JPH0423610A - パルス発生回路 - Google Patents
パルス発生回路Info
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- JPH0423610A JPH0423610A JP12890090A JP12890090A JPH0423610A JP H0423610 A JPH0423610 A JP H0423610A JP 12890090 A JP12890090 A JP 12890090A JP 12890090 A JP12890090 A JP 12890090A JP H0423610 A JPH0423610 A JP H0423610A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオード等の半導体発光素子を短パル
ス発光させる光源駆動回路などに応用される短パルス発
生回路に関する。
ス発光させる光源駆動回路などに応用される短パルス発
生回路に関する。
このような従来装置としては、アバランシェトランジス
タを用いた装置、ステップリカノくリダイオードを用い
た装置が知られている。
タを用いた装置、ステップリカノくリダイオードを用い
た装置が知られている。
アバランシェトランジスタを用いた光源駆動用のパルス
発生回路としては、例えばＪ、Ｐ、Ｈａｎｓｅｎによっ
て “Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ、
５５２１Ｂ（１９６７）”に第５図のような回路か開示
されている。図示の通り、３個のアバランシェトランジ
スタＱｌ−Ｑ３にはそれぞれバイアス用の抵抗Ｒ−Ｒ３
と容量Ｃ１〜Ｃ３を接続し、このアバランシェトランジ
スタＱ −Ｑ３の出力でレーザダイオードＬＤを発光さ
せている。ここで、アバランシェトランジスタＱ１〜Ｑ
３ごとに抵抗Ｒ，−Ｒ３を設けているのは、アバランシ
ェ降伏時のタイミング調整のためであり、繰り返し周波
数は１０ｋＨｚとなっている。
発生回路としては、例えばＪ、Ｐ、Ｈａｎｓｅｎによっ
て “Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ、
５５２１Ｂ（１９６７）”に第５図のような回路か開示
されている。図示の通り、３個のアバランシェトランジ
スタＱｌ−Ｑ３にはそれぞれバイアス用の抵抗Ｒ−Ｒ３
と容量Ｃ１〜Ｃ３を接続し、このアバランシェトランジ
スタＱ −Ｑ３の出力でレーザダイオードＬＤを発光さ
せている。ここで、アバランシェトランジスタＱ１〜Ｑ
３ごとに抵抗Ｒ，−Ｒ３を設けているのは、アバランシ
ェ降伏時のタイミング調整のためであり、繰り返し周波
数は１０ｋＨｚとなっている。
アバランシェトランジスタを用いた他の例としでは、第
６図のようなものがある。これは、Ｙ、Ｔｓｕｃｈｉｙ
ａらによって’Ｊ、ＡＩ）ｐｌ、Ｐｈｙｓ、５３６［１
３１（１９８２）’に発表されたものである。図示の通
り、アバランシェトランジスタＱ に抵抗Ｒ、Ｒと容量
Ｃ、Ｃを接続すると共に、トリガ印加用にパルストラン
スＰＴを用いている。
６図のようなものがある。これは、Ｙ、Ｔｓｕｃｈｉｙ
ａらによって’Ｊ、ＡＩ）ｐｌ、Ｐｈｙｓ、５３６［１
３１（１９８２）’に発表されたものである。図示の通
り、アバランシェトランジスタＱ に抵抗Ｒ、Ｒと容量
Ｃ、Ｃを接続すると共に、トリガ印加用にパルストラン
スＰＴを用いている。
しかし、アバランシェトランジスタを用いる方法では、
繰り返し周波数の上限は１０ｋＨｚ程度までにしかなら
なかった。すなわち、’Ｍ５図の回路でバイアス用の抵
抗Ｒ−Ｒ３を高抵抗にすると、容量Ｃ−０３のチャージ
が遅くなり、繰り■ 返し周波数を高くできない。そこで、抵抗Ｒ１〜Ｒ３を
低抵抗にすると、今度はアバランシェトランジスタＱ
〜Ｑ３がＯＦＦ時にエミッターコレフタ間に流れるバイ
アス電流を抑えることができなくりなり、従ってあまり
低抵抗にできない。このため、例えば第５図の回路では
抵抗Ｒ−Ｒ３−１５にΩとなっており、従って繰り返し
周波数は１０ｋＨｚ程度に制限されていた。
繰り返し周波数の上限は１０ｋＨｚ程度までにしかなら
なかった。すなわち、’Ｍ５図の回路でバイアス用の抵
抗Ｒ−Ｒ３を高抵抗にすると、容量Ｃ−０３のチャージ
が遅くなり、繰り■ 返し周波数を高くできない。そこで、抵抗Ｒ１〜Ｒ３を
