JPH0485836A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0485836A JPH0485836A JP19846190A JP19846190A JPH0485836A JP H0485836 A JPH0485836 A JP H0485836A JP 19846190 A JP19846190 A JP 19846190A JP 19846190 A JP19846190 A JP 19846190A JP H0485836 A JPH0485836 A JP H0485836A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体ペレットの
外部端子（ポンディングパッド）、インナーリードの夫
々をワイヤで接続する半導体装置に適用して有効な技術
に関するものである。
外部端子（ポンディングパッド）、インナーリードの夫
々をワイヤで接続する半導体装置に適用して有効な技術
に関するものである。
ゲートアレイ、マイクロプロセッサ等の回路システムを
搭載した半導体ペレットを封止する樹脂封止型半導体装
置は、前記回路システムの高集積化に伴い、多ピン化（
多端子化）の傾向にある。通常、樹脂封止型半導体装置
は、半導体ペレットの外部端子、インナーリードの夫々
をボンディングワイヤで接続し、この半導体ペレット及
びインナーリートを樹脂で気密封止する。アウターリー
ドは、インナーリードに一体に接続され、樹脂の外部に
延在する。この種の樹脂封止型半導体装置は、半導体ペ
レット自体の大型化、前述の多ビン化等に基づき、外径
サイズ（パッケージサイズ）が大型化し、リードが細長
くなる。このような技術動向にある樹脂封止型半導体装
置は、リードの自己インダクタンス成分が増大し、ノイ
ズが緩和されないので、電気的特性の劣化を生じる。特
にノイズが問題となるのは、回路システムで使用される
基準電源（例えば接地電位０［Ｖ］）、動作電源（例え
ば電源電位５ ［Ｖ］）等の電源である。また、樹脂封
止型半導体装置は、リードが細長くなると、半導体チッ
プに搭載された回路システムの動作で発生する熱の放出
経路において、熱抵抗が増大するので、放熱特性が劣化
する。
搭載した半導体ペレットを封止する樹脂封止型半導体装
置は、前記回路システムの高集積化に伴い、多ピン化（
多端子化）の傾向にある。通常、樹脂封止型半導体装置
は、半導体ペレットの外部端子、インナーリードの夫々
をボンディングワイヤで接続し、この半導体ペレット及
びインナーリートを樹脂で気密封止する。アウターリー
ドは、インナーリードに一体に接続され、樹脂の外部に
延在する。この種の樹脂封止型半導体装置は、半導体ペ
レット自体の大型化、前述の多ビン化等に基づき、外径
サイズ（パッケージサイズ）が大型化し、リードが細長
くなる。このような技術動向にある樹脂封止型半導体装
置は、リードの自己インダクタンス成分が増大し、ノイ
ズが緩和されないので、電気的特性の劣化を生じる。特
にノイズが問題となるのは、回路システムで使用される
基準電源（例えば接地電位０［Ｖ］）、動作電源（例え
ば電源電位５ ［Ｖ］）等の電源である。また、樹脂封
止型半導体装置は、リードが細長くなると、半導体チッ
プに搭載された回路システムの動作で発生する熱の放出
経路において、熱抵抗が増大するので、放熱特性が劣化
する。
前述の問題点を解決するには、第５図（断面図）及び第
６図（平面図）に示すように、樹脂封止型半導体装置１
のインナーリード３Ｂ下に電源用金属板２１を設けるこ
とが有効である。インナーリード３Ｂの一端側はタブ３
Ａ上に接着層４を介在して搭載された半導体ペレット２
の外部端子２Ｂにボンディングワイヤ５で接続される。
６図（平面図）に示すように、樹脂封止型半導体装置１
のインナーリード３Ｂ下に電源用金属板２１を設けるこ
とが有効である。インナーリード３Ｂの一端側はタブ３
Ａ上に接着層４を介在して搭載された半導体ペレット２
の外部端子２Ｂにボンディングワイヤ５で接続される。
インナーリード３Ｂの他端側はアウターリード３Ｃに一
体に構成され電気的に接続される。前記タブ３Ａはタブ
吊りリード３Ｄで支持される。前記電源用金属板２１は
インナーリード３Ｂのボンディングワイヤ５との接続面
の裏面側に絶縁性樹脂テープ２２を介在して固着される
。絶縁性樹脂テープ２２は例えばその両面に接着性を備
えたポリイミド系樹脂フィルムで形成される。電源用金
属板２１は、インナーリード３Ｂが配置される面積にほ
ぼ対応する広い面積で構成され、インナーリード３Ｂ及
びアウターリード３Ｃと別の金属材料で構成される。電
源用金属板２１は、半導体ペレット２側の一端側におい
て、半導体ペレット２の電源用外部端子２Ｂに接続され
る。この接続はボンディングワイヤ５を介して行われる
。電源用金属板２１の半導体ペレット２側の一端側は、
半導体ペレット２の電源用外部端子２Ｂに対応した位置
において、周囲のインナーリード３Ｂの先端に比べて突
呂した形状でボンディング領域が構成される。つまり、
ボンディングの際に、ボンディング装置のボンディング
ツールとインナーリード３Ｂとの接触を回避できるルー
ルで構成される。また、電源用金属板２１は、アウター
リード３Ｃ側の他端において、電源が印加されるインナ
