JPS6226578B2 - - Google Patents

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JPS6226578B2
JPS6226578B2 JP56068532A JP6853281A JPS6226578B2 JP S6226578 B2 JPS6226578 B2 JP S6226578B2 JP 56068532 A JP56068532 A JP 56068532A JP 6853281 A JP6853281 A JP 6853281A JP S6226578 B2 JPS6226578 B2 JP S6226578B2
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mask
wafer
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photoelectric
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JP56068532A
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English (en)
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Ichiro Mori
Toshiaki Shinozaki
Kazuyoshi Sugihara
Tooru Tojo
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Priority to DE8282103628T priority patent/DE3270064D1/de
Priority to US06/374,724 priority patent/US4469949A/en
Publication of JPS57183034A publication Critical patent/JPS57183034A/ja
Publication of JPS6226578B2 publication Critical patent/JPS6226578B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高精度な位置合わせ機能を備えた光
電面マスク型電子ビーム転写装置に関する。
近時、シリコンウエハ等の試料上にレジストパ
ターンを形成する場合、一般に微細幅の電子ビー
ムをレジスト上で走査する電子ビーム描画装置が
用いられているが、この種の装置では上記走査に
長時間を要し、生産性が悪いと云う問題がある。
そこで最近、予めパターンを形成したマスクを用
い、そのマスクパターンをＸ線や電子線等に試料
上に一括転写する各種の転写装置が開発されてい
る。そして、これらの装置のうちで紫外光を受け
て光電子を放出する光電マスクを用い、このマス
クと試料との間に適当な磁界および電界を印加
し、上記マスクから放出された光電子を集束せし
めて転写を行う光電面マスク型電子ビーム転写装
置が、微細パターン形成に最も有望と考えられて
いる。
ところで、このような電子ビーム転写装置にあ
つては、光電マスクとウエハとの位置合わせに問
題がある。電子ビーム転写装置ではその機構上電
子ビームを磁気的或いは静電的に容易に偏向でき
ることから、光電マスクとウエハとの位置ずれに
対応して容易にパターン像を移動できるので、原
理的には光電マスクおよびウエハの高精度な位置
合わせが可能である。しかし、光電マスクとウエ
ハとの位置ずれを検出する手段に問題があり、こ
の問題が実用化の妨げとなつている。すなわち、
電子ビーム転写装置においては光電マスクとウエ
ハとが10〔mm〕程度離間して対向配置され、かつ
両者間にはその対向方向に沿つて高電界が印加さ
れている。このため、電子ビーム描画装置等に用
いられている２次電子や反射電子等を検出する手
法は、上記高電界の影響によりその採用が困難で
ある。また、光電マスクとウエハとが離間してい
るため通常のコンタクトアライナ等に用いられて
いる光学的手法も利用できないのである。
そこで、上記問題を解決するものとして次の２
つの手法が提案されている。第１の手法は、第１
