JPH0479315A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置の製造の際、半導体基板上に半導体膜、例え
ば、ポリシリコン膜をＣＶＤ法により形成し、このポリ
シリコン膜にリン等の不純物を添加し、電極、配線とし
て利用することが多い。
ば、ポリシリコン膜をＣＶＤ法により形成し、このポリ
シリコン膜にリン等の不純物を添加し、電極、配線とし
て利用することが多い。
不純物を含んだポリシリコン膜を形成する方法として、
現在、半導体基板上に不純物を含まないシリコン膜を形
成後、このシリコン膜表面に不純物を吸着・拡散させる
工程からなり、必要があればこの工程を繰り返すイン・
シトウニ−ドープド・ポリシリコン堆積法が検討されて
いる。この形成方法を以下説明する。
現在、半導体基板上に不純物を含まないシリコン膜を形
成後、このシリコン膜表面に不純物を吸着・拡散させる
工程からなり、必要があればこの工程を繰り返すイン・
シトウニ−ドープド・ポリシリコン堆積法が検討されて
いる。この形成方法を以下説明する。
減圧ＣＶＤ装置中に半導体基板を配置し、まずＳｉＨ＜
ガスを熱分解し、アンド−ブト・ポリシリコン膜（不純
物を含まないポリシリコン膜）を形成する。次に、連続
して半導体基板を外気にさらすことなく、ｐＨ３ガス等
の不純物ガスを熱分解してアント−ブト・ポリシリコン
膜上に不純物を被覆させる。そして、連続してアンド−
ブト・ポリシリコン膜上にＳｉＨ４ガスを熱分解し、ア
ンド−ブト・ポリシリコン膜を形成させ、アンド−ブト
・ポリシリコン膜の間に、不純物層がはさまった構造を
形成することができる。以上の工程を必要があれば繰り
返し、アニールして配線・電極としてのドープド・ポリ
シリコン膜（不純物を含んだポリシリコン膜）を形成す
る。
ガスを熱分解し、アンド−ブト・ポリシリコン膜（不純
物を含まないポリシリコン膜）を形成する。次に、連続
して半導体基板を外気にさらすことなく、ｐＨ３ガス等
の不純物ガスを熱分解してアント−ブト・ポリシリコン
膜上に不純物を被覆させる。そして、連続してアンド−
ブト・ポリシリコン膜上にＳｉＨ４ガスを熱分解し、ア
ンド−ブト・ポリシリコン膜を形成させ、アンド−ブト
・ポリシリコン膜の間に、不純物層がはさまった構造を
形成することができる。以上の工程を必要があれば繰り
返し、アニールして配線・電極としてのドープド・ポリ
シリコン膜（不純物を含んだポリシリコン膜）を形成す
る。
この製造方法を用いた場合、たとえば添加される不純物
としてＰ等を用い、アンド−ブト・ポリシリコン膜上へ
の不純物被覆工程に引き続いて行われるアンド−ブト・
ポリシリコン膜を形成する工程において、ＳｉＨ，ガス
供給開始より１０分間程度シリコン膜が不純物の被覆し
たシリコン膜上にほとんど形成されないインダクション
タイムが発生するという欠点があった。これは不純物被
覆層（Ｐ層等）中の不純物吸着種（ｐＨ３分子またはＰ
原子等）に対し、ＳｉＨ４分子の吸着確率が小さくなり
、半導体基板表面でのＳｉＨ４分子の解離反応における
中間生成物であるＳｉＨ２分子の発生が抑制されるため
であると考えられている。このようなインダクションタ
イムの存在により、ドープド・ポリシリコン膜の実効的
堆積速度は、工程繰り返し回数の増加に伴い著しく減少
してしまう。
としてＰ等を用い、アンド−ブト・ポリシリコン膜上へ
の不純物被覆工程に引き続いて行われるアンド−ブト・
ポリシリコン膜を形成する工程において、ＳｉＨ，ガス
供給開始より１０分間程度シリコン膜が不純物の被覆し
たシリコン膜上にほとんど形成されないインダクション
タイムが発生するという欠点があった。これは不純物被
覆層（Ｐ層等）中の不純物吸着種（ｐＨ３分子またはＰ
原子等）に対し、ＳｉＨ４分子の吸着確率が小さくなり
、半導体基板表面でのＳｉＨ４分子の解離反応における
中間生成物であるＳｉＨ２分子の発生が抑制されるため
であると考えられている。このようなインダクションタ
イムの存在により、ドープド・ポリシリコン膜の実効的
堆積速度は、工程繰り返し回数の増加に伴い著しく減少
してしまう。
（発明が解決しようとする課題）
