JPH0473086B2 - - Google Patents
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- JPH0473086B2 JPH0473086B2 JP59061942A JP6194284A JPH0473086B2 JP H0473086 B2 JPH0473086 B2 JP H0473086B2 JP 59061942 A JP59061942 A JP 59061942A JP 6194284 A JP6194284 A JP 6194284A JP H0473086 B2 JPH0473086 B2 JP H0473086B2
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- thermistors
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/66—Circuits
- H05B6/68—Circuits for monitoring or control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/045—Circuits
- G01N27/046—Circuits provided with temperature compensation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/56—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content
- G01N25/62—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by psychrometric means, e.g. wet-and-dry bulb thermometers
- G01N25/64—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by psychrometric means, e.g. wet-and-dry bulb thermometers using electric temperature-responsive elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、たとえば電子レンジにおいて誘電加
熱される被調理物の仕上りの程度を検出するため
などに有利に実施される検出装置に関する。
熱される被調理物の仕上りの程度を検出するため
などに有利に実施される検出装置に関する。
背景技術
このような電子レンジでは、被調理物の誘電加
熱による仕上り状態を検出するために、いわゆる
絶対湿度センサが用いられる。第１図は、絶対湿
度センサＳに関連する電気回路図である。この絶
対湿度センサＳは、被調理物が収納される加熱室
からの排ガスの湿度を検出するために一対のサー
ミスタＳ１，Ｓ２を含む。一方のサーミスタＳ１
は、前記排ガスに接触することができ、もう１つ
のサーミスタＳ２は、排ガスに接触しないように
乾燥した空気の雰囲気内に置かれる。サーミスタ
Ｓ１，Ｓ２の直列回路に並列に抵抗Raおよび可
変抵抗Rbが配置される。これらの２つのサーミ
スタを加熱した状態にすると、排ガスに接触して
いるサーミスタＳ１は、その排ガス中に含まれて
いる水分が付着し、その水分の潜熱によつて冷却
される。こうして排ガスに接触しているサーミス
タＳ１と乾燥空気内に置かれているもう１つのサ
ーミスタＳ２との抵抗値の差によつて、排ガスの
湿度を検出することができる。この湿度が予め定
めた値になつたときに被調理物を誘電加熱するマ
グネトロンなどの電磁波発生手段が停止される。
熱による仕上り状態を検出するために、いわゆる
絶対湿度センサが用いられる。第１図は、絶対湿
度センサＳに関連する電気回路図である。この絶
対湿度センサＳは、被調理物が収納される加熱室
からの排ガスの湿度を検出するために一対のサー
ミスタＳ１，Ｓ２を含む。一方のサーミスタＳ１
は、前記排ガスに接触することができ、もう１つ
のサーミスタＳ２は、排ガスに接触しないように
乾燥した空気の雰囲気内に置かれる。サーミスタ
Ｓ１，Ｓ２の直列回路に並列に抵抗Raおよび可
変抵抗Rbが配置される。これらの２つのサーミ
スタを加熱した状態にすると、排ガスに接触して
いるサーミスタＳ１は、その排ガス中に含まれて
いる水分が付着し、その水分の潜熱によつて冷却
される。こうして排ガスに接触しているサーミス
タＳ１と乾燥空気内に置かれているもう１つのサ
ーミスタＳ２との抵抗値の差によつて、排ガスの
湿度を検出することができる。この湿度が予め定
めた値になつたときに被調理物を誘電加熱するマ
グネトロンなどの電磁波発生手段が停止される。
従来から、絶対湿度センサＳを構成する一対の
サーミスタは、排ガス経路内に設けられる。した
がつて、これら２つのサーミスタの温度は同一で
あり、排ガスの温度にほぼ等しい。したがつて、
これら２つのサーミスタの温度に依存する特性は
同一でなければならず、すなわち、温度に依存し
た２つのサーミスタの抵抗値の差が、排ガスの温
度変化範囲にわたつて一定値でなければならな
い。排ガスの温度がたとえば、常温から100℃前
後まで広範囲に変動する。また、センサーを雰囲
気が高温状態、たとえば約200℃で使用したい場
合もある。したがつて、このような広範囲にわた
る排ガスの温度変化範囲内で、温度特性が同一で
ある２つのサーミスタをまた、センサーを雰囲気
が高温状態、たとえば約200℃で使用したい場合
もある。探し出すことは容易ではない。したがつ
