JPH0724376B2 - パルス発生回路 - Google Patents
パルス発生回路Info
- Publication number
- JPH0724376B2 JPH0724376B2 JP12890090A JP12890090A JPH0724376B2 JP H0724376 B2 JPH0724376 B2 JP H0724376B2 JP 12890090 A JP12890090 A JP 12890090A JP 12890090 A JP12890090 A JP 12890090A JP H0724376 B2 JPH0724376 B2 JP H0724376B2
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- Japan
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- pulse
- transistor group
- electrode
- terminal
- emitter electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザダイオード等の半導体発光素子を短パル
ス発光させる光源駆動回路などに応用される短パルス発
生回路に関する。
ス発光させる光源駆動回路などに応用される短パルス発
生回路に関する。
このような従来装置としては、アバランシェトランジス
タを用いた装置、ステップリカバリダイオードを用いた
装置が知られている。
タを用いた装置、ステップリカバリダイオードを用いた
装置が知られている。
アバランシェトランジスタを用いた光源駆動用のパルス
発生回路としては、例えばJ.R.Hansenによって、 “Proceedings of the IEEE,55 216（1967）”に第５図
のような回路が開示されている。図示の通り、３個のア
バランシェトランジスタQ1〜Q3にはそれぞれバイアス用
の抵抗R1〜R3と容量C1〜C3を接続し、このアバランシェ
トランジスタQ1〜Q3の出力でレーザダイオードLDを発光
させている。ここで、アバランシェトランジスタQ1〜Q3
ごとに抵抗R1〜R3を設けているのは、アバランシェ降伏
時のタイミング調整のためであり、繰り返し周波数は10
kHzとなっている。
発生回路としては、例えばJ.R.Hansenによって、 “Proceedings of the IEEE,55 216（1967）”に第５図
のような回路が開示されている。図示の通り、３個のア
バランシェトランジスタQ1〜Q3にはそれぞれバイアス用
の抵抗R1〜R3と容量C1〜C3を接続し、このアバランシェ
トランジスタQ1〜Q3の出力でレーザダイオードLDを発光
させている。ここで、アバランシェトランジスタQ1〜Q3
ごとに抵抗R1〜R3を設けているのは、アバランシェ降伏
時のタイミング調整のためであり、繰り返し周波数は10
kHzとなっている。
アバランシェトランジスタを用いた他の例としては、第
６図のようなものである。これは、Y.Tsuchiyaらによっ
て“J.Appl.Phey,53 6631（1982）”に発表されたもの
である。図示の通り、アバランシェトランジスタQ4に抵
抗R41,R42と容量C41,C42を接続すると共に、トリガ印加
用にパルストランスPTを用いている。
６図のようなものである。これは、Y.Tsuchiyaらによっ
て“J.Appl.Phey,53 6631（1982）”に発表されたもの
である。図示の通り、アバランシェトランジスタQ4に抵
抗R41,R42と容量C41,C42を接続すると共に、トリガ印加
用にパルストランスPTを用いている。
しかし、アバランシェトランジスタを用いる方法では、
繰り返し周波数の上限は10kHz程度までにしかならなか
った。すなわち、第５図の回路でバイアス用の抵抗R1〜
R3を高抵抗にすると、容量C1〜C3のチャージが遅くな
り、繰り返し周波数を高くできない。そこで、抵抗R1〜
R3を低抵抗にすると、今度はアバランシェトランジスタ
Q1〜Q3がOFF時にエミッタ・コレクタ間に流れるバイア
ス電流を抑えることができなくりなり、従ってあまり低
抵抗にできない。このため、例えば第５図の回路では抵
抗R1〜R3＝15kΩとなっており、従って繰り返し周波数
は10kHz程度に制限されていた。
繰り返し周波数の上限は10kHz程度までにしかならなか
った。すなわち、第５図の回路でバイアス用の抵抗R1〜
R3を高抵抗にすると、容量C1〜C3のチャージが遅くな
り、繰り返し周波数を高くできない。そこで、抵抗R1〜
R3を低抵抗にすると、今度はアバランシェトランジスタ
