JPH0487230A - 真空インタラプタの電極材料 - Google Patents
真空インタラプタの電極材料Info
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- JPH0487230A JPH0487230A JP2201321A JP20132190A JPH0487230A JP H0487230 A JPH0487230 A JP H0487230A JP 2201321 A JP2201321 A JP 2201321A JP 20132190 A JP20132190 A JP 20132190A JP H0487230 A JPH0487230 A JP H0487230A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、接触抵抗値を長期間に亙って低く保つ事が可
能で電流遮断性能に優れた真空インタラプタの電極材料
に関する。
能で電流遮断性能に優れた真空インタラプタの電極材料
に関する。
B1発明の概要
銅とクロムとビスマスとからなる真空インタラプタの電
極材料であり、優れた電流遮断性能を有すると共に電流
連断後における接触抵抗値の上昇を抑制したものである
。
極材料であり、優れた電流遮断性能を有すると共に電流
連断後における接触抵抗値の上昇を抑制したものである
。
C0従来の技術
一般に、真空インタラプタの電極材料として要求される
主な性能としては、 (1) 耐溶着性に優れていること (2)電流遮断性能が高いこと (3)電流さい断値が低いこと 等を挙げることができる。
主な性能としては、 (1) 耐溶着性に優れていること (2)電流遮断性能が高いこと (3)電流さい断値が低いこと 等を挙げることができる。
しかし、電極材料の電流遮断性能を高くすることと電流
さい断値を低くすることとは、相互に矛盾する物理的特
性に起因するため、単一の電極材料で上述した全ての特
性を満たすことは難しく、真空インタラプタの仕様に最
も適合した電極材料を選択しているのが現状である。
さい断値を低くすることとは、相互に矛盾する物理的特
性に起因するため、単一の電極材料で上述した全ての特
性を満たすことは難しく、真空インタラプタの仕様に最
も適合した電極材料を選択しているのが現状である。
例えば、特公昭41−12131号公報等に開示された
銅ビスマス合金は、銅(Cu)に蒸気圧の高い低融点の
ビスマス(Bi)を0.5重量%添加したものであり、
耐溶着性や電流遮断性能が良好であることは周知の通り
である。又、特公昭54−36121号公報等に開示さ
れたタングステン銅焼結金属は、蒸気圧の低い高融点の
タングステン(W)に銅を20重量%添加したものであ
り、電流さい断値が5A程度と低い利点を有する。この
電流さい断値が特に低い、例えばIA程度の電極材料と
しては、実開昭55−121429号公報等に開示され
た炭化タングステン銀焼結金属、つまり炭化タングステ
ン(WC)に銀(Ag)を30重量%添加したもの等が
ある。
銅ビスマス合金は、銅(Cu)に蒸気圧の高い低融点の
ビスマス(Bi)を0.5重量%添加したものであり、
耐溶着性や電流遮断性能が良好であることは周知の通り
である。又、特公昭54−36121号公報等に開示さ
れたタングステン銅焼結金属は、蒸気圧の低い高融点の
タングステン(W)に銅を20重量%添加したものであ
り、電流さい断値が5A程度と低い利点を有する。この
電流さい断値が特に低い、例えばIA程度の電極材料と
しては、実開昭55−121429号公報等に開示され
た炭化タングステン銀焼結金属、つまり炭化タングステ
ン(WC)に銀(Ag)を30重量%添加したもの等が
ある。
近年、上述したビスマスやタングステン或いは銀等を用
いた電極材料に代え、電流遮断性能が非常に優れている
銅クロム系の金属を電極材料として使用することが試み
られている。具体的には、容器内に充填されたクロムの
粉末上に銅塊を載置し、これらを非酸化性雰囲気にて銅
の融点以上に加熱し、クロムの空隙部分に銅を溶浸させ
るようにしたものであり、銅に対してクロムを数十重量
%の割合に設定したものが多い。
いた電極材料に代え、電流遮断性能が非常に優れている