ーリート３Ｂに接続される。この接続は同様にボンディ
ングワイヤ５を介して行われる。電源が印加されるイン
ナーリード３Ｂは、アウターリード３Ｃ側において、他
の信号が印加されるインナーリード３Ｂに対して短い形
状で形成される。つまり、同様に、ボンディングの際に
。
体に構成され電気的に接続される。前記タブ３Ａはタブ
吊りリード３Ｄで支持される。前記電源用金属板２１は
インナーリード３Ｂのボンディングワイヤ５との接続面
の裏面側に絶縁性樹脂テープ２２を介在して固着される
。絶縁性樹脂テープ２２は例えばその両面に接着性を備
えたポリイミド系樹脂フィルムで形成される。電源用金
属板２１は、インナーリード３Ｂが配置される面積にほ
ぼ対応する広い面積で構成され、インナーリード３Ｂ及
びアウターリード３Ｃと別の金属材料で構成される。電
源用金属板２１は、半導体ペレット２側の一端側におい
て、半導体ペレット２の電源用外部端子２Ｂに接続され
る。この接続はボンディングワイヤ５を介して行われる
。電源用金属板２１の半導体ペレット２側の一端側は、
半導体ペレット２の電源用外部端子２Ｂに対応した位置
において、周囲のインナーリード３Ｂの先端に比べて突
呂した形状でボンディング領域が構成される。つまり、
ボンディングの際に、ボンディング装置のボンディング
ツールとインナーリード３Ｂとの接触を回避できるルー
ルで構成される。また、電源用金属板２１は、アウター
リード３Ｃ側の他端において、電源が印加されるインナ
ーリート３Ｂに接続される。この接続は同様にボンディ
ングワイヤ５を介して行われる。電源が印加されるイン
ナーリード３Ｂは、アウターリード３Ｃ側において、他
の信号が印加されるインナーリード３Ｂに対して短い形
状で形成される。つまり、同様に、ボンディングの際に
。
ボンディング装置のボンディングツールとインナーリー
ド３Ｂとの接触を回避できるルールで構成される。前記
半導体ペレット２、タブ３Ａ、インナーリード３Ｂ及び
電源用金属板２１は樹脂８で気密封止される。
ド３Ｂとの接触を回避できるルールで構成される。前記
半導体ペレット２、タブ３Ａ、インナーリード３Ｂ及び
電源用金属板２１は樹脂８で気密封止される。
なお、この種の電源用金属板を有する樹脂封止型半導体
装置については、例えば、日経マイクロデバイス、１９
８９年、６月号、第１０３頁乃至第１０９頁に記載され
る。
装置については、例えば、日経マイクロデバイス、１９
８９年、６月号、第１０３頁乃至第１０９頁に記載され
る。
本発明者は、前述の樹脂封止型半導体装置の開発に先き
立ち、下記の問題点を見出した。
立ち、下記の問題点を見出した。
（１）前述の樹脂封止型半導体装置ｌは、インナーリー
ド３Ｂのボンディングワイヤ５との接続部下に絶縁性樹
脂テープ２２を介在して電源用金属板２１が設けられる
。前記絶縁性樹脂テープ２２はインナーリード３Ｂ、電
源用金属板２１の夫々に比べて柔軟性が高い。このため
、インナーリード３Ｂにボンディングワイヤ５をボンデ
ィングする際に。
ド３Ｂのボンディングワイヤ５との接続部下に絶縁性樹
脂テープ２２を介在して電源用金属板２１が設けられる
。前記絶縁性樹脂テープ２２はインナーリード３Ｂ、電
源用金属板２１の夫々に比べて柔軟性が高い。このため
、インナーリード３Ｂにボンディングワイヤ５をボンデ
ィングする際に。
ボンディング圧力が絶縁性樹脂テープ２２で吸収され、
ボンダビリティが低下するので、樹脂封止型半導体装［
１のボンディング不良が多発する。
ボンダビリティが低下するので、樹脂封止型半導体装［
１のボンディング不良が多発する。
（２）前述の樹脂封止型半導体装置１はそれに搭載する
半導体ペレット２の品種が変ると電源を印加するインナ
ーリード３Ｂの位置が変更される。
半導体ペレット２の品種が変ると電源を印加するインナ
ーリード３Ｂの位置が変更される。
この場合、電源用金属板２１は半導体ペレット２の電源
用外部端子２Ｂと接続される領域が突出した形状で構成
され、又電源が印加されるインナーリード３Ｂは短い形
状で構成されるので、電源用金属板２１．リードフレー
ムの夫々が電源の位置に合せて新しく開発する必要が生
じる。このため、半導体ペレット２の開発毎にリードフ
レーム及び電源用金属板２１を開発する必要があるので
、樹脂封止型半導体装置１の開発コストが増大する。
用外部端子２Ｂと接続される領域が突出した形状で構成
され、又電源が印加されるインナーリード３Ｂは短い形
状で構成されるので、電源用金属板２１．リードフレー
ムの夫々が電源の位置に合せて新しく開発する必要が生
じる。このため、半導体ペレット２の開発毎にリードフ
レーム及び電源用金属板２１を開発する必要があるので
、樹脂封止型半導体装置１の開発コストが増大する。
本発明の目的は、電源用金属板を有する半導体装置にお
いて、ボンディング不良を低減することが可能な技術を
提供することにある。
いて、ボンディング不良を低減することが可能な技術を
提供することにある。
本発明の他の目的は、電源用金属板を有する半導体装置
において、開発コストを低減することが可能な技術を提
供することにある。
において、開発コストを低減することが可能な技術を提
供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）半導体ペレットの外部端子、インナーリードの夫
々をワイヤで接続する半導体装置において、前記インナ
ーリードのうち、電源が印加されるインナーリードのワ
イヤとの接続面に、前記ワイヤとのボンディング領域を
除く領域に対向する位置に配置され、かつインナーリー
ドのワイヤに接続される側の一端、インナーリードのア
ウターリードと接続される側の他端の夫々にウェルド接
合された電源用金属板を構成する。
々をワイヤで接続する半導体装置において、前記インナ
ーリードのうち、電源が印加されるインナーリードのワ
イヤとの接続面に、前記ワイヤとのボンディング領域を
除く領域に対向する位置に配置され、かつインナーリー
ドのワイヤに接続される側の一端、インナーリードのア
ウターリードと接続される側の他端の夫々にウェルド接
合された電源用金属板を構成する。
（２）前記手段（１）の電源用金属板は電源が印加され
る複数のインナーリード毎に配置され、この複数のイン
ナーリード毎に配置された電源用金属板の夫々は実質的
に同一形状で構成される。
る複数のインナーリード毎に配置され、この複数のイン
ナーリード毎に配置された電源用金属板の夫々は実質的
に同一形状で構成される。
上述した手段（１）によれば、前記電源が印加されるイ
ンナーリード、電源用金属板の夫々をワイヤの接続に変
えてウェルド接合（溶接）で接続し、この両者間のワイ
ヤでの接続に基づくボンダビリティの発生要因を廃止で
きると共に、前記電源が印加されるインナーリードのボ
ンディング領域下或はその周囲下に電源用金属板との接
続部や電源用金属板と絶縁分離を行う柔軟性を有する絶
縁性樹脂テープの存在を廃止したので、このインナーリ
ード、ワイヤの夫々のボンダビリティを向上し、ボンデ
ィング不良を低減できる。また、前記電源が印加される
インナーリード、電源用金属板の夫々をワイヤの接続に
変えてウェルド接合で接続し、ボンディングの際にボン
ディングツールとの接触を防止するために行われるイン
ナーリードの形状の変更を廃止したので、電源用金属板
の形状の変更によってのみ異なる品種の半導体ペレット
を搭載できる（電源が印加されるインナーリードの位置
が変更しても電源用金属板の形状の変更によって対応で
きる）。この結果、半導体ペレットの製品開発に伴い品
種が変更されても、インナーリードの形状を変更した新
しいリードフレームを開発することがなくなり、現存の
リードフレームを使用できるので、半導体装置の開発コ
ストを低減できる。
ンナーリード、電源用金属板の夫々をワイヤの接続に変
えてウェルド接合（溶接）で接続し、この両者間のワイ
ヤでの接続に基づくボンダビリティの発生要因を廃止で
きると共に、前記電源が印加されるインナーリードのボ
ンディング領域下或はその周囲下に電源用金属板との接
続部や電源用金属板と絶縁分離を行う柔軟性を有する絶
縁性樹脂テープの存在を廃止したので、このインナーリ
ード、ワイヤの夫々のボンダビリティを向上し、ボンデ
ィング不良を低減できる。また、前記電源が印加される
インナーリード、電源用金属板の夫々をワイヤの接続に
変えてウェルド接合で接続し、ボンディングの際にボン
ディングツールとの接触を防止するために行われるイン
ナーリードの形状の変更を廃止したので、電源用金属板
の形状の変更によってのみ異なる品種の半導体ペレット
を搭載できる（電源が印加されるインナーリードの位置
が変更しても電源用金属板の形状の変更によって対応で
きる）。この結果、半導体ペレットの製品開発に伴い品
種が変更されても、インナーリードの形状を変更した新
しいリードフレームを開発することがなくなり、現存の
リードフレームを使用できるので、半導体装置の開発コ
ストを低減できる。
上述した手段（２）によれば、前記手段（１）の効果の
他に、１種類又は少ない数種類の電源用金属板を予じめ
用意するだけで、半導体ペレットの製品開発に伴い品種
が変更されても、インナーリードの形状を変更した新し
いリードフレーム、及び電源用金属板の形状を変更した
新しい電源用金属板を開発することがなくなり、現存の
リードフレーム、及び電源用金属板を使用できるので、
半導体装置の開発コストをより低減できる。
他に、１種類又は少ない数種類の電源用金属板を予じめ
用意するだけで、半導体ペレットの製品開発に伴い品種
が変更されても、インナーリードの形状を変更した新し
いリードフレーム、及び電源用金属板の形状を変更した
新しい電源用金属板を開発することがなくなり、現存の
リードフレーム、及び電源用金属板を使用できるので、
半導体装置の開発コストをより低減できる。
以下、本発明の構成について、ＱＦＰｐ造を採用する樹
脂封止型半導体装置に本発明を適用した一実施例を用い
て説明する。
脂封止型半導体装置に本発明を適用した一実施例を用い
て説明する。
なお、実施例を説明するための全図において。
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
の説明は省略する。
（実施例 Ｉ）
本発明の実施例ＩであるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の構成を第１図（断面図）及び第２図（平
面図）で示す。
型半導体装置の構成を第１図（断面図）及び第２図（平
面図）で示す。
第１図及び第２図に示すように、ＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装直重はタブ３Ａ上に接着層４を介在
して半導体ペレット２を搭載する。
樹脂封止型半導体装直重はタブ３Ａ上に接着層４を介在
して半導体ペレット２を搭載する。
半導体ペレット２の外部端子２Ｂはボンディングワイヤ
５を介してインナーリード３Ｂの一端側に電気的に接続
される。前記半導体ペレット２、タブ３Ａ、インナーリ
ード３Ｂ及びボンディングワイヤ５は樹脂８で気密封止
される。
５を介してインナーリード３Ｂの一端側に電気的に接続
される。前記半導体ペレット２、タブ３Ａ、インナーリ
ード３Ｂ及びボンディングワイヤ５は樹脂８で気密封止
される。
前記半導体ペレット２は単結晶珪素基板２Ａを主体とし
て構成される。単結晶珪素基板２Ａの素子形成面（第１
図中上側表面）には図示しないが回路システムを形成す
る半導体素子が構成される。
て構成される。単結晶珪素基板２Ａの素子形成面（第１
図中上側表面）には図示しないが回路システムを形成す
る半導体素子が構成される。
単結晶珪素基板２Ａの素子形成面上には前記外部端子２
Ｂが配列される。外部端子２Ｂは前記半導体素子間を電
気的に接続する配線例えばアルミニウム合金配線と同一
導電層で形成される。前記半導体素子上、前記配線の上
下、前記外部端子２Ｂ上等にはパッシベーション膜２Ｃ
が設けられる。
Ｂが配列される。外部端子２Ｂは前記半導体素子間を電
気的に接続する配線例えばアルミニウム合金配線と同一
導電層で形成される。前記半導体素子上、前記配線の上
下、前記外部端子２Ｂ上等にはパッシベーション膜２Ｃ
が設けられる。
前記半導体ペレット２、タブ３Ａの夫々を固着する接着
層４は例えばＡｇペースト層又はＡｕ−５ｉ共品合金層
を使用する。
層４は例えばＡｇペースト層又はＡｕ−５ｉ共品合金層
を使用する。
前記半導体ペレット２の外部端子２Ｂ、インナーリード
３Ｂの一端側の夫々を接続するボンディングワイヤ５は
例えばＡｕワイヤ、Ａｆｌワイヤ、Ｃｕワイヤ等を使用
する。ボンディングワイヤ５は例えば熱圧着に超音波振
動を併用したボンディング法でボンディングされる。
３Ｂの一端側の夫々を接続するボンディングワイヤ５は
例えばＡｕワイヤ、Ａｆｌワイヤ、Ｃｕワイヤ等を使用
する。ボンディングワイヤ５は例えば熱圧着に超音波振
動を併用したボンディング法でボンディングされる。
前記インナーリード３Ｂの他端側は前記アウターリード
３Ｃに一体に（電気的に）接続される。また、タブ３Ａ
はタブ吊りリード３Ｄで支持される。
３Ｃに一体に（電気的に）接続される。また、タブ３Ａ
はタブ吊りリード３Ｄで支持される。
前記タブ３Ａ、インナーリード３Ｂ、アウターリード３
Ｃ、タブ吊りリード３Ｄの夫々は同一のリードフレーム
３から切断及び成型される。第１図及び第２図に示すタ
ブ３Ａ、インナーリード３Ｂ、アウターリード３Ｃ、タ
ブ吊りリード３Ｄの夫々は切断及び成型された後の形状
である。リードフレーム３は例えばＦｅ−Ｎｉ合金（例
えば４２［％コのＮｉ含有）、Ｃｕ系合金等で形成され
る。
Ｃ、タブ吊りリード３Ｄの夫々は同一のリードフレーム
３から切断及び成型される。第１図及び第２図に示すタ
ブ３Ａ、インナーリード３Ｂ、アウターリード３Ｃ、タ
ブ吊りリード３Ｄの夫々は切断及び成型された後の形状
である。リードフレーム３は例えばＦｅ−Ｎｉ合金（例
えば４２［％コのＮｉ含有）、Ｃｕ系合金等で形成され
る。
前記インナーリード３Ｂのうち、電源が印加されるイン
ナーリード３Ｂには電源用金属板７が設けられる。電源
用金属板７は、電源が印加されたインナーリード３Ｂの
ボンディングワイヤ５が接続される領域を除き、この領
域の表面に対向する位置（第１図中インナーリード３Ｂ
の上部）に配置される。電源用金属板７は、電源が印加
されるインナーリード３Ｂ上及びその周囲の他の信号が
印加されるインナーリード３Ｂ上を含む、インナーリー
ド３Ｂが配置された広い領域に配置される。
ナーリード３Ｂには電源用金属板７が設けられる。電源
用金属板７は、電源が印加されたインナーリード３Ｂの
ボンディングワイヤ５が接続される領域を除き、この領
域の表面に対向する位置（第１図中インナーリード３Ｂ
の上部）に配置される。電源用金属板７は、電源が印加
されるインナーリード３Ｂ上及びその周囲の他の信号が
印加されるインナーリード３Ｂ上を含む、インナーリー
ド３Ｂが配置された広い領域に配置される。
電源用金属板７は、半導体ベレット２側の一端側におい
で、他の領域よりも突出した形状で構成され、電源が印
加されるインナーリード３Ｂの一端側に接続される（第
２図中、−点鎖線で囲まれた領域）。この接続はウェル
ド接合つまり電気的及び機械的接合で行われる。同様に
、電源用金属板７は、アウターリード３Ｂ側の他端側に
おいて、他の領域よりも突出した形状で構成され、前記
電源が印加されるインナーリード３Ｂの他端側に接続さ
れる。この接続は同様にウェルド接合で行われる。
で、他の領域よりも突出した形状で構成され、電源が印
加されるインナーリード３Ｂの一端側に接続される（第
２図中、−点鎖線で囲まれた領域）。この接続はウェル
ド接合つまり電気的及び機械的接合で行われる。同様に
、電源用金属板７は、アウターリード３Ｂ側の他端側に
おいて、他の領域よりも突出した形状で構成され、前記
電源が印加されるインナーリード３Ｂの他端側に接続さ
れる。この接続は同様にウェルド接合で行われる。
前記電源用金属板７は、インナーリード３Ｂ上に絶縁性
樹脂テープ（粘着テープ）６を介在し、インナーリード
３Ｂから若干前れた位置に対向して配置される。電源用
金属板７は、基本的に導電性を有する金属材料であれば
よいが、本実施例では接合性を高め、線膨張係数を合せ
る等の目的がらり−ドフレーム３と同一材料で形成する
。
樹脂テープ（粘着テープ）６を介在し、インナーリード
３Ｂから若干前れた位置に対向して配置される。電源用
金属板７は、基本的に導電性を有する金属材料であれば
よいが、本実施例では接合性を高め、線膨張係数を合せ
る等の目的がらり−ドフレーム３と同一材料で形成する
。
この電源用金属板７は、電源が印加されるインナーリー
ド３Ｂに電気的に並列に接続され、このインナーリード
３Ｂの自己インダクタンスを低減し、電源ノイズを緩和
できる。電源としては例えば回路システムで使用される
基準電源（例えば接地電位０［Ｖ］）、動作電源（例え
ば電源電位５［Ｖ］）等である。また、電源用金属板７
は、インナーリード３Ｂの熱の放出経路での熱抵抗を低
減し、放熱特性を向上できる。熱は、半導体ペレット２
に搭載された回路システムの動作で発生し、ボンディン
グワイヤ５、インナーリート３Ｂ、アウターリード３Ｃ
の夫々を主体に介在して外部に放出される。
ド３Ｂに電気的に並列に接続され、このインナーリード
３Ｂの自己インダクタンスを低減し、電源ノイズを緩和
できる。電源としては例えば回路システムで使用される
基準電源（例えば接地電位０［Ｖ］）、動作電源（例え
ば電源電位５［Ｖ］）等である。また、電源用金属板７
は、インナーリード３Ｂの熱の放出経路での熱抵抗を低
減し、放熱特性を向上できる。熱は、半導体ペレット２
に搭載された回路システムの動作で発生し、ボンディン
グワイヤ５、インナーリート３Ｂ、アウターリード３Ｃ
の夫々を主体に介在して外部に放出される。
また、本実施例において、電源用金属板７は、第２図中
右側、左側の夫々に２分割され、基準電源、動作電源の
夫々に或は入力段回路用の基準電源、出力段回路用の基
準電源の夫々に印加される。
右側、左側の夫々に２分割され、基準電源、動作電源の
夫々に或は入力段回路用の基準電源、出力段回路用の基
準電源の夫々に印加される。
本発明は、この電源用金属板７の分割は要旨を変更する
ものではなく、電源用金属板７を分割しないで一体に（
リング形状に）構成してもよいし２，３分割、４分割等
前記以外の複数個に分割してもよい。
ものではなく、電源用金属板７を分割しないで一体に（
リング形状に）構成してもよいし２，３分割、４分割等
前記以外の複数個に分割してもよい。
また、電源用金属板７、インナーリード３Ｂの夫々のウ
ェルド接合はマイクロ波溶接、点溶接、ろう接等、いず
れの溶接法で行ってもよい。すなわち、電源用金属板７
、インナーリード３の夫々の接続においては基本的にボ
ンディングワイヤ５で行わない。
ェルド接合はマイクロ波溶接、点溶接、ろう接等、いず
れの溶接法で行ってもよい。すなわち、電源用金属板７
、インナーリード３の夫々の接続においては基本的にボ
ンディングワイヤ５で行わない。
前記絶縁性樹脂テープ６は例えば両面に粘着性を有する
ポリイミド系樹脂フィルムを使用する。
ポリイミド系樹脂フィルムを使用する。
前記樹脂８は前述の半導体ペレット２等の他にインナー
リード３Ｂ上に配置された前述の電源用金属板７も含め
て気密封止される。樹脂８は、周知のトランスファモー
ルド技術で形成され、例えばフェノール硬化型エポキシ
系樹脂を使用する。
リード３Ｂ上に配置された前述の電源用金属板７も含め
て気密封止される。樹脂８は、周知のトランスファモー
ルド技術で形成され、例えばフェノール硬化型エポキシ
系樹脂を使用する。
このように、半導体ペレット２の外部端子２Ｂ、インナ
ーリード３Ｂの夫々をボンディングワイヤ５で接続する
樹脂封止型半導体装［１において。
ーリード３Ｂの夫々をボンディングワイヤ５で接続する
樹脂封止型半導体装［１において。
前記インナーリード３Ｂのうち、電源が印加されるイン
ナーリード３Ｂのボンディングワイヤ５との接続面に、
前記ボンディングワイヤ５とのボンディング領域を除く
領域に対向する位置に配置され、かつインナーリード３
Ｂのボンディングワイヤ５に接続される側の一端、イン
ナーリード３Ｂのアウターリード３Ｃと接続される側の
他端の夫々にウェルド接合された電源用金属板７を構成
する。この構成により、前記電源が印加されるインナー
リード３Ｂ、電源用金属板７の夫々をボンディングワイ
ヤ５の接続に変えてウェルド接合で接続し、この両者間
のボンディングワイヤ５での接続に基づくボンダビリテ
ィの発生要因を廃止できると共に、前記電源が印加され
るインナーリード３Ｂのボンディング領域下或はその周
囲下に電源用金属板７との接続部や電源用金属板７と絶
縁分離を行う柔軟性を有する絶縁性樹脂テープ６の存在
を廃止したので、このインナーリード３Ｂ、ボンディン
グワイヤ５の夫々のボンディングの際の圧力を確保して
ボンダビリティを向上し、ボンディング不良を低減でき
る。また、前記電源が印加されるインナーリード３Ｂ、
電源用金属板７の夫々をボンディングワイヤ５の接続に
変えてウェルド接合で接続し、ボンディングの際にボン
ディングツールとの接触を防止するために行われるイン
ナーリード３Ｂの形状の変更を廃止したので、電源用金
属板７の形状（接続する領域に形成される突出形状）の
変更によってのみ異なる品種の半導体ペレット２を搭載
できる（電源が印加されるインナーリード３Ｂの位置が
変更しても電源用金属板７の形状の変更によって対応で
きる）。この結果、半導体ペレット２の製品開発に伴い
品種が変更されても、インナーリード３Ｂの形状を変更
した新しいリードフレーム３を開発することがなくなり
、現存のリードフレーム３を使用できるので、樹脂封止
型半導体装Ｗｔ１の開発コストを低減できる。
ナーリード３Ｂのボンディングワイヤ５との接続面に、
前記ボンディングワイヤ５とのボンディング領域を除く
領域に対向する位置に配置され、かつインナーリード３
Ｂのボンディングワイヤ５に接続される側の一端、イン
ナーリード３Ｂのアウターリード３Ｃと接続される側の
他端の夫々にウェルド接合された電源用金属板７を構成
する。この構成により、前記電源が印加されるインナー
リード３Ｂ、電源用金属板７の夫々をボンディングワイ
ヤ５の接続に変えてウェルド接合で接続し、この両者間
のボンディングワイヤ５での接続に基づくボンダビリテ
ィの発生要因を廃止できると共に、前記電源が印加され
るインナーリード３Ｂのボンディング領域下或はその周
囲下に電源用金属板７との接続部や電源用金属板７と絶
縁分離を行う柔軟性を有する絶縁性樹脂テープ６の存在
を廃止したので、このインナーリード３Ｂ、ボンディン
グワイヤ５の夫々のボンディングの際の圧力を確保して
ボンダビリティを向上し、ボンディング不良を低減でき
る。また、前記電源が印加されるインナーリード３Ｂ、
電源用金属板７の夫々をボンディングワイヤ５の接続に
変えてウェルド接合で接続し、ボンディングの際にボン
ディングツールとの接触を防止するために行われるイン
ナーリード３Ｂの形状の変更を廃止したので、電源用金
属板７の形状（接続する領域に形成される突出形状）の
変更によってのみ異なる品種の半導体ペレット２を搭載
できる（電源が印加されるインナーリード３Ｂの位置が
変更しても電源用金属板７の形状の変更によって対応で
きる）。この結果、半導体ペレット２の製品開発に伴い
品種が変更されても、インナーリード３Ｂの形状を変更
した新しいリードフレーム３を開発することがなくなり
、現存のリードフレーム３を使用できるので、樹脂封止
型半導体装Ｗｔ１の開発コストを低減できる。
（実施例■）
本実施例■は、インナーリード毎に電源用金属板を構成
し、樹脂封止型半導体装置の開発コストをより低減した
、本発明の第２実施例である。
し、樹脂封止型半導体装置の開発コストをより低減した
、本発明の第２実施例である。
本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の構成を第３図（平面図）で示す。
型半導体装置の構成を第３図（平面図）で示す。
第３図に示すように、本実施例■のＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１は電源が印加されるインナー
リード３Ｂ毎に電源用金属板７を設ける。電源用金属板
７は、前記実施例Ｉと実質的に同様に、電源が印加され
るインナーリード３Ｂに対向した位置に配置され、イン
ナーリード３Ｂの一端側、他端側の夫々にウェルド接合
される。
る樹脂封止型半導体装置１は電源が印加されるインナー
リード３Ｂ毎に電源用金属板７を設ける。電源用金属板
７は、前記実施例Ｉと実質的に同様に、電源が印加され
るインナーリード３Ｂに対向した位置に配置され、イン
ナーリード３Ｂの一端側、他端側の夫々にウェルド接合
される。
この電源用金属板７はインナーリード３Ｂと実質的に同
−幅寸法又はそれに近い幅寸法で構成される。また、電
源用金属板７は、他の電源用金属板７に対して実質的に
同一形状で構成され、電源が印加されるインナーリード
３Ｂの位置の変更があっても同一のものを使用できる。
−幅寸法又はそれに近い幅寸法で構成される。また、電
源用金属板７は、他の電源用金属板７に対して実質的に
同一形状で構成され、電源が印加されるインナーリード
３Ｂの位置の変更があっても同一のものを使用できる。
このように、樹脂封止型半導体装Ｗ１において、電源用
金属板７を電源が印加される複数のインナーリード３Ｂ
毎に配置し、この複数のインナーリード３Ｂ毎に配置さ
れた電源用金属板７の夫々を実質的に同一形状で構成す
る。この構成により、前記実施例Ｉの効果の他に、１種
類又は少ない数種類の電源用金属板７を予じめ用意する
だけで。
金属板７を電源が印加される複数のインナーリード３Ｂ
毎に配置し、この複数のインナーリード３Ｂ毎に配置さ
れた電源用金属板７の夫々を実質的に同一形状で構成す
る。この構成により、前記実施例Ｉの効果の他に、１種
類又は少ない数種類の電源用金属板７を予じめ用意する
だけで。
半導体ペレット２の製品開発に伴い品種が変更されでも
、インナーリード３Ｂの形状を変更した新しいリードフ
レーム３、及び電源用金属板７の形状を変更した新しい
電源用金属板７を開発することがなくなり、現存のリー
ドフレーム３、及び電源用金属板７を使用できるので、
樹脂封止型半導体装置１の開発コストをより低減できる
。
、インナーリード３Ｂの形状を変更した新しいリードフ
レーム３、及び電源用金属板７の形状を変更した新しい
電源用金属板７を開発することがなくなり、現存のリー
ドフレーム３、及び電源用金属板７を使用できるので、
樹脂封止型半導体装置１の開発コストをより低減できる
。
（実施例■）
本実施例■は、インナーリードの自己インダクタンスを
より低減し、樹脂封止型半導体装置の電気的特性をより
向上した、本発明の第３実施例である。
より低減し、樹脂封止型半導体装置の電気的特性をより
向上した、本発明の第３実施例である。
本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の構成を第４図（平面図）で示す。
型半導体装置の構成を第４図（平面図）で示す。
第４図に示すように、本実施例ｍのＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１は電源が印加されるインナー
リード３Ｂ上に電源用金属板７、電源用金属板１７の夫
々を順次積層した２層構造で構成される。電源用金属板
１７は、電源用金属板７と同様に、絶縁性樹脂テープ１
６を介在して配置さ九、電源用金属板７にウェルド接合
される。
る樹脂封止型半導体装置１は電源が印加されるインナー
リード３Ｂ上に電源用金属板７、電源用金属板１７の夫
々を順次積層した２層構造で構成される。電源用金属板
１７は、電源用金属板７と同様に、絶縁性樹脂テープ１
６を介在して配置さ九、電源用金属板７にウェルド接合
される。
このように、樹脂封止型半導体装ＩＥＩにおいて、電源
が印加されるインナーリード３Ｂに２Ｍ構造の電源用金
属板７及び電源用金属板１７を構成する。
が印加されるインナーリード３Ｂに２Ｍ構造の電源用金
属板７及び電源用金属板１７を構成する。
この構成により、前記電源が印加されるインナーリード
３Ｂの自己インダクタンスをより低減できるので、樹脂
封止型半導体装Ｎ１の電気的特性を向上できる。また、
樹脂封止型半導体装置１の放熱効率を向上できる。
３Ｂの自己インダクタンスをより低減できるので、樹脂
封止型半導体装Ｎ１の電気的特性を向上できる。また、
樹脂封止型半導体装置１の放熱効率を向上できる。
以上１本発明者によってなされた発明を前記実施例に基
づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において
種々変更し得ることは勿論である。
づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において
種々変更し得ることは勿論である。
例えば、本発明は、５ＯＪｌｉＩ造、ＤＩＰ構造、ＺＩ
Ｐ構造等のいずれの樹脂封止型半導体装置にも適用でき
、又セラミック封止型半導体装置にも適用できる。
Ｐ構造等のいずれの樹脂封止型半導体装置にも適用でき
、又セラミック封止型半導体装置にも適用できる。
本願において開示された発明のうち、代表的なものの効
果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体ペレットの外部端子、インナーリードの夫々をワ
イヤで接続し、前記インナーリードに電源用金属板を構
成する半導体装置において、ボンディング不良を低減で
きる。
イヤで接続し、前記インナーリードに電源用金属板を構
成する半導体装置において、ボンディング不良を低減で
きる。
また、前記半導体装置の開発コストを低減できる。
第１図は、本発明の実施例ＩであるＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図、 第２図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図、第３図
は、本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂
封止型半導体装置の平面図、第４図は、本発明の実施例
■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の
断面図、第５図は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面
図、 第６図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図である。 図中、１・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・半導体
ペレット、３・・・リードフレーム、３Ｂ・・・インナ
ーリード、３Ｃ・・・アウターリード、５・・・ボンデ
ィングワイヤ、６，１６・・・絶縁性樹脂テープ、７，
１７・・電源用金属板、８・・・樹脂封止部である。
る樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図、 第２図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図、第３図
は、本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂
封止型半導体装置の平面図、第４図は、本発明の実施例
■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の
