JPH0474874B2 - - Google Patents
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- JPH0474874B2 JPH0474874B2 JP62095011A JP9501187A JPH0474874B2 JP H0474874 B2 JPH0474874 B2 JP H0474874B2 JP 62095011 A JP62095011 A JP 62095011A JP 9501187 A JP9501187 A JP 9501187A JP H0474874 B2 JPH0474874 B2 JP H0474874B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/33—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices exhibiting hole storage or enhancement effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/601—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors using transformer coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光パルス発生器、特にレーザーダイオ
ードを用いて光パルスを発生する光パルス発生器
に関する。
ードを用いて光パルスを発生する光パルス発生器
に関する。
光パルスは様々な応用に有効に利用される。１
つの応用例は電気光学的サンプリング装置があ
る。これは、サンプリングされた電気信号により
電界を発生し、その電界強度に応じて立方結晶格
子を歪ませると共に、レーザーダイオードが発生
した幅の狭い光パルスをこの結晶格子を経て光検
出器へ送り、光パルスの強度を異なる偏光方向で
測定するようにした装置である。結晶歪の量、即
ち光パルスが通過している結晶格子内の電界強度
は、光検出器により測定された光パルスの強度か
ら求められる。このサンプリング計測の分解能
は、レーザーダイオードが発生する光パルスのパ
ルス幅と立上り時間とで決まる。即ち、光パルス
のパルス幅が狭くて立上りが急峻であればある
程、このサンプリング計測の分解能は向上する。
つの応用例は電気光学的サンプリング装置があ
る。これは、サンプリングされた電気信号により
電界を発生し、その電界強度に応じて立方結晶格
子を歪ませると共に、レーザーダイオードが発生
した幅の狭い光パルスをこの結晶格子を経て光検
出器へ送り、光パルスの強度を異なる偏光方向で
測定するようにした装置である。結晶歪の量、即
ち光パルスが通過している結晶格子内の電界強度
は、光検出器により測定された光パルスの強度か
ら求められる。このサンプリング計測の分解能
は、レーザーダイオードが発生する光パルスのパ
ルス幅と立上り時間とで決まる。即ち、光パルス
のパルス幅が狭くて立上りが急峻であればある
程、このサンプリング計測の分解能は向上する。
上述のように、サンプリングの精度を向上させ
る為には、パルス幅の狭い遷移の急峻な光パルス
が必要であるが、その為にはレーザーダイオード
に十分に幅の狭い急峻な遷移をする駆動パルスを
印加しなければならない。即ち、幅の狭い魚峻な
電流パルスを発生してレーザーダイオードに流
し、レーザーダイオードから幅が狭くて急峻な光
パルスを放射する駆動装置の実現が望まれてい
た。
る為には、パルス幅の狭い遷移の急峻な光パルス
が必要であるが、その為にはレーザーダイオード
に十分に幅の狭い急峻な遷移をする駆動パルスを
印加しなければならない。即ち、幅の狭い魚峻な
電流パルスを発生してレーザーダイオードに流
し、レーザーダイオードから幅が狭くて急峻な光
パルスを放射する駆動装置の実現が望まれてい
た。
従つて、本発明の目的は幅が狭くて急峻な光パ
ルスを発生することができる改良した装置を提供
