JPH0466553A - 高純度テレフタル酸の製造方法 - Google Patents
高純度テレフタル酸の製造方法Info
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- JPH0466553A JPH0466553A JP2177965A JP17796590A JPH0466553A JP H0466553 A JPH0466553 A JP H0466553A JP 2177965 A JP2177965 A JP 2177965A JP 17796590 A JP17796590 A JP 17796590A JP H0466553 A JPH0466553 A JP H0466553A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C63/00—Compounds having carboxyl groups bound to a carbon atoms of six-membered aromatic rings
- C07C63/14—Monocyclic dicarboxylic acids
- C07C63/15—Monocyclic dicarboxylic acids all carboxyl groups bound to carbon atoms of the six-membered aromatic ring
- C07C63/26—1,4 - Benzenedicarboxylic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/487—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by treatment giving rise to chemical modification
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利月公顆
本発明は、高純度テレフタル酸の製造方法に関し、詳し
くは、p−キシレンを液相にて接触酸化して得られた4
−カルボキシヘンズアルデヒドを主たる不純物として含
む粗テレフタル酸を反応器中で水素添加触媒にて水素の
存在下に処理を行なって高純度テレフタル酸を製造する
方法において、反応器から活性の低下した水素添加触媒
を一部抜き取り、新鮮な触媒を充填した後、定常状態よ
りも多量の4−カルボキシヘンズアルデヒトを含有する
粗テレフタル酸を反応器に供給するか、又は定常状態に
おけるよりも低い水素分圧下に定常状態に至るまで、処
理を行なうことによって、4カルポキシヘンズアルデヒ
ドを一定の許容される低含量幅にて含有する高純度テレ
フタル酸を安定して得ることができる定常状態に速やか
に到達させることができる高純度テレフタル酸の製造方
法に関する。
くは、p−キシレンを液相にて接触酸化して得られた4
−カルボキシヘンズアルデヒドを主たる不純物として含
む粗テレフタル酸を反応器中で水素添加触媒にて水素の
存在下に処理を行なって高純度テレフタル酸を製造する
方法において、反応器から活性の低下した水素添加触媒
を一部抜き取り、新鮮な触媒を充填した後、定常状態よ
りも多量の4−カルボキシヘンズアルデヒトを含有する
粗テレフタル酸を反応器に供給するか、又は定常状態に
おけるよりも低い水素分圧下に定常状態に至るまで、処
理を行なうことによって、4カルポキシヘンズアルデヒ
ドを一定の許容される低含量幅にて含有する高純度テレ
フタル酸を安定して得ることができる定常状態に速やか
に到達させることができる高純度テレフタル酸の製造方
法に関する。
3[来の一11巷
ポリエステル繊維の製造には、高純度テレフタル酸が原
料として要求される。かかる高純度テレフタル酸は、例
えば、特公昭41−16860号公報に記載されている
ように、通常、P−キシレンを液相にて接触酸化して4
−カルボキシベンズアルデヒドを主たる不純物として0
.1〜0.4重量%程度含む粗テレフタル酸を得、次い
で、その粗テレフタル酸を水スラリーとして反応器に導
き、高温高圧下に水溶液と腰活性炭に担持させた粒状パ
ラジウム触媒にて処理を行なうことによって製造されて
いる。このような処理の定常状態(、こおいては、高純
度テレフタル酸に含まれるカルボキシヘンズアルデヒド
含量は、[,1〜25ppm程度である。
料として要求される。かかる高純度テレフタル酸は、例
えば、特公昭41−16860号公報に記載されている
ように、通常、P−キシレンを液相にて接触酸化して4
−カルボキシベンズアルデヒドを主たる不純物として0
.1〜0.4重量%程度含む粗テレフタル酸を得、次い
で、その粗テレフタル酸を水スラリーとして反応器に導
き、高温高圧下に水溶液と腰活性炭に担持させた粒状パ
ラジウム触媒にて処理を行なうことによって製造されて
いる。このような処理の定常状態(、こおいては、高純
度テレフタル酸に含まれるカルボキシヘンズアルデヒド
含量は、[,1〜25ppm程度である。