て従来では、生産性が劣ることになる。
サーミスタは、排ガス経路内に設けられる。した
がつて、これら２つのサーミスタの温度は同一で
あり、排ガスの温度にほぼ等しい。したがつて、
これら２つのサーミスタの温度に依存する特性は
同一でなければならず、すなわち、温度に依存し
た２つのサーミスタの抵抗値の差が、排ガスの温
度変化範囲にわたつて一定値でなければならな
い。排ガスの温度がたとえば、常温から100℃前
後まで広範囲に変動する。また、センサーを雰囲
気が高温状態、たとえば約200℃で使用したい場
合もある。したがつて、このような広範囲にわた
る排ガスの温度変化範囲内で、温度特性が同一で
ある２つのサーミスタをまた、センサーを雰囲気
が高温状態、たとえば約200℃で使用したい場合
もある。探し出すことは容易ではない。したがつ
て従来では、生産性が劣ることになる。
第１図示の回路において、サーミスタＳ１，Ｓ
２の温度に依存する特性が一致していないときに
は、次のような問題が生じる。排ガス中の湿度が
零であるとき排ガス温度を変化すると第２図に示
されるように判定レベルｌを越えることが生じ、
排ガス中に水分が含まれているものとして誤検出
されるという欠点があつた。検出値が判定レベル
ｌを越えると調理器の加熱動作が停止される。
２の温度に依存する特性が一致していないときに
は、次のような問題が生じる。排ガス中の湿度が
零であるとき排ガス温度を変化すると第２図に示
されるように判定レベルｌを越えることが生じ、
排ガス中に水分が含まれているものとして誤検出
されるという欠点があつた。検出値が判定レベル
ｌを越えると調理器の加熱動作が停止される。
目 的
本発明の目的は、広い温度範囲で温度特性が一
致していなくてもよい一対サーミスタを用いて、
しかも広い温度範囲で水分などの物理量を正確に
検出することができる検出装置を提供することで
ある。
致していなくてもよい一対サーミスタを用いて、
しかも広い温度範囲で水分などの物理量を正確に
検出することができる検出装置を提供することで
ある。
発明の構成
本発明は、負の温度特性を有し、物理量を検出
すべき検出用サーミスタ１２と、 負の温度特性を有し、前記物理量の変化によつ
て電気的特性が変化せず、検出用サーミスタ１２
と直列に接続される標準用サーミスタ１３と、 検出用サーミスタ１２および標準用サーミスタ
１３とともにブリツジを構成し、抵抗値が一定で
ある一対の抵抗Ra，Rbと、 検出用サーミスタ１２と標準用サーミスタ１３
との接続点１９と、一対の抵抗Ra，Rbの接続点
２０との間の電圧を比較する手段２３と、 ブリツジの残余の２つの接続点１６，１８間に
接続され、その残余の２つの接続点１６，１８間
の抵抗値が減少すると電流を減少し、これとは逆
に抵抗値が上昇すると電流を増大する電流制御回
路１７とを含むことを特徴とする検出装置であ
る。
すべき検出用サーミスタ１２と、 負の温度特性を有し、前記物理量の変化によつ
て電気的特性が変化せず、検出用サーミスタ１２
と直列に接続される標準用サーミスタ１３と、 検出用サーミスタ１２および標準用サーミスタ
１３とともにブリツジを構成し、抵抗値が一定で
ある一対の抵抗Ra，Rbと、 検出用サーミスタ１２と標準用サーミスタ１３
との接続点１９と、一対の抵抗Ra，Rbの接続点
２０との間の電圧を比較する手段２３と、 ブリツジの残余の２つの接続点１６，１８間に
接続され、その残余の２つの接続点１６，１８間
の抵抗値が減少すると電流を減少し、これとは逆
に抵抗値が上昇すると電流を増大する電流制御回
路１７とを含むことを特徴とする検出装置であ
る。
実施例
第３図は、本発明の一実施例の調理器１の簡略
化した斜視図である。加熱室２には、電磁波を発
生させるマグネトロンなどによつて実現される第
１加熱手段４およびヒータなどによつて実現され
る第２加熱手段５，６が設けられている。被調理
物７は、第１加熱手段４および第２加熱手段５，
６によつて加熱される。絶対湿度センサ８は、排
気ダクト９を介して加熱室２内の温度および湿度
を検出する。フアン１０は、第１加熱手段４を冷
却するために用いられる。
化した斜視図である。加熱室２には、電磁波を発
生させるマグネトロンなどによつて実現される第
１加熱手段４およびヒータなどによつて実現され
る第２加熱手段５，６が設けられている。被調理
物７は、第１加熱手段４および第２加熱手段５，
６によつて加熱される。絶対湿度センサ８は、排
気ダクト９を介して加熱室２内の温度および湿度
を検出する。フアン１０は、第１加熱手段４を冷
却するために用いられる。
第４図は、絶対湿度センサ８に関連する電気回
路図である。ブリツジ１１は検出素子である一対
のサーミスタ１２，１３を含む。サーミスタ１
２，１３は、電流を流すことによつてヒータとし
て自己発熱動作を行なう。一方のサーミスタ１２
は開放形であり、そのため加熱室２からの排ガス
に接触することができる。他方のサーミスタ１３
は、乾燥室（図示せず）に入れられ密閉状態であ
るため湿度の変化によつて出力が変化しないよう
になつている。サーミスタ１２，１３は、加熱室
２からの排ガスおよびサーミスタ１２，１３の自
己発熱によつて、およそ200〜300℃に保たれる。
ブリツジ１１は、またインピーダンス素子である
抵抗１４，１５を含んでいる。サーミスタ１２と
抵抗１４との接続点１６は、電流制御回路１７に
接続されている。サーミスタ１３と抵抗１５との
接続点１８は接地される。サーミスタ１２，１３
の接続点１９と抵抗１４，１５との接続点２０と
は、それぞれ増幅用抵抗２１，２２を介して、演
算増幅器２３の入力端子に接続される。演算増幅
器２３は増幅用抵抗２３ａおよび増幅器２３ｂか
らなる。演算増幅器２３は、出力端子２４に接続