することである。
ルスを発生することができる改良した装置を提供
することである。
本発明によれば、パルス幅の狭い急峻な電流パ
ルスをレーザーダイオードに流すことによつて、
光パルスを発生させる。初めに順バイアスしてお
いたステツプ・リカバリ・ダイオード（以下SR
ダイオードと記す）に逆方向電流を流して、順バ
イアス状態から逆バイアス状態に切換えることに
より、SRダイオードの両端に急峻に立上る逆バ
イアス電圧を生成する。この急峻な立上り電圧
は、SRダイオードと並列接続したコンデンサと
レーザーダイオードとの直列回路に印加される。
この急峻な立上り電圧は急峻な電流パルスとなつ
てレーザーダイオードに流れ、レーザーダイオー
ドから幅の狭い急峻な光パルスが放射する。
ルスをレーザーダイオードに流すことによつて、
光パルスを発生させる。初めに順バイアスしてお
いたステツプ・リカバリ・ダイオード（以下SR
ダイオードと記す）に逆方向電流を流して、順バ
イアス状態から逆バイアス状態に切換えることに
より、SRダイオードの両端に急峻に立上る逆バ
イアス電圧を生成する。この急峻な立上り電圧
は、SRダイオードと並列接続したコンデンサと
レーザーダイオードとの直列回路に印加される。
この急峻な立上り電圧は急峻な電流パルスとなつ
てレーザーダイオードに流れ、レーザーダイオー
ドから幅の狭い急峻な光パルスが放射する。
第１図はレーザーダイオードを用いる本発明に
よる光パルス発生器１０の一実施例の回路図で、
これによつてレーザーダイオードＤ２に電流パル
スを流して、幅の狭い急峻な光パルスを発生させ
る。光パルス発生器１０は、順バイアス時には電
荷を蓄積しているSRダイオードＤ１を含んでい
る。SRダイオードＤ１を順バイアスから急に逆
バイアスに転換すると、蓄積電荷が放電するまで
短時間だけ逆方向に電流が流れる。その蓄積電荷
が完全に放電すると、SRダイオードＤ１は急激
に逆方向電流を遮断し、それによつてSRダイオ
ードの両端に急峻な立上る逆バイアス電圧を生成
する。この高速に立上る電圧によつて生じる電流
パルスをレーザーダイオードＤ２に流す。
よる光パルス発生器１０の一実施例の回路図で、
これによつてレーザーダイオードＤ２に電流パル
スを流して、幅の狭い急峻な光パルスを発生させ
る。光パルス発生器１０は、順バイアス時には電
荷を蓄積しているSRダイオードＤ１を含んでい
る。SRダイオードＤ１を順バイアスから急に逆
バイアスに転換すると、蓄積電荷が放電するまで
短時間だけ逆方向に電流が流れる。その蓄積電荷
が完全に放電すると、SRダイオードＤ１は急激
に逆方向電流を遮断し、それによつてSRダイオ
ードの両端に急峻な立上る逆バイアス電圧を生成
する。この高速に立上る電圧によつて生じる電流
パルスをレーザーダイオードＤ２に流す。
SRダイオードＤ１のアノードは接地され、カ
ソードはコンデンサＣ及び伝送線１２を介してレ
ーザーダイオードＤ２のアノードに接続されてい
る。このレーザーダイオードＤ２のカソード接地
されている。SRダイオードＤ１のカソードは抵
抗器Ｒ１を介して負電源（−Ｅ）にも接続され、
更に電流発生回路１４の出力端にも接続されてい
る。電流パルス発生回路１４は、入力電圧パルス
Vinよりトリガされると、高速に立上る電流Ｉ１
を発生し、この電流Ｉ１はSRダイオードＤ１の
カソードとコンデンサＣとのノード（接続点）１
６へ注入される。定常状態時には、電流パルス発
生回路１４の出力電流Ｉ１は０で、SRダイオー
ドＤ１は負電源（−Ｅ）により抵抗器Ｒ１を介し
て順バイアス状態に維持されている。その後、電
流パルス発生回路１４が、入力電圧パルスVinに
より出力電流Ｉ１を発生すると、SRダイオード
Ｄ１の蓄積電荷により、SRダイオードＤ１が接
地端へ低インピーダンス線路を形成しているの
で、出力電流Ｉ１のほとんどは電流Ｉ２として
SRダイオードＤ１を逆方向に流れる。しかし、
逆電流Ｉ２は急速にSRダイオードＤ１の蓄積電
荷を放電させて完全に放電すると、SRダイオー
