JPH0465690A - 光学式反射型センサ装置 - Google Patents

光学式反射型センサ装置

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Publication number
JPH0465690A
JPH0465690A JP2176374A JP17637490A JPH0465690A JP H0465690 A JPH0465690 A JP H0465690A JP 2176374 A JP2176374 A JP 2176374A JP 17637490 A JP17637490 A JP 17637490A JP H0465690 A JPH0465690 A JP H0465690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
reflective sensor
sensor device
section
operational amplifier
Prior art date
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Pending
Application number
JP2176374A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruo Itakura
板倉 治男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Publication of JPH0465690A publication Critical patent/JPH0465690A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複写装置、プリンタ装置の給紙経路を通過す
る転写紙等を検知する光学式の反射型センサ装置に関す
る。
[従来の技術] この種の反射型センサ装置は、第3図に示すように構成
されている。1は反射型センサであり、発光ダイオード
Di(発光部)とホトトランジスタQl(受光部)とか
らなり、発光ダイオードD1は電源Vccと接地との間
で電流設定用抵抗R1、スイッチ用トランジスタQ2に
直列接続されている。またホトトランジスタQ1は、電
源との間で減流用抵抗R2、抵抗R3(電流/電圧変換
部)に直列接続されている。2はこの抵抗R3に発生す
る電圧を基準電圧Vrと比較するための演算増幅器(検
知部)である。3は出力端子である。
このような反射型センサ装置は、複写装置等では、転写
紙の給紙経路上に配置されて、転写紙の通過や有無、の
、検、知に使用される。検知タイミング時にトランジス
タQ2をオンすれば、発光ダイオ−ドD1が点灯するの
で、そのとき転写紙4が被検出部、に存在すれば1、発
光ダイオードD1からの光がそδ転写紙4で反射されて
、ホトトランジスタQ1に入射する。この結果、ホトト
ランジスタQ1が導通して抵抗R3に電圧VIl13が
生じ、この電圧が基準電圧Vrよりも高い時、演算増幅
器2の出力のレベルがLからHに変化し、転写紙4を検
知したことを示す検知信号を出力する。
しかし、このセンサ装置には、その感度にバラツキがあ
り、このため、基準反射板を転写紙4の検知されるべき
位置に設置し、抵抗R1、R2を可変抵抗で構成してそ
れを・調整したり或は基準電圧Vrを調整して、そのバ
ラツキを補正してい゛な。
[発明が解決しようとする課題] ところが、このようの調整は手作業による他なく、この
ため工数が増加するという問題があった。
本発明はこのような問題を解決し、バラツキ調整が自動
的に行われるようにした反射型センサ装置を提供するこ
とである。
[課題を解決するための手段] このために本発明は、発光部と受光部からなる反射型セ
ンサと、該センサの出力電流を電圧信号に変換する電流
/゛電圧変換部と、該変換部の出力電圧が所定値に達す
ると検知信号を出力する検知部とを具備する光学式反射
型センサ装置において、上記反射型センサの被検知部に
基準板を設置した際に上記検知信号が得られるよう上記
反射型センサの受光部の電源電圧を変化させる制御部と
、該制御部で得られた上記受′光部の電源電圧を記憶す
る記憶部とを具備し、該記憶部に記憶した電源電圧を上
記受光部の電源電圧として設定するように構成した。
[実施例] 以下、本発明の実施例について説明する。第1図はその
一実施例の反射型センサ装置の回路図である。第3図で
示したものと同一のものには同一の符号を付した。5は
制御部であり、本実施例では演算増幅器2で得たデータ
をここに取り込んでいる。この制御部5には本センサ装
置を組み込んだ例えば複写装置の制御部を利用すること
ができ、その入力部にA/D変換部を、また出力部にD
/A変換蔀を、更に内部にはCPUその他を有する。
また、’ =は刺の演算増幅器であり、制御部5から出
力する電圧信号をホトトランジスタQ1の電源電圧とす
るものである。7は演算増幅器6に出力すべき電圧デー
タを格納する記憶部である。またR4、R5は帰還抵抗
である。
さて、この回路では、転写紙4を設置して、トランジス
タQ2をオンさせると、前記したと同様にホトトランジ
スタQ1が導通して抵抗R3に電圧が発生し、その電圧
V R5と基準電圧Vrが、V、。
>VrのときレベルH% V R3< V−rのときレ
ベルLの電圧Voが、演算増幅器2から制御部5に取り
込まれる。
そこで本実施例では、調整モード時において基準反射板
を転写紙4の検知され葛べき位置に設置して、トランジ
スタQ2をオンさせる。この結果、発光ダイオニードD
・iが点灯す□るので、ホトトランジスタ゛Q1がオン
するが、゛演算゛増幅纏6の出力基準電圧Vrよりも低
いので、演算増幅器2の出力電圧VoのレベルはLlつ
まり検知信号はして非検知を示す。
よって、本実施例では、この調整モード時に、制御部5
によって演算増幅器6の入力電圧Vsを低い電圧から高
い電圧に順次高めていき、演算増幅器゛2の出力電圧V
oのレベルがHとなる時点の電圧Vsのデータを記憶部
7に格納する。
そして、この調整モードの後の通常モード時には、記憶
部71こ格納し−た電圧Vsが演算増幅器6に入力する
ように設定する。この電圧Vsは、反射型センサ1自体
のバラツキは勿論のこと、抵抗R1−X−′R4′、基
準電圧Vrその他すべてのバラツキを補正したもめ□と
して得られる。
このように、調整ギード峙にホトトランジスタQ1の電
源電圧が自動的に設定されるので、゛手作業によるバラ
ツキ補正i全く必要なくなる。
第2図は上記した制・御回路5の動作のフローチャート
である。
なお、検知部としての演算増幅器2は、その機能を制御
部5内に取り込んでもよい。この場合は、電流/電圧変
換用の抵抗R3の電圧vR5が制御部5に取り込まれる
ことになる。
[発明の効果〕 以上から本発明によれば、バラツキが自動的に補正され
ることになり、調整作業が不要となって工数削減を図る
ことができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の反射型センサ装置の回路図
、第2図はそのバラツキ調整のフローチャート、第3図
は従来の反射型センサ装置の回路図である。 1・・・反射型センサ<、2・・・演算増幅器、3・・
・出力端子、4・・・転写紙、5・・・制御部、6・・
・演算増幅器、7・・・記憶部。 代理人 弁理士  長 尾 常 明

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、発光部と受光部からなる反射型センサと、該セ
    ンサの出力電流を電圧信号に変換する電流/電圧変換部
    と、該変換部の出力電圧が所定値に達すると検知信号を
    出力する検知部とを具備する光学式反射型センサ装置に
    おいて、 上記反射型センサの被検知部に基準板を設置した際に上
    記検知信号が得られるよう上記反射型センサの受光部の
    電源電圧を変化させる制御部と、該制御部で得られた上
    記受光部の電源電圧を記憶する記憶部とを具備し、該記
    憶部に記憶した電源電圧を上記受光部の電源電圧として
    設定することを特徴とする光学式反射型センサ装置。
  2. (2)、上記検知部を上記制御部に内蔵させたことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学式反射型セン
    サ装置。
JP2176374A 1990-07-05 1990-07-05 光学式反射型センサ装置 Pending JPH0465690A (ja)

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JPH0465690A true JPH0465690A (ja) 1992-03-02

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JP (1) JPH0465690A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013125049A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 Semiconductor Components Industries Llc 光検出回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013125049A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 Semiconductor Components Industries Llc 光検出回路

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