JPH0488621A - 角度ずれ検出方法およびその装置と露光装置 - Google Patents

角度ずれ検出方法およびその装置と露光装置

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JPH0488621A
JPH0488621A JP2202531A JP20253190A JPH0488621A JP H0488621 A JPH0488621 A JP H0488621A JP 2202531 A JP2202531 A JP 2202531A JP 20253190 A JP20253190 A JP 20253190A JP H0488621 A JPH0488621 A JP H0488621A
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light
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incident
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野]        −本発明は露光
装置に関し、特に、露光光とは興なる位置決め用の光に
よりマスクとウェハとの位置合わせが行なわれる露光装
置に関する。
〔従来の技術1 露光装置においては、露光パターンが形成されたマスク
と露光がなされるウェハとをきわめて寓い精度で位置決
めする必要がある。
第15図は露光装置の概略図である。
同図において、1501はマスク、1502はレジスト
が塗布されたウェハ、1503はウェハ1502を保持
して移動可能な移動台、15o4はマスク1501とウ
ェハ1502上に描かれたパターンの位置ずれを検出す
るアライメント光学系、1505はマスク15o1、ア
ライメント光学系1504、ウェハ移動台1503その
他を取り付けた架台である。1506はシンクロトロン
放射光等の露光に供される照明光束の主光線の1部を示
す。
第16図は第15図に示した装置の一部の拡大図である
同図において、1601はマスク1501上のマスクパ
ターンであり、例えば、照明光源がX線であるとすれば
、金の吸収体で構成される。
1602はウェハ1502上に既に形成されたパターン
であり、1603はその上に塗布されたレジストである
。マスク1501上のパターン1601とウェハ150
2上のパターン1602とが正しく重なり合うように露
光されるためには、照明光束1506の方向によって定
まるマスクパターンの転写位置と、ウェハに形成されて
いるパターンとのずれδ、がゼロとなるように、ウェハ
15o2とマスク1501の位置が調整されなければな
らない、したがって、第15図のアライメント光学系1
504の計測の基準(光軸)は照明光束1506の方向
と一致しているのが望ましいが、もし一致していなくて
も、次のような補正をすることによって、照明光束15
06の方向によって定められるずれ量を計測することが
可能である。
すなわち、第16図に示すように、アライメント光学系
の計測の基準となるべき直線1604と、照明光束15
06の方向を示す直線16o5とがなす角をθとし、ウ
ェハ1502とマスク1501との距離(プロキシミテ
イギャツブ)をGとすると、 δ=θ・G なるδを用いて、アライメント光学系によって計測され
たずれ量δ2を補正することにより、照明光束の方向に
よって定まるずれ量δ1に換算することができる。
δ1+62=δ しかしながら、この場合、プロキシミティギャップGの
値は既知でなくてはならず、このGの見積り誤差Δgが
ある場合は ε=θ・6g なるεは、補正できない誤差の1つとなる。
例えばΔg=2μmの場合、l t l <0.002
μmとなるためには、 θ ≦1 mrad でなければならない。
第17図は転写を行なうための位置決め用の光もしくは
露光光の光軸が露光装置の基準軸と一致しているかどう
かを検出する機構の従来例の構成を示す図である。中央
部に直径dのピンホールがそれぞれ設けられた2個のピ
ンホール板1701.1702を各ピンホール板170
1゜1702に設けられたピンホールと露光装置の基準
軸とが一致するように所定の距離り離して設け、各ピン
ホール板1701.1702を通った光を検出器170
3にて検出し、その出力強度から位置決め用の光の光軸
や露光光の光軸のずれ量を検出するものである。
第18図は被測定光軸と露光装置の基準軸とがなす角度
θと検出器1703の出力強度とを示す図である。検出
器1703の出力強度は、被測定光軸と上記基準軸とが
一致し、角度θが0であるときに最大値となり、角度θ
が生じたときには、その出力強度は低下し、その出力強
