JPH0472400U - - Google Patents

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JPH0472400U
JPH0472400U JP11241590U JP11241590U JPH0472400U JP H0472400 U JPH0472400 U JP H0472400U JP 11241590 U JP11241590 U JP 11241590U JP 11241590 U JP11241590 U JP 11241590U JP H0472400 U JPH0472400 U JP H0472400U
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JP
Japan
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level
high voltage
sense amplifier
output
voltage detection
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JP11241590U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例を示す回路図、
第2図は本考案の第2の実施例の出力制御回路の
回路図、第3図は従来の不揮発性半導体記憶装置
の一例を示す回路図である。 1A,1B……高電圧検出回路、2A,2B…
…基準電流発生回路、3……センス増幅器、4,
4A……出力制御回路、G1〜G4……論理ゲー
ト、IV1〜IV4……インバータ、MC1,M
C2……メモリセル、Q1〜Q10……トランジ
スタ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 1ビツトのデータを互いに真補の関係で記憶す
    る対をなす第1及び第2のメモリセルと、それぞ
    れ通常動作時には第1のレベル、テスト動作時に
    は通常の動作電圧より高い高電圧が入力されて第
    2のレベルとなる第1及び第2の高電圧検出信号
    を出力する第1及び第2の高電圧検出回路と、第
    1及び第2の電流入力端をもち、これら第1及び
    第2の電流入力端に流れる電流値の大小に応じて
    第1のレベル又は第2のレベルのデータを出力す
    るセンス増幅器と、対応する前記高電圧検出信号
    が第1のレベルのとき前記第1及び第2のメモリ
    セルと前記センス増幅器の第1及び第2の電流入
    力端とをそれぞれ対応して接続する第1及び第2
    のトランジスタと、対応する前記高電圧検出信号
    が第2のレベルのとき前記センス増幅器の対応す
    る電流入力端にそれぞれ基準電流を流す第1及び
    第2の基準電流発生回路とを有する不揮発性半導
    体記憶装置において、前記第1及び第2の高電圧
    検出信号が共に第1のレベルのときは前記センス
    増幅器の出力データをそのまま出力し、少なくと
    も一方が第2のレベルのときは前記センス増幅器
    の出力データのレベルを反転して出力する出力制
    御回路を設けたことを特徴とする不揮発性半導体
    記憶装置。
JP11241590U 1990-10-25 1990-10-25 Pending JPH0472400U (ja)

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JP11241590U JPH0472400U (ja) 1990-10-25 1990-10-25

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