ドＤ１は急激に逆電流Ｉ２を遮断し、SRダイオ
ードＤ１の両端に急峻に立上る逆バイアス電圧Ｖ
３を生成する。この電圧Ｖ３はコンデンサＣ、伝
送線１２及びレーザーダイオードＤ２の直列回路
の両端にも印加されているので、レーザーダイオ
ードＤ２に電流パルスＩ３が流れて、幅の狭い急
峻な光パルスを発生する。電流パルスＩ３は急峻
に立上り、コンデンサＣを充電するので高速に立
上る。抵抗器Ｒ４は伝送線１２とコンデンサＣと
の接続点と接地間に接続されていて、その抵抗値
は伝送線１２の特性インピーダンスと等しい。従
つて、伝送線１２はレーザーダイオードＤ２から
の信号反射を吸収するように終端されている。
ソードはコンデンサＣ及び伝送線１２を介してレ
ーザーダイオードＤ２のアノードに接続されてい
る。このレーザーダイオードＤ２のカソード接地
されている。SRダイオードＤ１のカソードは抵
抗器Ｒ１を介して負電源（−Ｅ）にも接続され、
更に電流発生回路１４の出力端にも接続されてい
る。電流パルス発生回路１４は、入力電圧パルス
Vinよりトリガされると、高速に立上る電流Ｉ１
を発生し、この電流Ｉ１はSRダイオードＤ１の
カソードとコンデンサＣとのノード（接続点）１
６へ注入される。定常状態時には、電流パルス発
生回路１４の出力電流Ｉ１は０で、SRダイオー
ドＤ１は負電源（−Ｅ）により抵抗器Ｒ１を介し
て順バイアス状態に維持されている。その後、電
流パルス発生回路１４が、入力電圧パルスVinに
より出力電流Ｉ１を発生すると、SRダイオード
Ｄ１の蓄積電荷により、SRダイオードＤ１が接
地端へ低インピーダンス線路を形成しているの
で、出力電流Ｉ１のほとんどは電流Ｉ２として
SRダイオードＤ１を逆方向に流れる。しかし、
逆電流Ｉ２は急速にSRダイオードＤ１の蓄積電
荷を放電させて完全に放電すると、SRダイオー
ドＤ１は急激に逆電流Ｉ２を遮断し、SRダイオ
ードＤ１の両端に急峻に立上る逆バイアス電圧Ｖ
３を生成する。この電圧Ｖ３はコンデンサＣ、伝
送線１２及びレーザーダイオードＤ２の直列回路
の両端にも印加されているので、レーザーダイオ
ードＤ２に電流パルスＩ３が流れて、幅の狭い急
峻な光パルスを発生する。電流パルスＩ３は急峻
に立上り、コンデンサＣを充電するので高速に立
上る。抵抗器Ｒ４は伝送線１２とコンデンサＣと
の接続点と接地間に接続されていて、その抵抗値
は伝送線１２の特性インピーダンスと等しい。従
つて、伝送線１２はレーザーダイオードＤ２から
の信号反射を吸収するように終端されている。
電流パルス発生回路１４は、１対の相補型トラ
ンジスタＱ１及びＱ２を双安定マルチバイブレー
タを構成するように接続している。トランジスタ
Ｑ１はPNP型、トランジスタＱ２はNPN型であ
る。トランジスタＱ２のベースとトランジスタＱ
１のコレクタを相互接続し、トランジスタＱ１の
ベースとトランジスタＱ２のコレクタを相互接続
している。正電圧源（＋Ｅ）をトランジスタＱ１
のエミツタに接続している。トランジスタＱ２の
エミツタはSRダイオードＤ１のカソードに接続
し、ここ電流パルス発生回路１４の出力電流Ｉ１
を発生する。電流パルス発生回路１４は１次コイ
ルＬ１と１対の２次コイルＬ２及びＬ３を有する
変成器１８も含んでいる。２次コイルＬ２と抵抗
器Ｒ２は並列にトランジスタＱ１のエミツタとベ
ース間に接続されている。一方、２次コイルＬ３
と別の抵抗器Ｒ３は並列にトランジスタＱ２のベ
ースとエミツタ間に接続されている。入力電圧パ
ルスVinは変成器１８の１次コイルＬ１の両端に
印加される。
ンジスタＱ１及びＱ２を双安定マルチバイブレー
タを構成するように接続している。トランジスタ
Ｑ１はPNP型、トランジスタＱ２はNPN型であ
る。トランジスタＱ２のベースとトランジスタＱ
１のコレクタを相互接続し、トランジスタＱ１の
ベースとトランジスタＱ２のコレクタを相互接続
している。正電圧源（＋Ｅ）をトランジスタＱ１
のエミツタに接続している。トランジスタＱ２の
エミツタはSRダイオードＤ１のカソードに接続
し、ここ電流パルス発生回路１４の出力電流Ｉ１