度曲線は上記最大値を中心とした対称的なものとなる。
〔発明が解決しようとする課題1 上述した従来の露光装置の角度決め機構においては、最
大値以外(角度θが生じた場合)の所定の出力値となる
角度が2通りある。このため、検出器の出力値からだけ
では各光軸のずれ量およびずれの向きがわからず、露光
装置の姿勢調整が困難であり、検出器出力から入射角を
得ようとする場合には、角度決め機構を全体に角度を振
って最大値をとる角度を求める必要があり、煩雑である
という問題点がある。また、検出精度を高める場合には
、d/Lの値(ここで、Lは各ピンホール板の間の距離
、dはピンホールの直径)を小さくする必要があるが、
この値を小さくすると露光装置の基準軸に合わせること
が困難になるという問題点がある。
本発明は上記従来技術が有する問題点に鑑みてなされた
ものであって、検出器出力から露光装置の基準軸と光軸
のずれ量および向きを容易に判断することができる露光
装置の角度ずれ検出機構を実現することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の露光装置の角度ずれ検出方法は、露光装置と組
合わされて使用され、マスクとウニ八との角度合わせ用
の光や実際に露光を行なう露光光の光軸と、前記露光装
置の基準軸とのずれ量を検出するための露光装置の角度
ずれ検出方法において、 入射光の光強度を検出する検出器に入射する入射光を、
予め定められる角度ずれ検出領域においては、前記入射
光の光軸と前記露光装置の基準軸とが成す入射角度に応
じて入射光量を連続的に増加または減少させ、角度ずれ
検出領域外においては、入射光の光軸が角度ずれ検出領
域に対していずれの方向にずれているかにより入射光量
を制限する。
この場合、上記方法による角度ずれ検出装置として、入
射光の進行方向順に設けられた、ナイフェツジと、入射
光の進行方向と交差する一つの方向に関して入射光の制
限を行なうための開口が設けられたスリットとによって
入射光制限手段を構成してもよく、 また、入射光の進行方向順に設けられた、入射光の進行
方向と交差する面に沿った第1方向に関して入射光の制
限を行なうための開口が設けられたスリットと、開口部
の前記面に沿った第2方向の大きさが前記第1方向の位
置に応じて増加または減少するくさび型スリットとによ
って入射光制限手段を構成してもよい。
また、入射光制限手段を介することなく入射光強度を検
出する第2の検出器を設けてもよい。
さらに、入射光制限手段である略中央部に孔が設けられ
たピンホール板と、角度検出型の検出器とが露光装置の
基準軸と平行であり、入射光の進行方向順に設けてもよ
い。
[作用] 検出器に入射される入射光量は、入射光制限手段によっ
て角度ずれ検出領域に入射されるときには、入射光の光
軸と基準軸とが成す入射角度に応じて連続的に増加また
は減少したものとなるので、検出器の8力強度によって
入射光の入射角度を判断することができる。角度ずれ検
出領域から外れて入射される場合には、そのずれている
方向に応じて入射光量が制限されるため、ずれている方
向を判断することができる。
また、ピンホール板と角度検出型の検出器とを用いる場
合には、ピンホール板に設けられた孔と検出器における
検出角度から入射光の入射角度を判断することができる
[実施例1 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第1の実施例の要部構成を示す図であ
る。
図中、1はナイフェツジ、2は略中央部に高さ方向の長
さがWである矩形状の開口2aを有し、ナイフェツジ1
とともに入射光制限手段を構成するスリット、3は検出
器である。
ナイフェツジ1は、そのエツジ部分が露光装置の基準軸
4上となるように設けられ、スリット2はナイフェツジ
1と間隔りを有し、その開口2aの中心を基準軸4が通
るように設けられている。
このため、角度決め用の光や露光光である入射光5が基
準軸4と一致している場合の検出器3の出力強度は、ナ
イフェツジlが設けられないときの出力強度Ioの17
2となる。
第2図は、基準軸4と入射光5とが成す入射角度θと、
検出器3の出力強度の関係を示す図である。
入射光5のビーム径が開口2aの長さWよりも十分大き
なものとし、第1図中の上方への傾きを正方向とする。
この場合、検出器3の出力強度は入射角度θが−W/L
とW/Lの間においては0から1、まで直線的に増加し
、入射角度θが−W八へ下の場合の出力強度は0、入射
角度θがWへ以上の傾きの場合の出力強度はIoとなる
。このため、入射角度θが角度ずれ検出領域となる士W
/Lの間であれば検出器3の出力強度から入射角度θを
求めることができ、また、入射角度θが士W/Lの範囲
外であっても、正負いずれの方向にずれているかを判断