される。
路図である。ブリツジ１１は検出素子である一対
のサーミスタ１２，１３を含む。サーミスタ１
２，１３は、電流を流すことによつてヒータとし
て自己発熱動作を行なう。一方のサーミスタ１２
は開放形であり、そのため加熱室２からの排ガス
に接触することができる。他方のサーミスタ１３
は、乾燥室（図示せず）に入れられ密閉状態であ
るため湿度の変化によつて出力が変化しないよう
になつている。サーミスタ１２，１３は、加熱室
２からの排ガスおよびサーミスタ１２，１３の自
己発熱によつて、およそ200〜300℃に保たれる。
ブリツジ１１は、またインピーダンス素子である
抵抗１４，１５を含んでいる。サーミスタ１２と
抵抗１４との接続点１６は、電流制御回路１７に
接続されている。サーミスタ１３と抵抗１５との
接続点１８は接地される。サーミスタ１２，１３
の接続点１９と抵抗１４，１５との接続点２０と
は、それぞれ増幅用抵抗２１，２２を介して、演
算増幅器２３の入力端子に接続される。演算増幅
器２３は増幅用抵抗２３ａおよび増幅器２３ｂか
らなる。演算増幅器２３は、出力端子２４に接続
される。
以下、電流制御回路１７の電気的構成について
説明する。ツエナダイオードＤのカソード側は保
護用抵抗Ｒ１を介して電源端子２５に接続され
る。ツエナダイオードＤのアノード側は接地され
る。ツエナダイオードＤのカソード側と保護用抵
抗Ｒ１の接続点は増幅用抵抗Ｒ２を介して増幅器
３０のプラス側に接続される。増幅器３０のプラ
ス側は増幅用抵抗Ｒ３を介して接地される。増幅
器３０の出力側は保護用抵抗Ｒ４を介して増幅器
３１のプラス側に接続される。増幅器３１のマイ
ナス側は保護用抵抗Ｒ５を介して、トランジスタ
Ｔのエミツタに接続される。増幅器３１の出力側
は保護用抵抗Ｒ７を介してPNP接合形のトラン
ジスタＴのベースに接続される。トランジスタＴ
のエミツタは電流検出用抵抗Ｒ６を介して電源端
子２５に接続される。トランジスタＴのコレクタ
は、ブリツジ１１の接続点１６に接続される。接
続点１６は、増幅用抵抗Ｒ８を介して、増幅器３
０のマイナス側に接続される。増幅器３０の出力
側は増幅用抵抗Ｒ９を介して増幅器３０のマイナ
ス側に接続される。
説明する。ツエナダイオードＤのカソード側は保
護用抵抗Ｒ１を介して電源端子２５に接続され
る。ツエナダイオードＤのアノード側は接地され
る。ツエナダイオードＤのカソード側と保護用抵
抗Ｒ１の接続点は増幅用抵抗Ｒ２を介して増幅器
３０のプラス側に接続される。増幅器３０のプラ
ス側は増幅用抵抗Ｒ３を介して接地される。増幅
器３０の出力側は保護用抵抗Ｒ４を介して増幅器
３１のプラス側に接続される。増幅器３１のマイ
ナス側は保護用抵抗Ｒ５を介して、トランジスタ
Ｔのエミツタに接続される。増幅器３１の出力側
は保護用抵抗Ｒ７を介してPNP接合形のトラン
ジスタＴのベースに接続される。トランジスタＴ
のエミツタは電流検出用抵抗Ｒ６を介して電源端
子２５に接続される。トランジスタＴのコレクタ
は、ブリツジ１１の接続点１６に接続される。接
続点１６は、増幅用抵抗Ｒ８を介して、増幅器３
０のマイナス側に接続される。増幅器３０の出力
側は増幅用抵抗Ｒ９を介して増幅器３０のマイナ
ス側に接続される。
ここで、絶対湿度センサ８の動作について簡単
に述べる。後述のように、電流制御回路１７の働
きによつて、サーミスタ１２，１３の表面温度が
一定に保たれるように、これらのサーミスタ１
２，１３から成る直列回路と、抵抗１４，１５と
から成る直列回路との並列回路に、電流が供給さ
れる状態において、そのサーミスタ１２，１３
は、前記表面温度が同一の一定値であるとき、そ
のサーミスタ１２，１３の抵抗値が同一であるも
のと想定する。また抵抗１４，１５の各抵抗値は
同一であると想定する。排ガスに水分が含まれて
おらず、湿度が零であるとき、接続点１６，１８
間の電圧をV0とするとき、抵抗１５の電圧およ
びサーミスタ１３の電圧は、V0／２である。加
熱室２内からの排ガスに水分が含まれており、湿
度が零でないとき、抵抗１３の電圧は変化しない
が、サーミスタ１３の電圧は変化する。すなわち
サーミスタ１２の表面温度が、排ガス中に含まれ
る水分によつて下がり、抵抗値を増大させる。こ
のためサーミスタ１３の電圧が、より大きくな
る。サーミスタ１３の電圧の変化は、湿度に対応
するため、サーミスタ１３の電圧と抵抗１５の電
圧の差を求めることによつて、湿度を検出するこ
とができる。
に述べる。後述のように、電流制御回路１７の働
きによつて、サーミスタ１２，１３の表面温度が
一定に保たれるように、これらのサーミスタ１
２，１３から成る直列回路と、抵抗１４，１５と
から成る直列回路との並列回路に、電流が供給さ
れる状態において、そのサーミスタ１２，１３
は、前記表面温度が同一の一定値であるとき、そ
のサーミスタ１２，１３の抵抗値が同一であるも
のと想定する。また抵抗１４，１５の各抵抗値は
同一であると想定する。排ガスに水分が含まれて
おらず、湿度が零であるとき、接続点１６，１８
間の電圧をV0とするとき、抵抗１５の電圧およ
びサーミスタ１３の電圧は、V0／２である。加
熱室２内からの排ガスに水分が含まれており、湿
度が零でないとき、抵抗１３の電圧は変化しない
が、サーミスタ１３の電圧は変化する。すなわち
サーミスタ１２の表面温度が、排ガス中に含まれ
る水分によつて下がり、抵抗値を増大させる。こ
のためサーミスタ１３の電圧が、より大きくな
る。サーミスタ１３の電圧の変化は、湿度に対応
するため、サーミスタ１３の電圧と抵抗１５の電
圧の差を求めることによつて、湿度を検出するこ
とができる。
以下、絶対湿度センサ８に関連する動作につい
て、第３図を参照して説明する。サーミスタ１