Q1〜Q3がOFF時にエミッタ・コレクタ間に流れるバイア
ス電流を抑えることができなくりなり、従ってあまり低
抵抗にできない。このため、例えば第５図の回路では抵
抗R1〜R3＝15kΩとなっており、従って繰り返し周波数
は10kHz程度に制限されていた。
一方、ステップリカバリダイオードを用いたパルス発生
回路では、回路構成素子が多くなり、アバランシェトラ
ンジスタを用いたものに比べて、回路が複雑化する欠点
があった。
回路では、回路構成素子が多くなり、アバランシェトラ
ンジスタを用いたものに比べて、回路が複雑化する欠点
があった。
そこで本発明は、簡単な構成で高い繰り返し周波数を実
現することのできるパルス発生回路を提供することを目
的としている。
現することのできるパルス発生回路を提供することを目
的としている。
本発明に係るパルス発生回路は、短パルス電圧を出力す
るパルス発生回路において、アバランシェ降伏特性を示
す複数個のトランジスタを並列に有して構成され、各エ
ミッタ電極、コレクタ電極およびベース電極がそれぞれ
共通接続されたトランジスタ群と、トランジスタ群のベ
ース電極とエミッタ電極の間に二次側巻線が接続され、
一次側巻線にトリガが印加されるパルストランスと、ト
ランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と基
準電圧源の一方の端子との間に接続された容量手段と、
トランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と
基準電圧源の他方の端子との間に接続された抵抗手段
と、トランジスタ群のエミッタ電極（又はコレクタ電
極）と基準電圧源の一方の端子に接続され、短パルス電
圧を出力するパルス抜出手段とを備えることを特徴とす
る。
るパルス発生回路において、アバランシェ降伏特性を示
す複数個のトランジスタを並列に有して構成され、各エ
ミッタ電極、コレクタ電極およびベース電極がそれぞれ
共通接続されたトランジスタ群と、トランジスタ群のベ
ース電極とエミッタ電極の間に二次側巻線が接続され、
一次側巻線にトリガが印加されるパルストランスと、ト
ランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と基
準電圧源の一方の端子との間に接続された容量手段と、
トランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と
基準電圧源の他方の端子との間に接続された抵抗手段
と、トランジスタ群のエミッタ電極（又はコレクタ電
極）と基準電圧源の一方の端子に接続され、短パルス電
圧を出力するパルス抜出手段とを備えることを特徴とす
る。
本発明によれば、複数個のアバランシェトランジスタは
並列にされてコレクタ、エミッタ、ベースが共通接続さ
れ、これにバイアス用の抵抗手段と容量手段が接続され
る。このため、バイアス用の抵抗手段を容量手段への高
速チャージが可能な程度に低抵抗にしても、アバランシ
ェトランジスタのOFF時に流れるバイアス電流を抑え得
るので、繰り返し周波数を高くすることが可能になる。
並列にされてコレクタ、エミッタ、ベースが共通接続さ
れ、これにバイアス用の抵抗手段と容量手段が接続され
る。このため、バイアス用の抵抗手段を容量手段への高
速チャージが可能な程度に低抵抗にしても、アバランシ
ェトランジスタのOFF時に流れるバイアス電流を抑え得
るので、繰り返し周波数を高くすることが可能になる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は第１実施例に係るパルス発生回路の回路図であ
る。アバランシェ特性を示すｎ個のアバランシェトラン
ジスタQ1〜Qnは、ベース電極、コレクタ電極およびエミ
ッタ電極がそれぞれ共通接続され、１個のトランジスタ
群１が構成される。トランジスタ群１のベース電極とエ
ミッタ電極にはパルストランスPTの二次側が接続され、
パルストランスPTの一次側にはトリガ回路２が接続され
る。トランジスタ群１のコレクタ電極にはバイアス用の
抵抗RBと電荷チャージ用の容量C5が接続され、この抵抗
RBと容量C5の間には基準電圧VBの電源が接続される。
る。アバランシェ特性を示すｎ個のアバランシェトラン
ジスタQ1〜Qnは、ベース電極、コレクタ電極およびエミ
ッタ電極がそれぞれ共通接続され、１個のトランジスタ
群１が構成される。トランジスタ群１のベース電極とエ
ミッタ電極にはパルストランスPTの二次側が接続され、
パルストランスPTの一次側にはトリガ回路２が接続され
る。トランジスタ群１のコレクタ電極にはバイアス用の
抵抗RBと電荷チャージ用の容量C5が接続され、この抵抗