することができる。
このような角度検出を行なうときの検出範囲は、長さW
を1mm、間隔りを100mmとすると±IC)c+r
adとなる。また、このときの検出精度は検出器3の精
度に依存するものとなり、例えば検出器3の精度が±1
%であれば±0.1mradの精度にて角度検出を行な
うことが可能となる。
本実施例においては、■方向のみの角度検出を行なうも
のについて示したが、パターン転写角度ずれを2次元方
向で小さくするためには入射光の入射角度を2方向で検
出する必要がある。このような場合には、第1図に示し
たものを直交するように2組設置することにより、2方
向の角度検出を行なうことができる。
第3図乃至第5図のそれぞれは、第1図に示したような
角度ずれ検出機構33を、シンクロトロン放射光による
露光が行なわれるX線露光装置に組込んだ構成例を示す
ものである。
第3図乃至第5図のいずれに示したものにおいても、不
図示のシンクロトロン放射光装置にて発生したシンクロ
トロン放射光31によって露光が行なわれるものであり
、露光に関わる動作はいずれも同様であるため、露光動
作についての主要部には同一の番号を付して以下に説明
を行なう。
シンクロトロン放射光31は、X線透過窓32を介して
露光チャンバ39に入射する。露光チャンバ39内のシ
ンクロトロン放射光31の入射領域には、マスクチャッ
ク34.ウニハチャック40にそれぞれ吸着保持される
マスク35.ウェハ36が角度するように構成されてい
る。上記のマスクチャック34.ウェハチャック40の
それぞれは、マスクステージ37.ウェハステージ38
上に設けられており、移動可能とされている。
第3図に示したものにおいては、角度ずれ検出機構33
はマスクチャック34の外周部に露光チャンバ39の基
準軸と平行に設けられている。
露光はマスク25の中心部を通る光によってなされるた
め、このような構成とした場合には露光動作中にも角度
決め用の光(不図示)やシンクロトロン放射光31等の
入射光と上記基準軸との角度ずれ量や角度ずれの方向を
検出することができる。なお、第3図中のX線透過窓3
2は、角度ずれ検出装置33にもシンクロトロン放射光
31が照射されるように通常のものよりも面積の大きな
ものが用いられている。
第4図に示したものにおいては、角度ずれ検出機構33
は取付板41上に固設されている。露光チャンバ39の
据えつけ調整時にマスク35またはウェハ36の代わり
にマスクチャック34またはウェハチャック4oにチャ
ッキングされて角度ずれ検出を行なうものであり、第4
図にはマスクチャック34にチャッキングされた状態が
示されている。角度ずれ検出が行なわれた後の実際の露
光動作時には取り外される。このような構成としり場合
には、露光チャンバ39に特別な手段を構じる必要がな
い(例えば、X線透過窓32として通常の大きさのもの
を用いることができる)。
第5図に示したものにおいては、角度ずれ検出機構33
..33□がシンクロトロン放射光装置と露光チャンバ
とを結ぶビームライン51に露光チャンバ39の基準軸
と平行に設けられてしする。
角度ずれ検出機構33.はX線透過窓32とシンクロト
ロン放射光装置との間に設けられ、角度ずれ検出機構3
32はX線透過窓32と露光チャンバ39との間に設け
られている。これらの各角度ずれ検出機構33+ 、3
3□はいずれか一方のみを設ければよいが、いずれの場
合にお!/)でも露光装置の状態に拘らずにシンクロト
ロン放射光31の角度ずれ検出を行なうことができる。
また、角度ずれ検出機構33.のようにシンクロトロン
放射光装置とX線透過窓32の間に設けた場合には、第
4図示のものと同様にX線透過窓32として通常の大き
さのものを用いることができる。なお、角度ずれ検圧機
構は必ずしも露光装置の基準軸と平行に設ける必要はな
く、該基準軸に対して角度を有する場合には、角度に応
じて検出器出力を補正してもよい。
第6図は本発明の第2の実施例の要部構成を示す図であ
る。
本実施例は、スリット61、スリット61とともに入射
光制限手段を構成するくさび型スリット62および検出
器63により構成されて入射光65の角度ずれ検出を行
なうもので、これらは基準軸64に沿って順に設けられ
ている。スリット61には入射光65の高さ方向を制限
する細長い開口が設けられ、くさび型スリット62には
、検出器63の出力強度を入射光65の入射角度θに応
じたものとするための高さがhであり、上方が広く、下
方が狭まる逆三角形状の開口が設けられている。スリッ
ト61およびくさび型スリット62は、間隔りを有し、
また、基準軸64がそれぞれの開口の中心を通るように
配置されている。
第7図は、入射光65の入射角度θと検出器63の出力
強度の関係を示す図である。