を発生する。電流パルス発生回路１４は１次コイ
ルＬ１と１対の２次コイルＬ２及びＬ３を有する
変成器１８も含んでいる。２次コイルＬ２と抵抗
器Ｒ２は並列にトランジスタＱ１のエミツタとベ
ース間に接続されている。一方、２次コイルＬ３
と別の抵抗器Ｒ３は並列にトランジスタＱ２のベ
ースとエミツタ間に接続されている。入力電圧パ
ルスVinは変成器１８の１次コイルＬ１の両端に
印加される。
入力電圧パルスVinが印加される前には、コイ
ルＬ２とＬ３はトランジスタＱ１及びＱ２のベー
スとエミツタ間を夫々直流的に短絡しているの
で、トランジスタＱ１及びＱ２はオフ状態になつ
ている。従つて、トランジスタＱ２のエミツタに
出力される、電流パルス発生回路１４の出力電流
Ｉ１は０である。この出力電流を発生させる為
に、入力電圧パルスVinが変成器１８の１次コイ
ルＬ１の両端に印加されると、それによつて２次
コイルＬ２及びＬ３に幅の狭い電圧パルスＶ１及
びＶ２が夫々誘導される。電圧パルスＶ１及びＶ
２は夫々同時にトランジスタＱ１及びＱ２をオン
させ、各トランジスタのコレクタから夫々別のト
ランジスタのベースの正帰還により、トランジス
タＱ１とＱ２は急速に飽和して、出力電流Ｉ１を
急速に増大させてSRダイオードＤ１に供給する。
ルＬ２とＬ３はトランジスタＱ１及びＱ２のベー
スとエミツタ間を夫々直流的に短絡しているの
で、トランジスタＱ１及びＱ２はオフ状態になつ
ている。従つて、トランジスタＱ２のエミツタに
出力される、電流パルス発生回路１４の出力電流
Ｉ１は０である。この出力電流を発生させる為
に、入力電圧パルスVinが変成器１８の１次コイ
ルＬ１の両端に印加されると、それによつて２次
コイルＬ２及びＬ３に幅の狭い電圧パルスＶ１及
びＶ２が夫々誘導される。電圧パルスＶ１及びＶ
２は夫々同時にトランジスタＱ１及びＱ２をオン
させ、各トランジスタのコレクタから夫々別のト
ランジスタのベースの正帰還により、トランジス
タＱ１とＱ２は急速に飽和して、出力電流Ｉ１を
急速に増大させてSRダイオードＤ１に供給する。
SRダイオードＤ１に流れる逆電流Ｉ２はSRダ
イオードＤ１が逆電流Ｉ２を遮断するまで、トラ
ンジスタＱ１及びＱ２を飽和状態に維持する。そ
の後、コンデンサＣを流れる電流Ｉ３は、コンデ
ンサＣの充電によつて電流Ｉ３がトランジスタＱ
１とＱ２をオンできない程に下るまでの短時間、
トランジスタＱ１及びＱ２をオン状態に保つ。そ
の後、トランジスタＱ１とＱ２はオフになつて電
流Ｉ１が０になるので、負電源（−Ｅ）により
SRダイオードＤ１は元通り順バイアス状態に切
換わる。
イオードＤ１が逆電流Ｉ２を遮断するまで、トラ
ンジスタＱ１及びＱ２を飽和状態に維持する。そ
の後、コンデンサＣを流れる電流Ｉ３は、コンデ
ンサＣの充電によつて電流Ｉ３がトランジスタＱ
１とＱ２をオンできない程に下るまでの短時間、
トランジスタＱ１及びＱ２をオン状態に保つ。そ
の後、トランジスタＱ１とＱ２はオフになつて電
流Ｉ１が０になるので、負電源（−Ｅ）により
SRダイオードＤ１は元通り順バイアス状態に切
換わる。
第２図は第１図の光パルス発生器１０の各信号
Vin，Ｖ１及びＶ３及至Ｉ１乃至Ｉ３のタイミン
グ波形図である。時点Ｔ１で電流パルス発生器１
４に入力電圧Vinが印加されると、変成器１８の
２次コイルに電圧パルスＶ１とＶ２が誘起する。
トランジスタＱ１及びＱ２がオンするので、電流
パルス発生回路１４の出力電流Ｉ１が立上る。時
点Ｔ２で、SRダイオードＤ１の蓄積電荷が完全
に放電し、電流Ｉ２が急激に遮断され、Ｄ１の両
端の逆バイアス電圧Ｖ３を急峻に増加する。電圧
Ｖ３によつて電流パルスＩ３はコンデンサＣを介
してレーザーダイオードＤ２を流れて、光パルス
を放射させる。電流Ｉ１及びＩ３は、コンデンサ
Ｃの充電につれて急速になくなる。その後、電圧
Ｖ３は電流パルス発生回路１４がオフになるの
で、SRダイオードＤ１の順バイアス値まで下る。
その後、パルスVinがオフするとき、前と逆極性
の電圧パルスＶ１とＶ２がコイルＬ１とＬ２に
夫々誘起するが、これらのパルスは、トランジス
タＱ１及びＱ２のスイツチ状態に影響を与えな
い。
Vin，Ｖ１及びＶ３及至Ｉ１乃至Ｉ３のタイミン
グ波形図である。時点Ｔ１で電流パルス発生器１
４に入力電圧Vinが印加されると、変成器１８の
２次コイルに電圧パルスＶ１とＶ２が誘起する。
トランジスタＱ１及びＱ２がオンするので、電流
パルス発生回路１４の出力電流Ｉ１が立上る。時
点Ｔ２で、SRダイオードＤ１の蓄積電荷が完全
に放電し、電流Ｉ２が急激に遮断され、Ｄ１の両
端の逆バイアス電圧Ｖ３を急峻に増加する。電圧
Ｖ３によつて電流パルスＩ３はコンデンサＣを介
してレーザーダイオードＤ２を流れて、光パルス
を放射させる。電流Ｉ１及びＩ３は、コンデンサ
Ｃの充電につれて急速になくなる。その後、電圧
Ｖ３は電流パルス発生回路１４がオフになるの
で、SRダイオードＤ１の順バイアス値まで下る。
その後、パルスVinがオフするとき、前と逆極性
の電圧パルスＶ１とＶ２がコイルＬ１とＬ２に
夫々誘起するが、これらのパルスは、トランジス
タＱ１及びＱ２のスイツチ状態に影響を与えな
い。
電源（＋Ｅ）及び（−Ｅ）として夫々＋15ボル
トと−15ボルトを用いると、電流パルス発生回路
１４の出力電流Ｉ１のピーク値は、約500ミリア
ンペアとなり、SRダイオードＤ１が電流Ｉ２を
遮断した時生じる逆バイアス電圧Ｖ３のピーク値
は10乃至20ボルトで、その立上り時間は35乃至50
ピコ秒である。この電圧Ｖ３によつて発生する電
流パルス１３のパルス幅は、約200乃至400ピコ秒
である。従つて、本発明の光パルス発生器１０で
は、急峻な立上り且つ幅の狭い電流パルスＩ３を
レーザーダイオードＤ２に供給してパルス幅の狭
い高出力の光パルスを発生させることができる。
トと−15ボルトを用いると、電流パルス発生回路
１４の出力電流Ｉ１のピーク値は、約500ミリア
ンペアとなり、SRダイオードＤ１が電流Ｉ２を
遮断した時生じる逆バイアス電圧Ｖ３のピーク値
は10乃至20ボルトで、その立上り時間は35乃至50
ピコ秒である。この電圧Ｖ３によつて発生する電
流パルス１３のパルス幅は、約200乃至400ピコ秒
である。従つて、本発明の光パルス発生器１０で
は、急峻な立上り且つ幅の狭い電流パルスＩ３を
レーザーダイオードＤ２に供給してパルス幅の狭
い高出力の光パルスを発生させることができる。
以上本発明の好適実施例について説明してきた
が、本発明の要旨を逸脱することなく、様々な変
更や修正を施し得ることは、当業者にとつて明ら
かである。例えば、電流パルス発生回路１４に負
の電流パルスを発生するものを用いれば、SRダ
イオード、レーザーダイオード及びバイアス電源
の極性を逆にすればよい。
が、本発明の要旨を逸脱することなく、様々な変
更や修正を施し得ることは、当業者にとつて明ら
かである。例えば、電流パルス発生回路１４に負
の電流パルスを発生するものを用いれば、SRダ
イオード、レーザーダイオード及びバイアス電源
の極性を逆にすればよい。
本発明によれば、SRダイオードを利用してレ
ーザーダイオードの駆動パルスを得ることによ
り、急峻に立上るパルス幅の狭い且つ大振幅の駆
動電流パルスが得られるので、急峻でパルス幅の
狭い且つ高出力の光パルスを発生できる。また、
SRダイオードの動作は安定しているので、光パ
ルスの発生する時間的精度が高い上に、回路構成
が簡単であるので安定性も高い。従つて、電気光
学的サンプリング装置等に応用すれば、サンプリ
ング精度及び安定性を著しく向上できる。
ーザーダイオードの駆動パルスを得ることによ
り、急峻に立上るパルス幅の狭い且つ大振幅の駆
動電流パルスが得られるので、急峻でパルス幅の
狭い且つ高出力の光パルスを発生できる。また、
SRダイオードの動作は安定しているので、光パ
ルスの発生する時間的精度が高い上に、回路構成
が簡単であるので安定性も高い。従つて、電気光
学的サンプリング装置等に応用すれば、サンプリ
ング精度及び安定性を著しく向上できる。
第１図は本発明の光パルス発生器の好適実施例
の回路図、第２図は第１図に示した各信号のタイ
