JPH11238744A - Ｉｃカード等用ｉｃモジュールの封止方法 - Google Patents
Ｉｃカード等用ｉｃモジュールの封止方法Info
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- JPH11238744A JPH11238744A JP10039392A JP3939298A JPH11238744A JP H11238744 A JPH11238744 A JP H11238744A JP 10039392 A JP10039392 A JP 10039392A JP 3939298 A JP3939298 A JP 3939298A JP H11238744 A JPH11238744 A JP H11238744A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の未硬化樹脂供給方法によるとＩＣモジュ
ールの封入硬化部の厚さが、目標値より大きくなってし
まうことが多く、この場合グラインダーによる余剰分の
削除工程が必要であった。 【解決手段】ＩＣチップを中心として接続部全体まで
を、滴下した未硬化の封止樹脂中に封入し、該封止樹脂
が未硬化のうちにその頂部にトッピングフォイルを載置
し、その後必要に応じて高さ調整を行いながら、硬化処
理を施すことを特徴とするＩＣカード等用ＩＣモジュー
ルの封止方法。
ールの封入硬化部の厚さが、目標値より大きくなってし
まうことが多く、この場合グラインダーによる余剰分の
削除工程が必要であった。 【解決手段】ＩＣチップを中心として接続部全体まで
を、滴下した未硬化の封止樹脂中に封入し、該封止樹脂
が未硬化のうちにその頂部にトッピングフォイルを載置
し、その後必要に応じて高さ調整を行いながら、硬化処
理を施すことを特徴とするＩＣカード等用ＩＣモジュー
ルの封止方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカード等用Ｉ
Ｃモジュールのように厚さ制限のある場合の封止方法に
関するものである。
Ｃモジュールのように厚さ制限のある場合の封止方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカード等用ＩＣモジュールとは、基
本的には、基板上に施された導体パターンと、ＩＣチッ
プと、これらの所定個所を相互を結線した接続部例えば
多数のワイヤ等からなるものである。
本的には、基板上に施された導体パターンと、ＩＣチッ
プと、これらの所定個所を相互を結線した接続部例えば
多数のワイヤ等からなるものである。
【０００３】一般的にＩＣチップとは薄く非常に脆いも
のであり、またワイヤは断線、接続部からの脱落等をお
こしやすいものであるために、このＩＣモジュールを、
例えば熱硬化性樹脂中に封入硬化して機械的強度を付与
した上でカード層内に埋設することが行われてきたので
あるが、これは少なくともカード厚よりも薄く構成され
る必要がある。このＩＣモジュールの封入硬化部の厚さ
が、目標値より大きくなってしまったような場合には、
カードに埋設する前にグラインダー等を用いて余剰分を
削除して厚さ調整をしておかなければならなかったので
ある。
のであり、またワイヤは断線、接続部からの脱落等をお
こしやすいものであるために、このＩＣモジュールを、
例えば熱硬化性樹脂中に封入硬化して機械的強度を付与
した上でカード層内に埋設することが行われてきたので
あるが、これは少なくともカード厚よりも薄く構成され
る必要がある。このＩＣモジュールの封入硬化部の厚さ
が、目標値より大きくなってしまったような場合には、
カードに埋設する前にグラインダー等を用いて余剰分を
削除して厚さ調整をしておかなければならなかったので
ある。
【０００４】今日、未硬化樹脂のＩＣモジュールへの供
給方法には、トランスファーモールド法、ポッティング
モールド法、ダム形成ポッティングモールド法等とよば
れているものがある。ここに、これらの未硬化樹脂の該
当部位への供給方法について個々に、説明しておくなら
ば、トランスファーモールド法とは、未硬化の封止樹脂
を転写法により該当部位に与えるものであり、ポッティ
ングモールド法とは、未硬化の封止樹脂をディスペンサ
ーノズルから滴下して該当部位に与えるものであり、ダ
ム形成ポッティングモールド法とは、予めスクリーン印
刷等によりＩＣチップ、接続部を囲んで土手を形成し、
その中に未硬化の封止樹脂をディスペンサーノズルから
滴下するものである。上述のいずれの方法によった場合
でも、ＩＣモジュール封入硬化部の厚さ調整作業は必要
であり、一般的に目標値よりやや厚く施される封止樹脂
はグラインダー等を用いて余剰分を削除して厚さ調整さ
れることとなる。
給方法には、トランスファーモールド法、ポッティング
モールド法、ダム形成ポッティングモールド法等とよば