低抵抗にすると、今度はアバランシェトランジスタＱ
〜Ｑ３がＯＦＦ時にエミッターコレフタ間に流れるバイ
アス電流を抑えることができなくりなり、従ってあまり
低抵抗にできない。このため、例えば第５図の回路では
抵抗Ｒ−Ｒ３−１５にΩとなっており、従って繰り返し
周波数は１０ｋＨｚ程度に制限されていた。
一方、ステップリカバリダイオードを用いたパルス発生
回路では、回路構成素子が多くなり、アバランシェトラ
ンジスタを用いたものに比べて、回路が複雑化する欠点
があった。
回路では、回路構成素子が多くなり、アバランシェトラ
ンジスタを用いたものに比べて、回路が複雑化する欠点
があった。
そこで本発明は、簡単な構成で高い繰り返し周波数を実
現することのできるパルス発生回路を提供することを目
的としている。
現することのできるパルス発生回路を提供することを目
的としている。
本発明に係るパルス発生回路は、短パルス電圧を出力す
るパルス発生回路において、アバランシェ降伏特性を示
す複数個のトランジスタを並列に有して構成され、各エ
ミッタ電極、コレクタ電極およびベース電極がそれぞれ
共通接続されたトランジスタ群と、トランジスタ群のベ
ース電極とエミッタ電極の間に二次側巻線が接続され、
一次側巻線にトリガが印加されるパルストランスと、ト
ランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と基
準電圧源の一方の端子との間に接続された容量手段と、
トランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と
基準電圧源の他方の端子との間に接続された抵抗手段と
、トランジスタ群のエミッタ電極（又はコレクタ電極）
と基準電圧源の一方の端子に接続され、短パルス電圧を
出力するパルス抜出手段とを備えることを特徴とする。
るパルス発生回路において、アバランシェ降伏特性を示
す複数個のトランジスタを並列に有して構成され、各エ
ミッタ電極、コレクタ電極およびベース電極がそれぞれ
共通接続されたトランジスタ群と、トランジスタ群のベ
ース電極とエミッタ電極の間に二次側巻線が接続され、
一次側巻線にトリガが印加されるパルストランスと、ト
ランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と基
準電圧源の一方の端子との間に接続された容量手段と、
トランジスタ群のコレクタ電極（又はエミッタ電極）と
基準電圧源の他方の端子との間に接続された抵抗手段と
、トランジスタ群のエミッタ電極（又はコレクタ電極）
と基準電圧源の一方の端子に接続され、短パルス電圧を
出力するパルス抜出手段とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、複数個のアバランシェトランジスタは
並列にされてコレクタ、エミッタ、ベースが共通接続さ
れ、これにバイアス用の抵抗手段と容量手段が接続され
る。このため、バイアス用の抵抗手段を容量手段への高
速チャージが可能な程度に低抵抗にしても、アバランシ
ェトランジスタのＯＦＦ時に流れるバイアス電流を抑え
得るので、繰り返し周波数を高くすることが可能になる
。
並列にされてコレクタ、エミッタ、ベースが共通接続さ
れ、これにバイアス用の抵抗手段と容量手段が接続され
る。このため、バイアス用の抵抗手段を容量手段への高
速チャージが可能な程度に低抵抗にしても、アバランシ
ェトランジスタのＯＦＦ時に流れるバイアス電流を抑え
得るので、繰り返し周波数を高くすることが可能になる
。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は第１実施例に係るパルス発生回路の回路図であ
る。アバランシェ特性を示すｎ個のアバランシェトラン
ジスタＱ１〜Ｑｎは、ベース電極、コレクタ電極および
エミッタ電極がそれぞれ共通接続され、１個のトランジ
スタ群１が構成される。
る。アバランシェ特性を示すｎ個のアバランシェトラン
ジスタＱ１〜Ｑｎは、ベース電極、コレクタ電極および
エミッタ電極がそれぞれ共通接続され、１個のトランジ
スタ群１が構成される。
トランジスタ群１のベース電極とエミッタ電極にはパル
ストランスＰＴの二次側が接続され、パルストランスＰ
Ｔの一次側にはトリが回路２が接続される。トランジス
タ群１のコレクタ電極にはバイアス用の抵抗Ｒと電荷チ
ャージ用の容量０５が接続され、この抵抗Ｒと容量Ｃ５
