JPH0483790A - ランタンアルミネート単結晶の育成方法 - Google Patents
ランタンアルミネート単結晶の育成方法Info
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- JPH0483790A JPH0483790A JP19551790A JP19551790A JPH0483790A JP H0483790 A JPH0483790 A JP H0483790A JP 19551790 A JP19551790 A JP 19551790A JP 19551790 A JP19551790 A JP 19551790A JP H0483790 A JPH0483790 A JP H0483790A
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- crystal
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- lanthanum aluminate
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
ランタンアルミネー） （ＬａＡ１０３）結晶は高Ｔｃ
超伏本発明は、冷却過程で相転移がおこるランタンアル
ミネートを、双晶を含まない形で採り出す単結晶の育成
方法に関する。
超伏本発明は、冷却過程で相転移がおこるランタンアル
ミネートを、双晶を含まない形で採り出す単結晶の育成
方法に関する。
［従来の技術１
一般に、結晶引き上げ法（例えばチョクラルスキイ法、
ベルヌーイ法）においては、ネッキング工程、肩だし工
程における条件を最適化することにより、品質の高い単
結晶を製造することができる。しかし、ランタンアルミ
ネート結晶のように相転移のある結晶系においては、相
転移により双晶が生成してしまい、高品質な単結晶を得
ることができなかった。
ベルヌーイ法）においては、ネッキング工程、肩だし工
程における条件を最適化することにより、品質の高い単
結晶を製造することができる。しかし、ランタンアルミ
ネート結晶のように相転移のある結晶系においては、相
転移により双晶が生成してしまい、高品質な単結晶を得
ることができなかった。
［発明が解決しようとする課題］
ランタンアルミネートを、酸化ランタン１部、アルミナ
１部からなる融液から単結晶として育成すると、一般に
双晶が入る。この原因は、４３５ Ｃ’成るいは５３０
Ｃ’近傍で相転移があるためである。実際、双晶のあ
る結晶を昇温していくとこの温度域で双晶が消滅、生成
を繰り返し、５３０ Ｃ’以上では双晶は消滅する。ま
た、ランタンアルミネート結晶は、結晶育成後の冷却過
程で相転移が起こる、即ち相転移温度である４３５ Ｃ
’成るいは５３０ Ｃ’あたりで、立方晶から菱面体系
に移ると言われている。
１部からなる融液から単結晶として育成すると、一般に
双晶が入る。この原因は、４３５ Ｃ’成るいは５３０
Ｃ’近傍で相転移があるためである。実際、双晶のあ
る結晶を昇温していくとこの温度域で双晶が消滅、生成
を繰り返し、５３０ Ｃ’以上では双晶は消滅する。ま
た、ランタンアルミネート結晶は、結晶育成後の冷却過
程で相転移が起こる、即ち相転移温度である４３５ Ｃ
’成るいは５３０ Ｃ’あたりで、立方晶から菱面体系
に移ると言われている。
転移度は６′程度で非常に小さいが、この温度域で双晶
が入ることが知られている。
が入ることが知られている。
［課題を解決するだめの手段１
本発明者は、双晶の入らないランタンアルミネート単結
晶の育成方法について鋭意検討した結果、特定の条件で
ネッキング、屑だしをすることにより目的を達成出来る
ことを見出し、本発明に到達した。
晶の育成方法について鋭意検討した結果、特定の条件で
ネッキング、屑だしをすることにより目的を達成出来る
ことを見出し、本発明に到達した。
［課題を解決するだめの手段１
すなわち本発明の要旨はランタンアルミネート単結晶を
引き上げ法、特にチョクラルスキー法で育成する際に、
ネッキング工程において、引き上げる結晶の直径を０．
５ｍｍ以上３ｍｍ以下にすることを特徴とするランタン
アルミネート単結晶の育成方法、およびさらに肩だし工
程において、肩だし角度を３０度以上８０度以下にする
ことを特徴とするランタンアルミネート単結晶の育成方
法に存する。
引き上げ法、特にチョクラルスキー法で育成する際に、
ネッキング工程において、引き上げる結晶の直径を０．
５ｍｍ以上３ｍｍ以下にすることを特徴とするランタン
アルミネート単結晶の育成方法、およびさらに肩だし工
程において、肩だし角度を３０度以上８０度以下にする
ことを特徴とするランタンアルミネート単結晶の育成方
法に存する。
本発明においては、ネッキング工程において、引き上げ
る結晶の直径を０．５ ｍｍ以上３ｍｍ以下にすること
により、種結晶に存在する歪み、転位等の欠陥を取り除
くことができ、均一成長、−点からの結晶成長に近づけ
ることができる。
る結晶の直径を０．５ ｍｍ以上３ｍｍ以下にすること
により、種結晶に存在する歪み、転位等の欠陥を取り除
くことができ、均一成長、−点からの結晶成長に近づけ
ることができる。
また、肩出し工程において肩出し角度を３０度以上８０
度以下、好ましくは６５度以下と、マイルドにする。こ