れているものがある。ここに、これらの未硬化樹脂の該
当部位への供給方法について個々に、説明しておくなら
ば、トランスファーモールド法とは、未硬化の封止樹脂
を転写法により該当部位に与えるものであり、ポッティ
ングモールド法とは、未硬化の封止樹脂をディスペンサ
ーノズルから滴下して該当部位に与えるものであり、ダ
ム形成ポッティングモールド法とは、予めスクリーン印
刷等によりＩＣチップ、接続部を囲んで土手を形成し、
その中に未硬化の封止樹脂をディスペンサーノズルから
滴下するものである。上述のいずれの方法によった場合
でも、ＩＣモジュール封入硬化部の厚さ調整作業は必要
であり、一般的に目標値よりやや厚く施される封止樹脂
はグラインダー等を用いて余剰分を削除して厚さ調整さ
れることとなる。
【０００５】このときに大きな問題となるのが、ポッテ
ィングモールド法等の、希釈した未硬化の封止樹脂を用
いる場合であり、滴下のしやすさ、レベリング性等を考
慮して比較的に粘度の低いものを用いるため、その硬化
後の封止樹脂はどうしても脆弱であり、グラインダー等
を用いて余剰分を削除する際に封止樹脂にひびが入った
り、また破片となって飛散してしまうことさえあるので
ある。
ィングモールド法等の、希釈した未硬化の封止樹脂を用
いる場合であり、滴下のしやすさ、レベリング性等を考
慮して比較的に粘度の低いものを用いるため、その硬化
後の封止樹脂はどうしても脆弱であり、グラインダー等
を用いて余剰分を削除する際に封止樹脂にひびが入った
り、また破片となって飛散してしまうことさえあるので
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の欠点
に鑑みてなされたものでとりわけポッティングモールド
法等の改良（おもに補強）に関するものであり、簡単な
構成でありながら厚さ精度よく、高強度に、そして高速
度に封止できる新規のＩＣカード等用ＩＣモジュールの
封止方法を提供しようとするものであり、厚さ制限のあ
る場合にはその効果を十分に発揮する。
に鑑みてなされたものでとりわけポッティングモールド
法等の改良（おもに補強）に関するものであり、簡単な
構成でありながら厚さ精度よく、高強度に、そして高速
度に封止できる新規のＩＣカード等用ＩＣモジュールの
封止方法を提供しようとするものであり、厚さ制限のあ
る場合にはその効果を十分に発揮する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＩＣチップを中心として接続部全体までを、滴下し
た未硬化の封止樹脂中に封入し、該封止樹脂が未硬化の
うちにその頂部にトッピングフォイルを載置し、その後
必要に応じて高さ調整を行いながら、硬化処理を施すこ
とを特徴とするＩＣカード等用ＩＣモジュールの封止方
法である。
は、ＩＣチップを中心として接続部全体までを、滴下し
た未硬化の封止樹脂中に封入し、該封止樹脂が未硬化の
うちにその頂部にトッピングフォイルを載置し、その後
必要に応じて高さ調整を行いながら、硬化処理を施すこ
とを特徴とするＩＣカード等用ＩＣモジュールの封止方
法である。
【０００８】請求項２に記載の発明は、硬化処理がおも
に露光であり、用いられるトッピングフォイルが該露光
光に対して高い透明性を有する請求項１に記載のＩＣカ
ード等用ＩＣモジュールの封止方法である。
に露光であり、用いられるトッピングフォイルが該露光
光に対して高い透明性を有する請求項１に記載のＩＣカ
ード等用ＩＣモジュールの封止方法である。
【０００９】請求項３に記載の発明は、硬化処理がおも
に加熱である請求項１に記載のＩＣカード等用ＩＣモジ
ュールの封止方法である。
に加熱である請求項１に記載のＩＣカード等用ＩＣモジ
ュールの封止方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施の形態に基
づき詳細に説明する。図１は、本発明のＩＣカード等用
ＩＣモジュールの封止方法を用いて封止したＩＣカード
等用ＩＣモジュールの概略図を示すものである。その
（ａ）は平面図的概略図を、（ｂ）は断面図的概略図を
示す。図１において、１は基板、２は導体パターン、３
はＩＣチップ、４はワイヤ、５は封止樹脂、６はトッピ
ングフォイルである。
づき詳細に説明する。図１は、本発明のＩＣカード等用
ＩＣモジュールの封止方法を用いて封止したＩＣカード
等用ＩＣモジュールの概略図を示すものである。その
（ａ）は平面図的概略図を、（ｂ）は断面図的概略図を
示す。図１において、１は基板、２は導体パターン、３
はＩＣチップ、４はワイヤ、５は封止樹脂、６はトッピ
ングフォイルである。
【００１１】ここに、本発明のＩＣカード等用ＩＣモジ
ュールの封止方法に特長的であるトッピングフォイルに
ついて述べるならば、これはプラスチックフィルムを打
ち抜いて得たディスク状物であり、その直径はＩＣチッ
