JPH0478043A - 光増幅ピックアップ装置 - Google Patents
光増幅ピックアップ装置Info
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- JPH0478043A JPH0478043A JP2183720A JP18372090A JPH0478043A JP H0478043 A JPH0478043 A JP H0478043A JP 2183720 A JP2183720 A JP 2183720A JP 18372090 A JP18372090 A JP 18372090A JP H0478043 A JPH0478043 A JP H0478043A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光磁気ディスク等の光情報記録媒体を用いて
再生信号やフォーカスニラ−信号等の検出を行う光増幅
ピックアップ装置に関する。
再生信号やフォーカスニラ−信号等の検出を行う光増幅
ピックアップ装置に関する。
従来の技術
従来、光磁気ディスク等の光情報記録媒体を用いて再生
信号やフォーカスエラー信号等の検出を行う光ピツクア
ップ装置としては、例えば、特開昭６３−２２９６４５
号公報に開示されているものがある。これは、第９図に
示すように、半導体レーザ１から出射されたＳ偏光の光
かコリメートレンズ２で平行光となり、偏光ビームスプ
リッタ３（第１０図参照、例えば、Ｒｓ＝３０％、Ｒｐ
１ｏ○％）を透過して対物レンズ４により集光され光磁
気ディスク５の面に照射され、これにより情報の記録等
か行われる。また、その光磁気ディスク５から偏光の回
転（カー効果）を受けてＰ偏光成分をもった反射光は、
偏光ビームスプリッタ３により反射され、λ／２板６、
集光し・ンズ７を介して、平行平板８に入射する。
信号やフォーカスエラー信号等の検出を行う光ピツクア
ップ装置としては、例えば、特開昭６３−２２９６４５
号公報に開示されているものがある。これは、第９図に
示すように、半導体レーザ１から出射されたＳ偏光の光
かコリメートレンズ２で平行光となり、偏光ビームスプ
リッタ３（第１０図参照、例えば、Ｒｓ＝３０％、Ｒｐ
１ｏ○％）を透過して対物レンズ４により集光され光磁
気ディスク５の面に照射され、これにより情報の記録等
か行われる。また、その光磁気ディスク５から偏光の回
転（カー効果）を受けてＰ偏光成分をもった反射光は、
偏光ビームスプリッタ３により反射され、λ／２板６、
集光し・ンズ７を介して、平行平板８に入射する。
この平行平板８は、入射光に対して傾斜して配置されて
おり、第１０図に示すような偏光方向による反射率の違
いを有している。ただし、この場合、入射時におけるＰ
偏光の透過率をＴｐ、その反射率をＲｐとし、Ｓ偏光の
透過率をＴｓ、その反射率をＲｓとする。
おり、第１０図に示すような偏光方向による反射率の違
いを有している。ただし、この場合、入射時におけるＰ
偏光の透過率をＴｐ、その反射率をＲｐとし、Ｓ偏光の
透過率をＴｓ、その反射率をＲｓとする。
そして、このような特性をもつ平行平板８に光磁気ディ
スク５からの反射光が入射することによって、信号成分
であるＰ偏光はそのまま通過し、Ｓ偏光だけか反射され
、これにより見かけ上のカー回転角は、第１１図に示す
ように、ｅ （０，２〜０．５）〜θ、へと増加され
、その後、λ／２板９を介して、偏光ビームスプリッタ
１０で偏光分離されて受光素子１１，１．２に導かれ、
これにより光磁気信号を検出して情報の再生や、フォー
カスエラー信号、トラックニラ−信号の検出を行うこと
ができる。
スク５からの反射光が入射することによって、信号成分
であるＰ偏光はそのまま通過し、Ｓ偏光だけか反射され
、これにより見かけ上のカー回転角は、第１１図に示す
ように、ｅ （０，２〜０．５）〜θ、へと増加され
、その後、λ／２板９を介して、偏光ビームスプリッタ
１０で偏光分離されて受光素子１１，１．２に導かれ、
これにより光磁気信号を検出して情報の再生や、フォー
