JPH0466327B2 - - Google Patents
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- JPH0466327B2 JPH0466327B2 JP59139285A JP13928584A JPH0466327B2 JP H0466327 B2 JPH0466327 B2 JP H0466327B2 JP 59139285 A JP59139285 A JP 59139285A JP 13928584 A JP13928584 A JP 13928584A JP H0466327 B2 JPH0466327 B2 JP H0466327B2
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3622—Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix
- G09G3/3629—Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix using liquid crystals having memory effects, e.g. ferroelectric liquid crystals
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示電
気光学装置に関する。
気光学装置に関する。
液晶は、色々のデイスプレイに使われている。
液晶パネルは小型で薄くさらに消費電力が少ない
等の優れた特性がある。それ故、時計や計算機の
表示に多く使われている。
液晶パネルは小型で薄くさらに消費電力が少ない
等の優れた特性がある。それ故、時計や計算機の
表示に多く使われている。
これらのデイスプレイに利用されている液晶は
サーモトロピツク液晶である。所定の温度範囲毎
にて各種の液晶相をとる。この液晶相は層構造を
持たないネマチツク相（以後Ｎ）と層構造を持つ
スメクチツク相（以後Sm）に大別される。
サーモトロピツク液晶である。所定の温度範囲毎
にて各種の液晶相をとる。この液晶相は層構造を
持たないネマチツク相（以後Ｎ）と層構造を持つ
スメクチツク相（以後Sm）に大別される。
Smはさらに一軸性のスメクチツクＡ相（以後
SmA）と二軸性のスメクチツクＣ相（以後SmC）
に分類される。層の厚みは大体、液晶分子１分子
分の長さに相当する。
SmA）と二軸性のスメクチツクＣ相（以後SmC）
に分類される。層の厚みは大体、液晶分子１分子
分の長さに相当する。
第２図にＮ，SmA，SmCの分子配列を模式的
に示した。第２図ａはＮ、第２図ｂはSmA、第
２図ＣはSmCを示す。
に示した。第２図ａはＮ、第２図ｂはSmA、第
２図ＣはSmCを示す。
さらに、液晶分子が不斉炭素をもちかつ、ラセ
ミ体でなければ螺旋構造をとるようになる。Ｎの
場合、薄い層内で液晶分子の長軸が層内にあり、
かつ一方向に向かつて配列するようになる。そし
て、層内の分子の方向を各層ごとに少しづつねじ
れたカイラルネマチツクとなる。第３図は、カイ
ラルネマチツクの分子配列を模式的に示した図で
ある。
ミ体でなければ螺旋構造をとるようになる。Ｎの
場合、薄い層内で液晶分子の長軸が層内にあり、
かつ一方向に向かつて配列するようになる。そし
て、層内の分子の方向を各層ごとに少しづつねじ
れたカイラルネマチツクとなる。第３図は、カイ
ラルネマチツクの分子配列を模式的に示した図で
ある。
この場合、層の法線方向を螺旋軸として分子が
螺旋状に配列し、カイラルスメクチツクＣ層（以
後SmC*）となる。
螺旋状に配列し、カイラルスメクチツクＣ層（以
後SmC*）となる。
第４図のａは、SmC*の分子配列を模式的に示
した図である。
した図である。
SmC*についてもう少し詳しく説明を加える。
一つの層中の液晶分子の長軸方向（以下、分子軸
と呼ぶ）は、層の法線方向と角度θだけ傾き、こ
の角度はどの層でも一定である。
一つの層中の液晶分子の長軸方向（以下、分子軸
と呼ぶ）は、層の法線方向と角度θだけ傾き、こ
の角度はどの層でも一定である。
第４図のｂは、分子軸の法線方向との関係を示
している。
している。
一方、層の法線方向からSmC*の分子配列を見
た場合、方位角は一定の値（第３図のａでは、
45°づつ変化する場合を示している。）づつ、層毎
に回転し、分子配列は螺旋構造を生じる。
た場合、方位角は一定の値（第３図のａでは、
45°づつ変化する場合を示している。）づつ、層毎
に回転し、分子配列は螺旋構造を生じる。
また一般にSmC*は、螺旋構造をとるだけでな
く分子軸に垂直な方向に電気双極子を持ち強誘電
性を示す。
く分子軸に垂直な方向に電気双極子を持ち強誘電
性を示す。
強誘電性液晶は、1975年Meyer（J.de.Phys・
36，69，1975）らにより合成され、その存在が証
明された。
36，69，1975）らにより合成され、その存在が証
明された。
その時、合成された液晶は通称DOBAMBC
（２−メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベ
ンジリチン）アミノ〕） と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに
使われている。
（２−メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベ
ンジリチン）アミノ〕） と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに
使われている。
SmC*は前述のように螺旋構造をとるが、その
螺旋の周期は、液晶によつて異なり、通常数μm
程度が多い。
螺旋の周期は、液晶によつて異なり、通常数μm
程度が多い。
SmC*をとる液晶を、螺旋の周期よりも薄い
1μm程度の間隙を有するセルに注入すると、螺旋
構造が消失する。
1μm程度の間隙を有するセルに注入すると、螺旋
構造が消失する。
螺旋構造が消失した後の分子配列構造は、第５
図にセル基板との幾何学的な関係とともに示され
ている。
図にセル基板との幾何学的な関係とともに示され
ている。
液晶分子は、セル基板に対して平行になる。
すなわち、分子軸が基板と平行になり、かつ、
層の法線方向からθ傾いて液晶分子が配列する。
層の法線方向からθ傾いて液晶分子が配列する。
ここで層の法線方向は基板と平行になつてい
る。それ故層は、基板に対して垂直に形成する。
層の法線方向からθ傾く場合、法線から時計回り
にθ傾いているドメインと反時計回りにθ傾いて
いるドメインが混在する。
る。それ故層は、基板に対して垂直に形成する。
層の法線方向からθ傾く場合、法線から時計回り
にθ傾いているドメインと反時計回りにθ傾いて
いるドメインが混在する。
SmC*液晶分子は、一般に分子軸に垂直な電気
双極子を持つ。一方のドメインではセル基板に対
して、電気双極子が上向きに揃つているとすると
他方のドメインでは下向きに電気双極子が揃う。
双極子を持つ。一方のドメインではセル基板に対
して、電気双極子が上向きに揃つているとすると
他方のドメインでは下向きに電気双極子が揃う。
このセル基板間に電界を印加すると、セル全体
の液晶分子が層の法線方向から＋θまたは−θ
（＋、−は電気双極子のついている方向により決定
される。）傾いた位置に揃う。以後、これらの位
置を＋θ位置及び−θ位置と呼ぶ。
の液晶分子が層の法線方向から＋θまたは−θ
（＋、−は電気双極子のついている方向により決定
される。）傾いた位置に揃う。以後、これらの位
置を＋θ位置及び−θ位置と呼ぶ。
電界を上記と逆に印加すると、液晶分子は＋θ
位置から−θ位置へ動くか、または−θ位置から
＋θ位置へ動く。セル全体の分子が＋θ位置から
または−θ位置に配列するからこの相構造は
SmCである。セルの間隙を薄くする事により、
螺旋構造が消失してSmC相ができたことになる。
位置から−θ位置へ動くか、または−θ位置から
＋θ位置へ動く。セル全体の分子が＋θ位置から
または−θ位置に配列するからこの相構造は
SmCである。セルの間隙を薄くする事により、
螺旋構造が消失してSmC相ができたことになる。
しかし、このSmCは、螺旋構造を持つている
なごりとして、±θ位置から反対の位置に移動す
る際、第４図ｂに示した円錐に沿つて移動する。
通常、SmCは、電界を印加してもこのような運
動は起きない。
なごりとして、±θ位置から反対の位置に移動す
る際、第４図ｂに示した円錐に沿つて移動する。
通常、SmCは、電界を印加してもこのような運
動は起きない。
電界の極性を適当に選んで、＋θ位置と−θ位
置の相互間で液晶分子を動かす事と、二枚のセル
基板上に偏光子を貼りつける事によつてこのセル
を表示素子として利用できる。
置の相互間で液晶分子を動かす事と、二枚のセル
基板上に偏光子を貼りつける事によつてこのセル
を表示素子として利用できる。
第６図は、表示素子に利用する場合、二枚の偏
光子と液晶分子の±θ位置との関係を示してい
る。
光子と液晶分子の±θ位置との関係を示してい
る。
第６図ａは、入射側の偏光子の偏光軸を＋θ位
置に一致させてある。出射側の偏光子は、偏光軸
を90°入射側の偏光子の偏光軸から回転させる。
置に一致させてある。出射側の偏光子は、偏光軸
を90°入射側の偏光子の偏光軸から回転させる。
第６図ａの場合、＋θ位置に液晶分子があると、
入射側の偏光子によつて偏光された光は偏光方向
を変えず出射側偏光子に達するが、両偏光子が直
交しているため出射側には光が出ない。
入射側の偏光子によつて偏光された光は偏光方向
を変えず出射側偏光子に達するが、両偏光子が直
交しているため出射側には光が出ない。
この状態は暗状態である。逆に−θ位置に液晶
分子が移動すると、液晶の複屈折性により出射側
の直交した偏光子方向にも光が出るようになる。
分子が移動すると、液晶の複屈折性により出射側
の直交した偏光子方向にも光が出るようになる。
θが22.5°であり、かつセル厚が適正な値であ
れば、ほとんどの光が出射側偏光子の偏光方向に
向くようになり、明状態となる。
れば、ほとんどの光が出射側偏光子の偏光方向に
向くようになり、明状態となる。
上記のような理想的な表示状態を得るために
は、セル厚ｄと液晶の屈折率の異方性Δnとの間
には、次のような関係が必要である。
は、セル厚ｄと液晶の屈折率の異方性Δnとの間
には、次のような関係が必要である。
ｄ＝（2n−１）α／Δn ｎ：屈折率
ただし、α＝Cπ／ω Ｃ：高速度 ω光の
角周波数を表す。
角周波数を表す。
第６図のｂは、入射側と出射側の偏光子の方向
が同じである場合である。
が同じである場合である。
＋θ位置が明状態となり、−θ位置が暗状態と
なる。セル厚とΔnとの関係は上記の式と同様で
ある。θ＝22.5°で理想的な明・暗状態が実現で
きる。
なる。セル厚とΔnとの関係は上記の式と同様で
ある。θ＝22.5°で理想的な明・暗状態が実現で
きる。
この表示素子の考え方は、ClsrkとLagerwall
（Appl.Prys.lett.36，899，1980）らが初めて発表
した。
（Appl.Prys.lett.36，899，1980）らが初めて発表
した。
彼らは、セルを薄くし偏光子を二枚貼りつけた
表示素子が次のような特徴を持つと主張した。
表示素子が次のような特徴を持つと主張した。
すなわち、
(1) μsecオーダの高速応答
(2) メモリー性
(3) 望ましいしきい値特性
これらの特性の中で、高速応答及び電場を印加
して±θ位置のいずれかの状態にした後、電場を
切つてもの状態を維持するというメモリー性は、
彼らの主張通り存在している。
して±θ位置のいずれかの状態にした後、電場を
切つてもの状態を維持するというメモリー性は、
彼らの主張通り存在している。
しかし、望ましいしきい値特性は確認できてい
なかつた。
なかつた。
そこで、強誘電性液晶に第７図のａ，ｂに示し
た駆動波形を印加する事により明・暗の二状態を
作り出す駆動法が提案された。
た駆動波形を印加する事により明・暗の二状態を
作り出す駆動法が提案された。
この駆動法は、走査電極の選択時に正・負の高
い電圧パルスにより、液晶分子を前記＋θ又は−
θの位置まで動かし、その後、低い交流パルスに
より表示状態（分子の位置）を保持するという強
誘電性液晶の特性を利用した駆動法の一実施例で
ある。
い電圧パルスにより、液晶分子を前記＋θ又は−
θの位置まで動かし、その後、低い交流パルスに
より表示状態（分子の位置）を保持するという強
誘電性液晶の特性を利用した駆動法の一実施例で
ある。
第８図に、前記駆動法を実現するための基本的
駆動信号である、φY，Ｙ，φx，ｘの４つの
信号の実施例を示した。
駆動信号である、φY，Ｙ，φx，ｘの４つの
信号の実施例を示した。
φY，Ｙ，φx，ｘはそれぞれ次のように呼
ぶことにする。
ぶことにする。
φY：選択走査電極信号
：非選択走査電極信号
φx：第１フレーム選択信号
：第２フレーム選択信号
これらの信号を走査信号及び表示データにより
選択し走査電極及び信号電極に印加すれば良い。
選択し走査電極及び信号電極に印加すれば良い。
次に、第８図に示される上記４つの基本的駆動
信号から、第７図ａ，ｂに示される各画素へ印加
される駆動波形を導く。第１２図は、走査電極１
から５番目に順次印加される電圧波形図である。
第１２図の走査電極１の第１フレームにおける期
間τ11においては、選択走査電極信号φyが印加さ
れる。次に期間τ12以後は、非選択走査電極信号
φyが印加される。この切り替えは、駆動回路、
または、走査電極駆動回路へ信号を出力する制御
回路によつて行うことができる。次に、走査電極
１の第２フレームにおけるτ21において、選択走
査電極信号φyが印加され、期間τ22以後は前記と
同様に非選択走査電極信号が印加される。次
に走査電極２においては、第１フレームの期間
τ11において、非選択電極信号が印加され、次
の期間τ12において選択電極信号φyが印加され、
以後再び非選択電極信号が印加される。第２
フレームにおいても同様に、、φy，の順序
で印加される。このようにして、走査電極には、
順次走査信号が印加される。第１２図は、順次印
加される走査電極５まで記載しているが、さらに
多数の走査電極を有する場合も同様である。
信号から、第７図ａ，ｂに示される各画素へ印加
される駆動波形を導く。第１２図は、走査電極１
から５番目に順次印加される電圧波形図である。
第１２図の走査電極１の第１フレームにおける期
間τ11においては、選択走査電極信号φyが印加さ
れる。次に期間τ12以後は、非選択走査電極信号
φyが印加される。この切り替えは、駆動回路、
または、走査電極駆動回路へ信号を出力する制御
回路によつて行うことができる。次に、走査電極
１の第２フレームにおけるτ21において、選択走
査電極信号φyが印加され、期間τ22以後は前記と
同様に非選択走査電極信号が印加される。次
に走査電極２においては、第１フレームの期間
τ11において、非選択電極信号が印加され、次
の期間τ12において選択電極信号φyが印加され、
以後再び非選択電極信号が印加される。第２
フレームにおいても同様に、、φy，の順序
で印加される。このようにして、走査電極には、
順次走査信号が印加される。第１２図は、順次印
加される走査電極５まで記載しているが、さらに
多数の走査電極を有する場合も同様である。
次に、走査電極と信号電極の交点に形成される
画素へ印加される駆動波形を第１３図によつて説
明する。第１３図Vyは第１２図の走査電極１の
信号波形を示す。第１３図φx、は、第８図に
示される、第１フレーム選択信号φx、及び、第
２フレーム選択信号と同じである。従つて、
φx−Vy、または−Vyは、信号電極を基準と
して、画素へ印加される駆動波形となる。第１３
図φx−Vyは画素が選択され、一方の表示状態、
例えば、明状態をつくる波形であり、−Vyは
画素選択され、他方の表示状態、例えば暗状態を
つくる波形である。第１３図のφx−Vyと−
Vyは、第７図ａ，ｂの波形と等しい。
画素へ印加される駆動波形を第１３図によつて説
明する。第１３図Vyは第１２図の走査電極１の
信号波形を示す。第１３図φx、は、第８図に
示される、第１フレーム選択信号φx、及び、第
２フレーム選択信号と同じである。従つて、
φx−Vy、または−Vyは、信号電極を基準と
して、画素へ印加される駆動波形となる。第１３
図φx−Vyは画素が選択され、一方の表示状態、
例えば、明状態をつくる波形であり、−Vyは
画素選択され、他方の表示状態、例えば暗状態を
つくる波形である。第１３図のφx−Vyと−
Vyは、第７図ａ，ｂの波形と等しい。
このようにして、第８図に示す基本的駆動信号
より、第７図の画素へ印加される合成電圧パルス
を導くことができる。
より、第７図の画素へ印加される合成電圧パルス
を導くことができる。
第１４図は、走査電極へ、非選択走査電極信号
φyが印加されている場合において、信号電極へ
第１フレーム選択信号φx、および、第２フレー
ム選択信号が印加されたときの、画素へ印加
される駆動信号波形を示すものである。第１４図
の第１フレームおよび第２フレームにおける前記
φy，φx，は第８図に示されている基本的駆動
信号と同じである。従つて、画素に印加される駆
動信号波形は，信号電極を基準として、φx−φy
および−φyとなる。このように、第１０図ａ
の選択されない期間における画素へ印加される駆
動信号波形が導かれる。
φyが印加されている場合において、信号電極へ
第１フレーム選択信号φx、および、第２フレー
ム選択信号が印加されたときの、画素へ印加
される駆動信号波形を示すものである。第１４図
の第１フレームおよび第２フレームにおける前記
φy，φx，は第８図に示されている基本的駆動
信号と同じである。従つて、画素に印加される駆
動信号波形は，信号電極を基準として、φx−φy
および−φyとなる。このように、第１０図ａ
の選択されない期間における画素へ印加される駆
動信号波形が導かれる。
一方、強誘電性液晶の応答時間が、第７図の駆
動波形のパルス列の時間幅とほぼ等しい時が最も
明・暗とのコントラストが高く、通常時間間幅は
応答時間とほぼ等しくなるように設定されてい
る。
動波形のパルス列の時間幅とほぼ等しい時が最も
明・暗とのコントラストが高く、通常時間間幅は
応答時間とほぼ等しくなるように設定されてい
る。
現在室温付近で使われている通称MBRA（以下
に構造式を示す） の応答時間は、Ｔ＝30℃においてτ＝500（μsec）
である。
に構造式を示す） の応答時間は、Ｔ＝30℃においてτ＝500（μsec）
である。
但し、この応答時間は、上下の基板上に一軸配
向処理を施した場合に測定された。
向処理を施した場合に測定された。
この条件で400分割程度の多分割表示の場合、
一画面の書き込みを行うのに、約0.8secかかる。
一画面の書き込みを行うのに、約0.8secかかる。
それ故、フレーム周波数を30Hz程度にし、人間
の視覚に走査が見えないようにする事は、不可能
である。
の視覚に走査が見えないようにする事は、不可能
である。
そこで、固定表示等の変化の少ない限られた表
示には、第９図に示される駆動法が用いられてい
る。
示には、第９図に示される駆動法が用いられてい
る。
すなわち、画面書き込みは第７図の駆動法によ
り行い、その後、ハイインピーダンス状態としメ
モリ性を利用して表示させていた。
り行い、その後、ハイインピーダンス状態としメ
モリ性を利用して表示させていた。
しかし、画面の一部が変化する時、画面全体を
書き換えるためには、MBRAの場合0.8secあま
りもかかり、見づらい等の問題があつた。
書き換えるためには、MBRAの場合0.8secあま
りもかかり、見づらい等の問題があつた。
そこでこの発明は、画面の一部が変化する場
合、全面書き換えをせず、部分的に書き換えによ
り効率的な画面制御を行い、かつ、画面が変わる
際の見づらさをなくす事を目的とする。
合、全面書き換えをせず、部分的に書き換えによ
り効率的な画面制御を行い、かつ、画面が変わる
際の見づらさをなくす事を目的とする。
画面の変化する部分の走査電極のみを走査し、
その他の走査電極は、非選択状態にある事により
部分書き換えを行う。
その他の走査電極は、非選択状態にある事により
部分書き換えを行う。
上記のように駆動された時、走査された走査電
極と信号電極間の液晶には、第７図のａ，ｂの駆
動波形が印加される。
極と信号電極間の液晶には、第７図のａ，ｂの駆
動波形が印加される。
ａ，ｂはそれぞれ明・暗（偏光板の貼り方によ
り逆の暗・明にも成り得る。）状態を作る。
り逆の暗・明にも成り得る。）状態を作る。
走査されない走査電極と信号電極間の液晶には
第１０図ａに示された駆動波形が印加される。こ
の駆動波形は交流パルスであり、表示は変化しな
い。
第１０図ａに示された駆動波形が印加される。こ
の駆動波形は交流パルスであり、表示は変化しな
い。
以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。第１図はこの発明の液晶電気光学装置のブ
ロツク図である。制御回路２は、走査電極のうち
走査を開始及び終了する走査電極を指定する信号
７をアドレス指定回路３へ出力する。
する。第１図はこの発明の液晶電気光学装置のブ
ロツク図である。制御回路２は、走査電極のうち
走査を開始及び終了する走査電極を指定する信号
７をアドレス指定回路３へ出力する。
回路３は、部分走査信号を走査電極駆動回路４
へ出力する。
へ出力する。
本発明の部分走査において、部分的に選択され
た走査電極部の画素に印加される電圧波形は、第
７図、第１０図にその例が示される。
た走査電極部の画素に印加される電圧波形は、第
７図、第１０図にその例が示される。
第１５図は、一選択期間を単位とした、走査電
極に印加される走査信号φy、と、信号電極へ
印加されるデータ信号φx、との組み合せによ
る、画素に印加される電圧波形を示すものであ
る。第１５図ａは第１フレーム走査の場合を示
し、選択走査信号φy、データ信号φxにおいて明
状態へ反転させるVapが画素へ印加され、非選択
電極信号においては、±1/3Vapの交流電圧が印
加される。
極に印加される走査信号φy、と、信号電極へ
印加されるデータ信号φx、との組み合せによ
る、画素に印加される電圧波形を示すものであ
る。第１５図ａは第１フレーム走査の場合を示
し、選択走査信号φy、データ信号φxにおいて明
状態へ反転させるVapが画素へ印加され、非選択
電極信号においては、±1/3Vapの交流電圧が印
加される。
第１５図ｂは第２フレーム走査の場合を示し、
選択走査信号φy、データ信号において暗状態
へ反転させる−Vapが画素に印加され、非選択走
査信号においては、±1/3Vapの交流電圧が印
加される。
選択走査信号φy、データ信号において暗状態
へ反転させる−Vapが画素に印加され、非選択走
査信号においては、±1/3Vapの交流電圧が印
加される。
これらの駆動波形において、選択期間の間、選
択電圧の大きさVap、時間幅τのパルスが印加さ
れるとし、非選択期間に液晶に印加されるパルス
幅を最大をτmax、最大電圧をVos-naxとして、少
なくとも、次式(イ)を満足するように各波形が設定
される。
択電圧の大きさVap、時間幅τのパルスが印加さ
れるとし、非選択期間に液晶に印加されるパルス
幅を最大をτmax、最大電圧をVos-naxとして、少
なくとも、次式(イ)を満足するように各波形が設定
される。
Vap×τ＞VNS-nax×τmax ……(イ)
第７図、第８図、第９図、第１０図および、第
１５図に示すすべての駆動波形は、式(イ)を満足す
るものである。
１５図に示すすべての駆動波形は、式(イ)を満足す
るものである。
すなわち、実効電圧を電圧の絶対値と時間の積
Vapτで定義すると、液晶に印加される非選択期
間の単パルスの実効電圧は、選択期間の単パルス
の実効電圧よりも小さくすることが必要条件であ
る。
Vapτで定義すると、液晶に印加される非選択期
間の単パルスの実効電圧は、選択期間の単パルス
の実効電圧よりも小さくすることが必要条件であ
る。
第１１図は、アドレス指定回路３から走査電極
駆動回路４へ出力され、書き換え対象となる走査
電極を指定する信号を出す。第１１図において
は、走査電極が１番〜ｎ番あり、そのうちｌ番〜
ｌ＋ｍ−１番を指定するHighレベルの信号が走
査電極駆動回路４へ出力され、ｍ本の走査電極が
走査される。残りの走査電極は、走査されず走査
電極駆動回路４へ出力する信号は、Lowレベル
となる。
駆動回路４へ出力され、書き換え対象となる走査
電極を指定する信号を出す。第１１図において
は、走査電極が１番〜ｎ番あり、そのうちｌ番〜
ｌ＋ｍ−１番を指定するHighレベルの信号が走
査電極駆動回路４へ出力され、ｍ本の走査電極が
走査される。残りの走査電極は、走査されず走査
電極駆動回路４へ出力する信号は、Lowレベル
となる。
走査電極駆動回路４において、部分走査される
ｌ番〜ｌ＋ｍ−１番のｍ本の走査電極には、走査
信号がHighレベルの時、第８図のφYを選択して
走査電極に印加する。Lowレベルの時には、第
８図のＹを選択し走査電極へ印加する。部分走
査されない残りの走査電極には、Ｙが選択され
印加される。
ｌ番〜ｌ＋ｍ−１番のｍ本の走査電極には、走査
信号がHighレベルの時、第８図のφYを選択して
走査電極に印加する。Lowレベルの時には、第
８図のＹを選択し走査電極へ印加する。部分走
査されない残りの走査電極には、Ｙが選択され
印加される。
当然データ信号は、部分走査されるｌ番〜ｌ＋
ｍ−１番の走査電極上の画素に対して、どちらか
一方の安定状態を書き込むためのデータを供給す
る。それ故ｌ番の走査電極上のデータ信号から順
に、走査されるタイミングに同期してデータ信号
が出力される。
ｍ−１番の走査電極上の画素に対して、どちらか
一方の安定状態を書き込むためのデータを供給す
る。それ故ｌ番の走査電極上のデータ信号から順
に、走査されるタイミングに同期してデータ信号
が出力される。
従つて、上記部分走査される走査電極上の、一
方の安定状態へ書き込まれる画素には、第７図ａ
に示す電圧信号が印加され、他方の安定状態へ書
き込まれる画素には、上記第７図ａとは走査フレ
ームを異にする第７図ｂに示す電圧信号が印加さ
れることになる。
方の安定状態へ書き込まれる画素には、第７図ａ
に示す電圧信号が印加され、他方の安定状態へ書
き込まれる画素には、上記第７図ａとは走査フレ
ームを異にする第７図ｂに示す電圧信号が印加さ
れることになる。
また、上記部分走査されない走査電極上のすべ
ての画素に対しては、第１０図に示すように、一
走査期間内において、正負の極性を含む交流電圧
が印加されることになる。
ての画素に対しては、第１０図に示すように、一
走査期間内において、正負の極性を含む交流電圧
が印加されることになる。
強誘電性液晶パネルでは、画面の部分的変化に
対して、変化する部分の走査電極を部分的に走査
する事により、画面の他の部分を変化させる事な
く書き換えることができる。
対して、変化する部分の走査電極を部分的に走査
する事により、画面の他の部分を変化させる事な
く書き換えることができる。
画面の部分的修正や変化には視覚的には全く感
知する事なく書き換えが行われる。
知する事なく書き換えが行われる。
さらに情報処理を行う外部コンピユータの面か
ら考えると、変化する時にのみ変化するデータだ
けを制御回路に転送すれば良い。その他の時間
は、外部コンピユータ等は他の処理を行う事がで
きる。
ら考えると、変化する時にのみ変化するデータだ
けを制御回路に転送すれば良い。その他の時間
は、外部コンピユータ等は他の処理を行う事がで
きる。
このように本発明による液晶電気光学装置は視
覚的な点においても、また情報処理の点において
も画期的な特性を有するものである。
覚的な点においても、また情報処理の点において
も画期的な特性を有するものである。
以上説明したように、本発明の実施例によれ
ば、上記部分走査されない走査電極には、非選択
走査電極信号が走査信号として印加され、信号電
極に印加されるデータ信号との組合わせに依つ
て、各画素部には一走査期間内の時間において正
負の極性を含む交流電圧が印加されることにな
る。そのために、部分走査されない走査電極上の
各画素は、反転しないで安定な状態を維持するこ
とになるものである。
ば、上記部分走査されない走査電極には、非選択
走査電極信号が走査信号として印加され、信号電
極に印加されるデータ信号との組合わせに依つ
て、各画素部には一走査期間内の時間において正
負の極性を含む交流電圧が印加されることにな
る。そのために、部分走査されない走査電極上の
各画素は、反転しないで安定な状態を維持するこ
とになるものである。
第１図は本発明による液晶電気光学装置のブロ
ツク図である。第２図ａ，ｂ，ｃはそれぞれネマ
チツク、スメクチツクＡ，スメクチツクＣの模式
図である。第３図は、カイラルネマチツクの模式
図である。第４図ａ，ｂは、カイラルスメクチツ
クＣの模式図である。第５図は、セルの空隙を３
〜1μm程度にした場合の分子の並び方を示した図
である。第６図ａ，ｂはカイラルスメクチツクＣ
液晶を表示素子として用いる場合の偏光板と分子
の位置との関係を示した図である。第７図ａ，ｂ
はカイラルスメクチツクＣを駆動する駆動波形の
実施例である。第８図は、第７図ａ，ｂを作り出
すための基本的な駆動信号φY、Ｙ、φx、ｘ
を示した図である。第９図は、固定表示に用いら
れる駆動法の一実施例である。第１０図は、部分
走査の際、画素にかかる駆動波形の実施例で、走
査されていない走査電極上の画素にかかる駆動波
形である。第１１図は、部分走査の際、走査電極
駆動回路に入力される走査信号の実施例である。
第１２図は、走査電極１から５番目の走査信号を
示す。第１３図は走査信号とデータ信号の合成に
より、画素に印加される駆動波形を示す。第１４
図は部分書き込みがなされていない画素へ印加さ
れる電圧波形である。第１５図ａ，ｂは、第１お
よび第２フレーム走査期間に画素へ印加される駆
動波形をそれぞれ示す。 １……発振回路、２……制御回路、３……アド
レス指定回路、４……走査電極駆動回路、５……
信号電極駆動回路、６……強誘電性液晶パネル、
７……アドレス指定信号、８……液晶分子、９…
…電気双極子、１０……基板、１１……偏光子。
ツク図である。第２図ａ，ｂ，ｃはそれぞれネマ
チツク、スメクチツクＡ，スメクチツクＣの模式
図である。第３図は、カイラルネマチツクの模式
図である。第４図ａ，ｂは、カイラルスメクチツ
クＣの模式図である。第５図は、セルの空隙を３
〜1μm程度にした場合の分子の並び方を示した図
である。第６図ａ，ｂはカイラルスメクチツクＣ
液晶を表示素子として用いる場合の偏光板と分子
の位置との関係を示した図である。第７図ａ，ｂ
はカイラルスメクチツクＣを駆動する駆動波形の
実施例である。第８図は、第７図ａ，ｂを作り出
すための基本的な駆動信号φY、Ｙ、φx、ｘ
を示した図である。第９図は、固定表示に用いら
れる駆動法の一実施例である。第１０図は、部分
走査の際、画素にかかる駆動波形の実施例で、走
査されていない走査電極上の画素にかかる駆動波
形である。第１１図は、部分走査の際、走査電極
駆動回路に入力される走査信号の実施例である。
第１２図は、走査電極１から５番目の走査信号を
示す。第１３図は走査信号とデータ信号の合成に
より、画素に印加される駆動波形を示す。第１４
図は部分書き込みがなされていない画素へ印加さ
れる電圧波形である。第１５図ａ，ｂは、第１お
よび第２フレーム走査期間に画素へ印加される駆
動波形をそれぞれ示す。 １……発振回路、２……制御回路、３……アド
レス指定回路、４……走査電極駆動回路、５……
信号電極駆動回路、６……強誘電性液晶パネル、
７……アドレス指定信号、８……液晶分子、９…
…電気双極子、１０……基板、１１……偏光子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に複数の走査電極を設けた一方の基板
と、表面に複数の信号電極を設けた他方の基板と
を間隙を設けて各電極が対向するように配設し、
前記間隙にカイラルスメクテイツク液晶を封入す
るとともに、前記間隙を前記カイラルスメクテイ
ツク液晶の螺旋ピツチ以下に制限し、前記走査電
極と前記信号電極との各交差部に画素部を形成し
た液晶パネルと、 前記走査電極に接続され、これに走査信号を供
給する走査電極駆動回路と、 前記走査電極駆動回路に接続され、書き換え対
象となる走査電極を指定するアドレス指定回路
と、 前記走査信号に同期して前記信号電極にデータ
信号を供給する信号電極駆動回路とからなる、部
分走査可能な強誘電性液晶電気光学装置であつ
て、 前記部分走査は、２つのフレーム走査からな
り、その一つのフレーム走査は、前記カイラルス
メクテイツク液晶の動作電圧以上であり、前記デ
ータ信号の明データに対応して予め定められた一
方の極性をもつ電圧パルスを、書き込み信号とし
て前記画素部に印加するものであり、 もう一つのフレーム走査は、前記カイラルスメ
クテイツク液晶の動作電圧以上であり、前記デー
タ信号の暗データに対応して予め定められた他方
の極性をもつ電圧パルスを、書き込み信号として
前記画素部に印加するものであり、 かつ、非選択走査信号が印加されている走査電
極上の各画素部には、前記カイラルスメクテイツ
ク液晶の動作電圧以下であり、一走査期間におい
て極性の異なる実質的に同電圧の二つの電圧パル
スからなる交流電圧パルスが印加されていること
を特徴とする強誘電性液晶電気光学装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139285A JPS6118929A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| US06/750,093 US4693563A (en) | 1984-07-05 | 1985-06-28 | Ferro-electric liquid crystal electro-optical device |
| EP85304770A EP0167398B2 (en) | 1984-07-05 | 1985-07-04 | Ferro-electric liquid crystal electro-optical device |
| DE8585304770T DE3585566D1 (de) | 1984-07-05 | 1985-07-04 | Elektrooptische einrichtung mit ferroelektrischen fluessigkristallen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139285A JPS6118929A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118929A JPS6118929A (ja) | 1986-01-27 |
| JPH0466327B2 true JPH0466327B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=15241717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139285A Granted JPS6118929A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4693563A (ja) |
| EP (1) | EP0167398B2 (ja) |
| JP (1) | JPS6118929A (ja) |
| DE (1) | DE3585566D1 (ja) |
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| SE8504760D0 (sv) * | 1985-10-14 | 1985-10-14 | Sven Torbjorn Lagerwall | Electronic addressing of ferroelectric liquid crystal devices |
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| EP0289144B1 (en) * | 1987-03-31 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device |
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