プを中心として接続部全体までを封入して半球状に盛り
上がる未硬化の封止樹脂のそれよりも少し小さいもので
あることが多い。そして、ここに用いられる封止樹脂が
熱硬化性である場合には、少なくとも耐熱性が高くしか
も熱膨張率の小さなプラスチックフィルムが採用され、
また、ここに用いられる封止樹脂が光硬化性である場合
には、少なくとも露光光に対する光透過度の高いプラス
チックフィルムが採用されなければならない。
ュールの封止方法に特長的であるトッピングフォイルに
ついて述べるならば、これはプラスチックフィルムを打
ち抜いて得たディスク状物であり、その直径はＩＣチッ
プを中心として接続部全体までを封入して半球状に盛り
上がる未硬化の封止樹脂のそれよりも少し小さいもので
あることが多い。そして、ここに用いられる封止樹脂が
熱硬化性である場合には、少なくとも耐熱性が高くしか
も熱膨張率の小さなプラスチックフィルムが採用され、
また、ここに用いられる封止樹脂が光硬化性である場合
には、少なくとも露光光に対する光透過度の高いプラス
チックフィルムが採用されなければならない。
【００１２】そして、ＩＣチップを中心として接続部全
体までを封入して半球状に盛り上がる未硬化の封止樹脂
上に載置されたトッピングフォイルは、この表面を中心
から遠のいたり、近づいたりしながら浮動し結局は、そ
この中心位置に収束し、基板に対して平行して落ちつく
こととなるのである。
体までを封入して半球状に盛り上がる未硬化の封止樹脂
上に載置されたトッピングフォイルは、この表面を中心
から遠のいたり、近づいたりしながら浮動し結局は、そ
この中心位置に収束し、基板に対して平行して落ちつく
こととなるのである。
【００１３】本発明のＩＣカード等用ＩＣモジュールの
封止方法では、ＩＣモジュール封止硬化部の厚さは室温
等雰囲気条件のほか、用いられる未硬化封止樹脂の示す
粘度、表面張力、基板・トッピングフォイル表面に対す
る濡れ性等により大きく左右されるのであり、目標とす
る厚さ、および強度を達成するために用いるトッピング
フォイルの材質、直径等は厚さを測定しながら実験的に
決定されるところも多いのである。加工条件が同一なら
ば、ＩＣモジュール封止硬化部の厚さは滴下（本発明に
言う滴下とはある一定量の、ノズル先端からの滴の落下
のほか、ノズル先端を対象部位に極めて近づけて注出し
てノズル先端に接するか、内に含めて盛り上がりを形成
するような場合も含めるものとする）された未硬化の封
止樹脂の平面直径とトッピングフォイルの直径によると
ころが大きい。いいかえるならば、トッピングフォイル
の直径を変えることにより、ＩＣモジュール封止硬化部
の厚さも簡単に変えることができるのである。
封止方法では、ＩＣモジュール封止硬化部の厚さは室温
等雰囲気条件のほか、用いられる未硬化封止樹脂の示す
粘度、表面張力、基板・トッピングフォイル表面に対す
る濡れ性等により大きく左右されるのであり、目標とす
る厚さ、および強度を達成するために用いるトッピング
フォイルの材質、直径等は厚さを測定しながら実験的に
決定されるところも多いのである。加工条件が同一なら
ば、ＩＣモジュール封止硬化部の厚さは滴下（本発明に
言う滴下とはある一定量の、ノズル先端からの滴の落下
のほか、ノズル先端を対象部位に極めて近づけて注出し
てノズル先端に接するか、内に含めて盛り上がりを形成
するような場合も含めるものとする）された未硬化の封
止樹脂の平面直径とトッピングフォイルの直径によると
ころが大きい。いいかえるならば、トッピングフォイル
の直径を変えることにより、ＩＣモジュール封止硬化部
の厚さも簡単に変えることができるのである。
【００１４】
【実施例】本発明のＩＣカード等用ＩＣモジュールの封
止方法を具体的な実施例をあげて詳細に説明する。
止方法を具体的な実施例をあげて詳細に説明する。
【００１５】＜実施例１＞ＴＡＢ基板上に形成されたＩ
Ｃカード等用ＩＣモジュールに対し、未硬化の封止樹脂
をある一定量滴下したところ、ＩＣチップを中心として
接続部全体までを封入した平面平均直径８．５ｍｍで中
央のもりあがった略半球状体を得た。ここに直径６．５
ｍｍのトッピングフォイルを載置したところほぼ目標厚
さとなったので続けて硬化処理を行い、本発明のＩＣカ
ード等用ＩＣモジュール得た。ＩＣモジュール封入硬化
部の厚さ、強度とも目標値の範囲内であり、グラインダ
ーによる厚さ調整は一切必要としなかった。ＴＡＢ基板
を用いた本実施例の場合、主な工程部分は、次の（１）
〜（６）で構成された。 （１）ＴＡＢ基板の供給部 一定方向に必要な量だけ、例えば所定位置にＩＣモジュ
ールを形成したガラスエポキシ基板を送り出す部分。駆
動部有り。 （２）封止樹脂供給部 予め用意した描画プログラムのもとに、基板上のＩＣモ
ジュール部に封止樹脂を一定量滴下する部分であり、４
軸制御のロボットを用いて振動のないところで静かに行