検出器63の出力強度は、入射角度θが角度ずれ検出領
域となる一h/Lとh/Lの間においてはIoからOま
で直線的に減少し、入射角度θが−h/L以下であれば
Io、入射角度θがh/L以上であればOとなる。この
ため、第1の実施例のものと同様に、検出器63の出力
強度から入射角度θの大きさや、入射光65がいずれの
方向にずれているかを判断することができる。
第6図に示した実施例においては、くさび型スリット6
2は逆三角形状の開口を有するものとして説明したが、
この開口部の形状を異ならせることにより、検8器63
の入射角度θに対する出力強度特性を異ならせることが
できる。
第8図(a)には7字状の切欠きが一部設けられたくさ
び型スリット81が示され、第8図(b)には切欠き部
の辺が曲線状に加工されたくさび型スリット82が示さ
れている。第9図(a) 、 (b)はそれぞれ第6図
中のくさび型スリット62の代わりに第8図(a) 、
 (b)に示した各くさび型スリット81.82を用い
た場合の検出器63の入射角度θに対する出力強度特性
を示す図である。
各くさび型スリット81.82の切欠き部の高さをWl
とすると、くさび型スリット81を用いた場合において
は、検出器63の出力強度は、入射角度θが−Wl/L
とWl/Lの間では第9図(a)に示すようにIoから
0まで直線的に減少する。くさび型スリット82を用い
た場合においては、検出器63の出力強度は、入射角度
θが−Wl/LとWl/Lの間では工。から0まで連続
的に減少するが、その減少の度合は第9図(b)に示す
ように部分的に異なるものとなる。これはくさび型スリ
ット82の切欠き部の辺が曲線状に加工され、該切欠き
部の横方向の長さが非線形に変化することによる。この
ように構成されたくさび型スリット82を用いて角度ず
れ検出を行なう場合には、入射光65と基準軸64との
角度すれが0となる付近での検出強度の変化が急激なも
のとなり、この付近での角度検出精度を向上することが
できる。
第10図は本発明の第3の実施例の要部構成を示す図で
ある。
第1図および第6図に示したものにおいては、検出強度
から角度ずれ検出を行なうものであるため、入射光強度
が変動した場合には角度ずれ検出にも誤差が生じてしま
う、この入射光強度の変動は、第3図乃至第5図にそれ
ぞれ示したような、露光光としてシンクロトロン放射光
を用いるX線露光装置で生じやすいものであるため、特
に問題となる。
本実施例は、入射光強度をモニタし、これに対する検出
強度の割合いから角度ずれ検出を行なうものである。
第10図中のナイフェツジ101.スリット102+、
検出器103.および基準軸1041のそれぞれは、第
1図中のナイフェツジl スリット2.検出器3および
基準軸4のそれぞれと同様に構成され、配置されている
。本実施例においてはこれらのもののほかに、第2の検
出器としてスリット1021および検出器1031のそ
れぞれと同様のものであり、基準軸1041と平行な基
準軸104□に対して設けられたスリット102□およ
び検出器1032が設けられている。
検出器103+においては第1図に示した第1の実施例
で行なわれる角度ずれ検出と同様の光検出が行なわれ、
検出器103.においては、入射光(不図示)の強度検
出が、その入射角度θに依存することなく行なわれる。
本実施例のものにおいては、検出器1031の出力を検
出器103mの出力にて割った結果の値(以下、角度ず
れ値と称す)により角度ずれ検出が行なわれる。
第11図は、上記の角度ずれ値と入射角度θとの関係を
示す図である。
本実施例のものにおいては、入射光強度が変動しても、
角度ずれ検出精度を変わらないものとすることができ、
常に高精度な角度ずれ検出を行なうことができる。
なお、入射光強度は実際に検出器により検出するものと
して説明したが、間接的に入射光強度を検出する(例え
ば、管球X線ならば加速電圧、電流等をモニタする等)
ものとしてもよい。
第12図は本発明の第4の実施例の要部構成を示す図で
ある。
本実施例は、第3の実施例における入射光強度をモニタ
する代わりに、検出強度の入射角依存性が相補的に異な
る検出器を2つ組合わせて使用することにより、入射光
強度の変動による角度ずれ検出誤差をなくするものであ
る。
本実施例は、基準軸1241に対して順に設けられたス
リット121+ 、<さび型スリット122+および検
出器123.と、基準軸124、と平行な基準軸124
2に対して順に設けられたスリット121z、<さび型
ス1ノット1222および検8器1232から構成され
ている。各スリット121+ 、1212と各くさび型
スリット122.,122□とは第6図に示した第2の
実施例と同様に間隔りを離して設置される。各くさび型
スリット122+ 、122gには高さがhである開口