カスエラー信号、トラックニラ−信号の検出を行うこと
ができる。
発明が解決しようとする課題
上述したような装置に用いられる光磁気ディスク５の大
容量化や高速転送化を実現するためにはＳ ／ Ｎの向
上は不可欠なものとなっている。そのＳ／Ｎの向上を図
るために、−膜内には、半導体レーザ１の高出力化やマ
ルチビーム化などにより対応しているが、高出力にする
と熱やコスト等の問題があり、また、マルチビーム化に
すると各ビームの制御の困難さなども問題が生じる。
容量化や高速転送化を実現するためにはＳ ／ Ｎの向
上は不可欠なものとなっている。そのＳ／Ｎの向上を図
るために、−膜内には、半導体レーザ１の高出力化やマ
ルチビーム化などにより対応しているが、高出力にする
と熱やコスト等の問題があり、また、マルチビーム化に
すると各ビームの制御の困難さなども問題が生じる。
光磁気信号のＳ／Ｎは、
３ ／ Ｎ ＯｃＪ Ｉ ｒ−−θｋ ・（
１）■し：光磁気信号の光量 θに：力−回転角 により表わすことができる。
１）■し：光磁気信号の光量 θに：力−回転角 により表わすことができる。
従って、Ｓ／Ｎを向上させるためには、■しを大きくす
るか、カー回転角ｆ９ｋを大きくすればよいことになる
。前述したような従来例のような「見かけのカー回転角
の増加」による方式では、（１）式中のθには増加する
が、Ｉｔ（Ｓ偏光成分）は減少するため、十分なＳ／Ｎ
の向上を図ることはできない。
るか、カー回転角ｆ９ｋを大きくすればよいことになる
。前述したような従来例のような「見かけのカー回転角
の増加」による方式では、（１）式中のθには増加する
が、Ｉｔ（Ｓ偏光成分）は減少するため、十分なＳ／Ｎ
の向上を図ることはできない。
課題を解決するための手段
そこで、このような問題点を解決するために、請求項１
記載の発明は、レーザ光源から出射された光をコリメー
トレンズにより平行化し、その平行光を対物レンズによ
り集光して光情報記録媒体に照射することにより情報の
記録等を行うと共に、その光情報記録媒体からの反射光
を用いて再生信号や、フォーカスエラー信号、トラック
エラー信号の検出を行う光増幅ピックアップ装置におい
て、前記レーザ光源と前記コリメートレンズとの間の光
路上に前記光情報記録媒体からの反射光を出射光の光路
とは別売路に分岐する光分岐手段を配設し、この光分岐
手段により分岐された光の偏光方向を略４５°回転させ
る偏光方向変換手段を設け、この偏光方向変換手段によ
り偏光方向の変えられた光を光増幅させる光増幅素子を
設け、二の光増幅素子により増幅された光を検出する光
検出器を設け、前記光増幅素子と前記レーサ′光源とを
モノリシックに形成した。
記載の発明は、レーザ光源から出射された光をコリメー
トレンズにより平行化し、その平行光を対物レンズによ
り集光して光情報記録媒体に照射することにより情報の
記録等を行うと共に、その光情報記録媒体からの反射光
を用いて再生信号や、フォーカスエラー信号、トラック
エラー信号の検出を行う光増幅ピックアップ装置におい
て、前記レーザ光源と前記コリメートレンズとの間の光
路上に前記光情報記録媒体からの反射光を出射光の光路
とは別売路に分岐する光分岐手段を配設し、この光分岐
手段により分岐された光の偏光方向を略４５°回転させ
る偏光方向変換手段を設け、この偏光方向変換手段によ
り偏光方向の変えられた光を光増幅させる光増幅素子を
設け、二の光増幅素子により増幅された光を検出する光
検出器を設け、前記光増幅素子と前記レーサ′光源とを
モノリシックに形成した。
請求項２記載の発明は、レーザ光源から出射された光を
コリメートレンズにより平行化し、その平行光を対物レ
ンズにより集光して光情報記録媒体に照射することによ
り情報の記録等を行うと共に、その光情報記録媒体から
の反射光を用いて再生信号や、フォーカスエラー信号、
トラックエラー信号の検出をイテう光増幅ピックアップ
装置：二おいて、前を己し−サ光源とギＩｉｉ己コリメ
ートしンスこの間の光路上に前記光情報記録媒体からの
反射光を出射光の光路とは別の複数の光路に分岐する光