った。 （３）トッピングフォイル供給部 本実施例ではエポキシ、またはポリイミド樹脂フィルム
をパンチツールで打ち抜いたもを用い、これらを封止樹
脂が未硬化のうちに、振動のないところで静かに、その
頂部に載置した。また、ここでは必要に応じて載置した
トッピングフォイルまでの高さを測定し、針状体で押圧
等して微調整し、次の乾燥ゾーンに受け渡しする部分で
ある。 （４）乾燥ゾーン ＴＡＢ基板上の、トッピングフォイルを載置してある未
硬化の封止樹脂部を、振動のないところで静かに、熱も
しくは光で均一に硬化させる連続走行インラインの乾燥
ゾーンである。 （５）高さ検査部 非接触型高さセンサー等で、全数の厚さを検査し、良
品、不良品を管理する部分。ここで不良品を検知した場
合には（２）の樹脂供給部にフィードバックして封止樹
脂の粘度調整、ノズルチェック等を行うこととなる。 （６）ＴＡＢ基板の回収部 一定方向に必要な量だけ、例えば封止済みのＩＣモジュ
ールを有するガラスエポキシ基板を巻き取り回収する部
分。駆動部有り。
Ｃカード等用ＩＣモジュールに対し、未硬化の封止樹脂
をある一定量滴下したところ、ＩＣチップを中心として
接続部全体までを封入した平面平均直径８．５ｍｍで中
央のもりあがった略半球状体を得た。ここに直径６．５
ｍｍのトッピングフォイルを載置したところほぼ目標厚
さとなったので続けて硬化処理を行い、本発明のＩＣカ
ード等用ＩＣモジュール得た。ＩＣモジュール封入硬化
部の厚さ、強度とも目標値の範囲内であり、グラインダ
ーによる厚さ調整は一切必要としなかった。ＴＡＢ基板
を用いた本実施例の場合、主な工程部分は、次の（１）
〜（６）で構成された。 （１）ＴＡＢ基板の供給部 一定方向に必要な量だけ、例えば所定位置にＩＣモジュ
ールを形成したガラスエポキシ基板を送り出す部分。駆
動部有り。 （２）封止樹脂供給部 予め用意した描画プログラムのもとに、基板上のＩＣモ
ジュール部に封止樹脂を一定量滴下する部分であり、４
軸制御のロボットを用いて振動のないところで静かに行
った。 （３）トッピングフォイル供給部 本実施例ではエポキシ、またはポリイミド樹脂フィルム
をパンチツールで打ち抜いたもを用い、これらを封止樹
脂が未硬化のうちに、振動のないところで静かに、その
頂部に載置した。また、ここでは必要に応じて載置した
トッピングフォイルまでの高さを測定し、針状体で押圧
等して微調整し、次の乾燥ゾーンに受け渡しする部分で
ある。 （４）乾燥ゾーン ＴＡＢ基板上の、トッピングフォイルを載置してある未
硬化の封止樹脂部を、振動のないところで静かに、熱も
しくは光で均一に硬化させる連続走行インラインの乾燥
ゾーンである。 （５）高さ検査部 非接触型高さセンサー等で、全数の厚さを検査し、良
品、不良品を管理する部分。ここで不良品を検知した場
合には（２）の樹脂供給部にフィードバックして封止樹
脂の粘度調整、ノズルチェック等を行うこととなる。 （６）ＴＡＢ基板の回収部 一定方向に必要な量だけ、例えば封止済みのＩＣモジュ
ールを有するガラスエポキシ基板を巻き取り回収する部
分。駆動部有り。
【００１６】
【発明の効果】本発明のＩＣカード等用ＩＣモジュール
の封止方法を用いれば、トッピングフォイルを、基板上
にある一定量滴下された半球状の未硬化封止樹脂上に載
置するだけで簡単に目標とする厚さ、および強度を達成
することができるのであり、グラインダーによる削除工
程すなわち厚さ調整作業を必要としないため工程の簡略
化ともなるのである。また、ここではトッピングフォイ
ルが極めて強力な補強材の役割をして耐衝撃性等向上さ
せるほか、高い表面平滑度を得ることができるのであ
り、厚さ制限のある場合には十分にその効果を発揮す
る。そして、本発明のＩＣカード等用ＩＣモジュールの
封止方法によれば、トッピングフォイルの直径を変える
ことにより、ＩＣモジュール封止硬化部の厚さも簡単に
変えることができるのである。
の封止方法を用いれば、トッピングフォイルを、基板上
にある一定量滴下された半球状の未硬化封止樹脂上に載
置するだけで簡単に目標とする厚さ、および強度を達成
することができるのであり、グラインダーによる削除工
程すなわち厚さ調整作業を必要としないため工程の簡略
化ともなるのである。また、ここではトッピングフォイ
ルが極めて強力な補強材の役割をして耐衝撃性等向上さ
せるほか、高い表面平滑度を得ることができるのであ
り、厚さ制限のある場合には十分にその効果を発揮す
る。そして、本発明のＩＣカード等用ＩＣモジュールの
封止方法によれば、トッピングフォイルの直径を変える
ことにより、ＩＣモジュール封止硬化部の厚さも簡単に
変えることができるのである。
【図１】本発明のＩＣカード等用ＩＣモジュールの封止
方法を用いて封止したＩＣカード等用ＩＣモジュールの
断面図的な概略図である。その（ａ）は平面図的概略図
を、（ｂ）は断面図的概略図を示す。
