JPH0474463A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0474463A JPH0474463A JP18851990A JP18851990A JPH0474463A JP H0474463 A JPH0474463 A JP H0474463A JP 18851990 A JP18851990 A JP 18851990A JP 18851990 A JP18851990 A JP 18851990A JP H0474463 A JPH0474463 A JP H0474463A
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Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にポリシリコ
ン膜からなる抵抗負荷素子とバイポーラトランジスタの
エミッタ電極とを有する半導体装置の製造方法に関する
。
ン膜からなる抵抗負荷素子とバイポーラトランジスタの
エミッタ電極とを有する半導体装置の製造方法に関する
。
従来技術によるＮＰＮバイポーラトランジスタの製造方
法について、第３図（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する
。
法について、第３図（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する
。
はじめに第３図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板
１の上にコレクタ引き出しのための高濃度Ｎ型埋込層２
が選択的に設けられたのち、Ｎ型エピタキシャル層３が
形成される。
１の上にコレクタ引き出しのための高濃度Ｎ型埋込層２
が選択的に設けられたのち、Ｎ型エピタキシャル層３が
形成される。
つぎにＮ型エピタキシャル層３の表面に素子分離用のフ
ィールド酸化膜４が選択的に形成されたのち、ベース拡
散層５およびコレクタ引き出し用のＮ型拡散層６が形成
される。
ィールド酸化膜４が選択的に形成されたのち、ベース拡
散層５およびコレクタ引き出し用のＮ型拡散層６が形成
される。
つぎにエミッタ形成予定領域に開口８を有する酸化シリ
コン膜７が形成される。
コン膜７が形成される。
つぎに第３図（ｂ）に示すように、ポリシリコンからな
る開口８を覆うエミッタ電極９と抵抗負荷素子１０とが
形成される。
る開口８を覆うエミッタ電極９と抵抗負荷素子１０とが
形成される。
つぎに窒化シリコン膜１２のパターンで抵抗負荷素子の
高抵抗素子部を覆って、例えば砒素をイオン注入して、
エミッタ電極つと抵抗負荷素子１０の低抵抗部とに砒素
が導入される。
高抵抗素子部を覆って、例えば砒素をイオン注入して、
エミッタ電極つと抵抗負荷素子１０の低抵抗部とに砒素
が導入される。
つぎに第３図（ｃ）に示すように、熱処理によりエミッ
タ電極９からの不純物拡散によって、エミッタ拡散層１
３が形成される。
タ電極９からの不純物拡散によって、エミッタ拡散層１
３が形成される。
同時に抵抗素子内の不純物が活性化され、高抵抗部１０
ａと低抵抗部１０ｂとが形成される。
ａと低抵抗部１０ｂとが形成される。
つぎに全面に層間絶縁膜１４が形成されたのち、コンタ
クト孔が開口され、アルミ配線１５が形成される。
クト孔が開口され、アルミ配線１５が形成される。
従来バイポーラトランジスタのエミッタ拡散層形成の際
に、高温の熱処理によってポリシリコンからなるエミッ
タ電極からシリコン基板への不純物拡散を行なっている
。
に、高温の熱処理によってポリシリコンからなるエミッ
タ電極からシリコン基板への不純物拡散を行なっている
。
このとき抵抗負荷素子においては、この高温熱処理によ
るポリシリコン中の不純物拡散が横方向にも進行してし
まうため、高抵抗部の抵抗長がマスク寸法に比べて短か
くなって、素子の微細化を制限してしまうという問題が
ある。
るポリシリコン中の不純物拡散が横方向にも進行してし
まうため、高抵抗部の抵抗長がマスク寸法に比べて短か
くなって、素子の微細化を制限してしまうという問題が
ある。
熱履歴を低減することにより横方向拡散を減少させて抵
抗長を確保する方法も考えられるが、今度はエミッタ電
極からシリコン基板への不純物拡散によるエミッタ拡散
層の形成が十分には行なわれないという欠点がある。
抗長を確保する方法も考えられるが、今度はエミッタ電
極からシリコン基板への不純物拡散によるエミッタ拡散
層の形成が十分には行なわれないという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、コレクタとなる第１
導電型の半導体層表面に第２導電型のベース拡散層を形
成する工程と、前記ベース拡散層上の一部に開口部を有
する酸化シリコン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜
を形成して前記抵抗負荷素子の高抵抗部となる領域に選
択的に酸素および窒素のうち一つをイオン注入する工程
と、前記ポリシリコン膜のうち前記エミッタ電極および
抵抗負荷素子の低抵抗部となる領域に選択的に第１導電
型不純物をイオン注入する工程と、前記エミッタ電極か
らの不純物拡散により、前記ベース拡散層内に第１導電
型のエミッタ拡散層を形成する工程とからなるものであ
る。
導電型の半導体層表面に第２導電型のベース拡散層を形
成する工程と、前記ベース拡散層上の一部に開口部を有
する酸化シリコン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜
を形成して前記抵抗負荷素子の高抵抗部となる領域に選
択的に酸素および窒素のうち一つをイオン注入する工程