しかしながら、上記のような高純度テレフタル酸の製造
において、4−カルボキシベンズアルデヒトの処理の効
率は経時的に低下する。このような処理効率の低下は、
種々の要因によるが、主たる原因は、水素添加触媒の活
性の低下による。このため、水素添加触媒は、従来、L
記処理の間に定期的に交換されている。
において、4−カルボキシベンズアルデヒトの処理の効
率は経時的に低下する。このような処理効率の低下は、
種々の要因によるが、主たる原因は、水素添加触媒の活
性の低下による。このため、水素添加触媒は、従来、L
記処理の間に定期的に交換されている。
一般に、水素添加触媒は、特に初期活性が高く、従って
、反応器内のすべての活性の低下した水素添加触媒を一
括して交換するときは、過剰な水素添加反応による副生
成物を生しるのみならず、4カルポキシヘンズアルデヒ
ドが過度に還元されて、製品とし7てのテレフタル酸の
純度の安定性が著しく損なわれる。
、反応器内のすべての活性の低下した水素添加触媒を一
括して交換するときは、過剰な水素添加反応による副生
成物を生しるのみならず、4カルポキシヘンズアルデヒ
ドが過度に還元されて、製品とし7てのテレフタル酸の
純度の安定性が著しく損なわれる。
更に、触媒交換後の処理開始時において、相テレフタル
酸が触媒の活性炭上に吸着されて、発熱反応が起こるの
で、新鮮な触媒は破砕しやすい。
酸が触媒の活性炭上に吸着されて、発熱反応が起こるの
で、新鮮な触媒は破砕しやすい。
このように破砕した触媒は製品テレフタル酸中に混入す
ることがある。
ることがある。
そこで、従来、水素添加触媒の寿命の延長を図るために
、反応器内の活性の低下した水素添加触媒を、その全量
を一括して交換せず、一部のみを新鮮な触媒に交換し、
残余は、活性の低下した触媒をそのままに再充填するこ
とが、例えば、東ドイツ特許第212.162号に記載
されている。
、反応器内の活性の低下した水素添加触媒を、その全量
を一括して交換せず、一部のみを新鮮な触媒に交換し、
残余は、活性の低下した触媒をそのままに再充填するこ
とが、例えば、東ドイツ特許第212.162号に記載
されている。
かかる方法によれば、触媒寿命を延長化し得ても、一部
の触媒を交換した後は、従来、製品高純度テレフタル酸
が許容される一足幅の低含量の4カルポキシヘンズアル
デヒトを有する定常状態に到達するまでに長期間を必要
としており、特に、工業的な大量生産においては、原料
費用、規格外製品の発住及び時間のすべてに、損失が著
しく大きい。
の触媒を交換した後は、従来、製品高純度テレフタル酸
が許容される一足幅の低含量の4カルポキシヘンズアル
デヒトを有する定常状態に到達するまでに長期間を必要
としており、特に、工業的な大量生産においては、原料
費用、規格外製品の発住及び時間のすべてに、損失が著
しく大きい。
発−明尤解一決−レよ−う一ζfluff本発明は、従
来の高純度テレフタル酸の製造における上記した問題を
解決するためになされたものであって、活性の低下した
水素添加触媒を一部交換した後、4−カルボキシヘンズ
アルデヒドを一定の許容される低含量幅にて含有する高
純度テレフタル酸を安定して得ることができる定常状態
に速やかに到達させることができる高純度テレフタル酸
の製造方法を提供することを目的とする。
来の高純度テレフタル酸の製造における上記した問題を
解決するためになされたものであって、活性の低下した
水素添加触媒を一部交換した後、4−カルボキシヘンズ
アルデヒドを一定の許容される低含量幅にて含有する高
純度テレフタル酸を安定して得ることができる定常状態
に速やかに到達させることができる高純度テレフタル酸
の製造方法を提供することを目的とする。
艮−七解訣工廷修q手段
本発明による第1の方法は、p−キシレンを液相にて接
触酸化して得られた4−カルボキシヘンズアルデヒトを
主たる不純物として含む粗テレフタル酸を反応器中で水
素添加触媒にて水素の存在下に処理を行なって高純度テ
レフタル酸を製造する方法において、反応器から活性の
低下した水素添加触媒を一部抜き取り、新鮮な触媒を充
填した後、定常状態よりも多量の4−カルボキソヘンス
アルデヒトを含有する粗テレフタル酸を反応器乙こ供給
して定常状態に至るまで、処理を行なうことを特徴とす
る。
触酸化して得られた4−カルボキシヘンズアルデヒトを
主たる不純物として含む粗テレフタル酸を反応器中で水
素添加触媒にて水素の存在下に処理を行なって高純度テ
レフタル酸を製造する方法において、反応器から活性の
低下した水素添加触媒を一部抜き取り、新鮮な触媒を充
填した後、定常状態よりも多量の4−カルボキソヘンス
アルデヒトを含有する粗テレフタル酸を反応器乙こ供給
して定常状態に至るまで、処理を行なうことを特徴とす
る。
本発明による第2の方法は、上記した方法において、反
応器から活性の低下した水素添加触媒を一部抜き取り、
新鮮な触媒を充填した後、定常状態におけるよりも低い
水素分圧下に定常状態に至るまで、処理を行なうことを
特徴とする。
応器から活性の低下した水素添加触媒を一部抜き取り、
