JP2765828B2 - パルス発生器 - Google Patents
パルス発生器Info
- Publication number
- JP2765828B2 JP2765828B2 JP61205627A JP20562786A JP2765828B2 JP 2765828 B2 JP2765828 B2 JP 2765828B2 JP 61205627 A JP61205627 A JP 61205627A JP 20562786 A JP20562786 A JP 20562786A JP 2765828 B2 JP2765828 B2 JP 2765828B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- pulse
- diode
- terminal
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Manipulation Of Pulses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は良好なセトリング特性を有するパルスを発生
するパルス発生器に関する。 〔発明の技術的背景及びその問題点〕 高確度の測定を行なうための信号源や測定系自体のセ
トリング特性を調べるため等に使用するため、良好なセ
トリング特性を有するパルスを必要とすることがある。
しかしながら、たとえば、パルス振幅を８ビツトで表現
したとき、1LSBにセトリングするのに数ナノ秒以内、同
じく14ビツトで表現したときの1LSBにセトリングするの
に10マイクロ秒以内、かつセトリング後は一定値を維持
するという特性を有するパルスを発生するには、従来の
増幅器を用いたパルス発生器では不充分であつた。すな
わち従来のパルス発生器では、第２図に示すようなうね
りやレベルのゆつくりとした変動がかなり大きかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、高速かつ正確なセトリング特性を有
するパスル発生器を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の一実施例によれば、出力パルスの一方の側の
レベルが平坦になつている、すなわち高速にセトリング
しかつそのセトリング後のゆつくりとしたレベル変動も
ない、パルス発生器が示される。 このパルス発生器においては、パルス源から与えられ
るパルスをダイオードを用いた整形回路で整流する。こ
の整流回路の出力を所定の特性インピーダンスの伝送路
に与える。更に、この整形回路の出力を伝送路の特性イ
ンピーダンスで終端する。 整形回路のダイオードの極性を換えることにより、出
力パルスの２つのレベルのうちのどちらの側のレベルに
ついても良好なセトリングを与える側として選択するこ
とができる。 〔発明の実施例〕 第１図は本願の一実施例のパルス発生器であり、出力
の低レベル側が平坦な特性が得られるように構成されて
いる。 第１図の構成において、パルス源Ｐから発生されるパ
ルスVsは伝送路Liを介して整形回路Ｒへ与えられる。パ
ルス源Vsから与えられるパルスが、高レベル側の電圧VH
＞VF2、低レベル側の電圧VL＜０なる条件を満足するな
らば、整形回路Ｒから伝送路Loを介して負荷RLへ、低レ
ベル側が良好なセトリング特性を持つ、つまり平坦な出
力パルスVoが与えられる。この場合、パルス源Ｐの出力
であるVsにはそれ程高度のセトリング特性は要求されな
い。 すなわち、Vs＝VHのときにはダイオードD1はオフ、ダ
イオードD2はオンとなり、出力パルスVoとしてはVOHな
る電圧が現れる。VSがVHからVLに切換わると、ダイオー
ドD2は急速にオフになる。このとき、Ｂ側から整形回路
Ｒを見ると、整形回路Ｒの出力側が伝送路Loの特性イン
ピーダンスと同じ50オームの終端抵抗Roで終端されてい
るため、50オームの負荷RLで受けるとVOL＝0Vなる平坦
なパルスが得られる。 パルスVSの低レベル側の電圧VLが一定電圧ではなくて
も、その電圧が0V以下であればVOLは平坦で一定の電圧
が得られる。 整形回路Ｒの出力から負荷RLまではインピーダンス整
合のとれたケーブルL0で接続されている。第１図では系
のインピーダンスを50オームとしているが、他の値たと
えば75オームとしてもよいことは当然である。 ダイオードD1、D2がオンとなつたときの順方向電圧お
よびそのときの電流を夫々VF1、IF1、VF2、IF2とする
と、パルスの高レベルおよび低レベルの電圧は次のよう
に表わされる。 高レベル側（平坦ではない）： VOH＝（RoRL）IF2 抵抗Riの端子間電圧はVOH＋VF2であり、抵抗Riに流れ
る電流は、（VOH＋VF2）/Riであるので、 VH＝VOH＋VF2＋（IF2＋（VOH＋VF2）/Ri）・Rs ＝2VOH＋2VF2＋Rs・IF2 低レベル側（平坦）： VOL＝０ 抵抗Riの端子間電圧はVF1であり、抵抗Riに流れる電