とにより、新しい歪みを結晶に導入しないという効果が
ある。
度以下、好ましくは６５度以下と、マイルドにする。こ
とにより、新しい歪みを結晶に導入しないという効果が
ある。
［実施例］
以下実施例により、本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を越えない限り実施例に限定されるもの
ではない。
発明はその要旨を越えない限り実施例に限定されるもの
ではない。
実施例
１１１０ＫＨｚの高周波加熱炉内に、直径５０ｍｍ、高
さ５０ｍｍ、厚さ１．５ ｍｍのイリジュウム（Ｉｒ）
製るつぼを設置し、その中に純度９９．９９％の酸化ラ
ンタン５０モル％、酸化アルミ５０モル％の原料を３２
０ｇ入れ、窒素ガス雰囲気中で融解した。融液を融点近
くまで降温し、断面５ Ｘ ５ ｍｍのＬａＡｌＯ３０
種結晶を浸し、２５ｒｐｍで回転させながら、約２ｍｍ
／ｈｒの弓き上げ速度で直径約２ｍｍまでネッキングを
行った後、約６０度の角度で屑出しをした後、結晶径２
５ｍｍで１８０ ｇ結晶育成した。その後、結晶を切り
離し、約２日かけて冷却した。
さ５０ｍｍ、厚さ１．５ ｍｍのイリジュウム（Ｉｒ）
製るつぼを設置し、その中に純度９９．９９％の酸化ラ
ンタン５０モル％、酸化アルミ５０モル％の原料を３２
０ｇ入れ、窒素ガス雰囲気中で融解した。融液を融点近
くまで降温し、断面５ Ｘ ５ ｍｍのＬａＡｌＯ３０
種結晶を浸し、２５ｒｐｍで回転させながら、約２ｍｍ
／ｈｒの弓き上げ速度で直径約２ｍｍまでネッキングを
行った後、約６０度の角度で屑出しをした後、結晶径２
５ｍｍで１８０ ｇ結晶育成した。その後、結晶を切り
離し、約２日かけて冷却した。
育成結晶は、透明で淡褐色をした双晶のほとんどない単
結晶であった。
結晶であった。
比較例１
ネッキングを全く行わなかったこと以外は実施例１と同
じ方法で結晶を育成した。得られた育成結晶は、全面に
双晶を含んでいた。
じ方法で結晶を育成した。得られた育成結晶は、全面に
双晶を含んでいた。
［発明の効果］
本発明によると、ランタンアルミネートのような相転移
のある結晶系でも、双晶を含まない単結晶を容易に作成
できる。その結果、研磨加工後、より平面度の高い面を
得ることができ、より適切な薄膜基板の条件を満たす材
料を準備できるので工業的に有用である。
のある結晶系でも、双晶を含まない単結晶を容易に作成
できる。その結果、研磨加工後、より平面度の高い面を
得ることができ、より適切な薄膜基板の条件を満たす材
料を準備できるので工業的に有用である。
Claims (2)
- （１）ランタンアルミネート単結晶を引き上げ法によっ
て育成する際に、ネッキング工程において、引き上げる
結晶の直径を０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下にすることを特
徴とするランタンアルミネート単結晶の育成方法。 - （２）ネッキング工程後の結晶口径を大きくする肩だし
工程において、肩だし角度を３０度以上８０度以下にす
る特許請求の範囲第１項記載の結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19551790A JPH0483790A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | ランタンアルミネート単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19551790A JPH0483790A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | ランタンアルミネート単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483790A true JPH0483790A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16342403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19551790A Pending JPH0483790A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | ランタンアルミネート単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0483790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007091540A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア単結晶の育成方法 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19551790A patent/JPH0483790A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007091540A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア単結晶の育成方法 |
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