新鮮な触媒を充填した後、定常状態におけるよりも低い
水素分圧下に定常状態に至るまで、処理を行なうことを
特徴とする。
本発明の方法において、「定常状態」とは、pキシレン
を液相にて接触酸化して得られた4カルボキシベンズア
ルデヒドを主たる不純物として含む粗テレフタル酸を反
応器中で水素添加触媒にて水素の存在下に処理を行なっ
て高純度テレフタル酸を製造する方法において、一定幅
の低含量の4−カルボキシベンズアルデヒドを含有する
高純度テレフタル酸を安定して得ることができる状態を
いう。
を液相にて接触酸化して得られた4カルボキシベンズア
ルデヒドを主たる不純物として含む粗テレフタル酸を反
応器中で水素添加触媒にて水素の存在下に処理を行なっ
て高純度テレフタル酸を製造する方法において、一定幅
の低含量の4−カルボキシベンズアルデヒドを含有する
高純度テレフタル酸を安定して得ることができる状態を
いう。
水素添加触媒の活性の低下は、得られるテレフタル酸中
の4−カルボキシベンズアルデヒド含量の増大によって
知ることができる。また、一般に、製品として得られる
テレフタル酸の品質は、その340nmにおける透過率
とも相関するため、工業的な高純度テレフタル酸の製造
においては、通常、4−カルボキシベンズアルデヒド含
量と340nmにおける透過率によって、その純度が判
定されており、処理の定常状態においては、このように
、4−カルボキシベンズアルデヒド及び上記透過率があ
る幅の管理値に保持されている。従って、これらの管理
値が前記定常状態をはずれたとき、反応器内の水素添加
触媒が一部、新鮮な触媒と交換される。
の4−カルボキシベンズアルデヒド含量の増大によって
知ることができる。また、一般に、製品として得られる
テレフタル酸の品質は、その340nmにおける透過率
とも相関するため、工業的な高純度テレフタル酸の製造
においては、通常、4−カルボキシベンズアルデヒド含
量と340nmにおける透過率によって、その純度が判
定されており、処理の定常状態においては、このように
、4−カルボキシベンズアルデヒド及び上記透過率があ
る幅の管理値に保持されている。従って、これらの管理
値が前記定常状態をはずれたとき、反応器内の水素添加
触媒が一部、新鮮な触媒と交換される。
水素添加触媒を一部交換した後、粗テレフタル酸の水素
添加反応を再開した時点においては、前述したように、
触媒の活性が高いために、通常、粗テレフタル酸の水素
添加によって得られるテレフタル酸は、4−カルボキシ
ベンズアルデヒド含量が著しく低く、従って、得られる
テレフタル酸の透過率は高い。
添加反応を再開した時点においては、前述したように、
触媒の活性が高いために、通常、粗テレフタル酸の水素
添加によって得られるテレフタル酸は、4−カルボキシ
ベンズアルデヒド含量が著しく低く、従って、得られる
テレフタル酸の透過率は高い。
水素添加触媒の活性低下の度合いにもよるが、触媒の一
部交換においては、通常、反応器の触媒の20〜70%
が新鮮な触媒と交換される。このようにして、反応器の
触媒を一部、新鮮な触媒と交換した後、反応器に原料で
ある粗テレフタル酸の水スラリーを供給し、高温高圧下
に水溶液とし、処理を再開する。
部交換においては、通常、反応器の触媒の20〜70%
が新鮮な触媒と交換される。このようにして、反応器の
触媒を一部、新鮮な触媒と交換した後、反応器に原料で
ある粗テレフタル酸の水スラリーを供給し、高温高圧下
に水溶液とし、処理を再開する。
本発明においては、このような処理の再開時に、反応が
安定した後、定常状態よりも多量の4−カルボキシベン
ズアルデヒドを含有する粗テレフタル酸を反応塔に供給
するか、又は定常状態におけるよりも低い水素分圧下に
、定常状態に至るまで、処理を行なう。勿論、処理の再
開時に、反応が安定した後、定常状態よりも多量の4−
カルボキシベンズアルデヒドを含有する粗テレフタル酸
を反応器に供給すると共に、定常状態におけるよりも低
い水素分圧下に、定常状態に至るまで、処理を行なえば
、−層、短時間にて定常状態に至らせることができる。
安定した後、定常状態よりも多量の4−カルボキシベン
ズアルデヒドを含有する粗テレフタル酸を反応塔に供給
するか、又は定常状態におけるよりも低い水素分圧下に
、定常状態に至るまで、処理を行なう。勿論、処理の再
開時に、反応が安定した後、定常状態よりも多量の4−
カルボキシベンズアルデヒドを含有する粗テレフタル酸
を反応器に供給すると共に、定常状態におけるよりも低
い水素分圧下に、定常状態に至るまで、処理を行なえば
、−層、短時間にて定常状態に至らせることができる。
通常、処理の定常状態においては、原料粗テレフタル酸
は、24〜30重量%濃度の水スラリーとして反応器に
供給される。水素添加の反応条件は、温度255〜30
0°C1圧力10〜t 10 kg/ cf 、水素分
圧0.5〜20 kg / cf程度である。
は、24〜30重量%濃度の水スラリーとして反応器に
供給される。水素添加の反応条件は、温度255〜30
0°C1圧力10〜t 10 kg/ cf 、水素分