従来の製造方法では、不純物を添加していない膜上への
不純物被覆工程に引き続いてその上から不純物を添加し
ていない半導体膜を形成する際、インダクションタイム
が発生することによって実効的堆積速度が著しく減少す
るという問題があった。 本発明は、以上の点に鑑み、
インダクションタイムを短縮させ半導体膜の実効堆積速
度を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
不純物被覆工程に引き続いてその上から不純物を添加し
ていない半導体膜を形成する際、インダクションタイム
が発生することによって実効的堆積速度が著しく減少す
るという問題があった。 本発明は、以上の点に鑑み、
インダクションタイムを短縮させ半導体膜の実効堆積速
度を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上
に不純物を含まない第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜表面に不純物を吸着・拡散させ不純
物層を形成する工程と、シリコンを含むガスを励起状態
にして前記不純物層上に第２の半導体膜を形成する工程
とを備えたことを特徴とする。
に不純物を含まない第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜表面に不純物を吸着・拡散させ不純
物層を形成する工程と、シリコンを含むガスを励起状態
にして前記不純物層上に第２の半導体膜を形成する工程
とを備えたことを特徴とする。
（作 用）
本発明では、不純物を含まない第１の半導体膜を形成し
、前記第１の半導体膜表面に不純物を吸着、拡散させた
後、シリコンを含むガスを励起状態にすることによって
、その上から形成する第２の半導体膜のインダクション
タイムを減少させる。
、前記第１の半導体膜表面に不純物を吸着、拡散させた
後、シリコンを含むガスを励起状態にすることによって
、その上から形成する第２の半導体膜のインダクション
タイムを減少させる。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
減圧ＣＶＤ装置中に半導体基板を配置する。半導体基板
は水平に置かれガス流は下から導入され上から排気され
る。反応温度５８０℃２反応圧力０．５Ｔｏ ｒ ｒ、
Ｓ ｉ Ｈ４ガス２００ＳＣＣｍてＳｉＨ４ガスを熱
分解し、第１のアンド−ブト・ポリシリコン膜を半導体
基板上に形成する。次に、この工程に連続して半導体基
板を外気にさらすことなく、反応温度５８０℃１反応圧
力０．５Ｔｏｒｒ、ｐＨ３ガス流量５９ｓｅｃｍでＰＨ
３ガスを熱分解して、アンド−ブト・ポリシリコン膜上
にＰを被覆させる。引き続き連続して外気にさらすこと
なく、反応温度５８０℃２反応圧力０．５Ｔｏ ｒ ｒ
、 Ｓ ｉＨ４ガス流量２ＱＱｓｅｃｍで、プラズマ
を発生させなからＳｉＨ４ガスを装置内に供給し、Ｐを
被覆した第１のアンド−ブト・ポリシリコン膜上に、第
２のアンド−ブト・ポリシリコン膜を形成する。連続し
てプラズマの発生を停止し、ＳｉＨ４ガスを熱分解し、
アンド−ブト・ポリシリコン膜を形成する。このように
して、アンド−ブト・ポリシリコン膜の間にＰ層が存在
する構造を形成できる。以上の工程を必要があれば繰り
返し、アニールして配線・電極としてのドープド・ポリ
シリコン膜を形成する。
は水平に置かれガス流は下から導入され上から排気され
る。反応温度５８０℃２反応圧力０．５Ｔｏ ｒ ｒ、
Ｓ ｉ Ｈ４ガス２００ＳＣＣｍてＳｉＨ４ガスを熱
分解し、第１のアンド−ブト・ポリシリコン膜を半導体
基板上に形成する。次に、この工程に連続して半導体基
板を外気にさらすことなく、反応温度５８０℃１反応圧
力０．５Ｔｏｒｒ、ｐＨ３ガス流量５９ｓｅｃｍでＰＨ
３ガスを熱分解して、アンド−ブト・ポリシリコン膜上
にＰを被覆させる。引き続き連続して外気にさらすこと
なく、反応温度５８０℃２反応圧力０．５Ｔｏ ｒ ｒ
、 Ｓ ｉＨ４ガス流量２ＱＱｓｅｃｍで、プラズマ
を発生させなからＳｉＨ４ガスを装置内に供給し、Ｐを