２，１３は加熱室２内の温度の上昇につれて、抵
抗値を減少させる。すなわちサーミスタ１２，１
３は負の温度特性を有する。このためサーミスタ
１２，１３の直列回路の両端の電位差は加熱室２
内が常温のときよりも減少する。サーミスタ１
２，１３の直列回路の両端の電位差が減少するこ
とによつて、その変化は増幅用抵抗Ｒ８を介して
増幅器３０のマイナス側に入力される。増幅器３
０のマイナス側に入力される信号電圧がより小さ
くなるので、増幅器３０のプラス側とマイナス側
の電位の差がより大きくなる。このため増幅器３
０は、常温時よりも高い出力を保護用抵抗Ｒ４を
介して増幅器３１のプラス側に出力する。増幅器
３１のプラス側により高い信号電圧が印加される
ため、増幅器３１は、常温時よりも高い出力を保
護用抵抗Ｒ７を介して、トランジスタＴのベース
に出力する。トランジスタＴのベースにより高い
信号が入力されるとトランジスタＴはPNP接合
であるため増幅率を減少させる。トランジスタＴ
の増幅率が減少することによりブリツジ１１に流
れる電流が減少する。このためサーミスタ１２，
１３の自己発熱量が小さくなり、サーミスタ１
２，１３の抵抗値が増大する。またブリツジ１１
に流れる電流が減少するため、電流検出用抵抗Ｒ
６の電圧降下が少なくなり増幅器３１のマイナス
側の電位が上昇する。電流検出用抵抗Ｒ６、ツエ
ナダイオードＤおよび増幅器３０の増幅率によつ
て定められた電流値で安定する。こうして排ガス
に水分が含まれておらず、湿度が零であるとき、
サーミスタ１２，１３の各温度は、いずれも、一
定値であり、しかも前述のようにこの一定の温度
状態では、サーミスタ１２，１３の抵抗値は等し
い。このように、サーミスタ１２，１３は、前記
一定の温度で抵抗が等しいものを、選別して用い
ればよく、前述の先行技術のように広い温度範囲
にわたつてその温度特定が同一であるものを選別
する必要がない。
て、第３図を参照して説明する。サーミスタ１
２，１３は加熱室２内の温度の上昇につれて、抵
抗値を減少させる。すなわちサーミスタ１２，１
３は負の温度特性を有する。このためサーミスタ
１２，１３の直列回路の両端の電位差は加熱室２
内が常温のときよりも減少する。サーミスタ１
２，１３の直列回路の両端の電位差が減少するこ
とによつて、その変化は増幅用抵抗Ｒ８を介して
増幅器３０のマイナス側に入力される。増幅器３
０のマイナス側に入力される信号電圧がより小さ
くなるので、増幅器３０のプラス側とマイナス側
の電位の差がより大きくなる。このため増幅器３
０は、常温時よりも高い出力を保護用抵抗Ｒ４を
介して増幅器３１のプラス側に出力する。増幅器
３１のプラス側により高い信号電圧が印加される
ため、増幅器３１は、常温時よりも高い出力を保
護用抵抗Ｒ７を介して、トランジスタＴのベース
に出力する。トランジスタＴのベースにより高い
信号が入力されるとトランジスタＴはPNP接合
であるため増幅率を減少させる。トランジスタＴ
の増幅率が減少することによりブリツジ１１に流
れる電流が減少する。このためサーミスタ１２，
１３の自己発熱量が小さくなり、サーミスタ１
２，１３の抵抗値が増大する。またブリツジ１１
に流れる電流が減少するため、電流検出用抵抗Ｒ
６の電圧降下が少なくなり増幅器３１のマイナス
側の電位が上昇する。電流検出用抵抗Ｒ６、ツエ
ナダイオードＤおよび増幅器３０の増幅率によつ
て定められた電流値で安定する。こうして排ガス
に水分が含まれておらず、湿度が零であるとき、
サーミスタ１２，１３の各温度は、いずれも、一
定値であり、しかも前述のようにこの一定の温度
状態では、サーミスタ１２，１３の抵抗値は等し
い。このように、サーミスタ１２，１３は、前記
一定の温度で抵抗が等しいものを、選別して用い
ればよく、前述の先行技術のように広い温度範囲
にわたつてその温度特定が同一であるものを選別
する必要がない。
加熱室２内の温度が下降する際は、前述の動作
と逆になり、ブリツジ１１に流れる電流値が増大
し、サーミスタ１２，１３の発熱量が大きくな
る。加熱室２内の温度に対する電流の増減率はサ
ーミスタ１２，１３の熱容量に起因することにな
る。
と逆になり、ブリツジ１１に流れる電流値が増大
し、サーミスタ１２，１３の発熱量が大きくな
る。加熱室２内の温度に対する電流の増減率はサ
ーミスタ１２，１３の熱容量に起因することにな
る。
このようにして、排ガスの温度が変化しても、
サーミスタ１２，１３の表面温度は、その排ガス
中に水分が含まれていないかぎり、一定に保たれ
ることになる。
サーミスタ１２，１３の表面温度は、その排ガス
中に水分が含まれていないかぎり、一定に保たれ
ることになる。
排気ダクト９を通過する排ガスの温度は、加熱
調理が進行しているときは、常温から100℃まで
変化する。また第２加熱手段の使用直後には、約
200℃程度になつている。排ガス中に水分が含ま
れているときは、この水分がサーミスタ１２の表
面に付着する。この水分が気化するときの潜熱に
よつてサーミスタ１２の温度が低下し、この潜熱
に起因したサーミスタ１２の温度変化分は、たと
えば１℃未満程度であつて排ガスの常温から100
℃ないしは約200℃までの大きな温度変化分に比
べてごくわずかである。したがつてサーミスタ１
２，１３は、電流制御回路１７の働きによつてそ
れらの各表面温度が同一となる電流が流されると
きにおける抵抗値が等しいものを選別して使用す
ればよく、前述の先行技術のように大きな温度範
囲にわたつて温度特性が同一であるものを選別す
る必要がない。しかもサーミスタ１２に排ガス中
の水分が付着してそのサーミスタ１２の温度が変
化して、その温度降下が生じればよく、したがつ
て２つのサーミスタ１２，１３の前記一定温度以
外の範囲でその抵抗値の温度特性が異なつていれ
も、支障はない。
調理が進行しているときは、常温から100℃まで
変化する。また第２加熱手段の使用直後には、約
200℃程度になつている。排ガス中に水分が含ま
れているときは、この水分がサーミスタ１２の表
面に付着する。この水分が気化するときの潜熱に
よつてサーミスタ１２の温度が低下し、この潜熱
に起因したサーミスタ１２の温度変化分は、たと
えば１℃未満程度であつて排ガスの常温から100
℃ないしは約200℃までの大きな温度変化分に比
べてごくわずかである。したがつてサーミスタ１
２，１３は、電流制御回路１７の働きによつてそ
れらの各表面温度が同一となる電流が流されると
きにおける抵抗値が等しいものを選別して使用す
ればよく、前述の先行技術のように大きな温度範
囲にわたつて温度特性が同一であるものを選別す
る必要がない。しかもサーミスタ１２に排ガス中
の水分が付着してそのサーミスタ１２の温度が変
化して、その温度降下が生じればよく、したがつ
て２つのサーミスタ１２，１３の前記一定温度以
外の範囲でその抵抗値の温度特性が異なつていれ
も、支障はない。
出力端子２４では、排ガスが乾燥しているとき
の出力値を基準として、その出力値からのずれ
は、排ガス中の水分量すなわち湿度に対応してい
る。
の出力値を基準として、その出力値からのずれ
は、排ガス中の水分量すなわち湿度に対応してい
る。
電流制御回路１７は、排ガスの湿度に起因した
サーミスタ１２，１３の温度変化を防ぎ、排ガス
の湿度に起因したサーミスタ１２，１３の抵抗値
の変化は、前述のように、ごくわずかであるの
で、サーミスタ１２，１３の温度のごくわずかの
変動の範囲内で湿度に起因した電気信号の変化が
出力端子２４に得られる。
サーミスタ１２，１３の温度変化を防ぎ、排ガス
の湿度に起因したサーミスタ１２，１３の抵抗値
の変化は、前述のように、ごくわずかであるの
で、サーミスタ１２，１３の温度のごくわずかの
変動の範囲内で湿度に起因した電気信号の変化が
出力端子２４に得られる。
第５図は、本発明に従う絶対湿度センサ８の加
熱時間雰囲気温度を上昇させたいと、その出力の
関係を示すグラフである。排ガス中の湿度が零で
あるとき、第５図に示されるように絶対湿度セン
サ８の加熱時間を増加しても、出力端子２４の出
力値は、ほぼ一定のままである。
熱時間雰囲気温度を上昇させたいと、その出力の
関係を示すグラフである。排ガス中の湿度が零で
あるとき、第５図に示されるように絶対湿度セン
サ８の加熱時間を増加しても、出力端子２４の出
力値は、ほぼ一定のままである。
先行技術の検出装置では、検出素子であるサー
ミスタは、調理器からの排ガスによつて、表面温
度が、常温〜約200℃の温度範囲で変化していた。
そのため排ガスの温度範囲に対応したサーミスタ
の温度範囲において、特性が完全に一致するサー
ミスタを見付け出すことは困難であつた。これに
対して本発明では、上述のようにサーミスタ１２
の湿度による温度変化を検出するものであり、電
流制御回路１７の働きによつて、排ガス中に水分
が含まれていない状態では、サーミスタ１２，１
３の表面温度は常に一定に保たれ、サーミスタ１
２は、排ガスに含まれる水分に起因した温度変化
を生じる。したがつて、排ガスの温度が広い温度
範囲で変化しても、その排ガス中に水分が含まれ
ていないときには、サーミスタ１２，１３の温度
は電流制御回路１７の働きによつて一定に保た
れ、したがつて排ガスの温度の変化によつて水分
があるものと誤検出するおそれはない。このよう
な排ガスの広い温度範囲内で、その排ガス中に水
分が含まれているときにだけ、サーミスタ１２の
表面温度が水分の潜熱によつて変化し、これによ
つてサーミスタ１２の表面温度が下降し、サーミ
スタ１２，１３の抵抗値が変化し、このことが検
出されることになる。
ミスタは、調理器からの排ガスによつて、表面温
度が、常温〜約200℃の温度範囲で変化していた。
そのため排ガスの温度範囲に対応したサーミスタ
の温度範囲において、特性が完全に一致するサー
ミスタを見付け出すことは困難であつた。これに
対して本発明では、上述のようにサーミスタ１２
の湿度による温度変化を検出するものであり、電
流制御回路１７の働きによつて、排ガス中に水分
が含まれていない状態では、サーミスタ１２，１
３の表面温度は常に一定に保たれ、サーミスタ１
２は、排ガスに含まれる水分に起因した温度変化
を生じる。したがつて、排ガスの温度が広い温度
範囲で変化しても、その排ガス中に水分が含まれ
ていないときには、サーミスタ１２，１３の温度
は電流制御回路１７の働きによつて一定に保た
れ、したがつて排ガスの温度の変化によつて水分
があるものと誤検出するおそれはない。このよう
な排ガスの広い温度範囲内で、その排ガス中に水
分が含まれているときにだけ、サーミスタ１２の
表面温度が水分の潜熱によつて変化し、これによ
つてサーミスタ１２の表面温度が下降し、サーミ
スタ１２，１３の抵抗値が変化し、このことが検
出されることになる。
上述の実施例では、排ガス中に水分が含まれて
いないときにおけるサーミスタ１２，１３の表面
温度が一定値とされ、このときのサーミスタ１
２，１３の抵抗値が等しくなるように選ばれたけ
れども、本発明の他の実施例として、この一定の
温度状態において、サーミスタ１２，１３の抵抗
値は異なつていてもよく、本発明では、排ガス中
に水分が含まれていないとき、その排ガスの広い
温度範囲の変化にかかわらず、サーミスタ１２，
１３の表面温度が、排ガス中に水分が含まれてい
ないとき、電流制御回路１７の働きによつて一定
の温度に保たれることが重要である。このように
して、本発明によれば、前述の先行技術において