銅クロム系の金属を電極材料として使用することが試み
られている。具体的には、容器内に充填されたクロムの
粉末上に銅塊を載置し、これらを非酸化性雰囲気にて銅
の融点以上に加熱し、クロムの空隙部分に銅を溶浸させ
るようにしたものであり、銅に対してクロムを数十重量
%の割合に設定したものが多い。
D9発明が解決しようとする課題
銅ビスマス合金でビスマスを0.5重量%含むものは、
電流遮断性能が良好である反面、電流さい断値が例えば
10Aと高く、電流遮断時にさい断サージを発生するこ
とがある。
電流遮断性能が良好である反面、電流さい断値が例えば
10Aと高く、電流遮断時にさい断サージを発生するこ
とがある。
このため、遅れ小電流を良好に遮断することが困難であ
り、負荷側の電気機器の絶縁破壊を引き起こす虞がある
。
り、負荷側の電気機器の絶縁破壊を引き起こす虞がある
。
又、タングステン鋼焼結金属や炭化タングステン銀焼結
金属は、電流さい断値が低い反面、電流遮断性能が悪く
、特に炭化タングステン銀焼結金属では電流遮断性能が
3000A未満しかな(、短絡電流の如き大電流を遮断
することができない。更に、炭化タングステン銀焼結金
属では、銀を比較的多量に含んでいることから、電極材
料としては高価なものであり、真空インタラプタの製造
単価を下げる際の障害となる。
金属は、電流さい断値が低い反面、電流遮断性能が悪く
、特に炭化タングステン銀焼結金属では電流遮断性能が
3000A未満しかな(、短絡電流の如き大電流を遮断
することができない。更に、炭化タングステン銀焼結金
属では、銀を比較的多量に含んでいることから、電極材
料としては高価なものであり、真空インタラプタの製造
単価を下げる際の障害となる。
一方、クロムを数十重量%含む銅クロム系のものは、電
流遮断性能が非常に優れているものの、その機械的強度
が比較的高いため、電流遮断後の接触抵抗値が上昇し易
い欠点を有する。
流遮断性能が非常に優れているものの、その機械的強度
が比較的高いため、電流遮断後の接触抵抗値が上昇し易
い欠点を有する。
81課題を解決するための手段
本発明による真空インタラプタの電極材料は、電流遮断
性能を低下させることなく、電流遮断後における接触抵
抗値の上昇を抑制するため、20から98重量%の範囲
の銅と、2から80重量%の範囲のクロムと、0.1か
ら1重量%の範囲のビスマスとからなるものである。
性能を低下させることなく、電流遮断後における接触抵
抗値の上昇を抑制するため、20から98重量%の範囲
の銅と、2から80重量%の範囲のクロムと、0.1か
ら1重量%の範囲のビスマスとからなるものである。
この場合、クロムの粉末の空隙部分に銅及びビスマスを
溶浸させて本発明の電極材料を得るが、これらクロムに
対する銅及びビスマスの溶浸作業は、非酸化性雰囲気に
て脱ガスしつつ行うことが望ましい。
溶浸させて本発明の電極材料を得るが、これらクロムに
対する銅及びビスマスの溶浸作業は、非酸化性雰囲気に
て脱ガスしつつ行うことが望ましい。
ここで、銅が20重量%未満の場合には、導電率か低下
して発熱量が多くなり、逆に銅が98重量%を越えると
耐溶着性の低下や電流さい断値の増大をもたらす。又、
クロムが2重量%未満の場合には、電流さい断値が増大
し、逆にクロムが80重量%を越える場合には、電流遮
断性能が低下してしまう。一方、ビスマスが0.1重量
%未満の場合には、電流遮断後の接触抵抗値を抑制する
効果が薄れてしまい、逆にビスマスが1重量%を越える
と、耐電圧特性等の真空インタラプタとしての性能に悪
影響を及ぼす。
して発熱量が多くなり、逆に銅が98重量%を越えると
耐溶着性の低下や電流さい断値の増大をもたらす。又、
クロムが2重量%未満の場合には、電流さい断値が増大
し、逆にクロムが80重量%を越える場合には、電流遮
断性能が低下してしまう。一方、ビスマスが0.1重量
%未満の場合には、電流遮断後の接触抵抗値を抑制する
効果が薄れてしまい、逆にビスマスが1重量%を越える
と、耐電圧特性等の真空インタラプタとしての性能に悪
影響を及ぼす。
従って、銅は20から98重量%の範囲、クロムは2か
ら80重量%の範囲、ビスマスは0.1から1重量%の
範囲にそれぞれあることが望ましい。
ら80重量%の範囲、ビスマスは0.1から1重量%の