方法を用いて封止したＩＣカード等用ＩＣモジュールの
断面図的な概略図である。その（ａ）は平面図的概略図
を、（ｂ）は断面図的概略図を示す。
１…基板 ２…導体パターン ３…ＩＣチップ ４…ワイヤ ５…封止樹脂 ６…トッピングフォイル
Claims (3)
- 【請求項１】ＩＣチップを中心として接続部全体まで
を、滴下した未硬化の封止樹脂中に封入し、該封止樹脂
が未硬化のうちにその頂部にトッピングフォイルを載置
し、その後必要に応じて高さ調整を行いながら、硬化処
理を施すことを特徴とするＩＣカード等用ＩＣモジュー
ルの封止方法。 - 【請求項２】硬化処理がおもに露光であり、用いられる
トッピングフォイルが該露光光に対して高い透明性を有
する請求項１に記載のＩＣカード等用ＩＣモジュールの
封止方法。 - 【請求項３】硬化処理がおもに加熱である請求項１に記
載のＩＣカード等用ＩＣモジュールの封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039392A JPH11238744A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Ｉｃカード等用ｉｃモジュールの封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039392A JPH11238744A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Ｉｃカード等用ｉｃモジュールの封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238744A true JPH11238744A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12551738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039392A Pending JPH11238744A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Ｉｃカード等用ｉｃモジュールの封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238744A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110711A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部の形成方法 |
| JP2002110713A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
| US7135782B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
| JP2009193226A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Osaka Sealing Printing Co Ltd | Ｉｃチップ付きシート、ｉｃチップ付きラベル、ｉｃチップ付きシートの製造方法及びｉｃチップ付きラベルの製造方法 |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10039392A patent/JPH11238744A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110711A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部の形成方法 |
| JP2002110713A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
| JP4547079B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2010-09-22 | トッパン・フォームズ株式会社 | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
| US7135782B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
| JP2009193226A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Osaka Sealing Printing Co Ltd | Ｉｃチップ付きシート、ｉｃチップ付きラベル、ｉｃチップ付きシートの製造方法及びｉｃチップ付きラベルの製造方法 |
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