の間には基準電圧Ｖ８の電源が接続される。
ストランスＰＴの二次側が接続され、パルストランスＰ
Ｔの一次側にはトリが回路２が接続される。トランジス
タ群１のコレクタ電極にはバイアス用の抵抗Ｒと電荷チ
ャージ用の容量０５が接続され、この抵抗Ｒと容量Ｃ５
の間には基準電圧Ｖ８の電源が接続される。
パルス電圧抜出回路３は短パルス電圧を抜き出し、出力
するもので、例えば第２図（ａ）、（ｂ）のように構成
される。同図（ａ）では、パルス電圧抜出回路３はパル
ストランスにより構成されており、同図（ｂ）では抵抗
とコンデンサで構成されている。
するもので、例えば第２図（ａ）、（ｂ）のように構成
される。同図（ａ）では、パルス電圧抜出回路３はパル
ストランスにより構成されており、同図（ｂ）では抵抗
とコンデンサで構成されている。
次に、上記実施例に係るパルス発生回路の動作を説明す
る。
る。
トリガ回路２からのパルスがパルストランスＰＴに印加
されていない時は、基準電圧ＶＢ電源によってアバラン
シェトランジスタからなるトランジスタ群１には、アバ
ランシェ降伏電圧程度の値だけ低か印加されているとき
、数１００μＡ程度のバイアス電流ＩＢを流している。
されていない時は、基準電圧ＶＢ電源によってアバラン
シェトランジスタからなるトランジスタ群１には、アバ
ランシェ降伏電圧程度の値だけ低か印加されているとき
、数１００μＡ程度のバイアス電流ＩＢを流している。
これにより、トランジスタ群１のコレクタ電極には、Ｖ
ＢＩＢ−ＲＢの電圧がかかっていることになる。そして
、容量Ｃ５にもこの電圧で充電がされている。
ＢＩＢ−ＲＢの電圧がかかっていることになる。そして
、容量Ｃ５にもこの電圧で充電がされている。
次に、トリガ回路２からパルスが出力されると、パルス
トランスＰＴを介してトランジスタ群１のベース電極と
エミッタ電極の間にパルスが印加される。すると、トラ
ンジスタ群１中の各アバランシェトランジスタＱ１〜Ｑ
ｏはＯＮになり、容量Ｃ５に充電されていた電荷かトラ
ンジスタ群１を通してパルス電圧抜出回路３に入力され
る。ここで、アバランシェトランジスタ降伏時間は通常
で数１００ｐｓであるため、この短い立上り時間のパル
ス（短パルス電圧）が出力される。
トランスＰＴを介してトランジスタ群１のベース電極と
エミッタ電極の間にパルスが印加される。すると、トラ
ンジスタ群１中の各アバランシェトランジスタＱ１〜Ｑ
ｏはＯＮになり、容量Ｃ５に充電されていた電荷かトラ
ンジスタ群１を通してパルス電圧抜出回路３に入力され
る。ここで、アバランシェトランジスタ降伏時間は通常
で数１００ｐｓであるため、この短い立上り時間のパル
ス（短パルス電圧）が出力される。
ここで、パルス電圧抜出回路３は端子Ａ、Ｂ間の直流的
なインピーダンスを低くし、交流的なインピーダンスを
高くして、端子Ｃに向かうパルス波形出力の効率的な伝
送を可能にするよう構成しである。端子ＡＢ間の直流イ
ンピーダンスを低くする理由は、バイアス電流ＩＢによ
る端子Ａでの電圧上昇を防ぐためである。すなわち、端
子Ａての電位■ が上昇すると、容量Ｃ５にチャージさ
れている電荷の有効利用ができず、出力パルス電圧か小
さくなる。このことは、充電電荷ｑがｑ−Ｃ・■ −Ｃ（（Ｖ −Ｉ ・Ｒ）−Ｖ＾）ＢＢ と表わされるところから、■いを大きくするとｑか小さ
くなることから理解できる。
なインピーダンスを低くし、交流的なインピーダンスを
高くして、端子Ｃに向かうパルス波形出力の効率的な伝
送を可能にするよう構成しである。端子ＡＢ間の直流イ
ンピーダンスを低くする理由は、バイアス電流ＩＢによ
る端子Ａでの電圧上昇を防ぐためである。すなわち、端
子Ａての電位■ が上昇すると、容量Ｃ５にチャージさ
れている電荷の有効利用ができず、出力パルス電圧か小
さくなる。このことは、充電電荷ｑがｑ−Ｃ・■ −Ｃ（（Ｖ −Ｉ ・Ｒ）−Ｖ＾）ＢＢ と表わされるところから、■いを大きくするとｑか小さ
くなることから理解できる。
上記のパルス発生回路によってレーザダイオードＬＤを
発光させたときの光出力の一例を、第３図に示す。通常
、レーザダイオードＬＤでは印加電圧と光出力の非線形
性から、印加電圧のパルス幅より細いパルス幅のレーザ
光が生成される。例えば、波長７８０ ｎｍのレーザダ
イオードＬＤを第１図の回路で駆動すると、４０ｐ ｓ
程度の短バルス光が得られる。
発光させたときの光出力の一例を、第３図に示す。通常