図ａに示す如くウエハ１に微小貫通孔１ａを形成
し、光電マスク２の整合基準２ａを介してパター
ン整形された電子を上記貫通孔１ａを介して検出
器３にて検出するものである。また、第２の手法
は第１図ｂに示す如くウエハ１上に重金属からな
るマーク１ｂを形成し、このマーク１ｂに光電子
が入射した際に発生する制動輻射Ｘ線を検出する
ものであり、上記いずれの手法でも検出器３の検
出出力の大小から光電マスクとウエハとの位置ず
れ、つまり相対位置を容易に検出することができ
る。
しかしながら、この種の手法にあつては次のよ
うな問題があつた。すなわち、前記第１の手法で
はウエハ毎に貫通孔を形成しなければならず、そ
の形成が極めて煩雑である。しかも、貫通孔の周
辺でレジストの均一性が失われること、さらに
Ｓ／Ｎが良くない等の欠点がある。また、前記第
２の手法ではマークの形成が煩雑であり、さらに
ウエハに直接重金属マークを取着するため、重金
属の汚染によりデバイス特性に悪影響を及ぼす等
の欠点があつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、ウエハ上に通常のデバ
イス製造プロセス以外のプロセスで特別なマーク
を形成することなく、光電マスクとウエハとの位
置合わせを容易かつ高精度に行うことができ、転
写位置精度の向上および製品歩留りの向上をはか
り得る電子ビーム転写装置を提供することにあ
る。
まず、本発明の概要を説明する。本発明は、光
電マスクおよびウエハに通常のフオトリソグラフ
イのプロセスで用いられるマスク用およびウエハ
用の各整合基準を設けると共に、ウエハを固定保
持する保持部材に前記第１図ａ，ｂに示したよう
な電子ビームの検出に供される保持部材用整合基
準を設け、上記ウエハ用および保持部材用の各整
合基準の相対位置を通常の光学的手法等で検出
し、上記マスク用および保持部材用の各整合基準
の相対位置を光電マスクから放出される光電子を
利用して検出し、光電マスクのウエハ用整合基準
に対応する部位とマスク用整合基準との相対位置
および上記検出された各相対位置に基づいて光電
マスクおよび保持部材を相対的に移動せしめ、光
電マスクとウエハとを位置合わせするようにした
ものである。したがつて、本発明によれば光電マ
スクとウエハとを容易に、かつ高精度に位置合わ
せすることができ、これにより転写位置精度の向
上および製品歩留りの向上をはかり得る。しか
も、ウエハには通常のデバイス製造プロセスで形
成される整合基準を設けるのみで、重金属や貫通
孔等を形成する必要がない。このため、マーク形
成の煩雑さおよび重金属の汚染によるデバイス特
性の劣化を未然に防止し得る等の効果を奏する。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
第２図は本発明の一実施例における各整合基準
の配置例を示す斜視図、第３図は同実施例の基本
構成を示す図である。第２図中４はウエハで、こ
のウエハ４はカセツト（保持部材）５内に固定保
持されている。そして、ウエハ４上にはウエハ用
整合基準４ａが設けられ、カセツト５上にはカセ
ツト用整合基準５ａが設けられている。また、ウ
エハ４に対向配置される光電マスク６上には、上
記ウエハ用整合基準４ａに対応する第１のマスク
用整合基準６ａが設けられると共に、この整合基
準６ａからの所定の距離だけ外側に第２のマスク
用整合基準６ｂが設けられている。ここで、上記
ウエハ用およびマスク用の各整合基準４ａ，６
ａ，６ｂはそれぞれ通常のフオトリソグラフイプ
ロセスで形成されたものである。また、前記カセ
ツト用整合基準５ａは光電子の入射によりＸ線を
発生する重金属或いは微小貫通孔によつて形成さ
れたものである。
一方、第３図中１１は試料室１１ａおよび予備
室１１ｂを構成する真空容器であり、この容器１
１内は真空ポンプ１２により真空排気されてい
る。試料室１１ａの外部には集束マグネツト１
３、偏向コイル１４、光源１５、遮光板１６およ
び直流電源１７がそれぞれ設けられている。集束
マグネツト１３は試料室１１ａ内に上下方向に磁
界を印加するもので、試料室１１ａの外側部を囲
繞して配設されている。偏向コイル１４は上記磁
界の印加方向を横方向に偏向するものである。光
源１５は紫外光を発光するもので、試料室１１ａ