述べたように、広い温度範囲にわたつて温度特性
が同一であるサーミスタを選別する必要がなくな
る。
いないときにおけるサーミスタ１２，１３の表面
温度が一定値とされ、このときのサーミスタ１
２，１３の抵抗値が等しくなるように選ばれたけ
れども、本発明の他の実施例として、この一定の
温度状態において、サーミスタ１２，１３の抵抗
値は異なつていてもよく、本発明では、排ガス中
に水分が含まれていないとき、その排ガスの広い
温度範囲の変化にかかわらず、サーミスタ１２，
１３の表面温度が、排ガス中に水分が含まれてい
ないとき、電流制御回路１７の働きによつて一定
の温度に保たれることが重要である。このように
して、本発明によれば、前述の先行技術において
述べたように、広い温度範囲にわたつて温度特性
が同一であるサーミスタを選別する必要がなくな
る。
効 果
以上のように本発明によれば、サーミスタ１
２，１３の表面温度は、電流制御回路１７の働き
によつて、検出用サーミスタ１２が水分によつて
温度下降しないとき、一定になるように保たれ、
検出用サーミスタ１２に水分が接触してその潜熱
によつて温度下降したことが、比較手段２３によ
つて検出されるようにしたので、２つのサーミス
タ１２，１３の温度特性を、広い温度範囲にわた
つて同一となつているものを選別する必要がなく
なり、温度の変化にかかわらず、水分などの物理
量の検出が可能になる。
２，１３の表面温度は、電流制御回路１７の働き
によつて、検出用サーミスタ１２が水分によつて
温度下降しないとき、一定になるように保たれ、
検出用サーミスタ１２に水分が接触してその潜熱
によつて温度下降したことが、比較手段２３によ
つて検出されるようにしたので、２つのサーミス
タ１２，１３の温度特性を、広い温度範囲にわた
つて同一となつているものを選別する必要がなく
なり、温度の変化にかかわらず、水分などの物理
量の検出が可能になる。
第１図は先行技術の絶対湿度センサに関連する
電気回路図、第２図は先行技術に従がう絶対湿度
センサの加熱時間とその出力の関係を示すグラ
フ、第３図は本発明の一実施例の調理器１の簡略
化した斜視図、第４図は絶対湿度センサ８に関連
する電気回路図、第５図は本発明に従がう絶対湿
度センサ８の加熱時間雰囲気温度を上昇させると
その出力の関係を示すグラフである。 １……調理器、４……第１加熱手段、５，６…
…第２加熱手段、８……絶対湿度センサ、１１…
…ブリツジ、１２，１３……サーミスタ、１７…
…電流制御回路、２３……演算増幅器。
電気回路図、第２図は先行技術に従がう絶対湿度
センサの加熱時間とその出力の関係を示すグラ
フ、第３図は本発明の一実施例の調理器１の簡略
化した斜視図、第４図は絶対湿度センサ８に関連
する電気回路図、第５図は本発明に従がう絶対湿
度センサ８の加熱時間雰囲気温度を上昇させると
その出力の関係を示すグラフである。 １……調理器、４……第１加熱手段、５，６…
…第２加熱手段、８……絶対湿度センサ、１１…
…ブリツジ、１２，１３……サーミスタ、１７…
…電流制御回路、２３……演算増幅器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 負の温度特性を有し、物理量を検出すべき検
出用サーミスタ１２と、 負の温度特性を有し、前記物理量の変化によつ
て電気的特性が変化せず、検出用サーミスタ１２
と直列に接続される標準用サーミスタ１３と、 検出用サーミスタ１２および標準用サーミスタ
１３とともにブリツジを構成し、抵抗値が一定で
ある一対の抵抗Ra，Rbと、 検出用サーミスタ１２と標準用サーミスタ１３
との接続点１９と、一対の抵抗Ra，Rbの接続点
２０との間の電圧を比較する手段２３と、 ブリツジの残余の２つの接続点１６，１８間に
接続され、その残余の２つの接続点１６，１８間
の抵抗値が減少すると電流を減少し、これとは逆
に抵抗値が上昇すると電流を増大する電流制御回
路１７とを含むことを特徴とする検出装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061942A JPS60203811A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 検出装置 |
| US06/715,293 US4658120A (en) | 1984-03-28 | 1985-03-25 | Sensor device for use with cooking appliances |
| KR1019850001971A KR890004503B1 (ko) | 1984-03-28 | 1985-03-25 | 요리기구용 감지기 장치 |
| DE19853511144 DE3511144A1 (de) | 1984-03-28 | 1985-03-27 | Sensoreinrichtung insbesondere fuer ein kochgeraet |
| GB08508062A GB2158246B (en) | 1984-03-28 | 1985-03-28 | Sensor temperature compensation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061942A JPS60203811A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60203811A JPS60203811A (ja) | 1985-10-15 |