分岐手段を配設し、これら光分岐手段により分岐された
光の偏光方向を各々異なる方向に変換する偏光方向変換
手段を少なくとも２個設け、これら偏光方向変換手段に
より偏光方向の変えられた光を光増幅させる光増幅素子
を少なくとも２個設け、これら光増幅素子により増幅さ
れた光を検出する光検出器を少なくとも２個設け、前記
光増幅素子とＲイｊ記し−サ光源とをモノリシックに形
成した。
コリメートレンズにより平行化し、その平行光を対物レ
ンズにより集光して光情報記録媒体に照射することによ
り情報の記録等を行うと共に、その光情報記録媒体から
の反射光を用いて再生信号や、フォーカスエラー信号、
トラックエラー信号の検出をイテう光増幅ピックアップ
装置：二おいて、前を己し−サ光源とギＩｉｉ己コリメ
ートしンスこの間の光路上に前記光情報記録媒体からの
反射光を出射光の光路とは別の複数の光路に分岐する光
分岐手段を配設し、これら光分岐手段により分岐された
光の偏光方向を各々異なる方向に変換する偏光方向変換
手段を少なくとも２個設け、これら偏光方向変換手段に
より偏光方向の変えられた光を光増幅させる光増幅素子
を少なくとも２個設け、これら光増幅素子により増幅さ
れた光を検出する光検出器を少なくとも２個設け、前記
光増幅素子とＲイｊ記し−サ光源とをモノリシックに形
成した。
作用
これにより、偏光方向変換手段により偏光方向の変えら
れた光を光増幅素子により光増幅しているので、高感度
な信号検出を行うことか可能となり、しかも、光増幅素
子とレーザ光源とはモノリシックに構成されているため
、−段と装置の小型化を図ることができる。
れた光を光増幅素子により光増幅しているので、高感度
な信号検出を行うことか可能となり、しかも、光増幅素
子とレーザ光源とはモノリシックに構成されているため
、−段と装置の小型化を図ることができる。
実施例
本発明の第一の実施例を第１図ないし第７図に基づ゛い
て説明する。まず、第１図において、基板１３上にはレ
ーザ光源としての発光用半導体レーザ゛１４が設けられ
ている。この発光用半導体レーザ１４と同一基板１３中
には光増幅素子としての受光用半導体レーザ１５か設け
られている。前記発光用半導体レーザ１４から出射され
た光かコリメートレンズ１６に向かう間の光路上にはグ
レーティング１７ａの形成された光分岐手段としての光
分岐素子１７が設けられている。図示しない光情報記録
媒体としての光磁気ディスク（この他に、光カードや光
テープ等）からの反射光が前記光分岐素子１７により分
岐された光路Ａ上にはその光の偏光方向を略４５°回転
させる偏光方向変換手段としてのλ／２板１８が設けら
れている。二のλ／２板１８は、前記受光用半導体レー
ザ１５の面上に位置して配設されている。また、前記受
光用半導体レーザ１５の後方には光検出器１９か設けら
れ、Ｗｊ記発光用半導体レーザ１４の後方にはモニター
用光検出器２０が設けられている。
て説明する。まず、第１図において、基板１３上にはレ
ーザ光源としての発光用半導体レーザ゛１４が設けられ
ている。この発光用半導体レーザ１４と同一基板１３中
には光増幅素子としての受光用半導体レーザ１５か設け
られている。前記発光用半導体レーザ１４から出射され
た光かコリメートレンズ１６に向かう間の光路上にはグ
レーティング１７ａの形成された光分岐手段としての光
分岐素子１７が設けられている。図示しない光情報記録
媒体としての光磁気ディスク（この他に、光カードや光
テープ等）からの反射光が前記光分岐素子１７により分
岐された光路Ａ上にはその光の偏光方向を略４５°回転
させる偏光方向変換手段としてのλ／２板１８が設けら
れている。二のλ／２板１８は、前記受光用半導体レー
ザ１５の面上に位置して配設されている。また、前記受
光用半導体レーザ１５の後方には光検出器１９か設けら
れ、Ｗｊ記発光用半導体レーザ１４の後方にはモニター
用光検出器２０が設けられている。
この場合、前記発光用半導体レーザ１４と前記受光用半
導体レーザ］５とが一体化された構造のマルチヒーム方
式としては、例えば、第２しＩに示すように、Ｇａ、＋