の上方部に配設されている。そして、試料室１１
ａの上部開孔に取着された透光板１６を介して同
室１１ａ内に紫外光を照射するものとなつてい
る。遮光板１６は前記第２のマスク用整合基準６
ｂとカセツト用整合基準５ａとの位置合わせ時に
用いられるもので、マスク用整合基準６ｂに対応
した透光部１６ａが形成されている。直流電源１
７は、前記マスク基板６とウエハ４との間に電圧
を印加し、前記磁界方向と同方向に電界を印加す
るものである。
一方、前記ウエハ４を固定保持したカセツト５
の内部には、カセツト用整合基準５ａの直下に位
置する位置に電子線或いはＸ線の強度を検出する
検出器１９が設けられている。そして、カセツト
５はＸ―Ｙテーブル２０上のθテーブル２１上に
載置されている。Ｘ―Ｙテーブル２０は前記試料
室１１ａと予備室１１ｂとの間を移動するものと
なつている。また、予備室１１ｂの外部には上記
Ｘ―Ｙテーブル２０の移動位置を測定するレーザ
干渉計２２が設けられている。さらに、予備室１
１ｂの外部上方には前記ウエハ用およびカセツト
用の各整合基準４ａ，５ａを検出する光電顕微鏡
２３が設けられている。なお、図中２４，２５は
それぞれ透光板を示している。
ところで、前記レーザ干渉計２２および光電顕
微鏡２３の各検出信号は、第４図に示す如く第１
の信号処理回路２６に供給されている。この信号
処理回路２６は上記各検出信号に基づいてＸ―Ｙ
テーブル駆動信号を出力し、その信号をＸ―Ｙテ
ーブル制御回路２７に送出する。Ｘ―Ｙテーブル
制御回路２７は、上記駆動信号に応じてＸ―Ｙテ
ーブル２０を移動制御し、前記光電顕微鏡２３の
光軸とウエハ用およびカセツト用の各整合基準４
ａ，５ａとをそれぞれ一致せしめる。そして、上
記一致したときのレーザ干渉計２２の各検出信号
の差異分、つまりウエハ用整合基準４ａとカセツ
ト用整合基準５ａとの相対位置情報が第１の記憶
回路２８に記憶されるものとなつている。
また、前記検出器１９の検出信号は第５図に示
す如く第２の信号処理回路２９に供給されてい
る。この第２の信号処理回路２９は上記検出信号
に基づいて同信号が最大となるような偏向コイル
駆動信号およびθテーブル駆動信号を出力し、こ
れらの信号を偏向コイル制御回路３０およびθテ
ーブル制御回路３１にそれぞれ送出する。制御回
路３０，３１は上記各駆動信号に応じて、前記検
出器１９の検出信号が最大となるよう偏向コイル
１４の偏向電流を制御すると共にθテーブル２１
を回転制御し、第２のマスク用整合基準６ｂとカ
セツト用整合基準５ａとを相対的に一致せしめ
る。そして、上記一致したときの前記偏向コイル
駆動信号およびθテーブル駆動信号、いいかえれ
ば第２のマスク用整合基準６ｂとカセツト用整合
基準５ａとの相対位置情報が第２の記憶回路３２
に記憶されるものとなつている。
さらに、前記第１および第２の記憶回路２８，
３２に記憶された各相対位置情報は、第６図に示
す如く第３の記憶回路３３に記憶された第１およ
び第２のマスク用整合基準６ａ，６ｂの相対位置
情報と共に比較演算回路３４に供給されている。
この比較演算回路３４は上記各相対位置情報に基
づいて偏向コイル駆動信号およびθテーブル駆動
信号を出力し、これらの信号を前記偏向コイル制
御回路３０およびθテーブル制御回路３１に送出
する。そして、これらの制御回路３０，３１によ
り前記偏向コイル１４およびθテーブル２１がそ
れぞれ制御され、前記ウエハ用整合基準４ａと第
１のマスク用整合基準６ａとが位置合わせられる
ものとなつている。
このように構成された本装置の作用について説
明する。
まず、Ｘ―Ｙテーブル２０が予備室１１ｂ内の
所定部位に移動され、続いてウエハ用整合基準４
ａとカセツト用整合基準５ａとの相対位置情報が
検出される。すなわち、レーザ干渉計２２および
光電顕微鏡２３の各検出信号に基づいて、信号処
理回路２６およびＸ―Ｙテーブル制御回路２７に
よりＸ―Ｙテーブル２０が移動制御され、これに
より光電顕微鏡２３の光軸とウエハ用整合基準４
ａとが一致せしめられる。そして、このときのレ
ーザ干渉計２２の検出信号が第１の記憶回路２８
に一時的に記憶される。
次に、上述と同様にしてＸ―Ｙテーブル２０が
移動制御され、光電顕微鏡２３の光軸とカセツト
用整合基準５ａとが一致せしめられる。そして、
このときのレーザ干渉計２２の検出信号と上記一
時的に記憶された検出情報とが比較され、各検出
情報との差分が求められる。つまり、ウエハ用整
合基準４ａとカセツト用整合基準５ａとの相対位
置情報T1が求められ、この情報T1が第１の記憶
回路２８に記憶される。
次に、Ｘ―Ｙテーブル２０は試料室１１ａ内の
所定位置まで移動される。そして、前記遮光板１
６が用いられ光電マスク６の第２のマスク用整合
基準６ｂのみが照明される。これにより、第２の
マスク用整合基準６ｂから光電子が放出され、こ
の光電子は前記集束マグネツト１３による磁界お
よび直流電源１７による電界の作用によつて真下
方向に進行しカセツト用整合基準５ａの近傍に入
射する。ここで、カセツト用整合基準５ａが重金
属で形成されている場合、カセツト用整合基準５
ａと第２のマスク用整合基準６ｂとの位置ずれ量
に対応した量のＸ線がカセツト用整合基準５ａか
ら放出され、このＸ線が検出器１９にて検出され
る。また、カセツト用整合基準５ａが貫通孔で形
成されている場合、上記位置ずれ量に対応した量
の光電子が検出器１９にて検出されることにな
る。つまり、いずれの場合も各整合基準５ａ，６
ｂが合つていれば検出器１９の検出出力が最大と
なり、第７図ａに示す如く各整合基準５ａ，６ｂ
がずれているとそのずれ量に応じて検出出力が小
さくなり、検出器１９にて各整合基準５ａ，６ｂ
の位置ずれ量が検出されることになる。そして、
この位置ずれ信号が第２の信号処理回路２９に供
給されると、この信号処理回路２９、偏向コイル
制御回路３０およびθテーブル制御回路３０によ
り、偏向コイル１４およびθテーブル２０は前記
検出出力が最大となるように駆動制御される。こ
れにより、第２のマスク用整合基準６ｂとカセツ
ト用整合基準５ａとの位置ずれは第７図ｂに示す
如く補正される。そして、このときの偏向コイル
駆動信号およびθテーブル駆動信号、つまり前記
位置ずれ量に対応した信号、いいかえれば各整合
基準５ａ，６ｂの補正前の相対位置情報が第２の
記憶回路３２に記憶される。なお、このとき、各
整合基準５ａ，６ｂが実質的に位置合わせされて
いることになるので、第１のマスク用整合基準６
ａとウエハ用整合基準４ａとは、マスク用整合基
準６ａ，６ｂの相対位置情報T2と前記相対位置
情報T1との差分ΔＴだけ実質的にずれることに
なる。
さて、カセツト用整合基準５ａと第２のマスク
用整合基準６ｂとの位置ずれ補正が終了したの
ち、第１乃至第３の記憶回路２８，３２，３３に
記憶された各相対位置情報が比較演算回路３４に
供給される。比較演算回路３４では、上記各相対
位置情報が比較演算され、ウエハ用整合基準４ａ
と第１のマスク用整合基準６ａとが一致するよう
な偏向コイル駆動信号およびθテーブル駆動信号
が出力される。すなわち、ウエハ用およびカセツ
ト用の各整合基準の相対位置情報T1とマスク用
整合基準６ａ，６ｂの相対位置情報T2との差分
ΔＴが求められ、前記カセツト用および第２のマ
スク用の各整合基準５ａ，６ｂの位置ずれ補正が
終了したときの状態を基準点として上記ΔＴだけ
光電マスク６とカセツト５とを相対的に移動せし
めるような各駆動信号が出力される。そして、こ
の駆動信号に応じて偏向コイル制御回路３０およ
びθテーブル制御回路３１により偏向コイル１４
およびθテーブル２１が駆動制御され、これによ
り第７図ｃに示す如くウエハ用整合基準４ａと第
１のマスク用整合基準６ｂとが位置合わせされる
ことになる。かくして、ウエハ４と光電マスク６
とが位置合わせされたのち、前記遮光板１６が取
り除かれ光電マスク６上のパターンがウエハ４上
に一括転写されることになる。なお、上記位置合
わせされたときの位置合せ精度を測定したとこ
ろ、0.1〔mm〕以下と云う極めて良好な結果が得
られた。
このように本装置では、ウエハ用整合基準４ａ
とカセツト用整合基準５ａとの相対位置情報
T1、マスク用整合基準６ａ，６ｂの相対位置情
報T2、およびカセツト用整合基準５ａと第２の
マスク用整合基準６ｂとの相対位置情報に基づい
てウエハ用整合基準４ａと第１のマスク用整合基
準６ａとを位置合わせするようにしている。すな
わち、カセツト用整合基準５ａと第２のマスク用
整合基準６ｂとの位置ずれを光電子を利用して補
正し、この補正した状態を基点とし上記各相対位