が設けられているが、くさび型スリット122.に設け
られる開口は、上方が広く、下方に狭まる逆三角形状の
ものであり、くさび型スリット1222に設けられる開
口は、下方が広く、上方に狭まる三角形状のものである
各くさび型スリット1221.12:Lに設けられる各
開口は、その横幅の和が各寓さにおいて一定となるよう
に形成されているため、各検出器123+ 、123*
にて検8される入射光(不図示)の検8強度の和も入射
角度θに関わずに一定となる。
本実施例は、検出器123a(検出器1231でもよい
)の検出強度を、各検出器123゜123□の検出強度
の和によって割った結果の角度ずれ値により角度ずれ検
出を行なうものであり、第13図は該角度ずれ値と入射
角度θとの関係を示す図である。
本実施例のものにおいても第10図に示した第3の実施
例と同様、入射光強度の変動に関わずに高精度な角度ず
れ検出を行なうことができる。
以上述べた各実施例中の検出器には、可視光あるいは紫
外光を検出するものとしてはフォトダイオード、光電子
増倍管等を用いることができ、X線を検出するものとし
ては比例計数管、半導体検出器、光電子増倍管、マイク
ロチャンネルプレート等を用いることができるため、各
種露光装置の角度法めを行なうことができる。
第14図は本発明の第5の実施例の要部構成を示す図で
ある。
本実施例は、入射光143の進行方向に順に設置された
中央部に小孔が設けられたピンホール板141と2次元
的にアレイ化された角度検出型の検出器142を用いて
角度ずれ検出を行なうものである。
ピンホール板141と検出器142とは露光装置の基準
軸(不図示)と平行に間隔りを離して設置されている。
この場合、ピンホール板141に設けられる小孔の径お
よび検出器142の角度分解能を10μmとし、間隔り
を100mmとすると、入射光143の2方向に関する
入射角度を0、1mradの精度で検出することができ
る。
本実施例のものにおいては、2個の構成部品で2次元の
角度ずれ検出を行なうことができるため、角度ずれ検出
機構を小型化かつ簡略化することができる。また、上記
のような角度検出器としては、COD、PSD (角度
検出型フォトダイオード)、マルチアノード比例計数管
等があり、いずれを用いてもよい。
〔発明の効果1 本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載するような効果を奏する。
請求項1に記載の方法および請求項2、請求項3にそれ
ぞれ記載のものにおいては、検出器と、該検出器への入
射光量を入射角度および向きに応じて制限する入射光制
限手段を設けたことにより、検出器の出力強度から入射
光の角度ずれ量およびずれている方向を検出することが
できる効果がある。
請求項4に記載のものにおいては、第2の検出器の出力
強度から入射光の強度変動をモニタすることができるた
め、正確な角度ずれ量を検出することができる効果があ
る。
請求項5に記載のものにおいては、小型化かつ簡略化さ
れた角度ずれ検出機構を実現することができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の要部構成を示す図、第
2図は第1の実施例における入射角度θと検出器3の出
力強度の関係を示す図、第3図乃至第5図のそれぞれは
、第1の実施例を露光装置に組込んだ構成例を示す図、
第6図は本発明の第2の実施例の要部構成を示す図、第
7図は第2の実施例における入射角度θと検出器63の
出力強度との関係を示す図、第8図(a) 、 (b)
はそれぞれ第6図中のくさび型スリット62の変形例で
あるくさび型スリット81.82の形状を示す図、第9
図(a) 、 (b)はそれぞれ第8図(a) 、 (
b)に示した各くさび型スリット81.82を使用した
場合の入射角度θと検出器63の出力強度の関係を示す
図、第10図は本発明の第3の実施例の要部構成を示す
図、第11図は第3の実施例における入射角度θと角度
ずれ値との関係を示す図、第12図は本発明の第4の実
施例の要部構成を示す図、第13図は第4の実施例にお
ける入射角度θと角度ずれ値との関係を示す図、第14
図は本発明の第5の実施例の要部構成を示す図、第15
図は従来の露光装置の概略構成を示す図、第16スは従
来の角度ずれ検出の検出原理を説明するための図、第1
7図は角度ずれ検出機構の従来例の構成を示す図、第1
8図は従来例における入射角度θと検出器17o3の出
力強度の関係を示す図である。 64、104+、 IC142,124+、 124z
・・・基準軸、65.143・・・入射光、 81.82. 122.、 122□・・・くさび型ス
