JPH0483870A - スパッターターゲットとバッキングプレート接合構造及びその接合方法 - Google Patents
スパッターターゲットとバッキングプレート接合構造及びその接合方法Info
- Publication number
- JPH0483870A JPH0483870A JP19946890A JP19946890A JPH0483870A JP H0483870 A JPH0483870 A JP H0483870A JP 19946890 A JP19946890 A JP 19946890A JP 19946890 A JP19946890 A JP 19946890A JP H0483870 A JPH0483870 A JP H0483870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing plate
- sputter target
- target
- bonding
- carbon particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title abstract 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、スパッターターゲットと銅あるいは銅合金か
らなるバッキングプレート接合構造及びその接合方法に
関するものである。
らなるバッキングプレート接合構造及びその接合方法に
関するものである。
［従来の技術］
光学薄膜や高温超電導薄膜の製造において、イオンビー
ムスパッター、マグネトロンスパッター、ＲＦスパッタ
ーが利用されている。このスパッター装置において、ス
パッターターゲットは通常板状あるいは円板状に形成さ
れ、冷却機構を有する銅あるいは銅合金からなるバッキ
ングプレートとにロー付けにより接合されている。スパ
ッターターゲットにバッキングプレートを設ける理由は
、グロー放電中に生じたイオンがスパッターターゲット
に衝突することによるスパッターターゲットの温度上昇
を防止するための冷却と、スパッターターゲットが必要
以上に帯電しないため放電させることである。
ムスパッター、マグネトロンスパッター、ＲＦスパッタ
ーが利用されている。このスパッター装置において、ス
パッターターゲットは通常板状あるいは円板状に形成さ
れ、冷却機構を有する銅あるいは銅合金からなるバッキ
ングプレートとにロー付けにより接合されている。スパ
ッターターゲットにバッキングプレートを設ける理由は
、グロー放電中に生じたイオンがスパッターターゲット
に衝突することによるスパッターターゲットの温度上昇
を防止するための冷却と、スパッターターゲットが必要
以上に帯電しないため放電させることである。
［発明が解決しようとする課題］
従来スパッターターゲットとバッキングプレートとのロ
ー付は接合においては次のような問題があった。スパッ
ターターゲットの冷却および放電効率を上げるためには
バッキングプレートとの熱伝導性および電導性を良好に
することが必要である。スパッターターゲットがロー付
けし難い材質、たとえばＢｉ３ Ｆｅｓ ０１２ 、８
ｉ２ＹＦｅｓ ０１２ 、 Ｂｉ３．１Ｆｅｓ Ｏ＋ｚ
＊ Ｙ２ｓ ＣｅｏｙＦｅｓ Ｏ＋ｘ ＋Ｙ ３ Ｆ
ｅｓ ０１２ 、 Ｙ Ｂａ２ Ｃｕ３０ ｙ等酸化物
系材質は特にロー材との濡れ性が悪く、スパッター処理
中にスパッターターゲットがバッキングプレートから剥
離したり、良好な冷却効果を得られないばかりか、基板
上に落下してしまうこともあった。それに対して特開昭
５４−８８８８５．特開昭５６−３３４２６．特開昭６
１−１６９１６６号公報においてロー付は接合性の向上
を目的とし、スパッターターゲットの接合面にＸｉ、
Ｃｕ等のメタライズ層を形成し、バッキングプレートと
ロー付けすることが提案されている。しかしながらスパ
ッターターゲットとバッキングプレートとのロー付けに
あっては、ロー材を介しロー材の融点まで加熱して接合
し冷却する作業であるため、それぞれの材質の熱膨脹係
数の相違、高融点による加熱、冷却時の反りや変形が生
ずる欠点がでる。
ー付は接合においては次のような問題があった。スパッ
ターターゲットの冷却および放電効率を上げるためには
バッキングプレートとの熱伝導性および電導性を良好に
することが必要である。スパッターターゲットがロー付
けし難い材質、たとえばＢｉ３ Ｆｅｓ ０１２ 、８
ｉ２ＹＦｅｓ ０１２ 、 Ｂｉ３．１Ｆｅｓ Ｏ＋ｚ
＊ Ｙ２ｓ ＣｅｏｙＦｅｓ Ｏ＋ｘ ＋Ｙ ３ Ｆ
ｅｓ ０１２ 、 Ｙ Ｂａ２ Ｃｕ３０ ｙ等酸化物
系材質は特にロー材との濡れ性が悪く、スパッター処理
中にスパッターターゲットがバッキングプレートから剥
離したり、良好な冷却効果を得られないばかりか、基板
上に落下してしまうこともあった。それに対して特開昭
５４−８８８８５．特開昭５６−３３４２６．特開昭６
１−１６９１６６号公報においてロー付は接合性の向上
を目的とし、スパッターターゲットの接合面にＸｉ、
Ｃｕ等のメタライズ層を形成し、バッキングプレートと
ロー付けすることが提案されている。しかしながらスパ
ッターターゲットとバッキングプレートとのロー付けに
あっては、ロー材を介しロー材の融点まで加熱して接合
し冷却する作業であるため、それぞれの材質の熱膨脹係
数の相違、高融点による加熱、冷却時の反りや変形が生
ずる欠点がでる。
従来これを防止するためにＩｎ系のような低融点のロー
材を使用し加熱温度を極力低い状態で、スパッターター
ゲットやバッキングプレートの反りあるいは残留応力の
発生を防止する手段をとってきた。しかしこのような低
融点材でもスパッターターゲットとの濡れ性の関係でス
パッタリング処理中にスパッターターゲットがバッキン
グプレートからの剥離が発生する。そのためスパッター
ターゲットとバッキングプレート間において濡れ性の良
い緩衝層を形成することや、接合面に溝を形成して反り
を防止する手段が講じられていた。しかしながら緩衝層
の形成により熱伝導性を低下させたり、溝入れ時に変形
が発生する場合もあった。
材を使用し加熱温度を極力低い状態で、スパッターター
ゲットやバッキングプレートの反りあるいは残留応力の