置情報T1，T2の差分ΔＴだけカセツト５と光電
マスク６との相対位置をずらすようにしている。
したがつて、光電マスク６とウエハ４とを容易
に、かつ高精度に位置合わせすることができ、こ
れにより転写位置精度の向上および製品歩留りの
向上をはかり得る。また、試料室１１ａ内での位
置検出に必要な重金属マークや貫通孔等はカセツ
ト５に設ければよく、ウエハ４には通常のデバイ
ス製造プロセスで形成されるウエハ用整合基準４
ａを設けるだけでよい。このため、ウエハ４毎に
重金属マークや貫通孔等を形成することの煩雑さ
および重金属の汚染によるデバイス特性の劣化を
未然に防止し得る等の効果を奏する。
第８図は本発明の他の実施例の要部構成を示す
図である。なお、第３図乃至第６図と同一部分に
は同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。この実施例が先に説明した実施例と異なる点
は、前記各相対位置情報T1，T2の差分ΔＴを検
出器１９の検出範囲内に設定することによつて、
前記第７図ｂに示した位置ずれ補正操作を不要と
したものである。すなわち、前記検出器１９の検
出信号、第１および第３の記憶回路２８，３３の
各相対位置情報T1，T2は信号処理および比較演
算回路３５に供給されている。この信号処理およ
び比較演算回路３５は前記第２の信号処理回路２
９と比較演算回路３４との双方の機能を備えたも
ので、検出器１９の検出信号（位置ずれ信号）に
基づいてカセツト用整合基準５ａと第２のマスク
用整合基準６ｂとがΔＴだけずらされるような偏
向コイル駆動信号およびθテーブル駆動信号を出
力するものとなつている。
このような構成であれば、予備室１１ｂ内で先
の実施例と同様にしてウエハ用整合基準４ａとカ
セツト用整合基準５ａとの相対位置が検出された
のち、試料室１１ａ内でウエハ用整合基準４ａと
第１のマスク用整合基準６ａとの位置合わせが行
われる。すなわち、試料室１１ａ内でカセツト用
整合基準５ａと第２のマスク用整合基準６ｂとが
第９図ａに示す如く位置ずれしているものとする
と、信号処理および比較演算回路３５、偏向コイ
ル制御回路３０およびθテーブル制御回路３１等
により、上記位置ずれ量が前記差分ΔＴに等しく
なるように前記偏向コイル１４およびθテーブル
２１が駆動制御される。これにより、ウエハ用整
合基準４ａと第１のマスク用整合基準６ａとが第
９図ｂに示す如く自動的に位置合わせされること
になる。
したがつて、本装置によれば先の実施例と同様
の効果を奏するのは勿論のこと、ウエハ用整合基
準４ａと第１のマスク用整合基準６ａとの位置合
わせをより短時間で容易に行うことができる。ま
た、前記各相対位置情報T1，T2の差分ΔＴが検
出器１９の検出範囲内にあることから、ウエハ４
と光電マスク６との位置合わせを行つたのち、そ
の位置合わせ状態を検出器１９によつてモニタで
きる等の利点がある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記位置ずれの補正は、
前記偏向コイルに限らず前記Ｘ―Ｙテーブルの移
動によつて行うようにしてもよい。また、前記第
１のマスク用整合基準はウエハ用整合基準との対
応位置を示すものであり、この位置と前記第２の
マスク用整合基準との相対位置を予め設定してお
けば必ずしも必要ないものである。さらに、前記
カセツト用整合基準は重金属マークや貫通孔に限
るものではなく、第２のマスク用整合基準のパタ
ーンに応じた光電子照射により各整合基準の位置
ずれ量を何らかの信号として出力するものであれ
ばよい。また、前記各相対的位置情報T1，T2の
差分ΔＴを前記検出器の検出範囲内に押えるため
に、ウエハをカセツトに設置する際の設置精度を
あげるためのプリアラメント装置を用いるように
してもよい。さらに、前記各回路は、仕様に応じ
て適宜変更することができる。さらに、前記ウエ
ハを固定保持する保持部材はカセツトに限るもの
ではなく、前記テーブル上に同テーブルと一体に
設けられたものでもよい。その他本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ，ｂはそれぞれ従来の位置ずれ検出手
法を示す模式図、第２図は本発明の一実施例にお