範囲にそれぞれあることが望ましい。
F1作用
ビスマスは電極接点部の機械的強度を下げ、この電気接
点部を変形し易くして電流遮断後の接触抵抗値の上昇を
抑制する。
点部を変形し易くして電流遮断後の接触抵抗値の上昇を
抑制する。
このように、銅とクロムとビスマスとの最適な組成を見
出したので、全体として耐溶着性や電流遮断性能及び電
流さい断値或いは電流遮断後における接触抵抗値等の真
空インタラプタに要求される特性を向上させた電極材料
が得られる。
出したので、全体として耐溶着性や電流遮断性能及び電
流さい断値或いは電流遮断後における接触抵抗値等の真
空インタラプタに要求される特性を向上させた電極材料
が得られる。
G、実施例
真空インタラプタは、その概略構造の一例を表す第2図
に示すようなものであり、相互に一直線状をなす一対の
り一ド捧11,12の対向端面には、それぞれ電極13
.14が一体的に設けである。これら電極13.14を
囲む筒状のシールド15の外周中央部は、このシールド
15を囲む一対の絶縁筒16゜17の間に挟まれた状態
で保持されている。
に示すようなものであり、相互に一直線状をなす一対の
り一ド捧11,12の対向端面には、それぞれ電極13
.14が一体的に設けである。これら電極13.14を
囲む筒状のシールド15の外周中央部は、このシールド
15を囲む一対の絶縁筒16゜17の間に挟まれた状態
で保持されている。
一方の前記リード棒11は、一方の絶縁筒16の一端に
接合された金属端板18を気密に貫通した状態で、この
金属端板18に一体的に固定されている。図示しない駆
動装置に連結される他方のり一ド棒12は、他方の絶縁
筒17の他端に気密に接合された他方の金属端板19に
ベローズ20を介して連結され、駆動装置の作動に伴っ
て電極13.14の対向方向に往復動可能に可動側の電
極14が固定側の電極13に対して開閉動作するように
なっている。
接合された金属端板18を気密に貫通した状態で、この
金属端板18に一体的に固定されている。図示しない駆
動装置に連結される他方のり一ド棒12は、他方の絶縁
筒17の他端に気密に接合された他方の金属端板19に
ベローズ20を介して連結され、駆動装置の作動に伴っ
て電極13.14の対向方向に往復動可能に可動側の電
極14が固定側の電極13に対して開閉動作するように
なっている。
前記電極13.14は、クロム(Cr)と、銅(Cu)
と、これらクロムと銅との界面に分散するビスマス(B
i)とからなる複合金属で構成される。
と、これらクロムと銅との界面に分散するビスマス(B
i)とからなる複合金属で構成される。
この電極材料の製造法の一例を第1図に基づいて以下に
記すと、まず−100メツシユの粒度のクロムの粉末を
内径68狐のアルミナセラミックス製の容器へに170
g入れ、これを5 X 10−5Torrの真空炉内で
脱ガスしながら1200°Cに加熱保持し、クロム粒子
を相互に拡散結合させて多孔質の溶浸母材Bを得る。
記すと、まず−100メツシユの粒度のクロムの粉末を
内径68狐のアルミナセラミックス製の容器へに170
g入れ、これを5 X 10−5Torrの真空炉内で
脱ガスしながら1200°Cに加熱保持し、クロム粒子
を相互に拡散結合させて多孔質の溶浸母材Bを得る。
一方、5 X 10−5Torrの真空溶解炉にて銅を
1100℃に溶融させ、所定量のビスマスを銅の溶湯中
に添加してこれらを攪拌した後、冷却してビスマスが0
.5重量%含まれた銅ビスマス合金を得る。
1100℃に溶融させ、所定量のビスマスを銅の溶湯中
に添加してこれらを攪拌した後、冷却してビスマスが0
.5重量%含まれた銅ビスマス合金を得る。
しかるのち、前記アルミナセラミックス製の容器A内に
形成された溶浸母材Bの上に、上述した方法により作ら
れた340gの銅ビスマス合金Cを載置し、この状態で
容器へに蓋りを被せ、これらを真空炉内にて脱ガスしつ
つ1100°Cに1時間加熱処理し、多孔質の溶浸母材
Bの空隙部分に銅ビスマス合金Cを溶浸させ、得られる
電極材料を容器Bから出して所定の寸法形状に機械加工
する。
形成された溶浸母材Bの上に、上述した方法により作ら
れた340gの銅ビスマス合金Cを載置し、この状態で