圧0.5〜20 kg / cf程度である。
また、水素添加触媒としては、例えば、活性炭に担持さ
せたパラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、
イリジウム、白金、白金黒、パラジウム黒、鉄、コバル
ト−ニッケル等が用いられる。
せたパラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、
イリジウム、白金、白金黒、パラジウム黒、鉄、コバル
ト−ニッケル等が用いられる。
溌1F邦函果
以上のように、水添塔の触媒の一部を新鮮な触媒に交換
した後、定常状態よりも多量の4−カルボキシベンズア
ルデヒドを含有する不純テレフタル酸を反応塔に供給す
るか、又は定常状態におけるよりも低い水素分圧下に、
定常状態に至るまで、反応を行なわせることによって、
反応が定常状態に到達するまでの時間を著しく短縮する
ことができる。
した後、定常状態よりも多量の4−カルボキシベンズア
ルデヒドを含有する不純テレフタル酸を反応塔に供給す
るか、又は定常状態におけるよりも低い水素分圧下に、
定常状態に至るまで、反応を行なわせることによって、
反応が定常状態に到達するまでの時間を著しく短縮する
ことができる。
実施炎
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
れら実施例により何ら限定されるものではない。
先ず、後述する実施例にて用い6劣化しまた水素添加触
媒の活性を示ずfコク己、二劣化触媒のみGこJ“る反
応を行なった。
媒の活性を示ずfコク己、二劣化触媒のみGこJ“る反
応を行なった。
参考例
4−カルボキン・\ンズアルデし1を3600ppm含
有する粗テレフタル酸30gと水2 logとを活性炭
に担持させた05重量%パラジウ1、触媒O3gと共に
500m1容量のオートクレーブに仕込み、攪拌しつつ
、280°Cに加熱し、次いで、オートクレーブ内に水
素分圧が7kg/cfflGとなるように水素を導入し
て、処理を1時間行なった。
有する粗テレフタル酸30gと水2 logとを活性炭
に担持させた05重量%パラジウ1、触媒O3gと共に
500m1容量のオートクレーブに仕込み、攪拌しつつ
、280°Cに加熱し、次いで、オートクレーブ内に水
素分圧が7kg/cfflGとなるように水素を導入し
て、処理を1時間行なった。
得られたテレフタル酸における4−カルボキシベンズア
ルデヒド含量は400ppmであった。
ルデヒド含量は400ppmであった。
以下の実施例では、種々の割合の劣化触媒と新鮮触媒と
の混合物を用いて、粗テレフタル酸中の4−カルボキシ
ヘンズアルデヒト含量を第1の条件として、また、反応
における水素分圧を第2の条件とし、これらを変動さ1
↓で、4−カルホキシヘンズアルデヒ]を含む粗テレフ
タル酸の水素添加処理を1時間行なって、4−カルボキ
シ−、ンズアルデヒドを処理し、得られる製品テレフタ
ル酸中の4−カルボキシヘンズアルデヒト含量を調べた
。
の混合物を用いて、粗テレフタル酸中の4−カルボキシ
ヘンズアルデヒト含量を第1の条件として、また、反応
における水素分圧を第2の条件とし、これらを変動さ1
↓で、4−カルホキシヘンズアルデヒ]を含む粗テレフ
タル酸の水素添加処理を1時間行なって、4−カルボキ
シ−、ンズアルデヒドを処理し、得られる製品テレフタ
ル酸中の4−カルボキシヘンズアルデヒト含量を調べた
。
このような実施例によって、1時間の反応によって、処
理が定常状態に至ったかどうかを明らか!こした。定常
状態は、こごでは、得られた製品うレフタル酸中の4−
カルボ:髪う/ヘンズアルデヒト含量が10〜12pp
mであるとき(実施例4及び実施例8)と定めメじ。
理が定常状態に至ったかどうかを明らか!こした。定常
状態は、こごでは、得られた製品うレフタル酸中の4−
カルボ:髪う/ヘンズアルデヒト含量が10〜12pp
mであるとき(実施例4及び実施例8)と定めメじ。
実施例1
水素添加触媒として、前記参考例に示す劣化触媒0.0
3 gと活性炭に担持させた0、 5重量%パラジウム
触媒の新鮮品0.278どの混合物を用いた。
3 gと活性炭に担持させた0、 5重量%パラジウム
触媒の新鮮品0.278どの混合物を用いた。
4−カルボキシベンズアルデヒドを3600ppm含有
する粗テレフタル酸30gと水210gとを上記混合触
媒0.3gと共に500m1容量のオー1゛クレープに
仕込み、攪拌しつつ、280°Cに加熱し、次いで、オ
ートクレーブ内に水素分圧が2kg/ C+fl Gと
なるように水素を導入して、処理を1時間行なった。
する粗テレフタル酸30gと水210gとを上記混合触
媒0.3gと共に500m1容量のオー1゛クレープに
仕込み、攪拌しつつ、280°Cに加熱し、次いで、オ
ートクレーブ内に水素分圧が2kg/ C+fl Gと
なるように水素を導入して、処理を1時間行なった。
得られたテレフタル酸におLJる4−カルボキシヘンズ
アルデヒト含量は10ppmであった。
アルデヒト含量は10ppmであった。
実施例2〜8
水素添加触媒として、第1表に示す重量比にて劣化触媒
と新鮮触媒とを混合した触媒0.38を用い、水素分圧
及び/又は原料テレフタル酸中の4カルボキシ−・ンズ
アルデヒト含量を代えた以夕(は、実施例1と同し条(
4十に処理を行なった。
と新鮮触媒とを混合した触媒0.38を用い、水素分圧
及び/又は原料テレフタル酸中の4カルボキシ−・ンズ
アルデヒト含量を代えた以夕(は、実施例1と同し条(
4十に処理を行なった。
得られたテレフタル酸における4−カルボキシヘンズア
ルデピト含量を第1表にボす。
ルデピト含量を第1表にボす。
比較例1〜7
水素添加触媒と(、て、第1表に示ず重量比にて劣化触
媒と新鮮触媒とを混合した触媒0.3gを用い、水素分
圧を代えた以夕(は、実施例1と同し条件下6.て処理
を行なった。
媒と新鮮触媒とを混合した触媒0.3gを用い、水素分
圧を代えた以夕(は、実施例1と同し条件下6.て処理
を行なった。
得られたテレフタル酸における4−カルボキシベンズア
ルデヒド含量を第1表に示す。
ルデヒド含量を第1表に示す。
実施例1〜3は、水素分圧を定常状態の11kg/cf
flG(実施例4、原料テレフタル酸中の4−カルボキ
シベンズアルデヒド含量は3600ppm、製品テレフ
タル酸中の4−カルボキシベンズアルデヒド含量は10
〜12ppm)に対し7て、12〜4kg/ c[Gに
低域させることによって、処理を開始して1時間後には
、定常状態と同し品質のテレフタル酸を得るごとができ
ることをポし、従って、例えば、この後に水素分圧を1
1kg/cfflGに高めて、定常状態で処理を行なう
ことができろ。
flG(実施例4、原料テレフタル酸中の4−カルボキ
シベンズアルデヒド含量は3600ppm、製品テレフ
タル酸中の4−カルボキシベンズアルデヒド含量は10
〜12ppm)に対し7て、12〜4kg/ c[Gに
低域させることによって、処理を開始して1時間後には
、定常状態と同し品質のテレフタル酸を得るごとができ
ることをポし、従って、例えば、この後に水素分圧を1
1kg/cfflGに高めて、定常状態で処理を行なう
ことができろ。
また、実施例1〜4は、触媒の経時的な劣化をモデル的
に示しており、従って、実施例1〜4によって、処理開
始時に水素分圧を定常状態よりも低減することによって
、処理を開始して、1時間以内に定常状態に至ることを
示している。
に示しており、従って、実施例1〜4によって、処理開
始時に水素分圧を定常状態よりも低減することによって
、処理を開始して、1時間以内に定常状態に至ることを
示している。
同様に、実施例5〜7は、水素分圧を定常状態の11
kg/cIIYG (実施例8、原料テレフタル酸中の
4−カルボキシベンズアルデヒド含量は2400 pp
m、製品テレフタル酸中の4−カルボキシベンズアルデ
ヒド含量は12 ppm)に対して、水素分圧を2〜5
kg / c+fl Gに低減させると共に、処理開
始時の粗テレフタル酸中の4−カルボキシベンズアルデ
ヒド含量を4200ppmとすることによって、処理を
開始して1時間後には、定常状態と同じ品質のテレフタ
ル酸を得ることができることを示し、従って、例えば、
この後に水素分圧を11kg/c+flGに高めると共
に、粗テレフタル酸中の4−カルボキシベンズアルデヒ
ド含量を2400ppmとして、処理を定常状態で行な
うことができる。
kg/cIIYG (実施例8、原料テレフタル酸中の
4−カルボキシベンズアルデヒド含量は2400 pp
m、製品テレフタル酸中の4−カルボキシベンズアルデ
ヒド含量は12 ppm)に対して、水素分圧を2〜5
kg / c+fl Gに低減させると共に、処理開
始時の粗テレフタル酸中の4−カルボキシベンズアルデ
ヒド含量を4200ppmとすることによって、処理を
開始して1時間後には、定常状態と同じ品質のテレフタ
ル酸を得ることができることを示し、従って、例えば、
この後に水素分圧を11kg/c+flGに高めると共
に、粗テレフタル酸中の4−カルボキシベンズアルデヒ
ド含量を2400ppmとして、処理を定常状態で行な
うことができる。
また、実施例5〜8は、触媒の経時的な劣化をモデル的
に示しており、従って、実施例5〜8によって、処理開
始時に水素分圧を定常状態よりも低減することによって
、処理を開始して、1時間以内に定常状態に至ることを
示している。
に示しており、従って、実施例5〜8によって、処理開
始時に水素分圧を定常状態よりも低減することによって
、処理を開始して、1時間以内に定常状態に至ることを
示している。
比較例1〜3は、触媒の経時劣化及び粗テレフタル酸中
04−カルボキシベンズアルデヒド含量において、実施
例1〜3に対応しているが、水素分圧が7 kg /
cffl Gであって、定常状態に比べて、十分に低減
していないので、処理を開始して1時間後には、得られ
るテレフタル酸中04−カルボキシベンズアルデヒド含
量が極端乙こ低く、処理が定常状態に至っていない。比
較例4及び5は、更に、触媒が経時的に劣化した状態を
示し、触媒の劣化が進行したために、目的とする純度の
テレフタル酸を定常状態として得るごとができない。
04−カルボキシベンズアルデヒド含量において、実施
例1〜3に対応しているが、水素分圧が7 kg /
cffl Gであって、定常状態に比べて、十分に低減
していないので、処理を開始して1時間後には、得られ
るテレフタル酸中04−カルボキシベンズアルデヒド含
量が極端乙こ低く、処理が定常状態に至っていない。比
較例4及び5は、更に、触媒が経時的に劣化した状態を
示し、触媒の劣化が進行したために、目的とする純度の
テレフタル酸を定常状態として得るごとができない。
比較例6及び7は、実施例5及び8に対応し、比較例6
に対する実施例5にみられるように、処理開始時の原料
テレフタル酸中の4〜カルポキシヘンズアルデヒド含量
を高めることによって、速やかQこ処理を定常状態に至
らせることができる。
に対する実施例5にみられるように、処理開始時の原料
テレフタル酸中の4〜カルポキシヘンズアルデヒド含量
を高めることによって、速やかQこ処理を定常状態に至
らせることができる。
比較例6から比較例7に触媒の劣化が進行すると、目的
とする純度のテレフタル酸を定常状態として得るごとが
できない。
とする純度のテレフタル酸を定常状態として得るごとが
できない。
Claims (3)
- (1)p−キシレンを液相にて接触酸化して得られた4
−カルボキシベンズアルデヒドを主たる不純物として含
む粗テレフタル酸を反応器中で水素添加触媒にて水素の
存在下に処理を行なつて高純度テレフタル酸を製造する
方法において、反応器から活性の低下した水素添加触媒
を一部抜き取り、新鮮な触媒を充填した後、定常状態よ
りも多量の4−カルボキシベンズアルデヒドを含有する
粗テレフタル酸を反応器に供給して定常状態に至るまで
、処理を行なうことを特徴とする高純度テレフタル酸の
製造方法。 - (2)p−キシレンを液相にて接触酸化して得られた4
−カルボキシベンズアルデヒドを主たる不純物として含
む粗テレフタル酸を反応器中で水素添加触媒にて水素の
存在下に処理を行なつて高純度テレフタル酸を製造する
方法において、反応器から活性の低下した水素添加触媒
を一部抜き取り、新鮮な触媒を充填した後、定常状態に
おけるよりも低い水素分圧下に定常状態に至るまで、処
理を行なうことを特徴とする高純度テレフタル酸の製造
方法。 - (3)水素添加触媒が活性炭に担持させた粒状パラジウ
ム触媒であることを特徴とする請求項第1項又は第2項
記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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KR1019910011069A KR950000641B1 (ko) | 1990-07-04 | 1991-07-01 | 정제 테레프탈산의 제조방법 |
US07/725,426 US5180849A (en) | 1990-07-04 | 1991-07-03 | Process for producing purified terephthalic acid |
CA002046163A CA2046163C (en) | 1990-07-04 | 1991-07-03 | Process for producing purified terephthalic acid |
SU915001070A RU2094424C1 (ru) | 1990-07-04 | 1991-07-03 | Способ получения очищенной терефталевой кислоты (варианты) |
DE69114071T DE69114071T2 (de) | 1990-07-04 | 1991-07-04 | Verfahren zur Herstellung von gereinigter Terephthalsäure. |
AT91111118T ATE129489T1 (de) | 1990-07-04 | 1991-07-04 | Verfahren zur herstellung von gereinigter terephthalsäure. |
TW080105213A TW270113B (ja) | 1990-07-04 | 1991-07-04 | |
EP91111118A EP0469327B1 (en) | 1990-07-04 | 1991-07-04 | Process for producing purified terephtalic acid |
CN91105304A CN1030316C (zh) | 1990-07-04 | 1991-07-04 | 生产精制对苯二酸的方法 |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JP2931048B2 JP2931048B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16040175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2177965A Expired - Fee Related JP2931048B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5180849A (ja) |
EP (1) | EP0469327B1 (ja) |
JP (1) | JP2931048B2 (ja) |
KR (1) | KR950000641B1 (ja) |
CN (1) | CN1030316C (ja) |
AT (1) | ATE129489T1 (ja) |
CA (1) | CA2046163C (ja) |
DE (1) | DE69114071T2 (ja) |
RU (1) | RU2094424C1 (ja) |
TW (1) | TW270113B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0858990A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Process for producing purified terephthalic acid |
CN1090172C (zh) * | 1998-06-11 | 2002-09-04 | 三井化学株式会社 | 制备纯化的对苯二甲酸的方法 |
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---|---|---|---|---|
EP0799178B1 (en) * | 1994-12-20 | 2000-05-31 | Engelhard Corporation | Improved process for the purification of aromatic polycarboxylic acids |
JP4934070B2 (ja) | 2008-01-24 | 2012-05-16 | 日東電工株式会社 | 光電気混載基板の製造方法 |
JP4934069B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2012-05-16 | 日東電工株式会社 | 光電気混載基板の製造方法 |
JP4934068B2 (ja) | 2008-01-24 | 2012-05-16 | 日東電工株式会社 | 光電気混載基板の製造方法およびそれによって得られた光電気混載基板 |
US8748479B2 (en) | 2012-06-22 | 2014-06-10 | Eastman Chemical Company | Process for purifying crude furan 2,5-dicarboxylic acid using hydrogenation |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1299628B (de) * | 1963-03-29 | 1969-07-24 | Standard Oil Co | Verfahren zur Gewinnung von reiner, zur unmittelbaren Veresterung mit Glykolen geeigneter Terephthalsaeure |
US4438279A (en) * | 1981-09-30 | 1984-03-20 | Standard Oil Company (Indiana) | Fiber-grade terephthalic acid recovered from the effluent from paraxylene oxidation in acetic acid and the catalytic hydrogenation of the oxidation effluent in the presence of metallic platinum family metals |
DD212162A3 (de) * | 1982-03-10 | 1984-08-01 | Petrolchemisches Kombinat | Verfahren zur reduktiven reinigung von terephthalsaeure |
US4791226A (en) * | 1983-06-23 | 1988-12-13 | Amoco Corporation | Catalyst and process for purification of crude terephthalic acid |
US4629715A (en) * | 1985-10-07 | 1986-12-16 | Amoco Corporation | Purification of terephthalic acid to relatively low levels of 4-carboxybenzaldehyde and catalyst therefor |
