JPH0218480Y2 - - Google Patents
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- JPH0218480Y2 JPH0218480Y2 JP1984086744U JP8674484U JPH0218480Y2 JP H0218480 Y2 JPH0218480 Y2 JP H0218480Y2 JP 1984086744 U JP1984086744 U JP 1984086744U JP 8674484 U JP8674484 U JP 8674484U JP H0218480 Y2 JPH0218480 Y2 JP H0218480Y2
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- Japan
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- firing
- ceramic
- firing jig
- jig
- fired
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Landscapes
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
（考案の技術分野）
本考案はセラミツクの焼成に好適する焼成用治
具に関する。 （考案の技術的背景とその問題点） アルミナ等のセラミツクスから成る部品は例え
ば粉体あるいは泥漿状のものを成形プレス等の手
段にて所望の形に成形し、これを焼成して製品を
得る。焼成工程は所定の雰囲気通常は水素雰囲気
中で1000〜1600℃程度の高温で行なわれる。 従来、このようなセラミツク部品を焼成する
際、板状の焼成用治具の上に未焼成のセラミツク
部品を所定の数だけ載せて焼成を行なつている。
このような治具としては、特に焼成温度、例えば
1000〜1600℃程度の高温に耐えられることが要求
される。その為例えばムライト等のセラミツク焼
成板が多く使用されている。 しかしながらセラミツクス部品の焼成の際のい
ま一つの問題点については有効な手段がなかつ
た。 すなわち焼成工程途中で焼成するセラミツク部
品と焼成用治具とがその接触個所で接合して焼成
完了後取りはずせなくなつてしまうのである。こ
の現象を防止する為に、セラミツク部品と焼成用
治具との間にアルミナ等のセラミツク粉末を介在
させて焼成することも試みられているが未だ満足
すべき結果は得られていない。 （考案の目的） 本考案に係る焼成用治具は、特にこのような接
合現象が極めて少ないことを特徴とする。更に付
随的効果として本考案焼成用治具を使用すること
により極めて良質なセラミツク焼成部品が得られ
る。 （考案の概要） 本考案に係る焼成用治具は、MoまたはＷのい
ずれかでなり表面がホーニング加工で20μ（JIS−
B0601−1970で規定する中心線平均アラサ）以上
に粗面化されてなることを特徴とする。 なお、表面アラサは20μ（日本工業規格JIS−
B0601−1970）以上とすると効果が顕著であり、
これは表面アラサが10μ以上であるとセラミツク
焼成部品と焼成用治具との接触状態が大変好まし
くなるためと考えられる。 （考案の実施例） 以下詳細に説明する。 まず、本考案焼成用治具を用いて蛍光表示管に
用いられるセラミツク基板を焼成した例を示す。 厚さ約0.3mmのMo板の表面をホーニング加工に
粗面化し、その表面アラサを10μ〜30μ（中心線平
均アラサ）とした。これを焼成用治具としてセラ
ミツク基板を慣用の焼成条件で焼成した。焼成は
セラミツク基板と焼成用治具を積層して行なう。
この際の状態を第１図に示す。第１図において１
はセラミツク基板、２は焼成用治具、３は炉床で
ある。第２図に、セラミツク基板と焼成用治具と
の接触部分を拡大して示す。セラミツク基板と焼
成用治具との焼成後の接合状態を比較の為の参考
例と共に第１表に示す。
具に関する。 （考案の技術的背景とその問題点） アルミナ等のセラミツクスから成る部品は例え
ば粉体あるいは泥漿状のものを成形プレス等の手
段にて所望の形に成形し、これを焼成して製品を
得る。焼成工程は所定の雰囲気通常は水素雰囲気
中で1000〜1600℃程度の高温で行なわれる。 従来、このようなセラミツク部品を焼成する
際、板状の焼成用治具の上に未焼成のセラミツク
部品を所定の数だけ載せて焼成を行なつている。
このような治具としては、特に焼成温度、例えば
1000〜1600℃程度の高温に耐えられることが要求
される。その為例えばムライト等のセラミツク焼
成板が多く使用されている。 しかしながらセラミツクス部品の焼成の際のい
ま一つの問題点については有効な手段がなかつ
た。 すなわち焼成工程途中で焼成するセラミツク部