流は、VF1/Riであるので、 VL≦VOL−VF1−（IF1＋VF1/Ri）・Rs したがって、 VL≦VOL−2VF1−Rs・IF1 （ただしRi＝Rs） VLの値は基本的にはVL＜0Vとしてよい。しかし、上式
においては整形回路ＲをＡ側から見たときのパルス源Ｐ
の負荷がある程度一定となるようにするため、低レベル
側でダイオードD1がオンとなるような電圧を与えてい
る。 このように構成された回路においては、上式に示した
低レベル側に関する条件が満足されていれば、セトリン
グ特性はほとんどダイオードD2と負荷条件によつて定ま
る。ダイオードD1、D2にシヨツトキー・バリア・ダイオ
ードを用いた場合の回路の出力パルスVo（VOH≒500mV、
VOL≒0V）の変化のシミュレーションの結果のグラフを
第３図に、またその立下りアンダーシュート部の拡大図
を第４図に示す。なお、ここにおいて、ダイオードD2と
してはD0−７パツケージに入つたハイバリア型のダイオ
ードを想定し、その等価回路としては第５図に注連すも
のを用いた。このシミユレーシヨン結果においては、い
つたんバウンドした後イベント発生から2.5ナノ秒で８
ビツト確度内にセトリングし、また５ナノ秒では12ビツ
ト確度となつている。またセトリング後は一定電圧を保
つ。ダイオードD1、D2はビーム・リード型の高速シヨツ
トキー・バリア・ダイオードを用いることにより、１ナ
ノ秒以下で８ビツト確度内への高速セトリングが可能と
なる。 なお、高レベル側が平坦な出力パルスを得たい場合に
は、ダイオードD1、D2の極性を逆にし、またパルス源Ｐ
が適切な電圧のパルスを発生するように設定すれば良
い。 第１図に示した回路は本発明の一実施例であり、これ
以外にも種々の変形があり得る。 たとえば第１図において、ダイオードD2がオンからオ
フになつたとき、接合容量、浮遊容量、リード・インダ
クタンスによつて生じるリンギングが問題となる場合に
は、第６図に示すように、ダイオードD2と同特性のダイ
オードD3を出力に付加しても良い。すなわちダイオード
D2のオン時にチヤージされた電荷を、付加されたダイオ
ードD3のチヤージで打消す。このとき、 VF3＝VOH≒VF2 としておく。 また、第７図に示すように、バイアス電圧を印加する
ことにより、平坦になるレベルを0V以外にすることもで
きる。このときバイアス電圧VBを供給する電源のインピ
ーダンスを広帯域に渡つて充分に低くするため、バイパ
ス・コンデンサCBを設ける。実際にはバイパス・コンデ
ンサCBとしてたとえば100pFから１μＦまで１デイケー
ド毎の値のチツプ・セラミツク型等の広帯域のコンデン
サを並列接続したものを設けることにより、バイアス電
圧VBがコンデンサの耐圧よりも充分小さいとき、10ナノ
秒で６ビツト確度、100ナノ秒で８ビツト確度程度のセ
トリング特性を得ることができる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば簡単な構成で極
めて良好なセトリング特性を有するパルスを発生するこ
とができるので、たとえば、セトリング特性を精密に測
定するために被測定デバイスに与えるパルスの信号源と
して用いることができる。
するパルス発生器に関する。 〔発明の技術的背景及びその問題点〕 高確度の測定を行なうための信号源や測定系自体のセ
トリング特性を調べるため等に使用するため、良好なセ
トリング特性を有するパルスを必要とすることがある。
しかしながら、たとえば、パルス振幅を８ビツトで表現
したとき、1LSBにセトリングするのに数ナノ秒以内、同
じく14ビツトで表現したときの1LSBにセトリングするの
に10マイクロ秒以内、かつセトリング後は一定値を維持
するという特性を有するパルスを発生するには、従来の
増幅器を用いたパルス発生器では不充分であつた。すな
わち従来のパルス発生器では、第２図に示すようなうね
りやレベルのゆつくりとした変動がかなり大きかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、高速かつ正確なセトリング特性を有
するパスル発生器を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の一実施例によれば、出力パルスの一方の側の
レベルが平坦になつている、すなわち高速にセトリング
しかつそのセトリング後のゆつくりとしたレベル変動も
ない、パルス発生器が示される。 このパルス発生器においては、パルス源から与えられ
るパルスをダイオードを用いた整形回路で整流する。こ
の整流回路の出力を所定の特性インピーダンスの伝送路
に与える。更に、この整形回路の出力を伝送路の特性イ
ンピーダンスで終端する。 整形回路のダイオードの極性を換えることにより、出
力パルスの２つのレベルのうちのどちらの側のレベルに
ついても良好なセトリングを与える側として選択するこ
とができる。 〔発明の実施例〕 第１図は本願の一実施例のパルス発生器であり、出力
の低レベル側が平坦な特性が得られるように構成されて
いる。 第１図の構成において、パルス源Ｐから発生されるパ
