JPH0465850A - 検査・リペア装置 - Google Patents

検査・リペア装置

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JPH0465850A
JPH0465850A JP17881790A JP17881790A JPH0465850A JP H0465850 A JPH0465850 A JP H0465850A JP 17881790 A JP17881790 A JP 17881790A JP 17881790 A JP17881790 A JP 17881790A JP H0465850 A JPH0465850 A JP H0465850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
repair
inspection
wafer
probe
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP17881790A
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English (en)
Inventor
Wataru Karasawa
唐沢 渉
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、検査・リペア装置に関する。
(従来の技術) 周知の如く、従来から例えば、LCD用基板、メモリデ
バイスの製造工程等においては、プローブ装置等を用い
た半完成品の検査が実施されている。
そして、この検査によって不良箇所か発見されると、L
CD用基板あるいは半導体ウェハをリペア装置に送ると
ともに、不良箇所に関する情報を例えばフロッピィディ
スク等の記憶手段によってリペア装置に送り、このリペ
ア装置によって不良箇所(あるいは不良箇所に対応する
所定箇所)にエネルギー線、例えばレーザビームあるい
はイオンビームを照射して不良箇所を修復し、歩留の向
上を図ることが行われている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述した従来の技術においては、プロー
ブ装置とリペア装置が別体であるため、不良箇所に関す
る情報を伝えるためのフロ・ンピイディスク等の管理を
確実に行わないと不良箇所に関する情報が取り違えられ
て混乱を生じる恐れかあるという問題があった。
また、このような問題を解決するため、同一筐体内にプ
ローブ機構部と、リペア機構部を設け、プローブ機構部
による検査が終了すると被検査体か設けられた移動ステ
ージをそのままリペア機構部に移動させて修復を行う装
置も提案されている。
しかしなから、このような装置では、プローブ機構部に
よる検査中はリペア機構部による修復を行うことができ
す、また、リペア機構部による修復中はプローブ機構部
による検査を行うことができないため、スルーブツトが
低下するという問題があった。
また、例えばメモリデバイスの検査工程および修復工程
においては、検査工程に要する時間が修復工程に要する
時間に較べて長く、また、このような時間の差はメモリ
デバイスの容量によって変動する。このため、従来は例
えばプローブ装置の台数とリペア装置の台数を調節して
、このような時間差に対応しているか、上記同一筐体内
にプローブ機構部とリペア機構部を設けた装置ではこの
ような対応も行うことかできな(為。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされタモので
、従来に較べてスループ・ノドおよびフレキシビイリテ
ィーを向上させることができ、生産性の向上を図ること
のできる検査・リペア装置を提供しようとするものであ
る。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明の検査・リペア装置は、被検査物にプロ
ーブを接触させて電気的な検査を実施する一または複数
の検査機構と、前記被検査物にエネルギー線を照射して
、前記検査機構部による検査で不良と判定された部位を
修復するーまた(よ複数のリペア機構と、前記検査機構
と前記リペア機構との間で前記被検査物を選択的に搬送
する搬送機構とを具備したことを特徴とする。
また、上記構成の本発明の検査・リペア装置において、
検査機構およびリペア機構は、被検査物に接触させて電
気的な導通を得るための多数のプローブを備えたプロー
ブカードと、被検査物にエネルギー線を照射するための
エネルギー線照射ユニットとを交換することにより、検
査機構およびリペア機構のどちらにも使用可能に構成さ
れていることを特徴とする。
(作 用) 本発明の検査・リペア装置では、検査機構による電気的
な検査とリペア機構による修復を並行して実施すること
ができ、かつ、検査工程に要する時間および修復工程に