、レーザダイオードＬＤでは印加電圧と光出力の非線形
性から、印加電圧のパルス幅より細いパルス幅のレーザ
光が生成される。例えば、波長７８０ ｎｍのレーザダ
イオードＬＤを第１図の回路で駆動すると、４０ｐ ｓ
程度の短バルス光が得られる。
第４図は第２実施例に係るパルス発生回路の回路図であ
る。図示の通り、この実施例ではトランジスタ群１をア
バランシェトランジスタＱ１〜Ｑ で構成し、そのエミ
ッタ電極に抵抗ＲＢと容量Ｃ５を接続し、コレクタ電極
にパルス電圧抜出回路３を接続している。この回路によ
っても、第１実施例と同様の効果が実現できる。
る。図示の通り、この実施例ではトランジスタ群１をア
バランシェトランジスタＱ１〜Ｑ で構成し、そのエミ
ッタ電極に抵抗ＲＢと容量Ｃ５を接続し、コレクタ電極
にパルス電圧抜出回路３を接続している。この回路によ
っても、第１実施例と同様の効果が実現できる。
上記のように本発明は、
（１） アバランシェトランジスタを複数個並列に接
続してトランジスタ群１を構成した点と、（２） バ
イアス抵抗ＲＢをトランジスタ群１の各アバランシェト
ランジスタに共通接続し、これによって抵抗Ｒｓの抵抗
値を低くした点と、（３）トリガ用にパルストランスを
用いた点とに特徴がある。なお、抵抗ＲＢは１０にΩ以
下であればよい。
続してトランジスタ群１を構成した点と、（２） バ
イアス抵抗ＲＢをトランジスタ群１の各アバランシェト
ランジスタに共通接続し、これによって抵抗Ｒｓの抵抗
値を低くした点と、（３）トリガ用にパルストランスを
用いた点とに特徴がある。なお、抵抗ＲＢは１０にΩ以
下であればよい。
本発明は上記（１）〜（３）の特徴を有しているため、
数Ｍ Ｈｚまでの高い繰り返し周波数が実現される。以
下、これを上記（１）〜（３）の特徴と対応させて説明
する。
数Ｍ Ｈｚまでの高い繰り返し周波数が実現される。以
下、これを上記（１）〜（３）の特徴と対応させて説明
する。
（１）について
一般にアバランシェトランジスタは、降伏時に数１ＯＡ
の電流を流す能力がある。従来の駆動方法では、上記の
ような大電流で駆動するため、繰り返し周波数を上げる
とアバランシェトランジスタの損失が大きくなり、正常
な動作を示さなかった。そこで本発明は、アバランシェ
トランジスタを複数用いて並列接続し、これによって各
々のトランジスタのアバランシェ降伏時の電流を減少す
ることにより、アバランシェトランジスタの一個あたり
の損失を少なくしている。
の電流を流す能力がある。従来の駆動方法では、上記の
ような大電流で駆動するため、繰り返し周波数を上げる
とアバランシェトランジスタの損失が大きくなり、正常
な動作を示さなかった。そこで本発明は、アバランシェ
トランジスタを複数用いて並列接続し、これによって各
々のトランジスタのアバランシェ降伏時の電流を減少す
ることにより、アバランシェトランジスタの一個あたり
の損失を少なくしている。
ここで、第５図の従来技術では、複数個のアバランシェ
トランジスタを有しているが各々に容量Ｃが付加されて
いるため、降伏時にやはり数１ＯＡの大電流が流れる。
トランジスタを有しているが各々に容量Ｃが付加されて
いるため、降伏時にやはり数１ＯＡの大電流が流れる。
すなわち、この従来技術で複数のアバランシェトランジ
スタを用いているのは、出力インピーダンスを下げる目
的のためであり、繰り返し周波数を高くするためにコレ
クタ電極とエミッタ電極を共通接続した本発明とは根本
的に異なる。
スタを用いているのは、出力インピーダンスを下げる目
的のためであり、繰り返し周波数を高くするためにコレ
クタ電極とエミッタ電極を共通接続した本発明とは根本
的に異なる。
（２）について、
抵抗Ｒは容量Ｃ５への充電の役割を有し、またアバラン
シェトランジスタの降伏時にはＶＢ電源との間の絶縁の
役割も有している。容量Ｃ５への充電は抵抗ＲＢが大き
いほど時間がかかり、充電が十分に完了していないと出
力パルス電圧が十分に出力されない。そして、この充電
時間は特定数Ｃ５Ｒｓでほぼ決定される。容量Ｃ５の容
量が略１００ｐＦとすると、数Ｍ Ｈｚ以上（１μｓ以
下）の繰り返し周波数を達成するためには、ＲＢ＜１０
にΩとすることが必要になる。
シェトランジスタの降伏時にはＶＢ電源との間の絶縁の
役割も有している。容量Ｃ５への充電は抵抗ＲＢが大き
いほど時間がかかり、充電が十分に完了していないと出
力パルス電圧が十分に出力されない。そして、この充電