発生を防止する手段をとってきた。しかしこのような低
融点材でもスパッターターゲットとの濡れ性の関係でス
パッタリング処理中にスパッターターゲットがバッキン
グプレートからの剥離が発生する。そのためスパッター
ターゲットとバッキングプレート間において濡れ性の良
い緩衝層を形成することや、接合面に溝を形成して反り
を防止する手段が講じられていた。しかしながら緩衝層
の形成により熱伝導性を低下させたり、溝入れ時に変形
が発生する場合もあった。
［課題を解決するための手段］
本発明は、第１図に示すようにスパッターターゲット１
とバッキングプレート２のそれぞれの接合において、ス
パッターターゲット接合面にロー材４が侵入できるよう
な微小孔３を多数形成しておき、バッキングプレートと
ロー付けすることを特徴としたスパッターターゲットと
バッキングプレート接合構造であり、微小孔３の形状は
ロー材４が侵入固着したときに接合強度が上がるように
球状あるいは逆クサビ状に形成する。その形成方法とし
てスパッターターゲット成形時にその接合面にカーボン
粒子を埋込み、前記スパッターターゲットを酸素雰囲気
中において焼結することにより、カーボン粒子を除去し
微小孔３を多数形成するものである。
とバッキングプレート２のそれぞれの接合において、ス
パッターターゲット接合面にロー材４が侵入できるよう
な微小孔３を多数形成しておき、バッキングプレートと
ロー付けすることを特徴としたスパッターターゲットと
バッキングプレート接合構造であり、微小孔３の形状は
ロー材４が侵入固着したときに接合強度が上がるように
球状あるいは逆クサビ状に形成する。その形成方法とし
てスパッターターゲット成形時にその接合面にカーボン
粒子を埋込み、前記スパッターターゲットを酸素雰囲気
中において焼結することにより、カーボン粒子を除去し
微小孔３を多数形成するものである。
［実施例１］
Ｂｉ、０３とＦｅ２ｕ３粉をＢｉ３ Ｆｅｓ Ｏ＋ｚ組
成となるように秤量混合した。次にホットプレス用下パ
ンチ上に直径２網のカーボン粒子を１００個置き、その
上に原料粉を加え、温度７３０℃、圧力２．５１でホッ
トプレスして成形体を得、次に酸素雰囲気中７５０℃で
焼結することにより、カーボン粒子を除去し接合用微小
孔を多数形成した肉厚７＃、直径１００ｍの光学素子用
スパッターターゲットを得た。バッキングプレートとし
て肉厚５＃ｌ、直径１２０摩の無酸素銅を使用し、両者
をＩｎロー材により １５５℃で加熱、冷却し接合した
。
成となるように秤量混合した。次にホットプレス用下パ
ンチ上に直径２網のカーボン粒子を１００個置き、その
上に原料粉を加え、温度７３０℃、圧力２．５１でホッ
トプレスして成形体を得、次に酸素雰囲気中７５０℃で
焼結することにより、カーボン粒子を除去し接合用微小
孔を多数形成した肉厚７＃、直径１００ｍの光学素子用
スパッターターゲットを得た。バッキングプレートとし
て肉厚５＃ｌ、直径１２０摩の無酸素銅を使用し、両者
をＩｎロー材により １５５℃で加熱、冷却し接合した
。
［実施例２］
高温超電導Ｙ Ｂａ２Ｃｕ３Ｑ ｙ組成材を実施例１と
同様にして温度７００℃、圧力２．５ｔでホットプレス
して成形体を得、次に酸素雰囲気中９５０℃で焼結する
ことによりカーボン粒子を除去し接合用微小孔を形成し
たスパンターターゲットを得、これをバッキングプレー
トとＩｎロー材により １５５℃で加熱、冷却し接合し
た。
同様にして温度７００℃、圧力２．５ｔでホットプレス
して成形体を得、次に酸素雰囲気中９５０℃で焼結する
ことによりカーボン粒子を除去し接合用微小孔を形成し
たスパンターターゲットを得、これをバッキングプレー
トとＩｎロー材により １５５℃で加熱、冷却し接合し
た。
［実施例３］
Ｂ１２ＹＦｅｓ Ｏ＋２組成材を実施例１と同様にして
温度７００℃、圧力２．５℃でホットプレスして成形体
を得、次に酸素雰囲気中７８０℃で焼結することにより
カーボン粒子を除去し接合用微小孔を形成した光学素子
用スパッターターゲットを得、これをバッキングプレー
トとＩｎロー材により １５５℃で加熱、冷却し接合し
た。
温度７００℃、圧力２．５℃でホットプレスして成形体
を得、次に酸素雰囲気中７８０℃で焼結することにより
カーボン粒子を除去し接合用微小孔を形成した光学素子
用スパッターターゲットを得、これをバッキングプレー
トとＩｎロー材により １５５℃で加熱、冷却し接合し
た。
［発明の効果］
本発明により、スパッターターゲットがスパッタリング
中にバッキングプレートから剥がれ落ちることを防止で
き、安定したスパッターターゲットとバッキングプレー
トとの接合体を供給できるようになった。
中にバッキングプレートから剥がれ落ちることを防止で
き、安定したスパッターターゲットとバッキングプレー
トとの接合体を供給できるようになった。
第１図は本発明のスパッターターゲットとバッキングプ
レートとの接合面における断面図。 １、スパッターターゲット ２：バッキングプレート ３；接合用微小孔 ４：ロー材 特許出願人 並木精密宝石株式会社
レートとの接合面における断面図。 １、スパッターターゲット ２：バッキングプレート ３；接合用微小孔 ４：ロー材 特許出願人 並木精密宝石株式会社
Claims (3)
- （１）スパッターターゲットとバッキングプレートのそ
れぞれの接合において、スパッターターゲット接合面に
微小孔を多数形成しておき、バッキングプレートとロー
付けすることを特徴としたスパッターターゲットとバッ
キングプレート接合構造。 - （２）微小孔形状が球状あるいは逆クサビ状である請求
項（１）記載のスパッターターゲットとバッキングプレ
ート接合構造。 - （３）スパッターターゲットとバッキングプレートのそ
れぞれの接合において、スパッターターゲット成形時に
その接合面にカーボン粒子を埋込み、前記スパッタータ
ーゲットを酸素雰囲気中または空気中において焼結する
ことにより、カーボン粒子を除去し微小孔を多数形成す
ることを特徴としたスパッターターゲットとバッキング