品と焼成用治具とがその接触個所で接合して焼成
完了後取りはずせなくなつてしまうのである。こ
の現象を防止する為に、セラミツク部品と焼成用
治具との間にアルミナ等のセラミツク粉末を介在
させて焼成することも試みられているが未だ満足
すべき結果は得られていない。 （考案の目的） 本考案に係る焼成用治具は、特にこのような接
合現象が極めて少ないことを特徴とする。更に付
随的効果として本考案焼成用治具を使用すること
により極めて良質なセラミツク焼成部品が得られ
る。 （考案の概要） 本考案に係る焼成用治具は、MoまたはＷのい
ずれかでなり表面がホーニング加工で20μ（JIS−
B0601−1970で規定する中心線平均アラサ）以上
に粗面化されてなることを特徴とする。 なお、表面アラサは20μ（日本工業規格JIS−
B0601−1970）以上とすると効果が顕著であり、
これは表面アラサが10μ以上であるとセラミツク
焼成部品と焼成用治具との接触状態が大変好まし
くなるためと考えられる。 （考案の実施例） 以下詳細に説明する。 まず、本考案焼成用治具を用いて蛍光表示管に
用いられるセラミツク基板を焼成した例を示す。 厚さ約0.3mmのMo板の表面をホーニング加工に
粗面化し、その表面アラサを10μ〜30μ（中心線平
均アラサ）とした。これを焼成用治具としてセラ
ミツク基板を慣用の焼成条件で焼成した。焼成は
セラミツク基板と焼成用治具を積層して行なう。
この際の状態を第１図に示す。第１図において１
はセラミツク基板、２は焼成用治具、３は炉床で
ある。第２図に、セラミツク基板と焼成用治具と
の接触部分を拡大して示す。セラミツク基板と焼
成用治具との焼成後の接合状態を比較の為の参考
例と共に第１表に示す。
【表】
第１表から明らかなようにMo，Ｗのような高
融点金属からなる焼成用治具であつてその表面を
ホーニング加工で粗面化したものはほとんどセラ
ミツク基板と接合していない。また使用後の変形
もほとんどなく従来のムライト等のセラミツクス
製の焼成用治具と何ら変わりなく使用出来る。更
に注目すべきことは本考案焼成用治具を用いた場
合、セラミツク基板の焼結具合は極めて好ましい
ものであつた。この理由は定かではないが表面ア
ラサが大きくかつホーニング加工により均一に粗
面化されている為、焼成用治具とセラミツク基板
との接触面に空間が形成され、炉内の雰囲気との
接触が好ましい状態になつたものと思われる。 又、セラミツク部品はブラウン管、マグネトロ
ンのような電子部品に組み込む場合金属と接合す
る必要がある。この場合は接合部に接合ペースト
（例えばMoとMnの泥漿状のもの）を塗布し、こ
れをセラミツク部品の焼成と同時に焼きつけ、更
にNiメツキ等を施こすのである。本考案焼成用
治具は、このような場合にも極めて効果的であ
る。すなわち例えば円筒状の端面に接合ペースト
を塗布する場合はこの端面が焼成用治具（敷板）
に接するようにして焼成するのが通例である。こ
の際従来は焼成用治具と接合ペーストが接合し、
焼成後取り外す際接合ペーストがはがれる現象が
多かつた。本考案焼成用治具によればこのような
現象は極めて少なくなつた。 さてこのような表面アラサを有する焼成用治具
を得るには、考案者等の実験によれば例えばGC
＃14の砥粒を使用して液体ホーニングを行なうこ
とにより所望の表面を有する焼成用治具が得られ
た。 （考案の効果） 以上述べたように本考案に係るセラミツク焼成
用治具によれば、焼成するセラミツク部品との接
合が極めて少なく能率よくセラミツク部品の焼成
が出来る。またその焼成状態も好ましいものであ
り、実用上極めて効果のあるものである。
融点金属からなる焼成用治具であつてその表面を
ホーニング加工で粗面化したものはほとんどセラ
ミツク基板と接合していない。また使用後の変形
もほとんどなく従来のムライト等のセラミツクス
製の焼成用治具と何ら変わりなく使用出来る。更
に注目すべきことは本考案焼成用治具を用いた場
合、セラミツク基板の焼結具合は極めて好ましい
ものであつた。この理由は定かではないが表面ア
ラサが大きくかつホーニング加工により均一に粗
面化されている為、焼成用治具とセラミツク基板
との接触面に空間が形成され、炉内の雰囲気との
接触が好ましい状態になつたものと思われる。 又、セラミツク部品はブラウン管、マグネトロ
ンのような電子部品に組み込む場合金属と接合す
る必要がある。この場合は接合部に接合ペースト
（例えばMoとMnの泥漿状のもの）を塗布し、こ
れをセラミツク部品の焼成と同時に焼きつけ、更
にNiメツキ等を施こすのである。本考案焼成用
治具は、このような場合にも極めて効果的であ
る。すなわち例えば円筒状の端面に接合ペースト
を塗布する場合はこの端面が焼成用治具（敷板）
に接するようにして焼成するのが通例である。こ
の際従来は焼成用治具と接合ペーストが接合し、