容器へに蓋りを被せ、これらを真空炉内にて脱ガスしつ
つ1100°Cに1時間加熱処理し、多孔質の溶浸母材
Bの空隙部分に銅ビスマス合金Cを溶浸させ、得られる
電極材料を容器Bから出して所定の寸法形状に機械加工
する。
このようにして、
Cu:55.00重量%
Cr:44.75重量%
Bi二 0.25重量%
からなる電極材料を作成した。
この電極材料を第2図に示した真空インタラプタに組み
込み、30KAの電流連断操作を20回行った結果、塘
断操作前の接触抵抗値を基準とした場合、遮断操作後の
接触抵抗値は1.8倍となった。
込み、30KAの電流連断操作を20回行った結果、塘
断操作前の接触抵抗値を基準とした場合、遮断操作後の
接触抵抗値は1.8倍となった。
なお、比較として上述した製造方法と同様な溶浸法によ
り Cu:55重重量 Cr:45重量% のビスマスを含まない電極材料を作成し、これを第2図
に示す真空インタラプタに組み込み、30KAの電流速
断操作を20回行った。
り Cu:55重重量 Cr:45重量% のビスマスを含まない電極材料を作成し、これを第2図
に示す真空インタラプタに組み込み、30KAの電流速
断操作を20回行った。
ビスマスを0.25重皿%含む上述した本実施例による
遮断操作前の接触抵抗値を基準とした場合、この比較例
における電極材料では遮断操作前の接触抵抗値が1.4
倍であり、?断操作後の接触抵抗値は3.0倍にも達し
た。
遮断操作前の接触抵抗値を基準とした場合、この比較例
における電極材料では遮断操作前の接触抵抗値が1.4
倍であり、?断操作後の接触抵抗値は3.0倍にも達し
た。
又、上述した方法によって合計で25の本実施例による
試料を作成し、電極材料中に占めるビスマスの割合を調
査した結果、ビスマスの割合の平均値が0.25重量%
でその標準偏差が0.02%となり、ビスマスの割合の
ばらつきが非常に小さいことも判明した。
試料を作成し、電極材料中に占めるビスマスの割合を調
査した結果、ビスマスの割合の平均値が0.25重量%
でその標準偏差が0.02%となり、ビスマスの割合の
ばらつきが非常に小さいことも判明した。
なお、上述した実施例では予めクロムの粉末を焼結し、
これによって得られる溶浸母材Bに対して銅ビスマス合
金Cを溶浸させるようにしたが、容器A内に装入された
クロムの粉末上に銅ビスマス合金Cを載置し、この容器
A内を蓋りにより密閉状態のまま加熱してクロムの粉末
の空隙部分に銅ビスマス合金Cを溶浸させるようにして
も同様な結果を得られる。
これによって得られる溶浸母材Bに対して銅ビスマス合
金Cを溶浸させるようにしたが、容器A内に装入された
クロムの粉末上に銅ビスマス合金Cを載置し、この容器
A内を蓋りにより密閉状態のまま加熱してクロムの粉末
の空隙部分に銅ビスマス合金Cを溶浸させるようにして
も同様な結果を得られる。
H0発明の効果
本発明による真空インタラプタの電極材料は、20から
98重量%の範囲の銅と、2から80重量%の範囲のク
ロムと、0.1から】重量%の範囲のビスマスとで構成
しているため、従来の銅ビスマス合金やタングステン銅
焼結金属或いは炭化タングステン銀焼結金属よりも電流
連断性能が高く、しかも銅クロム系の電極材料よりも電
流遮断後における接触抵抗値の上昇を抑制することがで
きる。
98重量%の範囲の銅と、2から80重量%の範囲のク
ロムと、0.1から】重量%の範囲のビスマスとで構成
しているため、従来の銅ビスマス合金やタングステン銅
焼結金属或いは炭化タングステン銀焼結金属よりも電流
連断性能が高く、しかも銅クロム系の電極材料よりも電
流遮断後における接触抵抗値の上昇を抑制することがで
きる。
このように、耐溶着性や電流遮断性の及び電流さい断値
等の特性が全体的に向上した電極材料を得ることができ
る。特に、多数回の開閉操作後でも接触抵抗値が低く安
定しているため、開閉のための操作装置を小形化できる
と共に発熱が少ないことと相俟ってキュビクルを小形化
できる。
等の特性が全体的に向上した電極材料を得ることができ
る。特に、多数回の開閉操作後でも接触抵抗値が低く安
定しているため、開閉のための操作装置を小形化できる
と共に発熱が少ないことと相俟ってキュビクルを小形化
できる。
第1図は本発明による電極材料の製造方法の一例を表す
