JPH0466189A - シリコン微粉含有排水の貯留方法 - Google Patents
シリコン微粉含有排水の貯留方法Info
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- JPH0466189A JPH0466189A JP17746090A JP17746090A JPH0466189A JP H0466189 A JPH0466189 A JP H0466189A JP 17746090 A JP17746090 A JP 17746090A JP 17746090 A JP17746090 A JP 17746090A JP H0466189 A JPH0466189 A JP H0466189A
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- silicon fine
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- containing waste
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- Pending
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Landscapes
- Removal Of Specific Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシリコン半導体素子の製造プロセスにおけるシ
リコンインゴットやシリコンウェハの切断や研磨の工程
で排出されるシリコン微粉含有排水の貯留方法に関する
ものである。
リコンインゴットやシリコンウェハの切断や研磨の工程
で排出されるシリコン微粉含有排水の貯留方法に関する
ものである。
［従来の技術］
現在、シリコン半導体集積素子の製造プロセスで排出さ
れるシリコン微粉含有排水の処理は、主に凝沈剤を用い
て凝沈処理したのち、上澄水とスラッジに分け、上澄水
は放流し、スラッジ分は脱水処理後、廃棄されている。
れるシリコン微粉含有排水の処理は、主に凝沈剤を用い
て凝沈処理したのち、上澄水とスラッジに分け、上澄水
は放流し、スラッジ分は脱水処理後、廃棄されている。
しかし、半導体素子製造工程で排出されるシリコン微粉
はきわめて活性に富み、水と反応して水素を発生するこ
とが最近判明しつつある。
はきわめて活性に富み、水と反応して水素を発生するこ
とが最近判明しつつある。
水素ガスは危険性が高いため、有効な排水処理が行なわ
れるまでの間、排水からの水素発生を極力おさえる手段
を講じる必要がある。
れるまでの間、排水からの水素発生を極力おさえる手段
を講じる必要がある。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、シリコン微粉含有排水に対して、水素の発生
能力を極力おさえる、シリコン微粉含有排水の貯留方法
を提供することを課題とする。
能力を極力おさえる、シリコン微粉含有排水の貯留方法
を提供することを課題とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記の課題を解決するために鋭意研究した結
果、シリコン微粉を含む排水をｐＨ７〜３、温度１０℃
以下で貯留することが水素発生をおさえるうえで有効で
あることを見い出し、本発明を完成するに至った。
果、シリコン微粉を含む排水をｐＨ７〜３、温度１０℃
以下で貯留することが水素発生をおさえるうえで有効で
あることを見い出し、本発明を完成するに至った。
シリコン微粉を含む排水よりの水素発生活性は、排水の
ｐＨと温度によって大きく左右されることを本発明者ら
は見い出した。
ｐＨと温度によって大きく左右されることを本発明者ら
は見い出した。
ＰＨに関しては、高くなればなるほど排水からの水素発
生速度は大きくなる傾向にある。従ってＰＨは低目、具
体的には７〜３、好ましくは１，６〜３にしておくこと
が必要である。あまり酸性になるとケイ素が酸と反応す
る傾向が見られるので、ｐＨを上記範囲に維持しておく
ことが必要である。
生速度は大きくなる傾向にある。従ってＰＨは低目、具
体的には７〜３、好ましくは１，６〜３にしておくこと
が必要である。あまり酸性になるとケイ素が酸と反応す
る傾向が見られるので、ｐＨを上記範囲に維持しておく
ことが必要である。
温度に関しては、高くなればなるほど排水からの水素発
生速度は大きくなる傾向にある。従って温度は低目、具
体的には１０°Ｃ以下、好ましくは５℃以下にしておく
ことが必要である。
生速度は大きくなる傾向にある。従って温度は低目、具
体的には１０°Ｃ以下、好ましくは５℃以下にしておく
ことが必要である。
また排水は、撹拌した時の方が水素発生速度が大きくな
る傾向にあるので、なるべくならば静置状態で貯留して
おくことが望ましい。
る傾向にあるので、なるべくならば静置状態で貯留して
おくことが望ましい。
［実施例］
以下、実施例と比較例により本発明を更に詳細かつ具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例１
約２ｗｔ％のシリコン微粉を含む排水１０００ｍｌ１０
０Ｏ，２）を５℃にて撹拌した。発生してきたガスをガ
スクロマトグラフで分析したところ、純水素であった。
０Ｏ，２）を５℃にて撹拌した。発生してきたガスをガ
スクロマトグラフで分析したところ、純水素であった。
発生した水素量は１日で０．２ａａ＋ｏｌであり、水素
の発生量はごく少量であった。
の発生量はごく少量であった。
実施例２
実施例１で用いたのと同じ約２ｗｔ％のシリコン微粉を
含む排水１０１００Ｏ（ＰＨ５，２）を５℃にて静置し
た。１日たってもガスの発生は認められなかった。
含む排水１０１００Ｏ（ＰＨ５，２）を５℃にて静置し
た。１日たってもガスの発生は認められなかった。
比較例１
実施例１で用いたのと同じ約２ｗｔ％のシリコン微粉を
含む排水１０１００Ｏ（ＰＨ５，２）を２０℃で撹拌し
た。発生してきたガスをガスクロマトグラフで分析した
ところ、純水素であった。発生した水素量は１時間あた
り０．１ｍｍｏｌであった。
含む排水１０１００Ｏ（ＰＨ５，２）を２０℃で撹拌し
た。発生してきたガスをガスクロマトグラフで分析した
ところ、純水素であった。発生した水素量は１時間あた
り０．１ｍｍｏｌであった。
比較例２
実施例１で用いたのと同じ約２ｖｔ％のシリコン微粉を
含む排水１０１００Ｏに少量のＮａＯＨを加えてｐＨを
８にし、５℃で撹拌した。発生してきたガスをガスクロ
マトグラフで分析したところ、純水素であった。発生し
た水素量は１時間あたり０．２ｔｘｔａｏＩであった。
含む排水１０１００Ｏに少量のＮａＯＨを加えてｐＨを
８にし、５℃で撹拌した。発生してきたガスをガスクロ
マトグラフで分析したところ、純水素であった。発生し
た水素量は１時間あたり０．２ｔｘｔａｏＩであった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法によればシリコン微
粉含有排水からの水素発生を防止でき、それを安全に貯
留することができる。
粉含有排水からの水素発生を防止でき、それを安全に貯
留することができる。
特許出願人 旭化成工業株式会社
代理人 弁理士 小 松 秀 岳
代理人 弁理士 旭 宏
Claims (1)
- シリコン微粉含有排水をｐＨ７〜３、温度１０℃以下で
貯留することを特徴とするシリコン微粉含有排水の貯留
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17746090A JPH0466189A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | シリコン微粉含有排水の貯留方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17746090A JPH0466189A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | シリコン微粉含有排水の貯留方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466189A true JPH0466189A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16031324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17746090A Pending JPH0466189A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | シリコン微粉含有排水の貯留方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0466189A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759402A (en) * | 1996-01-29 | 1998-06-02 | Nec Corporation | Methods for the remediation of polluted soils |
| WO2018037752A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2018-03-01 | 小林 光 | 水素含有液、水素含有液の製造方法、及び水素含有液の製造装置、並びに生体用水素発生材 |
| EP3505491A4 (en) * | 2016-08-23 | 2020-03-11 | Hikaru Kobayashi | COMPOUND, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND HYDROGEN SUPPLY METHOD |
| CN113426312A (zh) * | 2015-12-04 | 2021-09-24 | Ｋｉｔ股份有限公司 | 含氢溶液、含氢溶液的制造方法、含氢溶液的制造装置、及活体用氢生成材料 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP17746090A patent/JPH0466189A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759402A (en) * | 1996-01-29 | 1998-06-02 | Nec Corporation | Methods for the remediation of polluted soils |
| WO2018037752A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2018-03-01 | 小林 光 | 水素含有液、水素含有液の製造方法、及び水素含有液の製造装置、並びに生体用水素発生材 |
| JPWO2018037752A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-08-08 | 小林 光 | 水素含有液、水素含有液の製造方法、及び水素含有液の製造装置、並びに生体用水素発生材 |
| CN113426312A (zh) * | 2015-12-04 | 2021-09-24 | Ｋｉｔ股份有限公司 | 含氢溶液、含氢溶液的制造方法、含氢溶液的制造装置、及活体用氢生成材料 |
| EP3505491A4 (en) * | 2016-08-23 | 2020-03-11 | Hikaru Kobayashi | COMPOUND, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND HYDROGEN SUPPLY METHOD |
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