| JPH0473086B2 true JPH0473086B2 (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=13185743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061942A Granted JPS60203811A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 検出装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4658120A (ja) |
| JP (1) | JPS60203811A (ja) |
| KR (1) | KR890004503B1 (ja) |
| DE (1) | DE3511144A1 (ja) |
| GB (1) | GB2158246B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2172999A (en) * | 1985-03-25 | 1986-10-01 | Protimeter Plc | A humidity measurement or control instrument |
| US4911357A (en) * | 1988-04-11 | 1990-03-27 | Shibaura Electronics Company, Ltd. | Humidity controller utilizing absolute humidity |
| DE3833295A1 (de) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Siemens Ag | Schneller, temperaturkompensierter sensor, insbesondere fuer sauerstoff und fuer autoabgase |
| AU657016B2 (en) * | 1991-12-16 | 1995-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | A circuit for humidity detection |
| AT399235B (de) * | 1992-12-24 | 1995-04-25 | Vaillant Gmbh | Verfahren zur funktionskontrolle eines temperaturfühlers |
| JPH07199636A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Fujitsu Ltd | トナーの残量検出装置 |
| JPH10239264A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Sanriki Kogyo Kk | 電気抵抗式湿度センサ |
| GB2347748B (en) * | 1999-03-08 | 2003-07-16 | John Sutton | Probe device for apparatus for monitoring corrosion of a material |
| KR100378814B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-04-07 | 엘지전자 주식회사 | 리니어 컴프레샤의 구동회로 |
| TWI320633B (en) * | 2006-03-22 | 2010-02-11 | Asustek Comp Inc | Fan system with hysteresis character and method thereof |
| JP5657628B2 (ja) * | 2012-11-12 | 2015-01-21 | 本田技研工業株式会社 | 温度検出回路 |
| US11064570B2 (en) * | 2015-01-28 | 2021-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cooking appliance and method for controlling the same |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB812129A (en) * | 1954-08-07 | 1959-04-22 | Emi Ltd | Improvements in or relating to bridge circuit arrangements especially for indicatingthe intensity of high frequency electric fields |
| CH485219A (de) * | 1968-09-06 | 1970-01-31 | Sina Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Feuchte oder/und der Temperatur eines bewegten Gutes |
| GB1288539A (ja) * | 1970-05-22 | 1972-09-13 | ||
| GB1431039A (en) * | 1972-05-25 | 1976-04-07 | Emi Ltd | Pressure transducer arrangements |
| AT326753B (de) * | 1972-11-16 | 1975-12-29 | Danfoss As | Messwertumformer mit einem kompensationsbrückenkreis |