RBと容量C5の間には基準電圧VBの電源が接続される。
パルス電圧抜出回路３は短パルス電圧を抜き出し、出力
するもので、例えば第２図（ａ），（ｂ）のように構成
される。同図（ａ）では、パルス電力抜出回路３はパル
ストランスにより構成されており、同図（ｂ）では抵抗
とコンデンサで構成されている。
するもので、例えば第２図（ａ），（ｂ）のように構成
される。同図（ａ）では、パルス電力抜出回路３はパル
ストランスにより構成されており、同図（ｂ）では抵抗
とコンデンサで構成されている。
次に、上記実施例に係るパルス発生回路の動作を説明す
る。
る。
トリガ回路２からのパルスがパルストランスPTに印加さ
れていない時は、基準電圧VB電源によってアバランシェ
トランジスタからなるトランジスタ群１には、アバラン
シェ降伏電圧程度のバイアス電圧が抵抗RBを介して与え
られる。トランジスタ群１は上記バイアス電圧が印加さ
れているとき、数100μＡ程度のバイアス電流IBを流し
ている。これにより、トランジスタ群１のコレクタ電極
には、VB−IB・RBの電圧がかかっていることになる。そ
して、容量C5にもこの電圧で充電がされている。
れていない時は、基準電圧VB電源によってアバランシェ
トランジスタからなるトランジスタ群１には、アバラン
シェ降伏電圧程度のバイアス電圧が抵抗RBを介して与え
られる。トランジスタ群１は上記バイアス電圧が印加さ
れているとき、数100μＡ程度のバイアス電流IBを流し
ている。これにより、トランジスタ群１のコレクタ電極
には、VB−IB・RBの電圧がかかっていることになる。そ
して、容量C5にもこの電圧で充電がされている。
次に、トリガ回路２からパルスが出力されると、パルス
トランスPTを介してトランジスタ群１のベース電極とエ
ミッタ電極の間にパルスが印加される。すると、トラン
ジスタ群１中の各アバランシェトランジスタQ1〜QnはON
になり、容量C5に充電されていた電荷がトランジスタ群
１を通してパルス電圧抜出回路３に入力される。ここ
で、アバランシェトランジスタ降伏時間は通常で数100p
sであるため、この短い立上り時間のパルス（短パルス
電圧）が出力される。
トランスPTを介してトランジスタ群１のベース電極とエ
ミッタ電極の間にパルスが印加される。すると、トラン
ジスタ群１中の各アバランシェトランジスタQ1〜QnはON
になり、容量C5に充電されていた電荷がトランジスタ群
１を通してパルス電圧抜出回路３に入力される。ここ
で、アバランシェトランジスタ降伏時間は通常で数100p
sであるため、この短い立上り時間のパルス（短パルス
電圧）が出力される。
ここで、パルス電圧抜出回路３は端子A,B間の直流的な
インピーダンスを低くし、交流的なインピーダンスを高
くして、端子Ｃに向うパルス波形出力の効率的な伝送を
可能にするよう構成してある。端子A,B間の直流インピ
ーダンスを低くする理由は、バイアス電流IBによる端子
Ａでの電圧上昇を防ぐためである。すなわち、端子Ａで
の電位VAが上昇すると、容量C5にチャージされている電
荷の有効利用ができず、出力パルス電圧が小さくなる。
このことは、充電電荷ｑが ｑ＝Ｃ・Ｖ ＝Ｃ（（VB−IB・RB）−VA） と表わされるところから、VAを大きくするとｑが小さく
なることから理解できる。上記のパルス発生回路によっ
てレーザダイオードLDを発光させたときの光出力の一例
を、第３図に示す。通常、レーザダイオードLDでは印加
電圧と光出力の非線形性から、印加電圧のパルス幅より
細いパルス幅のレーザ光が生成される。例えば、波長78
0nmのレーザダイオードLDを第１図の回路で駆動する
と、40ps程度の短パルス光が得られる。
インピーダンスを低くし、交流的なインピーダンスを高
くして、端子Ｃに向うパルス波形出力の効率的な伝送を
可能にするよう構成してある。端子A,B間の直流インピ
ーダンスを低くする理由は、バイアス電流IBによる端子
Ａでの電圧上昇を防ぐためである。すなわち、端子Ａで
の電位VAが上昇すると、容量C5にチャージされている電
荷の有効利用ができず、出力パルス電圧が小さくなる。
このことは、充電電荷ｑが ｑ＝Ｃ・Ｖ ＝Ｃ（（VB−IB・RB）−VA） と表わされるところから、VAを大きくするとｑが小さく
なることから理解できる。上記のパルス発生回路によっ
てレーザダイオードLDを発光させたときの光出力の一例
を、第３図に示す。通常、レーザダイオードLDでは印加
電圧と光出力の非線形性から、印加電圧のパルス幅より
細いパルス幅のレーザ光が生成される。例えば、波長78
0nmのレーザダイオードLDを第１図の回路で駆動する
と、40ps程度の短パルス光が得られる。
第４図は第２実施例に係るパルス発生回路の回路図であ