要する時間の相違によってこれらの検査機構およびリペ
ア機構の台数を任意に設定することができる。
したがって、従来に較べてスルーブツトおよびフレキシ
ビイリティーを向上させることができ、生産性の向上を
図ることができる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図に示すように、検査・リペア装置1には、はぼ直
線上に配列された複数例えば5台の検査機構2が設けら
れている。また、これらの検査機構2の列の一端には、
例えば1台のリペア機構3か設けられており、これらの
検査機構2およびリペア機構3の後方には、これらの機
構を接続する如く、搬送機構4が設けられている。
上記搬送機構4は、複数段例えば上下2段に配列された
搬送機構例えばベルト搬送機構4a14bにより半導体
ウェハ5を一枚一枚搬送するよう構成されており、この
搬送棒構4の端部には、図示しないエンドステーション
か設けられている。
そして、このエンドステーションにウェハカセットが設
けられ、このウェハカセットから各検査機構2に半導体
ウェハ5を搬送し、検査、修復および必要であれば再検
査を終了した半導体ウェハ5ヲ再びエンドステーション
のウェハカセットへ選択的に搬送するよう構成されてい
る。なお、この搬送機構4は、ウェハカセットごとに搬
送するように構成することもてきる。
第2図に示すように、上記検査機構2には、筐体10が
設けられており、この筐体10内には、半導体ウェハ5
を例えば真空チャック等により吸着保持するウェハ載置
台11が移動ステージ12によってx−y−z−θ方向
に移動自在に配置されている。また、このウェハ載置台
11の後方(第2図中右側)には、このウェハ載置台1
1と搬送機構4との間で半導体ウェハ5の移載を行うロ
ーダ13が設けられている。
さらに、ウェハ載置台11の上方には、プロブカード固
定機構14が設けられている。このプローブカード固定
機構14は、半導体ウエノ\5上に形成された半導体デ
バイスの電極パッドに対応して多数のプローブ15を植
設したプローブカード16か着脱自在に固定できるよう
構成されている。
一方、第3図に示すように、リペア機構3には、上記ウ
ェハ載置台11、移動ステージ12、ローダ13、プロ
ーブカード固定機構14が設けられており、ウェハ載置
台11の上方にはエネルギー線照射ユニットとして、レ
ーザ照射ユニット17か設けられている。二のレーザ照
射ユニット17は、レーザ光源18と、このレーザ光源
18からのレーザ光を収束して所望径のビームスポット
として半導体ウェハ5の所望部位に照射する光学系19
とから構成されている。
また、上記レーザ照射ユニット17は、着脱機構例えば
ねし等により、筐体10に対して着脱自在に構成されて
いる。したがって、筐体10からレーザ照射ユニット1
7を取り外し、プローブカード固定機構14に所定のプ
ローブカード16を固定すれば、検査機構2として使用
できるよう構成されている。
同様に、第1図および第2図に示す各検査機構2は、プ
ローブカード16を取り外してレーザ照射ユニット17
を取り付けれぼリペア機構3として使用できるよう構成
されている。
したがって、第1図の検査・リペア装置1には5台の検
査機構2と 1台のリペア機構3が示されているが、プ
ローブカード16とレーザ照射ユニット17とを交換す
ることにより、例えば4台の検査機構2と2台のリペア
機構3の構成にしたり、3台の検査機構2と 3台のリ
ペア機構3の構成にする等任意の構成とすることができ
る。
このような構成は、検査機構2による検査工程に要する
時間と、リペア機構3による修復工程に要する時間との
比率によって決定する。例えば検査工程に要する時間と
修復工程に要する時間とがほぼ同じ場合は、検査機構2
とリペア機構3の台数の比率を1対1とし、検査工程に
要する時間と修復工程に要する時間との比率が2対lて
あれば検査機構2とリペア機構3の台数の比率を2対1
とする。
このような検査工程に要する時間と修復工程に要する時
間との比率は、メモリデバイスの場合メモリ容量によっ
て異なり、例えば4Mでは10対1116Mでは 5対
 1.84Mでは 2対 1等となる。
上記構成のこの実施例の検査・リペア装置1は、図示し
ないテスタからの指令で、次のように統括的に制御され
る。
すなわち、ます、搬送機構4により、図示しないエンド
ステーションから各検査機構2に半導体ウェハ5を搬送
する。
各検査機構2は、この半導体ウエノ15をローダ13に
よって位置決めしてウエノ\載置台11上に載置し、こ
のウエノ\載置台11を移動ステージ12によってx−
y−z−θ方向に移動させて半導体ウェハ5上に形成さ
れた半導体デバイスの電極パッドに、プローブカード1
6のプローブ15を接触させる。そして、このプローブ
15を介してテスタにより電気的な検査を実施する。
検査が終了した半導体ウエノ15は、ウエノ\載置台1
1からローダ13によって搬送機構4に受は渡され、ウ
ェハ載置台11には、次の半導体ウェハ5が載置される
一方、検査か終了して搬送機構4に受は渡された半導体
ウェハ5は、全てのデバイスが良品で修復の必要がなけ
ればエンドステーションへ搬送されてウェハカセット内
に収容される。また、修復の必要な半導体ウェハ5は、
リペア機構3に搬送される。
リペア機構3は、この半導体ウエノ15をローダ13に
よって位置決めしてウェハ載置台11上に載置する。そ
して、テスタから送られてくる検査結果の情報に従って
、移動ステージ12を駆動し、半導体ウェハ5を光学系
1つ下方の所定位置に配置し、不良デバイスの所定箇所
にレーザ照射ユニット17からのレーザビームを照射し
て、修復を行う。
修復の終了した半導体ウェハ5は、必要に応じて再び当
該修復デバイスについて検査してもよいし、ウェハ載置
台11からローダ13によって搬送機構4に受は渡され
、エンドステーションへ搬送されてウェハカセット内に
収容される。修復後のデバイス専門にテストする検査即
ちウエハプローバを設定してもよい。
このように本実施例の検査・リペア装置1では、搬送機
構4により、順次半導体ウェハ5を5台の検査機構2と
 1台のリペア機構3に搬送して並行処理により順次検
査および修復を行うので、各機構を効率良く稼働させる
ことができ、効率良く検査および修復を実施することが
できる。
また、プローブカード16とレーザ照射ユニット17と
を交換することにより、検査機構2とリペア機構3の台
数を任意に変更することができるので、対象となる半導
体ウェハ5によって、最適な処理工程に選択変更し、効
率良く検査および修復を実施することができる。
したかって、従来に較べてスループットおよびフレキシ
ビイリティーを向上させ、生産性の向上を図ることがで
きる。
なお、上記実施例では、リペア機構3として、レーザ光
の照射により修復を行う機構を用いた例について説明し
たが、リペア機構3としては、例えばイオンビーム等を
照射して修復を行う機構等も用いることができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の検査・リペア装置によれ
ば、従来に較べてスループットおよびフレキシビイリテ
ィーを向上させることができ、生産性の向上を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の検査・リペア装置の構成を
示す図、第2図は第1図の検査機構の構成を示す図、第
3図は第1図のリペア機構の検査機構の構成を示す図で
ある。 1・・・・・・検査・リペア装置、2・・・・・・検査
機構、3・・・・・・リペア機構、4・・・・・・搬送
機構、5・・・・・・半導体ウェハ。 第2図 出願人  東京エレクトロン株式会社 代理人  弁理士  須 山 佐 (ほか1名) 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検査物にプローブを接触させて電気的な検査を
    実施する一または複数の検査機構と、前記被検査物にエ
    ネルギー線を照射して、前記検査機構部による検査で不
    良と判定された部位を修復する一または複数のリペア機
    構と、 前記検査機構と前記リペア機構との間で前記被検査物を
    選択的に搬送する搬送機構と を具備したことを特徴とする検査・リペア装置。
  2. (2)検査機構およびリペア機構は、被検査物に接触さ
    せて電気的な導通を得るための多数のプローブを備えた
    プローブカードと、被検査物にエネルギー線を照射する
    ためのエネルギー線照射ユニットとを交換することによ
    り、検査機構およびリペア機構のどちらにも使用可能に
    構成されていることを特徴とする請求項1記載の検査・
    リペア装置。
JP17881790A 1990-07-06 1990-07-06 検査・リペア装置 Pending JPH0465850A (ja)

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JP17881790A JPH0465850A (ja) 1990-07-06 1990-07-06 検査・リペア装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798651A (en) * 1995-06-08 1998-08-25 Tokyo Electron Limited Probe system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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