概念図、第2図は真空インタラプタの一例を表す断面図
である。 又、図中の符号でAは容器、Bは溶浸母材、Cは銅ビス
マス合金、Dは蓋、11.12はり一ド棒、13.14
は電極である。 特許出願人 株式会社 明 電 舎 代理人 弁理士 光石英俊(他1名) 第1図 第2図 真空インタラプタの断面図 C:銅ビスマス合金
概念図、第2図は真空インタラプタの一例を表す断面図
である。 又、図中の符号でAは容器、Bは溶浸母材、Cは銅ビス
マス合金、Dは蓋、11.12はり一ド棒、13.14
は電極である。 特許出願人 株式会社 明 電 舎 代理人 弁理士 光石英俊(他1名) 第1図 第2図 真空インタラプタの断面図 C:銅ビスマス合金
Claims (1)
- 20から98重量%の範囲の銅と、2から80重量%の
範囲のクロムと、0.1から1重量%の範囲のビスマス
とからなる真空インタラプタの電極材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2201321A JPH0487230A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 真空インタラプタの電極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2201321A JPH0487230A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 真空インタラプタの電極材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487230A true JPH0487230A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16439072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2201321A Pending JPH0487230A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 真空インタラプタの電極材料 |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH0487230A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09286166A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録用シートおよびインクジェット記録方法 |
WO2002034541A1 (fr) * | 2000-10-24 | 2002-05-02 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Materiau d'enregistrement pour imprimante a jet d'encre |
JP2004276520A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | インクジェット記録シートおよびその製造方法 |
JP2006110771A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | インクジェット記録材料及びその製造方法 |
JP2006248017A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | インクジェット記録材料 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2201321A patent/JPH0487230A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH09286166A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録用シートおよびインクジェット記録方法 |
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