リット、・・・ピンホール板。 特許出願人  キャノン株式会社 代 理 人  弁理士 苦杯 忠 第1図 第3図 第2図 第4図 第 図 (a) (b) 第9図 第10図 第11図 第 図 (a) (b) 第14図 第15図 第16図 第17図 第18図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、露光装置と組合わされて使用され、マスクとウェハ
    との位置合わせ用の光や実際に露光を行なう露光光の光
    軸と、前記露光装置の基準軸とのずれ量を検出するため
    の露光装置の角度ずれ検出方法において、 入射光の光強度を検出する検出器に入射する、入射光を
    、予め定められる角度ずれ検出領域においては、前記入
    射光の光軸と前記露光装置の基準軸とが成す入射角度に
    応じて入射光量を連続的に増加または減少させ、角度ず
    れ検出領域外においては、入射光の光軸が角度ずれ検出
    領域に対していずれの方向にずれているかにより入射光
    量を制限することを特徴とする露光装置の角度ずれ検出
    方法。 2、露光装置と組み合わされて使用され、マスクとウェ
    ハとの位置合わせ用の光や実際に露光を行なう露光光の
    光軸と、前記露光装置の基準軸とのずれ量を検出するた
    めの露光装置の角度ずれ検出装置であって、 入射光の光強度を検出する検出器と、該検出器への入射
    光を制限するための入射光制御手段とが設けられており
    、 入射光の進行方向順に設けられた、ナイフエッジと、入
    射光の進行方向と交差する一つの方向に関して入射光の
    制限を行なうための開口が設けられたスリットとによっ
    て入射光制御手段が構成されている露光装置の角度ずれ
    検出装置。 3、露光装置と組み合わされて使用され、マスクとウェ
    ハとの位置合わせ用の光や実際に露光を行なう露光光の
    光軸と、前記露光装置の基準軸とのずれ量を検出するた
    めの露光装置の角度ずれ検出装置であつて、 入射光の光強度を検出する検出器と、該検出器への入射
    光を制限するための入射光制御手段とが設けられており
    、 入射光の進行方向順に設けられた、入射光の進行方向と
    交差する面に沿った第1方向に関して入射光の制限を行
    なうための開口が設けられたスリットと、開口部の前記
    面に沿った第2方向の大きさが前記第1方向の位置に応
    じて増加または減少するくさび型スリットとによって入
    射光制御手段が構成されている露光装置の角度ずれ検出
    装置。 4、露光装置と組み合わされて使用され、マスクとウェ
    ハとの位置合わせ用の光や実際に露光を行なう露光光の
    光軸と、前記露光装置の基準軸とのずれ量を検出するた
    めの露光装置の角度ずれ検出装置であつて、 入射光の光強度を検出する検出器と、該検出器への入射
    光を制限するための入射光制御手段とが設けられており
    、 前記入射光制御手段を介することなく入射光強度を検出
    する第2の検出器が設けられている露光装置の角度ずれ
    検出装置。 5、露光装置と組合わされて使用され、マスクとウェハ
    との位置合わせ用の光や実際に露光を行なう露光光の光
    軸と、前記露光装置の基準軸とのずれ量を検出するため
    の露光装置の角度ずれ検出装置であって、 入射光の光強度を検出する検出器と、該検出器への入射
    光を制限するための入射光制御手段とが設けられており
    、 入射光量制限手段である略中央部に孔が設けられたピン
    ホール板と、位置検出型の検出器とが前記露光装置の基
    準軸と平行であり、入射光の進行方向順に設けられてい
    る露光装置の角度ずれ検出装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237917B2 (en) 2008-06-16 2012-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3787736B2 (ja) * 1997-10-08 2006-06-21 株式会社トプコン 傾斜センサ
JP3540174B2 (ja) * 1998-10-12 2004-07-07 ウシオ電機株式会社 斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法
KR102104082B1 (ko) 2016-09-29 2020-04-24 브루커 제이브이 이스라엘 리미티드 X 선 나이프 에지의 폐루프 제어
US10634628B2 (en) 2017-06-05 2020-04-28 Bruker Technologies Ltd. X-ray fluorescence apparatus for contamination monitoring