＼Ｓ基板２１上に各々独立したレサ発振部２２をモノリ
シックに集積化することにより得ることかできる。
導体レーザ］５とが一体化された構造のマルチヒーム方
式としては、例えば、第２しＩに示すように、Ｇａ、＋
＼Ｓ基板２１上に各々独立したレサ発振部２２をモノリ
シックに集積化することにより得ることかできる。
このような構成において、発光用半導体レーザ］４から
出射された光は、光分岐素子１７の回折格子１．７ ａ
を透過してコリメートレンズ１６により平行光となり、
対物レンズにより光磁気ディスクの面上に照射され、こ
れにより情報の記録等が行われる。また、その光磁気デ
ィスクがらのカー効果により偏光の回転を受けた反射光
は、再び、コリメートレンズ１６に戻り光分岐素子１７
の回折格子１７ａにより出射光路とは異なった光路に分
岐され、この分岐された光はλ／２板１８により偏光方
向を略４５°傾けられた後、受光用半導体レーザ１５へ
と導かれる。
出射された光は、光分岐素子１７の回折格子１．７ ａ
を透過してコリメートレンズ１６により平行光となり、
対物レンズにより光磁気ディスクの面上に照射され、こ
れにより情報の記録等が行われる。また、その光磁気デ
ィスクがらのカー効果により偏光の回転を受けた反射光
は、再び、コリメートレンズ１６に戻り光分岐素子１７
の回折格子１７ａにより出射光路とは異なった光路に分
岐され、この分岐された光はλ／２板１８により偏光方
向を略４５°傾けられた後、受光用半導体レーザ１５へ
と導かれる。
第３図はその受光用半導体レーザ゛１５の増幅原理を示
すものである。これは、通常の半導体し一すのしきい値
電流より少し低い動作電流で駆動させておき、ポンピン
グ光が活性領域に導かれると、１０〜３ＯｃｌＢ位の増
幅率で増幅光が出射されるというものである。また、こ
のような光増幅作用をもつ受光用半導体レーザ１５は、
第４図に示すように、ポンピング光の偏光方向の違いに
より増幅率Ｇが異なるという特性がある。すなわち、例
えば、ＴＥ波テハ２２ ｄ Ｂ、 ＴＭ＃テｉ；ｉ ｌ
Ｏｄ Ｂ程度のゲインであるものが、光量が増幅され
ると同時に増幅率が偏光依存性を有した形（１０ｄＢは
１０倍、２２ｄＢは１５８倍）となる。
すものである。これは、通常の半導体し一すのしきい値
電流より少し低い動作電流で駆動させておき、ポンピン
グ光が活性領域に導かれると、１０〜３ＯｃｌＢ位の増
幅率で増幅光が出射されるというものである。また、こ
のような光増幅作用をもつ受光用半導体レーザ１５は、
第４図に示すように、ポンピング光の偏光方向の違いに
より増幅率Ｇが異なるという特性がある。すなわち、例
えば、ＴＥ波テハ２２ ｄ Ｂ、 ＴＭ＃テｉ；ｉ ｌ
Ｏｄ Ｂ程度のゲインであるものが、光量が増幅され
ると同時に増幅率が偏光依存性を有した形（１０ｄＢは
１０倍、２２ｄＢは１５８倍）となる。
そして、このように光増幅が偏光依存性を有した特性を
利用する二とによって、受光用半導体レーザ１５に導か
れた光は、４５°±△ｆ９にの偏光方向の違いから光増
幅率の差を生じることになる３この光増幅率の差の生じ
た光が光検出器１９に導かれることによりその出力から
光磁気信号の検出を行うことができる。
利用する二とによって、受光用半導体レーザ１５に導か
れた光は、４５°±△ｆ９にの偏光方向の違いから光増
幅率の差を生じることになる３この光増幅率の差の生じ
た光が光検出器１９に導かれることによりその出力から
光磁気信号の検出を行うことができる。
また、フォーカスエラー信号やトラックエラー信号の検
出に関しては、第５図に示すように、光分岐素子１７の
回折格子１７ａにより分岐された点線で示す光（−１次
光）Ｂを４分割受光素子２３により検出することにより
、周知の非点収差法を用いてフォーカスエラー信号を、
ブシュプル法を用いてトラックエラー信号を求めること
ができる。その他の方法としては、第６図に示すように
、光分岐素子２４の回折格子２４ａをその中心線Ｃを境
界としてピッチの異なる２つの格子を形成させ、周知の
ナイフェツジ法によりフォーカスエラー信号を、ブシュ