ミング波形図である。 １４は電流パルス発生回路、Ｄ１はステツプ・
リカバリ・ダイオード（SRダイオード）、Ｄ２は
レーザーダイオードである。
の回路図、第２図は第１図に示した各信号のタイ
ミング波形図である。 １４は電流パルス発生回路、Ｄ１はステツプ・
リカバリ・ダイオード（SRダイオード）、Ｄ２は
レーザーダイオードである。
Claims (1)
- １ 入力パルスに応じて出力電流パルスを発生す
る電流パルス発生回路と、該電流パルス発生回路
の出力端に一端を接続し、他端を基準電位源に接
続したステツプ・リカバリ・ダイオードと、該ス
テツプ・リカバリ・ダイオードに順バイアス電流
を流すバイアス電流手段と、上記出力端と基準電
位源間にコンデンサを介して接続したレーザーダ
イオードとを具えることを特徴とする光パルス発
生器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US858405 | 1986-04-30 | ||
| US06/858,405 US4736380A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Laser diode driver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261186A JPS62261186A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH0474874B2 true JPH0474874B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=25328236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62095011A Granted JPS62261186A (ja) | 1986-04-30 | 1987-04-17 | 光パルス発生器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4736380A (ja) |
| EP (1) | EP0244054A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62261186A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US4916536A (en) * | 1988-11-07 | 1990-04-10 | Flir Systems, Inc. | Imaging range finder and method |
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| JP2777268B2 (ja) * | 1989-08-02 | 1998-07-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザダイオードを用いた低ノイズパルス光源及びこの光源を用いた電圧検出装置 |
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-
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-
1987
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- 1987-04-17 JP JP62095011A patent/JPS62261186A/ja active Granted
Also Published As
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| JPS62261186A (ja) | 1987-11-13 |
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