CN111198093B (zh) * 2018-11-16 2021-11-26 志圣工业股份有限公司 曝光光角量测设备
US11740356B2 (en) * 2020-06-05 2023-08-29 Honeywell International Inc. Dual-optical displacement sensor alignment using knife edges

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3497695A (en) * 1961-12-11 1970-02-24 Raytheon Co Radiant energy transmitting device
US3508833A (en) * 1967-01-11 1970-04-28 Honeywell Inc Aim assessment apparatus
US3935450A (en) * 1974-07-12 1976-01-27 Eli Lilly And Company Apparatus and method for aligning x-ray diffraction camera
US4018532A (en) * 1975-09-24 1977-04-19 Nasa Sun direction detection system
JPS57127821A (en) * 1981-01-30 1982-08-09 Hitachi Ltd Spectrophotometer
US4636080A (en) * 1984-05-07 1987-01-13 At&T Bell Laboratories Two-dimensional imaging with line arrays
FR2565451B1 (fr) * 1984-05-30 1986-08-22 Thomson Cgr Procede de controle de la position du foyer d'un tube radiogene et dispositif de controle mettant en oeuvre ce procede
JPS61125097A (ja) * 1984-11-21 1986-06-12 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レ−ザ光の波長変換装置
GB8719154D0 (en) * 1987-08-13 1987-09-23 Coal Industry Patents Ltd Optically measuring relative angular movement
EP0372278A3 (de) * 1988-12-02 1991-08-21 Gkss-Forschungszentrum Geesthacht Gmbh Verfahren und Anordung zur Untersuchung von Proben nach der Methode der Röntgenfluoreszenzanalyse
US5100231A (en) * 1989-04-27 1992-03-31 Coherent, Inc. Apparatus for measuring the mode quality of a laser beam
US5056129A (en) * 1989-09-12 1991-10-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus for monitoring X-ray beam alignment
US5264910A (en) * 1990-07-30 1993-11-23 Fmc Corporation Apparatus and method for angle measurement
US5195113A (en) * 1990-09-28 1993-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray exposure apparatus and method of positioning the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237917B2 (en) 2008-06-16 2012-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

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