る。図示の通り、この実施例ではトランジスタ群１をア
バランシェトランジスタQ1〜Qnで構成し、そのエミッタ
電極に抵抗RBと容量C5を接続し、コレクタ電極にパルス
電圧抜出回路３を接続している。この回路によっても、
第１実施例と同様の効果が実現できる。
る。図示の通り、この実施例ではトランジスタ群１をア
バランシェトランジスタQ1〜Qnで構成し、そのエミッタ
電極に抵抗RBと容量C5を接続し、コレクタ電極にパルス
電圧抜出回路３を接続している。この回路によっても、
第１実施例と同様の効果が実現できる。
上記のように本発明は、 （１） アバランシェトランジスタを複数個並列に接続
してトランジスタ群１を構成した点と、 （２） バイアス抵抗RBをトランジスタ群１の各アバラ
ンシェトランジスタに共通接続し、これによって抵抗RB
の抵抗値を低くした点と、 （３） トリガ用にパルストランスを用いた点とに特徴
がある。なお、抵抗RBは10kΩ以下であればよい。
してトランジスタ群１を構成した点と、 （２） バイアス抵抗RBをトランジスタ群１の各アバラ
ンシェトランジスタに共通接続し、これによって抵抗RB
の抵抗値を低くした点と、 （３） トリガ用にパルストランスを用いた点とに特徴
がある。なお、抵抗RBは10kΩ以下であればよい。
本発明は上記（１）〜（３）の特徴を有しているため、
数MHzまでの高い繰り返し周波数が実現される。以下、
これを上記（１）〜（３）の特徴と対応させて説明す
る。
数MHzまでの高い繰り返し周波数が実現される。以下、
これを上記（１）〜（３）の特徴と対応させて説明す
る。
（１）について 一般にアバランシェトランジスタは、降伏時に数10Aの
電流を流す能力がある。従来の駆動方法では、上記のよ
うな大電流で駆動するため、繰り返し周波数を上げると
アバランシェトランジスタの損失が大きくなり、正常な
動作を示さなかった。そこで本発明は、アバランシェト
ランジスタを複数用いて並列接続し、これによって各々
のトランジスタのアバランシェ降伏時の電流を減少する
ことにより、アバランシェトランジスタの一個あたりの
損失を少なくしている。
電流を流す能力がある。従来の駆動方法では、上記のよ
うな大電流で駆動するため、繰り返し周波数を上げると
アバランシェトランジスタの損失が大きくなり、正常な
動作を示さなかった。そこで本発明は、アバランシェト
ランジスタを複数用いて並列接続し、これによって各々
のトランジスタのアバランシェ降伏時の電流を減少する
ことにより、アバランシェトランジスタの一個あたりの
損失を少なくしている。
ここで、第５図の従来技術では、複数個のアバランシェ
トランジスタを有しているが各々に容量Ｃが付加されて
いるため、降伏時にやはり数10Aの大電流が流れる。す
なわち、この従来技術で複数のアバランシェトランジス
タを用いているのは、出力インピーダンスを下げる目的
のためであり、繰り返し周波数を高くするためにコレク
タ電極とエミッタ電極を共通接続した本発明とは根本的
に異なる。
トランジスタを有しているが各々に容量Ｃが付加されて
いるため、降伏時にやはり数10Aの大電流が流れる。す
なわち、この従来技術で複数のアバランシェトランジス
タを用いているのは、出力インピーダンスを下げる目的
のためであり、繰り返し周波数を高くするためにコレク
タ電極とエミッタ電極を共通接続した本発明とは根本的
に異なる。
（２）について、 抵抗RBは容量C5への充電の役割を有し、またアバランシ
ェトランジスタの降伏時にはVB電源との間の絶縁の役割
も有している。容量C5への充電は抵抗RBが大きいほど時
間がかかり、充電が十分に完了していないと出力パルス
電圧が十分に出力されない。そして、この充電時間は時
定数C5RBでほぼ決定される。容量C5の容量が略100pFと
すると、数MHz以上（１μｓ以下）の繰り返し周波数を
達成するためには、R3＜10kΩとすることが必要にな
る。
ェトランジスタの降伏時にはVB電源との間の絶縁の役割
も有している。容量C5への充電は抵抗RBが大きいほど時
間がかかり、充電が十分に完了していないと出力パルス
電圧が十分に出力されない。そして、この充電時間は時
定数C5RBでほぼ決定される。容量C5の容量が略100pFと
すると、数MHz以上（１μｓ以下）の繰り返し周波数を
達成するためには、R3＜10kΩとすることが必要にな
る。
（３）について、 第５図に示す従来技術では、アバランシェトランジスタ
とトリガ手段の接続をコンデンサカップリングにより行
なっている。このため、ベース・エミッタ間の電位差は
ベース抵抗、ベース容量による抵抗分割、容量分割とな
るため、トリガ手段からのパルスを十分に伝送すること