| US4012955A (en) * | 1976-01-19 | 1977-03-22 | Hewlett-Packard Company | Apparatus for measuring the incident power of light in fiber optics |
| US4057755A (en) * | 1976-09-10 | 1977-11-08 | Bodenseewerk Perkin-Elmer & Co., Gmbh | Thermal conductivity detector circuit |
| US4109129A (en) * | 1976-12-21 | 1978-08-22 | Hitachi Heating Appliances Co., Ltd. | High frequency energy apparatus having automatic final temperature compensator |
| GB1562623A (en) * | 1976-12-23 | 1980-03-12 | Lucas Industries Ltd | Device for monitoring the composition of the gaseous emission of a combustion process |
| JPS53116857A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-12 | Hokushin Electric Works | Electric resistanceecurrent transformer |
| DE2737385A1 (de) * | 1977-08-19 | 1979-03-22 | Licentia Gmbh | Gasspuerelement zum nachweis von fetten und geruchsstoffen in duensten |
| US4148220A (en) * | 1977-10-12 | 1979-04-10 | P. R. Mallory & Co. Inc. | Linearization means and method for a thermistor temperature sensing system |
| JPS54136450A (en) * | 1978-04-13 | 1979-10-23 | Hitachi Heating Appliance Co Ltd | High-frequency heating device |
| US4419888A (en) * | 1979-06-14 | 1983-12-13 | Kabushikikaisha Shibaura Denshi Seisakusho | Humidity measuring method |
| JPS5610244A (en) * | 1979-07-04 | 1981-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature sensor controlling device |
| JPS5691716A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Automatic electronic range |
| JPS56138619A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Electronically controlled cooker |
| GB2075195B (en) * | 1980-04-30 | 1984-05-23 | Emi Ltd | Gas sensors |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59061942A patent/JPS60203811A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-25 KR KR1019850001971A patent/KR890004503B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-03-25 US US06/715,293 patent/US4658120A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-27 DE DE19853511144 patent/DE3511144A1/de active Granted
- 1985-03-28 GB GB08508062A patent/GB2158246B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3511144C2 (ja) | 1987-10-15 |
| GB8508062D0 (en) | 1985-05-01 |
| US4658120A (en) | 1987-04-14 |
| GB2158246B (en) | 1988-05-11 |
| KR850006844A (ko) | 1985-10-16 |
| JPS60203811A (ja) | 1985-10-15 |
| GB2158246A (en) | 1985-11-06 |
| DE3511144A1 (de) | 1985-10-03 |
| KR890004503B1 (ko) | 1989-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |