JPH048517A - 半導体封止用レジンタブレットの加熱方法 - Google Patents

半導体封止用レジンタブレットの加熱方法

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Publication number
JPH048517A
JPH048517A JP11002790A JP11002790A JPH048517A JP H048517 A JPH048517 A JP H048517A JP 11002790 A JP11002790 A JP 11002790A JP 11002790 A JP11002790 A JP 11002790A JP H048517 A JPH048517 A JP H048517A
Authority
JP
Japan
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tablets
tablet
heating
semiconductor
heated
Prior art date
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Pending
Application number
JP11002790A
Other languages
English (en)
Inventor
Shozo Nakamura
省三 中村
Shigeharu Tsunoda
重晴 角田
Akio Hasebe
昭男 長谷部
Katsuhiro Tabata
田畑 克弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH048517A publication Critical patent/JPH048517A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はLSIプラスチックパッケージの製造工程にお
ける封止用レジンのタブレットを遠赤外線方式を用いて
加熱する方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、LSIプラスチックパッケージの製造工程では、
金型内に投入する封止用レジンのタブレットの加熱は高
周波加熱装置を用いて実施していた。この加熱方法は、
第3図に示すように、二本の高周波を発生するロール間
に所定のタブレットを置いて、通常、10〜20sec
程度加熱すれば70〜90℃程度の温度にタブレットが
加熱される。
C発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術はタブレットを一個ずつ加熱していく方法
であるため、複数個のタブレットが同時に必要なマルチ
ポットモールド(実施例の項で記述する)には不適切で
あった。
本発明の目的は、複数個のタブレットを同時に、かつ、
同じ温度条件で加熱供給する方法を提供することにある
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、複数個の封止用レジンタ
ブレットを遠赤外線加熱方式を用いて、タブレットの上
、下両面から加熱・軟化させる方式を採用するものであ
る。
〔作用〕
封止用レジンのタブレットを均一に加熱・軟化させるこ
とが半導体プラスチックパッケージの成形に必要である
。このため、従来は高周波加熱装置(第3図参照)を用
いて加熱・軟化させていたが、この方法は一個のタブレ
ットしか加熱できない。そこで、本発明では遠赤外線加
熱方式を採用し、複数個のタブレットを同時に、しかも
、均一に加熱・軟化させるものである。この際、遠赤外
線の照射波長は、特に、1〜20μmが効果的である。
すなわち、この波長の遠赤外線をタブレットに照射させ
れば、輻射熱によってタブレット内部にまで電磁波が吸
収され、タブレットの均一な加熱・軟化に大きな作用効
果が認められる。
〔実施例〕
以下、図面を用いて実施例を説明する。第4図は半導体
プラスチックパッケージを成形する工程を示すものであ
る。すなわち、上型2と下型3で形成されるキャビティ
8の中にレジンを流入・硬化させる。このため、ポット
4の中に封止用レジンのタブレット1を投入しプランジ
ャ5で加圧成形し、第4図(a)、 (b)、 (c)
の順序で最終的にパッケージ11を得る。第5図は成形
部を拡大した図で、タブレット1がキャビティ8に流入
する状態がわかる。第6図(a)と(b)はキャビティ
形状を示したもので、第6図(a)は−ボット方式で多
数のキャビティ8を設けた金型を示したものであり、第
6図(b)は三ボット方式の例を示したものである。
さて、この成形で半導体等を封止するレジンを成形過程
では円柱状の、いわゆる、タブレットに予め加工して用
いていた。そして、このタブレットを成形直前に約80
℃に予熱して、軟化させておく必要がある。このため従
来は、このタブレット−個−個を単独で、第3図に示す
高周波プレヒータを用いて行っていた。この方法は、二
本のロール間にタブレットを置き、回転しながら加熱す
るものであるが、例えば、タブレット中にカーボン等が
入っているレジンではショートを起こし、加熱・軟化作
業がスムーズに行えない。さらに、個−個単独でタブレ
ットを加熱するため、その効率が悪く、例えば、第6図
(b)に示すように、同時に複数個のタブレットが必要
な成形の場合には、タブレットの軟化条件が異なるため
最終製品となるパッケージの品質が悪くなり、不良品が
発生する等の問題がある。
そこで、本発明では、第1図に示すように、複数個のタ
ブレット8(図中では三個の場合)を上、下の遠赤外線
照射ヒータ12の間に設置し、所望時間だけ加熱するこ
とによってタブレットを同時に均一に加熱・軟化させる
方式を採った。
次に、具体的な実施例を説明する。
第2図は封止用レジンから作ったタブレットを第1図の
ような方法で遠赤外線を照射した場合の照射経過時間に
対するタブレットの温度上昇挙動を実測した一例である
本実施例では、タブレットの外径20m、長さ15■程
度のものを用い、図中に示すように、上、下面表面から
照射した場合について示している。
図かられかるように、タブレットの温度は照射時間の経
過とともに上昇する。そして、タブレットの表面部と内
部との温度差はほとんどなく均一に分布していることが
わかる。また、この例ではタブレットを四分程度照射す
ると70℃程度に加熱され、タブレットは軟化される。
この場合は、ヒータ設定温度が240℃であるが、勿論
、この設定温度を変えればタブレットの昇温速度は任意
に変えることができる。
この実施例かられかるように、タブレット温度が70℃
程度で十分成形可能であるため、遠赤外線加熱方式は有
効な手法である。
以上、半導体封止用レジンのタブレットの加熱・軟化手
段として遠赤外線加熱方式を採用した実施例について記
載したが、本加熱方式はタブレットだけでなく、例えば
、ポリイミド樹脂等からなるフィルム状物質の加熱脱湿
処理や物性安定化のための加熱ベーク処理等にも適用可
能である。
〔発明の効果〕
本発明のよれば、 (1)タブレットの形状を問わず、複数個のタブレット
を同時に均一に加熱・軟化させることができる。
(2)このため、半導体プラスチックパッケージの成形
効率が大巾に増大する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のタブレットを遠赤外線ヒー
タで加熱する状態を示した説明図、第2図は本実施例の
一例を示す遠赤外線照射時間とタブレットの温度上昇挙
動を示した特性図、第3図は従来用いているタブレット
加熱用の高周波プレヒータ装置の斜視図、第4図は半導
体プラスチックパッケージの成形工程を示した説明図、
第5図は成形方式を示した部分斜視図、第6図はキャビ
ティ形状及び成形流路を示した説明図である。 1 ・・・・・・・・・タブレット 2 ・・・・・・
・・・上型3 ・・・・・・・・・下型    4 ・
・・・・・・・・ボット5 ・・・・・・・・・プラン
ジャ 6 ・・・・・・・・・ ランナ7 ・・・・・
・・・・ ゲート   8 ・・・・・・・・・ キャ
ビティ9 ・・・・・・・・・ リードフレーム10・
・・・・・・・・突出しビン 11・・・・・・・・・パッケージ 12・・・・・・・・・遠赤外線ヒータ¥kJ2図 社遵吟聞 (SEC) 児5図 46図 (α) (b)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体プラスチックパッケージの製造方法において
    、封止用レジンのタブレットを遠赤外線を用いて加熱す
    ることを特徴とする半導体封止用レジンタブレットの加
    熱方法。 2、請求項1において、前記遠赤外線の波長は、1〜2
    0μmの範囲を有する加熱源を用いる半導体封止用レジ
    ンタブレットの加熱方法。
JP11002790A 1990-04-27 1990-04-27 半導体封止用レジンタブレットの加熱方法 Pending JPH048517A (ja)

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JPH048517A true JPH048517A (ja) 1992-01-13

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009538037A (ja) * 2006-05-19 2009-10-29 レアード テクノロジーズ アーベー アンテナ・デバイスおよびそのようなアンテナ・デバイスを備える携帯型無線通信デバイス
DE102022206645A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Vitesco Technologies Germany Gmbh Transfermoldverfahren zum Umspritzen eines elektronischen Bauteils, Moldeinrichtung zum Ausführen des Transfermoldverfahrens

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009538037A (ja) * 2006-05-19 2009-10-29 レアード テクノロジーズ アーベー アンテナ・デバイスおよびそのようなアンテナ・デバイスを備える携帯型無線通信デバイス
US8144071B2 (en) 2006-05-19 2012-03-27 Anders Thornell-Pers Antenna device and portable radio communication device comprising such an antenna device
DE102022206645A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Vitesco Technologies Germany Gmbh Transfermoldverfahren zum Umspritzen eines elektronischen Bauteils, Moldeinrichtung zum Ausführen des Transfermoldverfahrens

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