US4892972A (en) * | 1985-10-07 | 1990-01-09 | Amoco Corporation | Purification of crude terephthalic acid |
US4808751A (en) * | 1988-03-29 | 1989-02-28 | Amoco Corporation | Method for reactivating a group VIII noble metal catalyst for use in the purification of crude terephthalic acid |
US4833269A (en) * | 1988-08-05 | 1989-05-23 | Amoco Corporation | Method for purifying terephthalic acid recycle streams |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2177965A patent/JP2931048B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-01 KR KR1019910011069A patent/KR950000641B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-07-03 CA CA002046163A patent/CA2046163C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-03 RU SU915001070A patent/RU2094424C1/ru active
- 1991-07-03 US US07/725,426 patent/US5180849A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-04 CN CN91105304A patent/CN1030316C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-04 AT AT91111118T patent/ATE129489T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-07-04 DE DE69114071T patent/DE69114071T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-04 EP EP91111118A patent/EP0469327B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-04 TW TW080105213A patent/TW270113B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0858990A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Process for producing purified terephthalic acid |
US5973196A (en) * | 1997-02-17 | 1999-10-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Process for producing purified terephthalic acid |
CN1090172C (zh) * | 1998-06-11 | 2002-09-04 | 三井化学株式会社 | 制备纯化的对苯二甲酸的方法 |
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---|---|
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EP0469327A2 (en) | 1992-02-05 |
JP2931048B2 (ja) | 1999-08-09 |
EP0469327A3 (en) | 1992-07-22 |
TW270113B (ja) | 1996-02-11 |
ATE129489T1 (de) | 1995-11-15 |
CN1058583A (zh) | 1992-02-12 |
DE69114071D1 (de) | 1995-11-30 |
CA2046163C (en) | 1999-11-16 |
DE69114071T2 (de) | 1996-04-25 |
KR950000641B1 (ko) | 1995-01-26 |
KR920002512A (ko) | 1992-02-28 |
EP0469327B1 (en) | 1995-10-25 |
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