プル法によりトラックエラー信号を検出する方法や、第
７図に示すように、分岐された一１次光Ｂの光路上にナ
イフェツジ２５を配置して検出する方法なとがある。
出に関しては、第５図に示すように、光分岐素子１７の
回折格子１７ａにより分岐された点線で示す光（−１次
光）Ｂを４分割受光素子２３により検出することにより
、周知の非点収差法を用いてフォーカスエラー信号を、
ブシュプル法を用いてトラックエラー信号を求めること
ができる。その他の方法としては、第６図に示すように
、光分岐素子２４の回折格子２４ａをその中心線Ｃを境
界としてピッチの異なる２つの格子を形成させ、周知の
ナイフェツジ法によりフォーカスエラー信号を、ブシュ
プル法によりトラックエラー信号を検出する方法や、第
７図に示すように、分岐された一１次光Ｂの光路上にナ
イフェツジ２５を配置して検出する方法なとがある。
次に、本発明の第二の実施例を第８図に基づいて説明す
る。前述した第一の実施例では、発光用半導体レーザ１
４及び受光用半導体レーザ１５をそれぞれ１個ずつ用い
たか、ここでは、１個の発光用半導体レーザ１４と、２
個の受光用半導体レーザ２６，２７とを設けたものであ
る。これに伴い、光の偏光方向を変えるλ／２板２８，
２９や、光検出器３０．３１も２個ずつ設けられること
になる。
る。前述した第一の実施例では、発光用半導体レーザ１
４及び受光用半導体レーザ１５をそれぞれ１個ずつ用い
たか、ここでは、１個の発光用半導体レーザ１４と、２
個の受光用半導体レーザ２６，２７とを設けたものであ
る。これに伴い、光の偏光方向を変えるλ／２板２８，
２９や、光検出器３０．３１も２個ずつ設けられること
になる。
このような構成において、光磁気ディスクからの反射光
は、光分岐素子１７の回折格子１７ａに、より２つに分
岐された後、λ／２板２８，２９にそれぞれ入射するこ
とにより略４５°偏光方向が傾けられ、受光用半導体レ
ーザ２６，２７を介して光検出器３０，３１に導くこと
により各種信号の検出を行うことができる。
は、光分岐素子１７の回折格子１７ａに、より２つに分
岐された後、λ／２板２８，２９にそれぞれ入射するこ
とにより略４５°偏光方向が傾けられ、受光用半導体レ
ーザ２６，２７を介して光検出器３０，３１に導くこと
により各種信号の検出を行うことができる。
この場合、λ／２板２８，２９は、光検出器３０．３１
に検出される２つのビームの偏光方向が同方向に４５°
傾けられるように設定するのではなく、発光用半導体レ
ーザ１４からの偏光方向を対称にして、＋４５° −４
５°に傾けられるように設定する。このように設定して
おくことによって、信号がない時には、受光用半導体レ
ーザ２６．２７により同じ増幅率で増幅され、光検出器
３０と光検出器３１の出力は共に等しくなるが、信号が
１ （＋ｌ９ｋ）又はＯ（−１９ｋ）の時には、光検
出器３０の出力と光検出器３１の出力との間に差が生じ
、すなわちこのことは、受光用半導体レーザ２６と受光
用半導体レーザ２７との間で増幅率が異なることを意味
し、これにより差分法により信号検出を行うことが可能
となる。このような方法をとることによって、光増幅さ
れしかも差分検出されるため、ノイズ低減か図れ、高感
度な光磁気信号の検出を行うことかできる。
に検出される２つのビームの偏光方向が同方向に４５°
傾けられるように設定するのではなく、発光用半導体レ
ーザ１４からの偏光方向を対称にして、＋４５° −４
５°に傾けられるように設定する。このように設定して
おくことによって、信号がない時には、受光用半導体レ
ーザ２６．２７により同じ増幅率で増幅され、光検出器
３０と光検出器３１の出力は共に等しくなるが、信号が
１ （＋ｌ９ｋ）又はＯ（−１９ｋ）の時には、光検
出器３０の出力と光検出器３１の出力との間に差が生じ
、すなわちこのことは、受光用半導体レーザ２６と受光
用半導体レーザ２７との間で増幅率が異なることを意味
し、これにより差分法により信号検出を行うことが可能
となる。このような方法をとることによって、光増幅さ
