JPH0468584A - レーザ発振装置 - Google Patents
レーザ発振装置Info
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- JPH0468584A JPH0468584A JP18375690A JP18375690A JPH0468584A JP H0468584 A JPH0468584 A JP H0468584A JP 18375690 A JP18375690 A JP 18375690A JP 18375690 A JP18375690 A JP 18375690A JP H0468584 A JPH0468584 A JP H0468584A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明はレーザ発振装置、とくにその放電励起回路の
改善に関するものである。
改善に関するものである。
第7図は例えば雑誌(Applied Physics
Letter第43巻第8号(1983年10月15
日)、第735〜737頁)に示された従来のレーザ発
振装置における放電励起回路を示す回路構成囚である。
Letter第43巻第8号(1983年10月15
日)、第735〜737頁)に示された従来のレーザ発
振装置における放電励起回路を示す回路構成囚である。
図において、(1)はレーザ筐体、(2)はこのレーザ
筐体(1)内に所定のガス圧力で封入、もしくは流され
ているレーザガスである。(3)および(41はこのし
−ザガス(2)の雰囲気中に相対向して配置された第1
、および第2の主電極であり、(5)はこの主電極!3
) 、 (41の相互間に生起されるレーザ励起放電で
ある。(6)はこの主電極+31 、 (4+間に並列
に接続されて、そnら相互間に急峻なパルス電圧を印加
し、第1、及び第20主直極(31、(41に均一なレ
ーザ励起放電+51を開始させるためのエネルギを供給
するスパイ力コンデンサであり、(7)はこのスパイカ
コンデンサ(6)をパルス充電するためのスパイカ充電
用亀iである。(8)はスパイカ充電用電源(7)を構
成する直流高圧電源、(9)はパルス充電用コンデンサ
、+10)はパルス充電用コンデンサ(9)とスパイ力
コンデンサ(6)の間に挿入されるスイッチSW、であ
る。◇υは前記第1、及び第2の主電極f3i 、 (
41間に生起されたレーザ励起放電(51を維持する1
こめの主たるエネルギを供給するサステイナコンデンサ
であり、02)はサステイナコンデンサaυを充電する
ためのサステイナ充電用電源、(13はサステイナコン
デンサ01)に蓄えられたエネルギを第11及び第2の
主電極(3)。
筐体(1)内に所定のガス圧力で封入、もしくは流され
ているレーザガスである。(3)および(41はこのし
−ザガス(2)の雰囲気中に相対向して配置された第1
、および第2の主電極であり、(5)はこの主電極!3
) 、 (41の相互間に生起されるレーザ励起放電で
ある。(6)はこの主電極+31 、 (4+間に並列
に接続されて、そnら相互間に急峻なパルス電圧を印加
し、第1、及び第20主直極(31、(41に均一なレ
ーザ励起放電+51を開始させるためのエネルギを供給
するスパイ力コンデンサであり、(7)はこのスパイカ
コンデンサ(6)をパルス充電するためのスパイカ充電
用亀iである。(8)はスパイカ充電用電源(7)を構
成する直流高圧電源、(9)はパルス充電用コンデンサ
、+10)はパルス充電用コンデンサ(9)とスパイ力
コンデンサ(6)の間に挿入されるスイッチSW、であ
る。◇υは前記第1、及び第2の主電極f3i 、 (
41間に生起されたレーザ励起放電(51を維持する1
こめの主たるエネルギを供給するサステイナコンデンサ
であり、02)はサステイナコンデンサaυを充電する
ためのサステイナ充電用電源、(13はサステイナコン
デンサ01)に蓄えられたエネルギを第11及び第2の
主電極(3)。
(4)間に供給する際のスイッチングを行なうスイッチ
ング素子である。
ング素子である。
次に動作について説明する。まず、サステイナ充電用電
源02)によりサステイナコンデンサ(1υを所定の充
電間圧VPFNに充電する。次にスパイカ充電用電源(
7)によりスパイカコンデンサ(6)を充電する。スパ
イカ充岨用電源(7)は直流高圧電源(8)、パルス充
電用コンデンサ(9)、スイッチSX〜1(10)より
構成される。まず直流高圧電源(8)によりパルス充電
用コンデンサ(91を直流充電しておく。次にスイッチ
5vTl(101をON状態にすると、パルス充電用コ
ンデンサ(9)に蓄えられた電荷は登、激にスパイカコ
ンデンサ(6)に移行され、これに並列に接続された第
1、及び第2の主電極(31、(41間に急峻なパルス
電圧が印加される。第1、及び第2の主電極(3,、+
41間の電圧かその放電開始電圧vbに達すると、スパ
イカコンデンサ(6)に蓄わえられた電荷が一気に第1
、及び第2の主電極(31、(41間に流れ込み、レー
ザ励起放電(5)が開始される。ここで、第11及び第
2の主電極(31、(4)間に電圧が印加されるのに先
立ち、もしくは電圧か印加されるのと同時に、X線、紫
外線、または紫外レーザ光等により、レーザ励起放電(
5)の領域が均一に予備電離されている場合は、レーザ
励起に必要な均一な放電となる。
源02)によりサステイナコンデンサ(1υを所定の充
電間圧VPFNに充電する。次にスパイカ充電用電源(
7)によりスパイカコンデンサ(6)を充電する。スパ
イカ充岨用電源(7)は直流高圧電源(8)、パルス充
電用コンデンサ(9)、スイッチSX〜1(10)より
構成される。まず直流高圧電源(8)によりパルス充電
用コンデンサ(91を直流充電しておく。次にスイッチ
5vTl(101をON状態にすると、パルス充電用コ
ンデンサ(9)に蓄えられた電荷は登、激にスパイカコ
ンデンサ(6)に移行され、これに並列に接続された第
1、及び第2の主電極(31、(41間に急峻なパルス
電圧が印加される。第1、及び第2の主電極(3,、+
41間の電圧かその放電開始電圧vbに達すると、スパ
イカコンデンサ(6)に蓄わえられた電荷が一気に第1
、及び第2の主電極(31、(41間に流れ込み、レー
ザ励起放電(5)が開始される。ここで、第11及び第
2の主電極(31、(4)間に電圧が印加されるのに先
立ち、もしくは電圧か印加されるのと同時に、X線、紫
外線、または紫外レーザ光等により、レーザ励起放電(
5)の領域が均一に予備電離されている場合は、レーザ
励起に必要な均一な放電となる。
スパイカコンデンサ(6)に蓄えられたエネルギにまり
、主″妊極+31 、 (41間tこ均一な放電が開始
した時点で、スイッチング素子123)をONの状Hj
こする。
、主″妊極+31 、 (41間tこ均一な放電が開始
した時点で、スイッチング素子123)をONの状Hj
こする。
この時、サステイナコンデンサ01)に蓄えられ1こエ
ネルギが主電極t3) 、 +4j間に流れ込み、レー
ザ発振が開始する。
ネルギが主電極t3) 、 +4j間に流れ込み、レー
ザ発振が開始する。
主電極+31 、 (41間の電圧を■g、スイッチン
グ素子[13を通してサステイナコンデンサαl)から
主電極+3) 、 (41間に流れ込む電流を11.レ
ーザ発振パワーをPとした時の、Vg、io、pと時間
【の関係を第8図に示す。
グ素子[13を通してサステイナコンデンサαl)から
主電極+3) 、 (41間に流れ込む電流を11.レ
ーザ発振パワーをPとした時の、Vg、io、pと時間
【の関係を第8図に示す。
上記に説明したようは、最初にスパイカコンデンサ(6
)により急峻なパルス高電圧を主電極f31 、 (4
j間に印加し、均一なレーザ励起放電(5)を形成する
とともに、主電極f31 、 f4)間の放電抵抗を準
定状放亀の値まで下げる。次にその抵抗値と同一の特性
インピーダンスを有するサステイナコンデンサ0υから
レーザ励起に必要な主たるエネルギを注入する放電回路
方式は、エキシマレーザのような、その放電抵抗が低い
レーザガスに対して効率よくエネルギを注入するのに有
効である。この放電回路方式は一般にスパイカ/サステ
イナ回路方式と呼ばれている。
)により急峻なパルス高電圧を主電極f31 、 (4
j間に印加し、均一なレーザ励起放電(5)を形成する
とともに、主電極f31 、 f4)間の放電抵抗を準
定状放亀の値まで下げる。次にその抵抗値と同一の特性
インピーダンスを有するサステイナコンデンサ0υから
レーザ励起に必要な主たるエネルギを注入する放電回路
方式は、エキシマレーザのような、その放電抵抗が低い
レーザガスに対して効率よくエネルギを注入するのに有
効である。この放電回路方式は一般にスパイカ/サステ
イナ回路方式と呼ばれている。
さて、同回路方式において効率的にレーザ励起を行なう
ためには、スパイカコンデンサ(6)からのエネルギ注
入により均一な励起放電を開始することが重要となる。
ためには、スパイカコンデンサ(6)からのエネルギ注
入により均一な励起放電を開始することが重要となる。
そのための一つの解決策は、主電極[31、(41間に
立ち上がりが非常に速い電圧を印加して、直流的な電圧
を印加した際の放電開始電圧に対して十分高い電圧で放
電を開始させることである。
立ち上がりが非常に速い電圧を印加して、直流的な電圧
を印加した際の放電開始電圧に対して十分高い電圧で放
電を開始させることである。
現状の放電回路における主電極+31 、 (41間の
電圧の立ち上がりはパルス充電用コンデンサ(9)かラ
スパイカコンデンサ(6)における電荷の移行の速度で
定まっている。この内容を定量的に説明するために、放
電回路の等価回路を第9図に示す。同図において、α菊
はスイッチSWlσ0)を通してパルス充電用コンデン
サ(9)からスパイカコンデンサ(6)に対して流nる
容量移行電We、 r tのループ(こおける浮遊のイ
ンダクタンスL+ 、[151は電流itのループにわ
ける浮遊の抵抗R1、口61はレーザ励起放電(5)に
対する等価的なスイッチSWd、 il力はレーザ励起
放電(5)部周辺に対する浮遊のインダクタンスLa、
Os+はレーザ励起放電(5)部周辺に対する浮遊の抵
抗Raである。ま1こ、u9+はサステイナコンデンサ
a0からレーザ励起放電(51部に流れる放電電流1n
のループにおける浮遊のインダクタンスLS1(2Gは
電流Inのループにおける浮遊の抵抗Rsである。
電圧の立ち上がりはパルス充電用コンデンサ(9)かラ
スパイカコンデンサ(6)における電荷の移行の速度で
定まっている。この内容を定量的に説明するために、放
電回路の等価回路を第9図に示す。同図において、α菊
はスイッチSWlσ0)を通してパルス充電用コンデン
サ(9)からスパイカコンデンサ(6)に対して流nる
容量移行電We、 r tのループ(こおける浮遊のイ
ンダクタンスL+ 、[151は電流itのループにわ
ける浮遊の抵抗R1、口61はレーザ励起放電(5)に
対する等価的なスイッチSWd、 il力はレーザ励起
放電(5)部周辺に対する浮遊のインダクタンスLa、
Os+はレーザ励起放電(5)部周辺に対する浮遊の抵
抗Raである。ま1こ、u9+はサステイナコンデンサ
a0からレーザ励起放電(51部に流れる放電電流1n
のループにおける浮遊のインダクタンスLS1(2Gは
電流Inのループにおける浮遊の抵抗Rsである。
さて、パルス充電用コンデンサ(9)の最初の充電電圧
をV、oとすれば、スパイカコンデンサ(6)の充It
圧■2がそのピーク電圧に達するまでの平均的な電圧の
立ち上かり、(dV2/dt )aveはX(LIXC
23ノー12 ・・・・・・・・・ (1
)c4=c!ならば 〜・T (dV2/dt)2ye= −× V30X(LIXC
2ン−1/ 2 、、、、、、・・・ (2)で
表わされる。たjごし、C(、C’l 、 Cpは各々
コンデンサ(+ 1.) t61 f91の容量であり
、C23−5ヨコ二 とする。
をV、oとすれば、スパイカコンデンサ(6)の充It
圧■2がそのピーク電圧に達するまでの平均的な電圧の
立ち上かり、(dV2/dt )aveはX(LIXC
23ノー12 ・・・・・・・・・ (1
)c4=c!ならば 〜・T (dV2/dt)2ye= −× V30X(LIXC
2ン−1/ 2 、、、、、、・・・ (2)で
表わされる。たjごし、C(、C’l 、 Cpは各々
コンデンサ(+ 1.) t61 f91の容量であり
、C23−5ヨコ二 とする。
C2士C3
また、R1は十分小さいとして無視し1こ。今、典型的
な値としてL+ = QOOnH、C2= c3=6n
F、 V30==50kVを仮定すると、(d V2/
’ d t ) 3ve= 325 k〜ン旬Sとなり
、十分速い立ち上がりとは言えない。立上がりを改善す
るには、(2)式から、電流1t ループの浮遊のイン
ダクタンスL1を小さくすることが有効であるが、1秒
間に何百回もの高繰り返し発振を行なう装置では、高速
てレーザ励起放電(5)部にガスを流す必要性から、構
造的に困難てあっ1こ。
な値としてL+ = QOOnH、C2= c3=6n
F、 V30==50kVを仮定すると、(d V2/
’ d t ) 3ve= 325 k〜ン旬Sとなり
、十分速い立ち上がりとは言えない。立上がりを改善す
るには、(2)式から、電流1t ループの浮遊のイン
ダクタンスL1を小さくすることが有効であるが、1秒
間に何百回もの高繰り返し発振を行なう装置では、高速
てレーザ励起放電(5)部にガスを流す必要性から、構
造的に困難てあっ1こ。
従来のレーザ発振装置は以上のように構成されていたの
で、主電極間に印加される電圧の立ち上がりか遅く、直
流的な放電開始電圧に対して十分な過電圧を印加てきず
、安定した均一なレーザ励起放電を開始てきないという
問題点かあっ1こ。
で、主電極間に印加される電圧の立ち上がりか遅く、直
流的な放電開始電圧に対して十分な過電圧を印加てきず
、安定した均一なレーザ励起放電を開始てきないという
問題点かあっ1こ。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、安定した均一なレーザ励起放電を実現するこ
とにより、高出力、高効率で高信頼なレーザ発振装置を
得ることを目的としている。
たもので、安定した均一なレーザ励起放電を実現するこ
とにより、高出力、高効率で高信頼なレーザ発振装置を
得ることを目的としている。
この発明に係るレーザ発振装置は、スパイカ充電用璽源
とサステイナ充電用電源かスパイカコンデンサとサステ
イナコンデンサを互いに逆極性に充電する特性を有する
と共に、上記サステイナコンデンサが充電状態であり、
かつ上記スパイカコンデンサが充電される過程で、上記
スパイカコンデンサの充電電圧が第1、及び第2の主電
極間の放電開始電圧に達する以前に、サステイナコンデ
ンサと主電極を接続する回路中に挿入されたスイッチン
グ素子がOFF状態からON状態になるようにしたもの
である。また、このような発振装置においては、予備電
離放電部をスパイカコンデンサと並列に接続するとよい
。
とサステイナ充電用電源かスパイカコンデンサとサステ
イナコンデンサを互いに逆極性に充電する特性を有する
と共に、上記サステイナコンデンサが充電状態であり、
かつ上記スパイカコンデンサが充電される過程で、上記
スパイカコンデンサの充電電圧が第1、及び第2の主電
極間の放電開始電圧に達する以前に、サステイナコンデ
ンサと主電極を接続する回路中に挿入されたスイッチン
グ素子がOFF状態からON状態になるようにしたもの
である。また、このような発振装置においては、予備電
離放電部をスパイカコンデンサと並列に接続するとよい
。
この発明におけるレーザ発振装置では、サステイナコン
デンサと主電極を接続する回路中に挿入されたスイッチ
ング素子のスイッチングにより、スパイカコンデンサが
急峻に逆極性に充電され、主電極間に非常に立ち上がり
の速い電圧が印加される。また、予備電離放電部をスパ
イカコンデンサと並列に接続することにより、予備電離
量か容易に、かつ簡単な構成により大きくてきる。
デンサと主電極を接続する回路中に挿入されたスイッチ
ング素子のスイッチングにより、スパイカコンデンサが
急峻に逆極性に充電され、主電極間に非常に立ち上がり
の速い電圧が印加される。また、予備電離放電部をスパ
イカコンデンサと並列に接続することにより、予備電離
量か容易に、かつ簡単な構成により大きくてきる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、Q旧よりステイナ充電用電源0りに対して
逆極性の充電特性を有するスパイカ逆極性充電用電源、
区は逆極性スパイカ充電用電源+2)1を実現する逆極
性直流高圧電源である。
図において、Q旧よりステイナ充電用電源0りに対して
逆極性の充電特性を有するスパイカ逆極性充電用電源、
区は逆極性スパイカ充電用電源+2)1を実現する逆極
性直流高圧電源である。
第1図の構成は第7図に示した従来例の構成例とほぼ同
一であるが、少なくともスパイカ逆極性充電用電源0の
充電極性がサステイナ充電用電源α乃と互いに逆極性に
なっている点、およびスイッチング素子(131の動作
点において異なる。ここではスパイカ逆極性充電用電源
QDの極性を従来例に対して反転させた場合、すなわち
、逆極性直流高圧電源ツの極性を反転させ1こ場合を仮
定して話を進める。その場合の主電極f3) (4)間
電圧■g1スイッチング素子[31を通りサステイナコ
ンデンサOvから主電極(3+ 、 (J間に流れ込む
電流1n、およびレーザ発振パワーPを第2図(こ示す
。
一であるが、少なくともスパイカ逆極性充電用電源0の
充電極性がサステイナ充電用電源α乃と互いに逆極性に
なっている点、およびスイッチング素子(131の動作
点において異なる。ここではスパイカ逆極性充電用電源
QDの極性を従来例に対して反転させた場合、すなわち
、逆極性直流高圧電源ツの極性を反転させ1こ場合を仮
定して話を進める。その場合の主電極f3) (4)間
電圧■g1スイッチング素子[31を通りサステイナコ
ンデンサOvから主電極(3+ 、 (J間に流れ込む
電流1n、およびレーザ発振パワーPを第2図(こ示す
。
以下、Cの発明の動作1こついて説明Tる。まず、サス
テイナ充電用電源α2)によりサステイナコンデンサQ
l)を所定の充電電圧VPFNに充電する。次にスパイ
カ逆充電用電源口の動作によりスパイカコンデンサ(6
)をパルス充電する。その際、主電極(3j。
テイナ充電用電源α2)によりサステイナコンデンサQ
l)を所定の充電電圧VPFNに充電する。次にスパイ
カ逆充電用電源口の動作によりスパイカコンデンサ(6
)をパルス充電する。その際、主電極(3j。
(4)間に印加される電圧V2C向きは第2図に示すよ
うに負の向きとなる。この充電V態を維持する時は、同
図中に示した破線Aのように電圧■2が負の向きに増加
し、放電開始電圧vbに達した時点てレーザ励起放電f
5+が開始されるが、この発明では少なくともvbに達
する以前のV、に達した点て、スイッチング素子(13
1をON状態とする。この時、サステイナコンデンサ0
υに蓄えられた電荷が一気にスパイカコンデンサ(6)
に流れ込み、スパイカコンデンサ(6)はサステイナコ
ンデンサと同一極性で急峻に充電される。そして負の向
きにおける放電開始電圧Vbより絶対値が大きいvb、
に達した時点で均一なレーザ励起放Wl(51が開始さ
れる。
うに負の向きとなる。この充電V態を維持する時は、同
図中に示した破線Aのように電圧■2が負の向きに増加
し、放電開始電圧vbに達した時点てレーザ励起放電f
5+が開始されるが、この発明では少なくともvbに達
する以前のV、に達した点て、スイッチング素子(13
1をON状態とする。この時、サステイナコンデンサ0
υに蓄えられた電荷が一気にスパイカコンデンサ(6)
に流れ込み、スパイカコンデンサ(6)はサステイナコ
ンデンサと同一極性で急峻に充電される。そして負の向
きにおける放電開始電圧Vbより絶対値が大きいvb、
に達した時点で均一なレーザ励起放Wl(51が開始さ
れる。
この時、サステイナコンデンサ01)に蓄えられた電荷
が主放電部に流れ込み、レーザ発振が行なわれる。
が主放電部に流れ込み、レーザ発振が行なわれる。
さて、スイッチング素子市かONL、た状態となり、ス
パイ力コンデンサ(6)を充電する過程における電圧の
立ち上がりを第9区で示した等価回路で考える。ここで
は、電流Inのループの浮遊の抵抗R8を十分に小さい
ものとして無視する。また、スパイカ逆充電用電源囚の
影響を無視する。さらにスパイカ/サステイナ回路にお
いて一般に成り立つ仮定であるcl>>c2を想定する
。この時、スパイカコンデンサ(6)が回路的にそのピ
ーク電圧に達するまでの平均的な電圧の立ち上がり(d
Vz/dt) eVeは (dV2/′d L )ave へ−X(VPFN−
v、)−+ (L5−fc2) l/2・・・・・・・
・・・・・ (3) て表わされる。ここで典型的な値として、VPFN==
20kV、Vs=−20kV 、LS=50nH,c
2=6nFを(3)式に挿入すると (d■2/′dt)ave〜1400に■7/μsか得
られることになり、先に(2)式で得た従来方式に比べ
4倍り上速い(d V2/ d t、 ) 2yeが得
られることがわかる。立ち上がりか速くなる主因は、(
2)式と(3)式を比較すると明らかなように、L+に
比べLSか構造的に小さく押さえられることに起因して
いる。この結果、主電極+31 、 (4!間に立ち上
がりの速い電圧が印加され、より安定で屹−な励起放電
が得られるようになる。そして同一の充電エネルギに対
しても窩出力、高効率でかつ再現性の良いレーザ発振出
力が得られるようになる。
パイ力コンデンサ(6)を充電する過程における電圧の
立ち上がりを第9区で示した等価回路で考える。ここで
は、電流Inのループの浮遊の抵抗R8を十分に小さい
ものとして無視する。また、スパイカ逆充電用電源囚の
影響を無視する。さらにスパイカ/サステイナ回路にお
いて一般に成り立つ仮定であるcl>>c2を想定する
。この時、スパイカコンデンサ(6)が回路的にそのピ
ーク電圧に達するまでの平均的な電圧の立ち上がり(d
Vz/dt) eVeは (dV2/′d L )ave へ−X(VPFN−
v、)−+ (L5−fc2) l/2・・・・・・・
・・・・・ (3) て表わされる。ここで典型的な値として、VPFN==
20kV、Vs=−20kV 、LS=50nH,c
2=6nFを(3)式に挿入すると (d■2/′dt)ave〜1400に■7/μsか得
られることになり、先に(2)式で得た従来方式に比べ
4倍り上速い(d V2/ d t、 ) 2yeが得
られることがわかる。立ち上がりか速くなる主因は、(
2)式と(3)式を比較すると明らかなように、L+に
比べLSか構造的に小さく押さえられることに起因して
いる。この結果、主電極+31 、 (4!間に立ち上
がりの速い電圧が印加され、より安定で屹−な励起放電
が得られるようになる。そして同一の充電エネルギに対
しても窩出力、高効率でかつ再現性の良いレーザ発振出
力が得られるようになる。
なお、(31式から明らかなように、スイッチング素子
031をスイッチングする直前のスパイヵコンデンサ(
6)の充%、[圧Vsは、絶対値として大きい方が主電
極間の電圧の立ち上がりを改善するという意味で良く、
少なくとも本来の放電開始電圧■bに対して V5120.6 X IVb の点で動作させることが安定動作を行なう上で、望まし
い。
031をスイッチングする直前のスパイヵコンデンサ(
6)の充%、[圧Vsは、絶対値として大きい方が主電
極間の電圧の立ち上がりを改善するという意味で良く、
少なくとも本来の放電開始電圧■bに対して V5120.6 X IVb の点で動作させることが安定動作を行なう上で、望まし
い。
なお、第1図に示し1ニサステイナ充電用電源62)、
およびスパイカ逆極性充電用電源口の極性は一例であり
、互いに逆の極性であってもよい。
およびスパイカ逆極性充電用電源口の極性は一例であり
、互いに逆の極性であってもよい。
第3図はこの発明の他の実施例を示すものであり、スイ
ッチング素子を、礎気飽和スイッチのにより溝成した場
合について示し、第4図はこの場合の主電極f31 、
(41間の電圧■gの時間変化を示している。磁気飽
和スイッチ囚)を用いた場合はサステイナ充電用1町2
)の動作により、スパイヵコンデンサ(6)も初期状態
においてVPFNで充電されている。この状態てもスバ
イヵ逆充屯用電源c!11の動作により、スパイカコン
デンサ(6)を負方向に充電することは可能であり、負
方向の放電開始電圧Vbに対し、電圧■sが主電極(3
1、f4i間に印加された時点で、磁気飽和スイッチの
が飽和するように設計する。すなわち、磁性体内の磁束
が第4図で示した斜線Bの積分値に達した時点で飽和す
るように、磁性材料の飽和磁束密度Bs 、飽和断面積
Sを選定すればよい。これによりこの発明の回路動作に
おける高繰返し動作が実現する。
ッチング素子を、礎気飽和スイッチのにより溝成した場
合について示し、第4図はこの場合の主電極f31 、
(41間の電圧■gの時間変化を示している。磁気飽
和スイッチ囚)を用いた場合はサステイナ充電用1町2
)の動作により、スパイヵコンデンサ(6)も初期状態
においてVPFNで充電されている。この状態てもスバ
イヵ逆充屯用電源c!11の動作により、スパイカコン
デンサ(6)を負方向に充電することは可能であり、負
方向の放電開始電圧Vbに対し、電圧■sが主電極(3
1、f4i間に印加された時点で、磁気飽和スイッチの
が飽和するように設計する。すなわち、磁性体内の磁束
が第4図で示した斜線Bの積分値に達した時点で飽和す
るように、磁性材料の飽和磁束密度Bs 、飽和断面積
Sを選定すればよい。これによりこの発明の回路動作に
おける高繰返し動作が実現する。
また、スイッチング素子口3として高速トランジスタ、
SIT等の半導体素子を用いても無論よい。
SIT等の半導体素子を用いても無論よい。
第5図はこの発明の一実施例による回路動作方式と紫外
線予備電離方式を組合わせた例で、(24a)。
線予備電離方式を組合わせた例で、(24a)。
(24b)は予備電離用電極対、c!51は予備電離用
電極対(24a)、(24b)間で発生するアーク放電
、■はアーク放電■から発生する紫外光である。このよ
うな回路構成では、最初にスパイカ充奄用電源因により
スパイカコンデンサ(6)を充電する過程において、予
備電離用電極対(24a )、 (24b)間でアーク
放電+25+が起こり、そこから発生する紫外光勿)に
よりレーザ励起放* (51の全領域が予備電離される
。次にスイッチング素子f131が閉じ、サステイナコ
ンデンサα1)かスパイカコンデンサ(6)を導電位に
急峻に充電する過程においては、よりピーク値の高い移
行電流が流れるため、より強度の強い紫外光のが発生し
、より均一で大きな予備電離が行なわれ、急峻な主電極
(31、(4+間の印加とともにレーザ励起に適した均
一なレーザ励起放電(5)を開始するのに極めて有効に
作用する。
電極対(24a)、(24b)間で発生するアーク放電
、■はアーク放電■から発生する紫外光である。このよ
うな回路構成では、最初にスパイカ充奄用電源因により
スパイカコンデンサ(6)を充電する過程において、予
備電離用電極対(24a )、 (24b)間でアーク
放電+25+が起こり、そこから発生する紫外光勿)に
よりレーザ励起放* (51の全領域が予備電離される
。次にスイッチング素子f131が閉じ、サステイナコ
ンデンサα1)かスパイカコンデンサ(6)を導電位に
急峻に充電する過程においては、よりピーク値の高い移
行電流が流れるため、より強度の強い紫外光のが発生し
、より均一で大きな予備電離が行なわれ、急峻な主電極
(31、(4+間の印加とともにレーザ励起に適した均
一なレーザ励起放電(5)を開始するのに極めて有効に
作用する。
第6図はこの発明による回路動作方式と、沿面コロナ予
備電離方式を組合わせた例で、万は第2の主電極を構成
する配孔電極、ムは誘電体、c!91は補助電極である
。沿面コロナ予(イ:”i!離方式では誘電体(至)を
介して開孔電極のと補助電極の、)間に/fルス高電圧
を印加することにより、開孔電極αの開孔端部において
均一なコロナ放電を発生し、レーザ励起放電(5)の部
分を予備電離するもので、構造が比較的簡単なことから
予備IIc離源としての信頼性か高く、また、コロナ放
電による予備電離のため、レーザガスの解離等による劣
化が少ないという特長を有する。さて、開孔電極のと補
助電極の1を第6図に示すようにスパイカコンデンサ(
6)に並列に接続すれば、開孔電極のと補助電極α間に
主電極(3+ 、 (4+間同様に立上がりの速い、急
峻なパルス電圧が印加され、電流値が高いコロナ放電が
形成され、予備電離量が大きくなる。これにより、より
均一な予備wL離が行なわれ、大出力、高効率なレーザ
発振に不可欠な均一励起放電が容易に実現する。
備電離方式を組合わせた例で、万は第2の主電極を構成
する配孔電極、ムは誘電体、c!91は補助電極である
。沿面コロナ予(イ:”i!離方式では誘電体(至)を
介して開孔電極のと補助電極の、)間に/fルス高電圧
を印加することにより、開孔電極αの開孔端部において
均一なコロナ放電を発生し、レーザ励起放電(5)の部
分を予備電離するもので、構造が比較的簡単なことから
予備IIc離源としての信頼性か高く、また、コロナ放
電による予備電離のため、レーザガスの解離等による劣
化が少ないという特長を有する。さて、開孔電極のと補
助電極の1を第6図に示すようにスパイカコンデンサ(
6)に並列に接続すれば、開孔電極のと補助電極α間に
主電極(3+ 、 (4+間同様に立上がりの速い、急
峻なパルス電圧が印加され、電流値が高いコロナ放電が
形成され、予備電離量が大きくなる。これにより、より
均一な予備wL離が行なわれ、大出力、高効率なレーザ
発振に不可欠な均一励起放電が容易に実現する。
以上のように、この発明によれば、サステイナコンデン
サとスパイカコンデンサを互いに逆極性の電圧で充゛題
すると共に、スパイカコンデンサの充電過程において、
7バイカコンデンサの充電電圧が主電極間の放電開始電
圧に達する以前に、サステイナコンデンサと主電極間に
挿入されたスイッチング素子をOFF状態からON状態
にし、放電を開始するようにしたので、高出力、高効率
で、かつ高信頼のレーザ発振装置が得らnる効果がある
。
サとスパイカコンデンサを互いに逆極性の電圧で充゛題
すると共に、スパイカコンデンサの充電過程において、
7バイカコンデンサの充電電圧が主電極間の放電開始電
圧に達する以前に、サステイナコンデンサと主電極間に
挿入されたスイッチング素子をOFF状態からON状態
にし、放電を開始するようにしたので、高出力、高効率
で、かつ高信頼のレーザ発振装置が得らnる効果がある
。
さらに、このようなレーザ発振装置において、予備電離
放電部をスパイカコンデンサと並列に接続することによ
り、予備電離量が容易に、かつ簡単な構成により大きく
でき、レーザ励起に適した均一なレーザ励起放電が実現
できる。
放電部をスパイカコンデンサと並列に接続することによ
り、予備電離量が容易に、かつ簡単な構成により大きく
でき、レーザ励起に適した均一なレーザ励起放電が実現
できる。
4、図面の簡単説明
第1図はこの発明の一実施例によるレーザ発振装置を示
す回路構成図、第2図はこの発明の一実施例に係る主電
極間電圧■2、サステイナコンデンサからの放電電流i
n1 及びレーザ発振パワーPの波形を示す波形図、第
3図はこの発明の他の実施例によるレーザ発振装置を示
す回路構成図、第4図はこの発明の他の実施例に係る主
電極間電圧Vgの波形を示す波形図、第51及び第6図
は各々紫外線予備電離方式及び沿面予備電離方式を組み
合わせた、この発明の一実施例によるレーザ発振装置を
示す回路構成図、第7図は従来のレーザ発振装置を示す
回路構成図、第8図は従来のレーザ発振装置における主
電極間電圧vg1サステイナコンデンサからの放電電流
I ns及びレーザ発振パワーPの波形を示す波形図、
並びに第9図は従来及びこの発明の一実施例によるレー
ザ発振装置における放電回路の等価回路を示す回路図で
ある。
す回路構成図、第2図はこの発明の一実施例に係る主電
極間電圧■2、サステイナコンデンサからの放電電流i
n1 及びレーザ発振パワーPの波形を示す波形図、第
3図はこの発明の他の実施例によるレーザ発振装置を示
す回路構成図、第4図はこの発明の他の実施例に係る主
電極間電圧Vgの波形を示す波形図、第51及び第6図
は各々紫外線予備電離方式及び沿面予備電離方式を組み
合わせた、この発明の一実施例によるレーザ発振装置を
示す回路構成図、第7図は従来のレーザ発振装置を示す
回路構成図、第8図は従来のレーザ発振装置における主
電極間電圧vg1サステイナコンデンサからの放電電流
I ns及びレーザ発振パワーPの波形を示す波形図、
並びに第9図は従来及びこの発明の一実施例によるレー
ザ発振装置における放電回路の等価回路を示す回路図で
ある。
図において、(2)はレーザガス、(3)は第1の主電
極、(4)は第2の主電極、(5)はレーザ励起放電、
(6)はスパイカコンデンサ、α1)はサステイナコン
デンサ、Q2)はサステイナ充電用電源、031はスイ
ッチング素子、2)1はスパイカ充電用電源、のは磁気
飽和スイッチ、(24a ) (24b )は予備電離
用電極対、ムはアーク放電、ωは紫外光、τjは開孔電
極、(支)は誘電体、伽、1は補助電極である。
極、(4)は第2の主電極、(5)はレーザ励起放電、
(6)はスパイカコンデンサ、α1)はサステイナコン
デンサ、Q2)はサステイナ充電用電源、031はスイ
ッチング素子、2)1はスパイカ充電用電源、のは磁気
飽和スイッチ、(24a ) (24b )は予備電離
用電極対、ムはアーク放電、ωは紫外光、τjは開孔電
極、(支)は誘電体、伽、1は補助電極である。
なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)レーザガス中において相対向する第1、及び第2
の主電極、第1、及び第2の主電極に並列に接続された
スパイカコンデンサ、第1、及び第2の主電極にスイッ
チング素子を介して並列に接続されたサステイナコンデ
ンサ、上記スパイカコンデンサを充電するスパイカ充電
用電源、並びに上記サステイナコンデンサを充電するサ
ステイナ充電用電源を備えたレーザ発振装置において、
上記スパイカ充電用電源と上記サステイナ充電用電源が
上記スパイカコンデンサと上記サステイナコンデンサを
互いに逆極性に充電する特性を有すると共に、上記サス
テイナコンデンサが充電状態であり、かつ上記スパイカ
コンデンサが充電される過程で、上記スパイカコンデン
サの充電電圧が第1、及び第2の主電極間の放電開始電
圧に達する以前に、上記スイッチング素子がOFF状態
からON状態になり、上記スパイカ充電用電源と逆方向
の極性において、第1、及び第2の主電極間の放電が開
始されることを特徴とするレーザ発振装置。 - (2)第1、及び第2の主電極間において放電を開始す
る以前に上記主電極間を予備電離する予備電離放電部を
、スパイカコンデンサと並列に接続したことを特徴とす
る請求項1記載のレーザ発振装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183756A JP2712774B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | レーザ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183756A JP2712774B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | レーザ発振装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0468584A true JPH0468584A (ja) | 1992-03-04 |
JP2712774B2 JP2712774B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=16141429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2183756A Expired - Fee Related JP2712774B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | レーザ発振装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2712774B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63304683A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Nikon Corp | エキシマレ−ザ−装置 |
JPS6428981A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Nikon Corp | Discharge type excimer laser device |
JPH027483A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Nikon Corp | 放電型エキシマレーザ装置 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2183756A patent/JP2712774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63304683A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Nikon Corp | エキシマレ−ザ−装置 |
JPS6428981A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Nikon Corp | Discharge type excimer laser device |
JPH027483A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Nikon Corp | 放電型エキシマレーザ装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2712774B2 (ja) | 1998-02-16 |
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