、３・・Ｎ
型高濃度不純物領域、４・・・本体Ｐウェル、５・・・
Ｐ型高濃度不純物領域、６・・・絶縁膜、７・・・ポリ
シリコン、１１・・・アルミニウム配線、１２・・・Ｎ
基板、１３・・・Ｎ型高濃度不純物領域、１４・・・本
体Ｐウェル、１５・・・Ｐ型高濃度不純物領域、１６・
・・絶縁膜、Ａ・・・等電位線、Ｂ・・・等電位線の密
な領域 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 １：アルミニツム配線 ２ ：ＮＸ叛 ３：Ｐ型高濃ｒＸ干Ｍキ界４域 ４；杢ｅＰウェル ５：Ｎ型高濃皮モ粍殉領嘔 ６：絶縁膜 ７：ポリンワコン 第 図 １１°アルミニフム配線 １２ Ｎ基鈑 １３ Ｐ型南濃度千靴物頻域 １４：金棒Ｐウェル １５・Ｎ型高濃度下科物雫−域 １６：範軸順 第２図 Ａ 算＠口線 Ｂ ：等を口線の野ｒ１領域 第 図
の一部分の垂直断面図、第２図は従来の保護回路の配線
部の一部分の垂直断面図、第３図は第２図の構造をさら
に簡略化したときの二次元電位分布図である。 １・・・アルミニウム配線、２・・・Ｎ基板、３・・Ｎ
型高濃度不純物領域、４・・・本体Ｐウェル、５・・・
Ｐ型高濃度不純物領域、６・・・絶縁膜、７・・・ポリ
シリコン、１１・・・アルミニウム配線、１２・・・Ｎ
基板、１３・・・Ｎ型高濃度不純物領域、１４・・・本
体Ｐウェル、１５・・・Ｐ型高濃度不純物領域、１６・
・・絶縁膜、Ａ・・・等電位線、Ｂ・・・等電位線の密
な領域 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 １：アルミニツム配線 ２ ：ＮＸ叛 ３：Ｐ型高濃ｒＸ干Ｍキ界４域 ４；杢ｅＰウェル ５：Ｎ型高濃皮モ粍殉領嘔 ６：絶縁膜 ７：ポリンワコン 第 図 １１°アルミニフム配線 １２ Ｎ基鈑 １３ Ｐ型南濃度千靴物頻域 １４：金棒Ｐウェル １５・Ｎ型高濃度下科物雫−域 １６：範軸順 第２図 Ａ 算＠口線 Ｂ ：等を口線の野ｒ１領域 第 図
Claims (1)
- 受光素子と電荷転送部を有し、各パッドと内部回路との
間に保護回路を有し、前記保護回路の配線が半導体基板
内の接近して存在するＮ型高濃度不純物領域とＰ型高濃
度不純物領域を絶縁膜を介して交差する部分の少なくと
も一箇所において、前記配線と前記半導体基板の間に、
ポリシリコンが絶縁膜を介して存在していることを特徴
とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13658890A JPH0430460A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13658890A JPH0430460A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430460A true JPH0430460A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15178797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13658890A Pending JPH0430460A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430460A (ja) |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13658890A patent/JPH0430460A/ja active Pending
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