れしかも差分検出されるため、ノイズ低減か図れ、高感
度な光磁気信号の検出を行うことかできる。
なお、これまで述べた受光用半導体レーザ１５゜２６．
２７の光増幅作用は、ファブリペロ−型光増幅器（ＦＰ
Ａ）の原理を利用したものであるが、この他に、進行波
型光増幅器（Ｔ Ｗ Ａ ）の原理を利用しても同様な
効果を得ることかでき、しかも、これを利用することに
より広帯域で熱に対して利得が安定であるという利点か
ある。
２７の光増幅作用は、ファブリペロ−型光増幅器（ＦＰ
Ａ）の原理を利用したものであるが、この他に、進行波
型光増幅器（Ｔ Ｗ Ａ ）の原理を利用しても同様な
効果を得ることかでき、しかも、これを利用することに
より広帯域で熱に対して利得が安定であるという利点か
ある。
発明の効果
本発明は、レーザ光源とコリメートレンスとの間の光路
上に光情報記録媒体からの反射光を出射光の光路とは別
光路に分岐する光分岐手段を配設し、この光分岐手段に
より分岐された光の偏光方向をそれぞれ異なる方向に変
換する偏光方向変換手段を設け、この偏光方向変換手段
により偏光方向の変えられた光を光増幅させる光増幅素
子を設け、この光増幅素子により増幅された光を検出す
る光検出器を設け、前記光増幅素子と前記じ一ザ光源と
をモノリシックに形成したので、偏光方向変換手段によ
り偏光方向の変えられた光を光増幅素子により光増幅す
る二とによって、高感度な信号検出を行うことが可能と
なり、しかも、光増幅素子とレーザ光源とはモノリシッ
クに構成されているため、装置の小型化を図る二とかで
きるものである。
上に光情報記録媒体からの反射光を出射光の光路とは別
光路に分岐する光分岐手段を配設し、この光分岐手段に
より分岐された光の偏光方向をそれぞれ異なる方向に変
換する偏光方向変換手段を設け、この偏光方向変換手段
により偏光方向の変えられた光を光増幅させる光増幅素
子を設け、この光増幅素子により増幅された光を検出す
る光検出器を設け、前記光増幅素子と前記じ一ザ光源と
をモノリシックに形成したので、偏光方向変換手段によ
り偏光方向の変えられた光を光増幅素子により光増幅す
る二とによって、高感度な信号検出を行うことが可能と
なり、しかも、光増幅素子とレーザ光源とはモノリシッ
クに構成されているため、装置の小型化を図る二とかで
きるものである。
第１図は本発明の第一の実施例を示す構成ト［、第２図
はマルチヒーム方式の基本的構成を示す構成図、第３図
は光増幅素子の増幅原理を示す説明図、第４図は光増幅
率の偏光依存性を示す説明図、第５図〜第７図はフォー
カスエラー信号、トラ・ツクエラー信号の検出原理を示
す説明図、第８図は本発明の第二の実施例を示す構成図
、第９図は従来例を示す構成図、第１０図は入射角に対
する偏光波の透過率及び反射率の関係を示す波形図、第
１１図は偏光波の見かけのカー回転角増加の様子を示す
説明図である。 １４・・・レーザ光源、１５・・光増幅素子、１６コリ
メートレンス、１７・・・光分岐手段、１８・・偏光方
向変換手段、１９．２０・光検出器、２６゜２７・・・
光増幅素子、２８．２９・・偏光方向変換手段、３０．
３１・光検出器 −つ） 雪 「≧ハ 出 願 人 株式会社 リ コ
はマルチヒーム方式の基本的構成を示す構成図、第３図
は光増幅素子の増幅原理を示す説明図、第４図は光増幅
率の偏光依存性を示す説明図、第５図〜第７図はフォー
カスエラー信号、トラ・ツクエラー信号の検出原理を示
す説明図、第８図は本発明の第二の実施例を示す構成図
、第９図は従来例を示す構成図、第１０図は入射角に対
する偏光波の透過率及び反射率の関係を示す波形図、第
１１図は偏光波の見かけのカー回転角増加の様子を示す
説明図である。 １４・・・レーザ光源、１５・・光増幅素子、１６コリ
メートレンス、１７・・・光分岐手段、１８・・偏光方
向変換手段、１９．２０・光検出器、２６゜２７・・・
光増幅素子、２８．２９・・偏光方向変換手段、３０．
３１・光検出器 −つ） 雪 「≧ハ 出 願 人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光源から出射された光をコリメートレンズに