被覆した第１のアンド−ブト・ポリシリコン膜上に、第
２のアンド−ブト・ポリシリコン膜を形成する。連続し
てプラズマの発生を停止し、ＳｉＨ４ガスを熱分解し、
アンド−ブト・ポリシリコン膜を形成する。このように
して、アンド−ブト・ポリシリコン膜の間にＰ層が存在
する構造を形成できる。以上の工程を必要があれば繰り
返し、アニールして配線・電極としてのドープド・ポリ
シリコン膜を形成する。
この場合のガスの流出パターンを第３図に示した。Ｔ１
はＳｉＨ４，Ｔ２はｐＨ３，Ｔ３はＳｉＨ４の流出時間
をあられしている。この方法を用いると、不純物の被覆
した第１のアンド−ブト・ポリシリコン膜上に第２のア
ンド−ブドーポリシリコン膜を形成する際のインダクシ
ョンタイムを短縮することができ（第１図）、ドープド
・ポリシリコン膜の堆積速度は向上する（第２図）。
はＳｉＨ４，Ｔ２はｐＨ３，Ｔ３はＳｉＨ４の流出時間
をあられしている。この方法を用いると、不純物の被覆
した第１のアンド−ブト・ポリシリコン膜上に第２のア
ンド−ブドーポリシリコン膜を形成する際のインダクシ
ョンタイムを短縮することができ（第１図）、ドープド
・ポリシリコン膜の堆積速度は向上する（第２図）。
なお、第３図の第２のアンド−ブト・ポリシリコン膜を
形成する際のガスの流出時間Ｔ３において、初期にはＳ
ｉＨ４ガスをプラズマを発生させながら供給していたが
、Ｔ３全般にわたりプラズマを発生させ、ＳｉＨ４ガス
を励起し、分解させる場合においても同様な効果が得ら
れる。さらに、プラズマにより励起し分解させるガスと
してＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス等のシリコンを含む
ガスを単独、または複数で用いる場合においても同様な
効果が得られる。
形成する際のガスの流出時間Ｔ３において、初期にはＳ
ｉＨ４ガスをプラズマを発生させながら供給していたが
、Ｔ３全般にわたりプラズマを発生させ、ＳｉＨ４ガス
を励起し、分解させる場合においても同様な効果が得ら
れる。さらに、プラズマにより励起し分解させるガスと
してＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス等のシリコンを含む
ガスを単独、または複数で用いる場合においても同様な
効果が得られる。
また、本発明で用いたプラズマ発生装置を具備した減圧
ＣＶＤ装置は、装置の内部または外部でプラズマを発生
させる２種類か考えられる。さらに、本装置を用いる場
合と同様、低圧水銀ランプによる紫外光やＡｒ発振線に
よるエキシマレーサー光等の照射か可能な光発生装置を
具備した減圧ＣＶＤ装置を用い、第３図のガス流出時間
Ｔ３の初期のみまたは全般にわたり、シリコンを含むガ
スを光により励起し、分解することによっても同様な効
果か得られる。
ＣＶＤ装置は、装置の内部または外部でプラズマを発生
させる２種類か考えられる。さらに、本装置を用いる場
合と同様、低圧水銀ランプによる紫外光やＡｒ発振線に
よるエキシマレーサー光等の照射か可能な光発生装置を
具備した減圧ＣＶＤ装置を用い、第３図のガス流出時間
Ｔ３の初期のみまたは全般にわたり、シリコンを含むガ
スを光により励起し、分解することによっても同様な効
果か得られる。
さらに、本実施例では、反応温度５８０ ’Ｃにおける
ドープド・ポリシリコン膜の形成に関するものであるが
５８０℃以外の場合でもよい。さらに形成する膜がアモ
ルファスシリコン膜の場合でもよい。
ドープド・ポリシリコン膜の形成に関するものであるが
５８０℃以外の場合でもよい。さらに形成する膜がアモ
ルファスシリコン膜の場合でもよい。
［発明の効果］
以上の結果から、本発明を用いることによって、インダ
クションタイムを短縮させ半導体膜の実効的堆積速度を
向上する二とができる。
クションタイムを短縮させ半導体膜の実効的堆積速度を
向上する二とができる。
第１図は、ガス流出時間Ｔ３に対するアンド−ブト・ポ
リシリコン膜厚の関゛係を示した図、第２図はドープド
・ポリシリコン膜堆積時間に対するドープド・ポリシリ
コン膜厚の関係を示した図。 第３図および第４図は本発明の実施例に係わるガス流出