焼成後取り外す際接合ペーストがはがれる現象が
多かつた。本考案焼成用治具によればこのような
現象は極めて少なくなつた。 さてこのような表面アラサを有する焼成用治具
を得るには、考案者等の実験によれば例えばGC
＃14の砥粒を使用して液体ホーニングを行なうこ
とにより所望の表面を有する焼成用治具が得られ
た。 （考案の効果） 以上述べたように本考案に係るセラミツク焼成
用治具によれば、焼成するセラミツク部品との接
合が極めて少なく能率よくセラミツク部品の焼成
が出来る。またその焼成状態も好ましいものであ
り、実用上極めて効果のあるものである。
第１図は本考案に係るセラミツクス焼成用治具
を用いて焼成する一実施例を示すものであり第２
図はセラミツク基板と焼成用治具との接触部分を
拡大して示すものである。 １……セラミツク基板、２……焼成用治具、３
……炉床。
を用いて焼成する一実施例を示すものであり第２
図はセラミツク基板と焼成用治具との接触部分を
拡大して示すものである。 １……セラミツク基板、２……焼成用治具、３
……炉床。
Claims (1)
- MoまたはＷのいずれかでなり表面がホーニン
グ加工で20μ（JIS−B0601−1970で規定する中心
線平均アラサ）以上に粗面化されて成ることを特
徴とするセラミツク焼成用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8674484U JPS6016998U (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | セラミツク焼成用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8674484U JPS6016998U (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | セラミツク焼成用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016998U JPS6016998U (ja) | 1985-02-05 |
| JPH0218480Y2 true JPH0218480Y2 (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=30216669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8674484U Granted JPS6016998U (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | セラミツク焼成用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016998U (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0429588Y2 (ja) * | 1987-12-16 | 1992-07-17 | ||
| JP2862189B2 (ja) * | 1990-10-30 | 1999-02-24 | 株式会社東芝 | 高温熱処理用治具 |
| JP2002114537A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板熱処理用セッター |
| JP2018148163A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4417658Y1 (ja) * | 1965-02-13 | 1969-07-30 | ||
| JPS50101410A (ja) * | 1974-01-11 | 1975-08-12 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS477435U (ja) * | 1971-02-23 | 1972-09-27 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP8674484U patent/JPS6016998U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4417658Y1 (ja) * | 1965-02-13 | 1969-07-30 | ||
| JPS50101410A (ja) * | 1974-01-11 | 1975-08-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6016998U (ja) | 1985-02-05 |
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