より平行化し、その平行光を対物レンズにより集光して
光情報記録媒体に照射することにより情報の記録等を行
うと共に、その光情報記録媒体からの反射光を用いて再
生信号や、フォーカスエラー信号、トラックエラー信号
の検出を行う光増幅ピックアップ装置において、前記レ
ーザ光源と前記コリメートレンズとの間の光路上に前記
光情報記録媒体からの反射光を出射光の光路とは別光路
に分岐する光分岐手段を配設し、この光分岐手段により
分岐された光の偏光方向を略４５°回転させる偏光方向
変換手段を設け、この偏光方向変換手段により偏光方向
の変えられた光を光増幅させる光増幅素子を設け、この
光増幅素子により増幅された光を検出する光検出器を設
け、前記光増幅素子と前記レーザ光源とをモノリシック
に形成したことを特徴とする光増幅ピックアップ装置。 ２、レーザ光源から出射された光をコリメートレンズに
より平行化し、その平行光を対物レンズにより集光して
光情報記録媒体に照射することにより情報の記録等を行
うと共に、その光情報記録媒体からの反射光を用いて再
生信号や、フォーカスエラー信号、トラックエラー信号
の検出を行う光増幅ピックアップ装置において、前記レ
ーザ光源と前記コリメートレンズとの間の光路上に前記
光情報記録媒体からの反射光を出射光の光路とは別の複
数の光路に分岐する光分岐手段を配設し、これら光分岐
手段により分岐された光の偏光方向を各々異なる方向に
変換する偏光方向変換手段を少なくとも２個設け、これ
ら偏光方向変換手段により偏光方向の変えられた光を光
増幅させる光増幅素子を少なくとも２個設け、これら光
増幅素子により増幅された光を検出する光検出器を少な
くとも２個設け、前記光増幅素子と前記レーザ光源とを
モノリシックに形成したことを特徴とする光増幅ピック
アップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183720A JPH0478043A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 光増幅ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183720A JPH0478043A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 光増幅ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478043A true JPH0478043A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16140781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183720A Pending JPH0478043A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 光増幅ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0478043A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025033440A1 (ja) | 2023-08-09 | 2025-02-13 | オムロン株式会社 | 生体信号計測装置 |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2183720A patent/JPH0478043A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025033440A1 (ja) | 2023-08-09 | 2025-02-13 | オムロン株式会社 | 生体信号計測装置 |
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