時間は特定数Ｃ５Ｒｓでほぼ決定される。容量Ｃ５の容
量が略１００ｐＦとすると、数Ｍ Ｈｚ以上（１μｓ以
下）の繰り返し周波数を達成するためには、ＲＢ＜１０
にΩとすることが必要になる。
（３）について、
第５図に示す従来技術では、アバランシェトランジスタ
とトリガ手段の接続をコンデンサカップリングにより行
なっている。このため、ベース・エミッタ間の電位差は
ベース抵抗、ベース容量による抵抗分割、容量分割とな
るため、トリガ手段からのパルスを十分に伝送すること
ができない。
とトリガ手段の接続をコンデンサカップリングにより行
なっている。このため、ベース・エミッタ間の電位差は
ベース抵抗、ベース容量による抵抗分割、容量分割とな
るため、トリガ手段からのパルスを十分に伝送すること
ができない。
本発明の回路では、アバランシェトランジスタを並列に
共通接続しているため、全体でのベース容量が大きく、
また高いパルス電圧で駆動しないと、各々のアバランシ
ェトランジスタの降伏特性のバラツキにより、同時に降
伏させで繰り返し周波数を高くすることが難しい。そこ
で本発明では、パルストランスＰＴをトリガ入力側に用
いて、トランジスタ群１のベース電極とエミッタ電極間
にトリガ回路からのパルス電圧と同じ電圧を印加し、高
電圧を低インピーダンスでトランジスタ群１に入力する
ことて実現している。
共通接続しているため、全体でのベース容量が大きく、
また高いパルス電圧で駆動しないと、各々のアバランシ
ェトランジスタの降伏特性のバラツキにより、同時に降
伏させで繰り返し周波数を高くすることが難しい。そこ
で本発明では、パルストランスＰＴをトリガ入力側に用
いて、トランジスタ群１のベース電極とエミッタ電極間
にトリガ回路からのパルス電圧と同じ電圧を印加し、高
電圧を低インピーダンスでトランジスタ群１に入力する
ことて実現している。
以上、詳細に説明した通り本発明では、複数個のアバラ
ンシェトランジスタは並列にされてコレクタ、エミッタ
、ベースが共通接続され、これにバイアス用の抵抗手段
と容量手段が接続される。
ンシェトランジスタは並列にされてコレクタ、エミッタ
、ベースが共通接続され、これにバイアス用の抵抗手段
と容量手段が接続される。
このため、バイアス抵抗手段を容量手段への高速チャー
ジが可能な程度に低抵抗にしても、アバランシェトラン
ジスタのＯＦＦ時に流れるバイアス電流を抑え得るので
、繰り返し周波数を高くすることが可能になる。このた
め、簡単な構成で短パルス電圧を生成することができる
。
ジが可能な程度に低抵抗にしても、アバランシェトラン
ジスタのＯＦＦ時に流れるバイアス電流を抑え得るので
、繰り返し周波数を高くすることが可能になる。このた
め、簡単な構成で短パルス電圧を生成することができる
。
第１図は本発明の第１実施例に係るパルス発生回路の回
路図、第２図はパルス電圧抜出回路の回路図、第３図は
レーザダイオードＬＤの出力波形図、第４図は第２実施
例に係るパルス発生回路の回路図、第５図は従来の第１
の例に係るパルス発生回路の回路図、第６図は従来の第
２の例に係るパルス発生回路の回路図である。 １・・・トランジスタ群、２・・・トリガ回路、３・・
・パルス電圧抜出回路、ＰＴ・・・パルストランス、Ｌ
Ｄ・・・レーザダイオード、ＲＢ・・・バイアス用抵抗
、Ｃ５・・・充電容量。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹パルス扱出口路
の構成 ２００ｐｓ／ＤＩＶ 光出力 第３図 第１の従来例 第５図 り軒、２０１０ミ釆・９り 第６図
路図、第２図はパルス電圧抜出回路の回路図、第３図は
レーザダイオードＬＤの出力波形図、第４図は第２実施
例に係るパルス発生回路の回路図、第５図は従来の第１
の例に係るパルス発生回路の回路図、第６図は従来の第
２の例に係るパルス発生回路の回路図である。 １・・・トランジスタ群、２・・・トリガ回路、３・・
・パルス電圧抜出回路、ＰＴ・・・パルストランス、Ｌ
Ｄ・・・レーザダイオード、ＲＢ・・・バイアス用抵抗
、Ｃ５・・・充電容量。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹パルス扱出口路
の構成 ２００ｐｓ／ＤＩＶ 光出力 第３図 第１の従来例 第５図 り軒、２０１０ミ釆・９り 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、短パルス電圧を出力するパルス発生回路において、 アバランシェ降伏特性を示す複数個のトランジスタを並