プレート接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19946890A JPH0483870A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | スパッターターゲットとバッキングプレート接合構造及びその接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19946890A JPH0483870A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | スパッターターゲットとバッキングプレート接合構造及びその接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483870A true JPH0483870A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16408307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19946890A Pending JPH0483870A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | スパッターターゲットとバッキングプレート接合構造及びその接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0483870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129941A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Applied Science Corp. | Solder bonding method for sputtering target |
| CN107552907A (zh) * | 2017-10-09 | 2018-01-09 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种绿色高效的靶材与背板钎焊装置及方法 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP19946890A patent/JPH0483870A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129941A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Applied Science Corp. | Solder bonding method for sputtering target |
| CN107552907A (zh) * | 2017-10-09 | 2018-01-09 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种绿色高效的靶材与背板钎焊装置及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080077094A (ko) | 알루미늄-탄화규소질 복합체 및 그것을 사용한 방열 부품 | |
| KR20090004864A (ko) | 알루미늄-탄화규소질 복합체 및 그것을 사용한 방열 부품 | |
| KR20050044685A (ko) | 정전 척 모듈 및 냉각 시스템 | |
| US20100012488A1 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| CN109930148B (zh) | 基于低压冷喷涂增材制造技术制备铜水套的方法及粉末 | |
| JP2001026863A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2019515852A (ja) | 銅−セラミックス複合材料 | |
| JP4864593B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法 | |
| JPS63166774A (ja) | 銅板とアルミナ基板との接合体の製造方法 | |
| JPH0483870A (ja) | スパッターターゲットとバッキングプレート接合構造及びその接合方法 | |
| JPS63143258A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JP2020012194A (ja) | 金属−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
| JP2003027227A (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JPH1067586A (ja) | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 | |
| WO2001069674A1 (fr) | Substrat de semi-conducteur a base d'aluminium-carbure de silicium et procede de fabrication | |
| JPH0243362A (ja) | スパッターターゲットとバッキングプレートの接合体 | |
| JPH0459075B2 (ja) | ||
| JPS5944956B2 (ja) | 低温接着法 | |
| JP2745145B2 (ja) | スパッタ用ターゲットの接合方法 | |
| JPH0218480Y2 (ja) | ||
| JPH0446513B2 (ja) | ||
| JPH0454633B2 (ja) | ||
| JPH0234912B2 (ja) | Seramitsukusutokinzokutaitonosetsugohoho | |
| JP6273734B2 (ja) | 平板形スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| JP2012172177A (ja) | アルミニウム合金−セラミックス複合体、この複合体の製造方法、及びこの複合体からなる応力緩衝材 |