時間に対するＳ ｉＨ４１ｐＨ，ａの流出およびプラズ
マ発生のパターンである。
リシリコン膜厚の関゛係を示した図、第２図はドープド
・ポリシリコン膜堆積時間に対するドープド・ポリシリ
コン膜厚の関係を示した図。 第３図および第４図は本発明の実施例に係わるガス流出
時間に対するＳ ｉＨ４１ｐＨ，ａの流出およびプラズ
マ発生のパターンである。
Claims (5)
- （１）半導体基板上に不純物を含まない第１の半導体膜
を形成する工程と、前記第１の半導体膜表面に不純物を
吸着・拡散させ不純物層を形成する工程と、シリコンを
含むガスを励起状態にして前記不純物層上に第２の半導
体膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - （２）シリコンを含むガスを励起する方法としてプラズ
マによる分解を用いることを特徴とする請求項（１）記
載の半導体装置の製造方法。 - （３）シリコンを含むガスを励起する方法として光によ
る分解を用いることを特徴とする請求項（１）記載の半
導体装置の製造方法。 - （４）シリコンを含むガスとして、Ｓｉ＿２Ｈ＿６、Ｓ
ｉ＿３Ｈ＿８またはＳｉＨ＿４のうち少なくとも１つを
用いることを特徴とする請求項（２）および（３）記載
の半導体装置の製造方法。 - （５）不純物層の不純物がＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａのうち少なくとも１つであることを特徴とする請求
項（１）記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19312590A JP2952010B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19312590A JP2952010B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479315A true JPH0479315A (ja) | 1992-03-12 |
| JP2952010B2 JP2952010B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=16302682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19312590A Expired - Lifetime JP2952010B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2952010B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659918B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2006-12-21 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 반응 물질들의 유입을 변경시킴으로써 증착된 층을 가지는 반도체 디바이스를 형성하는 방법 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19312590A patent/JP2952010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659918B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2006-12-21 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 반응 물질들의 유입을 변경시킴으로써 증착된 층을 가지는 반도체 디바이스를 형성하는 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2952010B2 (ja) | 1999-09-20 |
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