ができない。
とトリガ手段の接続をコンデンサカップリングにより行
なっている。このため、ベース・エミッタ間の電位差は
ベース抵抗、ベース容量による抵抗分割、容量分割とな
るため、トリガ手段からのパルスを十分に伝送すること
ができない。
本発明の回路では、アバランシェトランジスタを並列に
共通接続しているため、全体でのベース容量が大きく、
また高いパルス電圧で駆動しないと、各々のアバランシ
ェトランジスタの降伏特性のバラツキにより、同時に降
伏させて繰り返し周波数を高くすることが難しい。そこ
で本発明では、パルストランスPTをトリガ入力側に用い
て、トランジスタ群１のベース電極とエミッタ電極間に
トリガ回路からのパルス電圧と同じ電圧を印加し、高電
圧を低インピーダンスでトランジスタ群１に入力するこ
とで実現している。
共通接続しているため、全体でのベース容量が大きく、
また高いパルス電圧で駆動しないと、各々のアバランシ
ェトランジスタの降伏特性のバラツキにより、同時に降
伏させて繰り返し周波数を高くすることが難しい。そこ
で本発明では、パルストランスPTをトリガ入力側に用い
て、トランジスタ群１のベース電極とエミッタ電極間に
トリガ回路からのパルス電圧と同じ電圧を印加し、高電
圧を低インピーダンスでトランジスタ群１に入力するこ
とで実現している。
以上、詳細に説明した通り本発明では、複数個のアバラ
ンシェトランジスタは並列にされてコレクタ、エミッ
タ、ベースが共通接続され、これにバイアス用の抵抗手
段と容量手段が接続される。このため、バイアス抵抗手
段を容量手段への高速チャージが可能な程度に低抵抗に
しても、アバランシェトランジスタのOFF時に流れるバ
イアス電流を抑え得るので、繰り返し周波数を高くする
ことが可能になる。このため、簡単な構成で短パルス電
圧を生成することができる。
ンシェトランジスタは並列にされてコレクタ、エミッ
タ、ベースが共通接続され、これにバイアス用の抵抗手
段と容量手段が接続される。このため、バイアス抵抗手
段を容量手段への高速チャージが可能な程度に低抵抗に
しても、アバランシェトランジスタのOFF時に流れるバ
イアス電流を抑え得るので、繰り返し周波数を高くする
ことが可能になる。このため、簡単な構成で短パルス電
圧を生成することができる。
第１図は本発明の第１実施例に係るパルス発生回路の回
路図、第２図はパルス電圧抜出回路の回路図、第３図は
レーザダイオードLDの出力波形図、第４図は第２実施例
に係るパルス発生回路の回路図、第５図は従来の第１の
例に係るパルス発生回路の回路図、第６図は従来の第２
の例に係るパルス発生回路の回路図である。 １……トランジスタ群、２……トリガ回路、３……パル
ス電圧抜出回路、PT……パルストランス、LD……レーザ
ダイオード、RB……バイアス用抵抗、C5……充電容量。
路図、第２図はパルス電圧抜出回路の回路図、第３図は
レーザダイオードLDの出力波形図、第４図は第２実施例
に係るパルス発生回路の回路図、第５図は従来の第１の
例に係るパルス発生回路の回路図、第６図は従来の第２
の例に係るパルス発生回路の回路図である。 １……トランジスタ群、２……トリガ回路、３……パル
ス電圧抜出回路、PT……パルストランス、LD……レーザ
ダイオード、RB……バイアス用抵抗、C5……充電容量。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−140686（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−34436（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭58−5528（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (7)
- 【請求項１】短パルス電圧を出力するパルス発生回路に
おいて、 アバランシェ降伏特性を示す複数個のトランジスタを並
列に有して構成され、各エミッタ電極、コレクタ電極お
よびベース電極がそれぞれ共通接続されたトランジスタ
群と、 前記トランジスタ群の前記ベース電極と前記エミッタ電
極の間に二次側巻線が接続され、一次側巻線にトリガが
印加されるパルストランスと、 前記トランジスタ群の前記コレクタ電極と基準電圧源の
一方の端子との間に接続された容量手段と、 前記トランジスタ群の前記コレクタ電極と前記基準電圧
源の他方の端子との間に接続された抵抗手段と、 前記トランジスタ群のエミッタ電極と前記基準電圧源の
一方の端子に接続され、短パルス電圧を出力するパルス
抜出手段とを備えることを特徴とするパルス発生回路。 - 【請求項２】短パルス電圧を出力するパルス発生回路に