と、前記ポリシリコン膜のうち前記エミッタ電極および
抵抗負荷素子の低抵抗部となる領域に選択的に第１導電
型不純物をイオン注入する工程と、前記エミッタ電極か
らの不純物拡散により、前記ベース拡散層内に第１導電
型のエミッタ拡散層を形成する工程とからなるものであ
る。
本発明の第１の実施例について、第１図（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
ここではＮＰＮバイボーパトランジスタと抵抗負荷素子
とを形成している。
とを形成している。
はじめに第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板
１の上にコレクタ引き出しのための高濃度型埋込層２を
選択的に設けたのち、コレクタ領域となるＮ型エピタキ
シャル層３を形成する。
１の上にコレクタ引き出しのための高濃度型埋込層２を
選択的に設けたのち、コレクタ領域となるＮ型エピタキ
シャル層３を形成する。
つぎにＮ型エピタキシャル層３の表面に素子分離用のフ
ィールド酸化膜４を選択的に設けたのち、硼素イオンを
加速エネルギー１０〜５０ｋｅＶ、注入量（ドース）
１〜４ Ｘ １０ ”ｃ ｍ−２７７）条件で注入して
ベース拡散層５を形成する。つぎにコレクタ引き出し用
のＮ型拡散層６を形成する。
ィールド酸化膜４を選択的に設けたのち、硼素イオンを
加速エネルギー１０〜５０ｋｅＶ、注入量（ドース）
１〜４ Ｘ １０ ”ｃ ｍ−２７７）条件で注入して
ベース拡散層５を形成する。つぎにコレクタ引き出し用
のＮ型拡散層６を形成する。
つぎに全面に１０００〜５０００人の酸化シリコン膜７
を堆積したのち、エミッタ形成予定領域に開口８を選択
的に設ける。
を堆積したのち、エミッタ形成予定領域に開口８を選択
的に設ける。
つぎに第１図（ｂ）に示すように、全面に２０００〜４
０００人のポリシリコン膜を堆積し、パターニングによ
りポリシリコンからなるエミッタ電極９と抵抗負荷素子
１０とを形成する。
０００人のポリシリコン膜を堆積し、パターニングによ
りポリシリコンからなるエミッタ電極９と抵抗負荷素子
１０とを形成する。
つぎにフォトレジスト１１をマスクとして抵抗負荷素子
の高抵抗素子部に加速エネルギー４０〜８０ｋｅＶ、注
入量（ドース） １０１４〜１０１８ｃｍ−２の条件で
酸素のイオン注入を行なう。
の高抵抗素子部に加速エネルギー４０〜８０ｋｅＶ、注
入量（ドース） １０１４〜１０１８ｃｍ−２の条件で
酸素のイオン注入を行なう。
つぎに第１図（ｃ）に示すように、抵抗負荷素子の高抵
抗部となる領域に窒化シリコンＭ１２のを形成し、この
窒化シリコン膜１２をマスクとして砒素イオンを例えば
加速エネルギー５０〜１００ｋｅＶ、注入量（ドース）
１０１５〜１０１６ｃｍ−２注入する。このイオン注入
の際、酸化シリコン膜７、フィールド酸化膜４もシリコ
ン基板に対してマスクとなっている。
抗部となる領域に窒化シリコンＭ１２のを形成し、この
窒化シリコン膜１２をマスクとして砒素イオンを例えば
加速エネルギー５０〜１００ｋｅＶ、注入量（ドース）
１０１５〜１０１６ｃｍ−２注入する。このイオン注入
の際、酸化シリコン膜７、フィールド酸化膜４もシリコ
ン基板に対してマスクとなっている。
つぎに第１図（ｄ）に示すように、はじめに従来通りの
９００〜１０００℃の熱処理を行なうことにより、エミ
ッタ電極９からシリコン基板に砒素を拡散させてエミッ
タ拡散層１３を形成すると同時に抵抗負荷素子１０ａ、
１０ｂに注入した砒素の活性化を行なう。
９００〜１０００℃の熱処理を行なうことにより、エミ
ッタ電極９からシリコン基板に砒素を拡散させてエミッ
タ拡散層１３を形成すると同時に抵抗負荷素子１０ａ、
１０ｂに注入した砒素の活性化を行なう。
このとき高抵抗部１０ａには予め酸素が注入されている
ため、低抵抗部１０ｂからの砒素の横方向拡散を抑える
ことができ、マスク寸法通りの抵抗長を確保することが
できる。
ため、低抵抗部１０ｂからの砒素の横方向拡散を抑える
ことができ、マスク寸法通りの抵抗長を確保することが
できる。
つぎに眉間絶縁膜１４を堆積し、コンタクト孔を開口し
たのち、アルミ配線１４を形成して素子部が完成する。
たのち、アルミ配線１４を形成して素子部が完成する。
つぎに本発明の第２の実施例について、第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
窒化シリコン膜１２のパターンで抵抗負荷素子１０の高
抵抗素子部を覆って、燐をイオン注入して、エミッタ電
極９と抵抗負荷素子１０との低抵抗部とに燐を導入する
。
抵抗素子部を覆って、燐をイオン注入して、エミッタ電
極９と抵抗負荷素子１０との低抵抗部とに燐を導入する
。
抵抗負荷素子の高抵抗部となる領域に選択的に酸素また
は窒素のイオン注入を行なうことにより、従来通りエミ
ッタ電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形
成すると同時に、抵抗負荷素子の高抵抗部への横方向拡
散を抑え、マスク寸法通りの抵抗長を得ることができる
という効果がある。
は窒素のイオン注入を行なうことにより、従来通りエミ
ッタ電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形
成すると同時に、抵抗負荷素子の高抵抗部への横方向拡
散を抑え、マスク寸法通りの抵抗長を得ることができる
という効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を工程順
に示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す断
面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来技術による半導体装