列に有して構成され、各エミッタ電極、コレクタ電極お
よびベース電極がそれぞれ共通接続されたトランジスタ
群と、 前記トランジスタ群の前記ベース電極と前記エミッタ電
極の間に二次側巻線が接続され、一次側巻線にトリガが
印加されるパルストランスと、前記トランジスタ群の前
記コレクタ電極と基準電圧源の一方の端子との間に接続
された容量手段と、 前記トランジスタ群の前記コレクタ電極と前記基準電圧
源の他方の端子との間に接続された抵抗手段と、 前記トランジスタ群のエミッタ電極と前記基準電圧源の
一方の端子に接続され、短パルス電圧を出力するパルス
抜出手段とを備えることを特徴とするパルス発生回路。 ２、短パルス電圧を出力するパルス発生回路において、 アバランシェ降伏特性を示す複数個のトランジスタを並
列に有して構成され、各エミッタ電極、コレクタ電極お
よびベース電極がそれぞれ共通接続されたトランジスタ
群と、 前記トランジスタ群の前記ベース電極と前記エミッタ電
極の間に二次側巻線が接続され、一次側巻線にトリガが
印加されるパルストランスと、前記トランジスタ群の前
記エミッタ電極と基準電圧源の一方の端子との間に接続
された容量手段と、 前記トランジスタ群の前記エミッタ電極と前記基準電圧
源の他方の端子との間に接続された抵抗手段と、 前記トランジスタ群のコレクタ電極と前記基準電圧源の
一方の端子に接続され、短パルス電圧を出力するパルス
抜出手段とを備えることを特徴とするパルス発生回路。 ３、前記抵抗手段の抵抗値が１０ｋΩ以下である請求項
１または２記載のパルス発生回路。 ４、前記パルス抜出手段がパルストランスを有して構成
されている請求項１、２または３記載のパルス発生回路
。 ５、前記パルス抜出手段が抵抗とコンデンサを有して構
成されている請求項１、２または３記載のパルス発生回
路。 ６、前記容量手段が同軸ケーブルを有して構成されてい
る請求項１ないし５のいずれかに記載のパルス発生回路
。 ７、前記パルス抜出手段が半導体発光素子に短パルス電
圧を与えて発光させるよう構成されている請求項１ない
し６のいずれかに記載のパルス発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP12890090A JPH0724376B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | パルス発生回路 |
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| JPH0724376B2 JPH0724376B2 (ja) | 1995-03-15 |
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ID=14996135
Family Applications (1)
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| JP12890090A Expired - Fee Related JPH0724376B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | パルス発生回路 |
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| JP (1) | JPH0724376B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2014529069A (ja) * | 2011-08-15 | 2014-10-30 | ニイテク、インコーポレイテッドＮｉｉｔｅｋ， Ｉｎｃ． | アバランシェ・パルサ |
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-
1990
- 1990-05-18 JP JP12890090A patent/JPH0724376B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0724376B2 (ja) | 1995-03-15 |
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