断面図、第５図は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面
図、 第６図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図である。 図中、１・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・半導体
ペレット、３・・・リードフレーム、３Ｂ・・・インナ
ーリード、３Ｃ・・・アウターリード、５・・・ボンデ
ィングワイヤ、６，１６・・・絶縁性樹脂テープ、７，
１７・・電源用金属板、８・・・樹脂封止部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットの外部端子、インナーリードの夫々
をワイヤで接続する半導体装置において、前記インナー
リードのうち、電源が印加されるインナーリードのワイ
ヤとの接続面に、前記ワイヤとのボンディング領域を除
く領域に対向する位置に配置され、かつインナーリード
のワイヤに接続される側の一端、インナーリードのアウ
ターリードと接続される側の他端の夫々にウエルド接合
された電源用金属板を構成したことを特徴とする半導体
装置。 ２、前記電源用金属板は電源が印加される複数のインナ
ーリード毎に配置され、この複数のインナーリード毎に
配置された電源用金属板の夫々は実質的に同一形状で構
成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19846190A JPH0485836A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19846190A JPH0485836A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485836A true JPH0485836A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16391493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19846190A Pending JPH0485836A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485836A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996007198A3 (en) * | 1994-08-23 | 1996-10-24 | Nat Semiconductor Corp | A lead frame having layered conductive planes |
| US6064863A (en) * | 1996-11-18 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Constitution of protrusible external and fixed internal antenna for radio portable remote terminal device |
| US7760098B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Portable terminal |
| WO2023162235A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | 株式会社安川電機 | 金属線の接合方法、金属線の接合システム |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19846190A patent/JPH0485836A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996007198A3 (en) * | 1994-08-23 | 1996-10-24 | Nat Semiconductor Corp | A lead frame having layered conductive planes |
| US6064863A (en) * | 1996-11-18 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Constitution of protrusible external and fixed internal antenna for radio portable remote terminal device |
| US7760098B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Portable terminal |
| WO2023162235A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | 株式会社安川電機 | 金属線の接合方法、金属線の接合システム |
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