置の製造工程を示す断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ型高濃度埋込層
、３・・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・フィールド
酸化膜、５・・・ベース拡散層、６・・・Ｎ型拡散層、
７・・・酸化シリコン膜、８・・・開口、９・・・エミ
ッタ電極、１０・・・抵抗負荷素子、１０ａ・・・高抵
抗部、１０ｂ・・・低抵抗部、１１・・・フォトレジス
ト、１２・・・窒化シリコン膜、１３・・・エミッタ拡
散層、１４・・・層間絶縁膜、１５・・・アルミ配線。
に示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す断
面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来技術による半導体装
置の製造工程を示す断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ型高濃度埋込層
、３・・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・フィールド
酸化膜、５・・・ベース拡散層、６・・・Ｎ型拡散層、
７・・・酸化シリコン膜、８・・・開口、９・・・エミ
ッタ電極、１０・・・抵抗負荷素子、１０ａ・・・高抵
抗部、１０ｂ・・・低抵抗部、１１・・・フォトレジス
ト、１２・・・窒化シリコン膜、１３・・・エミッタ拡
散層、１４・・・層間絶縁膜、１５・・・アルミ配線。
Claims (1)
- 抵抗負荷素子とバイポーラトランジスタとを有する半
導体装置において、コレクタとなる第１導電型の半導体
層表面に第２導電型のベース拡散層を形成する工程と、
前記ベース拡散層上の一部に開口部を有する酸化シリコ
ン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜を形成して前記
抵抗負荷素子の高抵抗部となる領域に選択的に酸素およ
び窒素のうち一つをイオン注入する工程と、前記ポリシ
リコン膜のうち前記エミッタ電極および抵抗負荷素子の
低抵抗部となる領域に選択的に第１導電型不純物をイオ
ン注入する工程と、前記エミッタ電極からの不純物拡散
により、前記ベース拡散層内に第１導電型のエミッタ拡
散層を形成する工程とからなることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18851990A JPH0474463A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18851990A JPH0474463A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474463A true JPH0474463A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16225136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18851990A Pending JPH0474463A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474463A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101019428B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-03-09 | 가부시키가이샤 시마세이키 세이사쿠쇼 | 횡편기의 끝실 처리장치 및 방법 |
| EP2341171A1 (en) | 2009-12-29 | 2011-07-06 | Shima Seiki Mfg., Ltd | Knitting yarn gripping device of flatbed knitting machine, and control method of the same |
| KR101347674B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2014-01-03 | 가부시키가이샤 시마세이키 세이사쿠쇼 | 편사 지지절단장치 및 횡편기 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18851990A patent/JPH0474463A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101019428B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-03-09 | 가부시키가이샤 시마세이키 세이사쿠쇼 | 횡편기의 끝실 처리장치 및 방법 |
| KR101347674B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2014-01-03 | 가부시키가이샤 시마세이키 세이사쿠쇼 | 편사 지지절단장치 및 횡편기 |
| EP2341171A1 (en) | 2009-12-29 | 2011-07-06 | Shima Seiki Mfg., Ltd | Knitting yarn gripping device of flatbed knitting machine, and control method of the same |
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