おいて、 アバランシェ降伏特性を示す複数個のトランジスタを並
列に有して構成され、各エミッタ電極、コレクタ電極お
よびベース電極がそれぞれ共通接続されたトランジスタ
群と、 前記トランジスタ群の前記ベース電極と前記エミッタ電
極の間に二次側巻線が接続され、一次側巻線にトリガが
印加されるパルストランスと、 前記トランジスタ群の前記エミッタ電極と基準電圧源の
一方の端子との間に接続された容量手段と、 前記トランジスタ群の前記エミッタ電極と前記基準電圧
源の他方の端子との間に接続された抵抗手段と、 前記トランジスタ群のコレクタ電極と前記基準電圧源の
一方の端子に接続され、短パルス電圧を出力するパルス
抜出手段とを備えることを特徴とするパルス発生回路。 - 【請求項３】前記抵抗手段の抵抗値が10kΩ以下である
請求項１または２記載のパルス発生回路。 - 【請求項４】前記パルス抜出手段がパルストランスを有
して構成されている請求項1,2または３記載のパルス発
生回路。 - 【請求項５】前記パルス抜出手段が抵抗とコンデンサを
有して構成されている請求項1,2または３記載のパルス
発生回路。 - 【請求項６】前記容量手段が同軸ケーブルを有して構成
されている請求項１ないし５のいずれかに記載のパルス
発生回路。 - 【請求項７】前記パルス抜出手段が半導体発光素子に短
パルス電圧を与えて発光させるよう構成されている請求
項１ないし６のいずれかに記載のパルス発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12890090A JPH0724376B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | パルス発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12890090A JPH0724376B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | パルス発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423610A JPH0423610A (ja) | 1992-01-28 |
| JPH0724376B2 true JPH0724376B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=14996135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12890090A Expired - Fee Related JPH0724376B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | パルス発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724376B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042731A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Olympus Corp | パルス電源装置 |
| KR101967319B1 (ko) * | 2011-08-15 | 2019-04-09 | 니텍 인코포레이티드 | 애벌란시 펄서 |
| EP3435428B1 (en) * | 2017-07-26 | 2019-11-27 | ams AG | Light emitting semiconductor device for generation of short light pulses |
| WO2020250432A1 (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | オムロン株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| CN114665845B (zh) * | 2022-03-01 | 2023-12-22 | 电子科技大学 | 一种基于高电压触发和功率合成的高峰值功率脉冲源 |
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1990
- 1990-05-18 JP JP12890090A patent/JPH0724376B2/ja not_active Expired - Fee Related
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