ける各整合基準の配置例を示す斜視図、第３図は
上記実施例の基本構成を示す図、第４図乃至第６
図はそれぞれ上記実施例の要部構成を示す図、第
７図ａ〜ｃは上記実施例の作用を説明するための
模式図、第８図は他の実施例の要部構成を示す
図、第９図ａ，ｂは上記他の実施例の作用を説明
するための模式図である。 ４…ウエハ、４ａ…ウエハ用整合基準、５…カ
セツト（保持部材）、５ａ…カセツト用整合基準
（保持部材用整合基準）、６…光電マスク、６ａ…
第１のマスク用整合基準、６ｂ…第２のマスク用
整合基準、１１ａ…試料室、１１ｂ…予備室、１
３…集束コイル、１４…偏向コイル、１５…光
源、１６…遮光板、１７…直流電源、１９…検出
器、２０…Ｘ―Ｙテーブル、２１…θテーブル、
２２…レーザ干渉計、２３…光電顕微鏡、２６，
２９…信号処理回路、２７…Ｘ―Ｙテーブル制御
回路、２８，３２，３３…記憶回路、３０…偏向
コイル制御回路、３１…θテーブル制御回路、３
４…比較演算回路、３５…信号処理および比較演
算回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光の照射により所望パターンに光電子を放出
    する光電マスクをウエハに対向配置すると共に、
    これら光電マスクおよびウエハを位置合わせし、
    上記光電マスクおよびウエハの対向方向に沿つて
    磁界および電界を印加して光電マスクのパターン
    をウエハ上に一括転写する電子ビーム転写装置に
    おいて、前記光電マスクの所定部位にマスク用整
    合基準を設けると共に前記ウエハおよびこのウエ
    ハを固定保持する保持部材にウエハ用および保持
    部材用の各整合基準をそれぞれ設ける手段と、上
    記ウエハ用および保持部材用の各整合基準の相対
    位置情報T1を検出する第１の検出手段と、前記
    光電マスクの前記ウエハ用整合基準に対応する部
    位および前記マスク用整合基準の相対位置情報
    T2と上記第１の検出手段により検出された相対
    位置情報T1との差分値ΔＴを求める手段と、前
    記マスク用整合基準から放出される光電子が前記
    保持部材用の整合基準に照射されたことを検出し
    前記マスク用および保持部材用の各整合基準の相
    対位置情報を検出する第２の検出手段と、この第
    ２の検出手段により検出された相対位置情報と前
    記求められた差分値ΔＴに基づいて前記光電マス
    クおよび保持部材を相対的に移動せしめ前記光電
    マスクとウエハとを位置合わせする移動手段とを
    具備してなることを特徴とする電子ビーム転写装
    置。 ２ 前記移動手段は、前記第２の検出手段により
    検出されたマスク用および保持部材用の各整合基
    準の相対位置情報に基づいて、前記マスク用整合
    基準と保持部材用整合基準とを位置合わせしたの
    ち、前記求められた差分値ΔＴだけ上記マスク用
    整合基準と保持部材用整合基準とを相対的にずら
    すものであることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の電子ビーム転写装置。 ３ 前記移動手段は、前記第２の検出手段により
    検出されたマスク用および保持部材用の各整合基
    準の相対位置情報に基づいて前記マスク用整合基
    準と保持部材用整合基準とを前記求められた差分
    値ΔＴだけずらして位置合わせするものであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
    ビーム転写装置。 ４ 前記移動手段は、Ｘ―Ｙテーブルと回転テー
    ブルとから、或いは回転テーブルと偏向コイルと
    からなるものであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項、第２項又は第３項記載の電子ビーム
    転写装置。
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EP0065143B1 (en) 1986-03-26
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