ルスVsは伝送路Liを介して整形回路Ｒへ与えられる。パ
ルス源Vsから与えられるパルスが、高レベル側の電圧VH
＞VF2、低レベル側の電圧VL＜０なる条件を満足するな
らば、整形回路Ｒから伝送路Loを介して負荷RLへ、低レ
ベル側が良好なセトリング特性を持つ、つまり平坦な出
力パルスVoが与えられる。この場合、パルス源Ｐの出力
であるVsにはそれ程高度のセトリング特性は要求されな
い。 すなわち、Vs＝VHのときにはダイオードD1はオフ、ダ
イオードD2はオンとなり、出力パルスVoとしてはVOHな
る電圧が現れる。VSがVHからVLに切換わると、ダイオー
ドD2は急速にオフになる。このとき、Ｂ側から整形回路
Ｒを見ると、整形回路Ｒの出力側が伝送路Loの特性イン
ピーダンスと同じ50オームの終端抵抗Roで終端されてい
るため、50オームの負荷RLで受けるとVOL＝0Vなる平坦
なパルスが得られる。 パルスVSの低レベル側の電圧VLが一定電圧ではなくて
も、その電圧が0V以下であればVOLは平坦で一定の電圧
が得られる。 整形回路Ｒの出力から負荷RLまではインピーダンス整
合のとれたケーブルL0で接続されている。第１図では系
のインピーダンスを50オームとしているが、他の値たと
えば75オームとしてもよいことは当然である。 ダイオードD1、D2がオンとなつたときの順方向電圧お
よびそのときの電流を夫々VF1、IF1、VF2、IF2とする
と、パルスの高レベルおよび低レベルの電圧は次のよう
に表わされる。 高レベル側（平坦ではない）： VOH＝（RoRL）IF2 抵抗Riの端子間電圧はVOH＋VF2であり、抵抗Riに流れ
る電流は、（VOH＋VF2）/Riであるので、 VH＝VOH＋VF2＋（IF2＋（VOH＋VF2）/Ri）・Rs ＝2VOH＋2VF2＋Rs・IF2 低レベル側（平坦）： VOL＝０ 抵抗Riの端子間電圧はVF1であり、抵抗Riに流れる電
流は、VF1/Riであるので、 VL≦VOL−VF1−（IF1＋VF1/Ri）・Rs したがって、 VL≦VOL−2VF1−Rs・IF1 （ただしRi＝Rs） VLの値は基本的にはVL＜0Vとしてよい。しかし、上式
においては整形回路ＲをＡ側から見たときのパルス源Ｐ
の負荷がある程度一定となるようにするため、低レベル
側でダイオードD1がオンとなるような電圧を与えてい
る。 このように構成された回路においては、上式に示した
低レベル側に関する条件が満足されていれば、セトリン
グ特性はほとんどダイオードD2と負荷条件によつて定ま
る。ダイオードD1、D2にシヨツトキー・バリア・ダイオ
ードを用いた場合の回路の出力パルスVo（VOH≒500mV、
VOL≒0V）の変化のシミュレーションの結果のグラフを
第３図に、またその立下りアンダーシュート部の拡大図
を第４図に示す。なお、ここにおいて、ダイオードD2と
してはD0−７パツケージに入つたハイバリア型のダイオ
ードを想定し、その等価回路としては第５図に注連すも
のを用いた。このシミユレーシヨン結果においては、い
つたんバウンドした後イベント発生から2.5ナノ秒で８
ビツト確度内にセトリングし、また５ナノ秒では12ビツ
ト確度となつている。またセトリング後は一定電圧を保
つ。ダイオードD1、D2はビーム・リード型の高速シヨツ
トキー・バリア・ダイオードを用いることにより、１ナ
ノ秒以下で８ビツト確度内への高速セトリングが可能と
なる。 なお、高レベル側が平坦な出力パルスを得たい場合に
は、ダイオードD1、D2の極性を逆にし、またパルス源Ｐ
が適切な電圧のパルスを発生するように設定すれば良
い。 第１図に示した回路は本発明の一実施例であり、これ
以外にも種々の変形があり得る。 たとえば第１図において、ダイオードD2がオンからオ
フになつたとき、接合容量、浮遊容量、リード・インダ
クタンスによつて生じるリンギングが問題となる場合に
は、第６図に示すように、ダイオードD2と同特性のダイ
オードD3を出力に付加しても良い。すなわちダイオード
D2のオン時にチヤージされた電荷を、付加されたダイオ
ードD3のチヤージで打消す。このとき、 VF3＝VOH≒VF2 としておく。 また、第７図に示すように、バイアス電圧を印加する
ことにより、平坦になるレベルを0V以外にすることもで
きる。このときバイアス電圧VBを供給する電源のインピ
ーダンスを広帯域に渡つて充分に低くするため、バイパ
ス・コンデンサCBを設ける。実際にはバイパス・コンデ
ンサCBとしてたとえば100pFから１μＦまで１デイケー
ド毎の値のチツプ・セラミツク型等の広帯域のコンデン
サを並列接続したものを設けることにより、バイアス電
圧VBがコンデンサの耐圧よりも充分小さいとき、10ナノ
秒で６ビツト確度、100ナノ秒で８ビツト確度程度のセ
トリング特性を得ることができる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば簡単な構成で極
めて良好なセトリング特性を有するパルスを発生するこ
とができるので、たとえば、セトリング特性を精密に測
定するために被測定デバイスに与えるパルスの信号源と
して用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のパルス発生器の回路図、第
２図は従来のパルス発生器の出力の一例を示す図、第３
図は第１図に示す本発明の一実施例の出力の回路シミユ
レーシヨン結果の一例を示す図、第４図は第３図の部分
拡大図、第５図は第３図に示す結果を与えるために示い
られるダイオードの等価回路を示す図、第６図および第
７図は夫々第１図に示す本発明のパルス発生器の変形例
を示す図である。 P:パルス源、R:整形回路、 Li、Lo:伝送路、 D1、D2、D3:ダイオード、 Ro:終端抵抗。
２図は従来のパルス発生器の出力の一例を示す図、第３
図は第１図に示す本発明の一実施例の出力の回路シミユ
レーシヨン結果の一例を示す図、第４図は第３図の部分
拡大図、第５図は第３図に示す結果を与えるために示い
られるダイオードの等価回路を示す図、第６図および第
７図は夫々第１図に示す本発明のパルス発生器の変形例
を示す図である。 P:パルス源、R:整形回路、 Li、Lo:伝送路、 D1、D2、D3:ダイオード、 Ro:終端抵抗。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．パルス発生源と、 内部導体が前記パルス発生源の出力に接続され、外部導
体が接地された第１伝送線路と、 前記第１伝送線路の出力に接続された入力端と、出力端
と、を有する波形整形回路であって、該入力端に一端が
接続され前記第１伝送線路の特性インピーダンスとほぼ
同じ抵抗値を有する第１終端抵抗と、前記入力端に一端
が接続され他端が接地された第１ダイオードと、該第１
ダイオードの、前記入力端に接続された極性と反対の極
性側が前記入力端に接続され、他端が前記出力端に接続
された第２ダイオードと、前記出力端に一端が接続され
た第２終端抵抗と、を有して成り、前記第１、第２終端
抵抗のそれぞれの他端は接地されている波形整形回路
と、 前記波形整形回路の前記出力端に内部導体が接続される
とともに外部導体は接地され、前記第２終端抵抗の抵抗
値とほぼ同じ値の特性インピーダンスを有し、出力が負
荷に接続されて該負荷に出力パルス信号を供給する第２
伝送線路と、 を備えて成るパルス発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205627A JP2765828B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | パルス発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205627A JP2765828B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | パルス発生器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361504A JPS6361504A (ja) | 1988-03-17 |
| JP2765828B2 true JP2765828B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16510020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61205627A Expired - Lifetime JP2765828B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | パルス発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765828B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451672U (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-30 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724118A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Hitachi Ltd | Signal level stabilizing system |
| JPS5896418A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Nec Corp | 断続回路 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP61205627A patent/JP2765828B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361504A (ja) | 1988-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |