JPH0465527B2 - - Google Patents

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JPH0465527B2
JPH0465527B2 JP62332915A JP33291587A JPH0465527B2 JP H0465527 B2 JPH0465527 B2 JP H0465527B2 JP 62332915 A JP62332915 A JP 62332915A JP 33291587 A JP33291587 A JP 33291587A JP H0465527 B2 JPH0465527 B2 JP H0465527B2
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JP
Japan
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wafer
organic solvent
resist
cylinder
metal film
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JP62332915A
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JPH01175236A (ja
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Satoru Iguchi
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SHIOYA SEISAKUSHO KK
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SHIOYA SEISAKUSHO KK
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【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハの表面から不要なメモ
ル膜やレジストを自動的にリフトオフできるよう
にした自動リフトオフ方法に関する。
(従来の技術と問題点) 従来、半導体ウエハの表面に形成した不要なメ
タル膜を除去するには、ウエハを有機溶剤の槽の
中に浸漬し、ウエハをメタル膜の間にあるレジス
トを有機溶剤で硬化させ、その後、歯ブラシのよ
うな洗浄ブラシを用いてウエハの表面を手作業で
擦つて落している。ところが、上記のようにウエ
ハを単に有機溶剤に浸漬しただけでは、上記メタ
ル膜は簡単に除去できないので、上記洗浄ブラシ
によるブラツシングの際に強く擦らなければなら
ず、そのためウエハを割つたりすることがあつ
た。
また、表面側からブラツシングすると、除去し
たメタルがウエハの周縁から裏面にまわり込んで
裏面周縁に付着するので、再度裏面側もブラツシ
ングしなければならず、作業性も良くなかつた。
(発明の解決課題) そこで、本発明の目的は、上記のような実情に
鑑み手作業によらないでウエハの表面から不要な
メタル膜を自動的に除去でき、裏面側にも再付着
することがないようにした自動リフトオフ方法を
提供することである。
(課題解決の手段) 本発明によれば、表面に除去すべきメタル膜が
形成された半導体ウエハを有機溶剤に浸漬し、上
記レジストを膨潤させた後、該半導体ウエハをス
ピンチヤツクに保持して回転し、ウエハの裏面に
除去されたメタル膜が付着しないよう上記ウエハ
の裏面の周縁に窒素ガス等の流体をリング状に近
接してウエハ外周方向に噴射させつつ上記ウエハ
の表面の上記膨潤したレジストに向けて有機溶剤
を噴射し、上記メタル膜を除去することを特徴と
する自動リフトオフ方法が提供され、上記目的が
達成される。
(実施例) 以下実施例と共に説明する。
第1図は、本発明の自動リフトオフ方法を使用
する装置の平面図を示し、本体1は、表面にレジ
ストを介し除去すべきメタル膜が形成された半導
体ウエハを一枚ずつスピンチヤツク手段へ供給す
るローダー手段2、該ローダー手段から受取つた
ウエハを回転可能に保持するスピンチヤツク手段
3、該スピンチヤツク手段に保持されたウエハの
表面に有機溶剤等をジエツトし、ウエハの表面の
メタル膜等をリフトオフする噴出手段4、リフト
オフされたウエハを上記スピンチヤツク手段から
取出すアンローダー手段5をそれぞれ隣接して具
備する。
第5図〜第8図には、主としてローダー手段が
示されている。
第5図は、積層状態で前面、後面が開放されて
いるカセツト6の各段に一枚ずつ収納したウエハ
7を有機溶剤の浸漬槽8に浸し、一定時間経過後
ウエハの収納されたカセツトを1段ずつ上昇する
エレベーター手段9を示してある。なお、浸漬槽
の数は所望により適宜の数とすることができる。
該エレベーター手段は、浸漬槽8内に存してカセ
ツト6を支持するエレベーター台10を有し、該
エレベーター台10はガイド杆11に案内されて
昇降可能に設けられている。そして、モーター1
2を駆動すると歯車13,14を介しねじ軸15
が回転し、該ねじ軸にねじ嵌めしたナツト16に
より連結杆17,17を介し上昇エレベーター台
10は昇降する。なお、上記モーター12等を、
カセツトに収納したウエハが一枚ずつ所定の高さ
に移動するよう1段ずつ上昇させる機構として
は、公知の種々の手段を採用することができる。
上記浸漬槽8には、上記ウエハに設けられたレ
ジストを膨潤させるようアセトン等の有機溶剤が
入れられており、所望により超音波発振器18に
よつて超音波振動が与えられる。
上記浸漬槽8の上方側方には、ローダー台19
が設けられている(第5図、第6図)。該ローダ
ー台19は上面にウエハ7を載置するよう間隔を
あけて対向する2本の脚板20,20を有し、支
持板21に取付けられ、該支持板21をシリンダ
22のピストンロツド23に連結し、該シリンダ
を作動させることにより、上記浸漬槽8に近接す
る位置と後記するスピンチヤツク手段3のヘツド
部の上方位置の間で前後動する。なお、上記支持
板21の下面には案内ローラ24…があり、該案
内ローラ24でガイド板25を挟着した状態で正
確に前後動するようにしてある。
上記浸漬槽8を挟んでローダー台19と対向す
る側には、送り出し部が設けられている。該送り
出し部は、先端にカセツトの後面からカセツト内
に進行してウエハをカセツト6から押し出すよう
押出片26を形成した押出板27を有し(第6
図、第8図)、該押出板27を支持板28に取付
け、該支持板28をシリンダ29のピストンロツ
ド30に連結してある。該シリンダ29を作動さ
せると、上記押出片26は、第6図鎖線で示すよ
うにカセツト6の後部側面に対向する位置と、第
6図実線で示すようにローダー台19の先端に到
達する位置の間で前後動する。上記支持板28の
移動は、上記ローダー台と同様に、案内ローラ3
1…とガイド板32により規制される。なお、上
記ローター台の先端部分には、上記押出片で移送
されてきたウエハの到来を検知する適宜の検知手
段が設けられている(図示略)。
第9図には主としてスピンチヤツク手段及び噴
出手段を含む処理部が示されている。スピンチヤ
ツク手段3は、シリンダ33により昇降可能に設
けられたスピンモーター34(第3図)の軸35
の先端に、真空作用によりウエハ7を吸着保持す
るヘツド36を有し、上記ローダー手段のローダ
ー台19により移送されてきたウエハ7を上昇位
置で受取り、ローダー台19が浸漬槽方向へ戻つ
た後、図の実線で示す位置に降下する。該ヘツド
の周囲はカバー37aで覆われ、上方には有機溶
剤等の噴出手段4が位置し、下方には排水路38
が形成されている。なお、上記カバーの下方の底
板37bは発泡プラスチツク材料等の多孔質材料
で形成してあり、除去したメタル等をその表面で
回収し、液体を流下させるようにしている。上記
ヘツド36に保持したウエハ7の裏面との間にわ
ずかな間隙を存して、リング状の流体噴出口39
を設けた裏面ノズル体40が設けられている。該
裏面ノズル体40の、好ましくは周囲の対向する
2ケ所に形成した供給口41,41から、窒素ガ
ス、エアその他適宜の流体を流入させると、該流
体は上記ウエハ7の裏面周縁にリング状になつて
外方に噴出するので、ウエハの表面から周縁をま
わつて裏面に付着しようとする除去したメタルや
有機溶剤等を排除することができる。なお、上記
流体の噴出圧は、上記ヘツドに吸着したウエハを
吹き飛ばすことがないよう、該吸着力よりも弱く
設定される。また、ヘツドは、真空作用によらず
に、適宜の手段でウエハを保持するようにしても
よい。
噴出手段4は、上記カバー37aの側方に回転
可能に設けられ、窒素ガスブロー42、アルコー
ル等の有機溶剤ジエツト43、アルコール、純水
等のリンス44等のノズルを有している。そし
て、該噴出手段から噴出する有機溶剤の噴出圧
は、リフトオフするウエハの状況に応じて適宜定
められるが、図に示すものでは、最高約100Kg/
cm2で、ビーム型に上記ウエハ表面のレジストに向
けて噴出するようにしてある。上記各ノズルから
の噴出は、タイマーにより時間を定めて行う。例
えば、有機溶剤ジエツト、純水リンス又はアルコ
ールリンス、水切、スピンドライの順に行つた
り、有機溶剤リンス、有機溶剤ジエツト、純水リ
ンス又はアルコールリンス、水切、スピンドライ
の順にしたり、有機溶剤リンス、純水ジエツト、
…の順としたり適宜に行うことができる。このよ
うに、有機溶剤等をジエツトすることにより、ウ
エハの表面にレジストを介して形成されたメタル
膜をリフトオフすることができる。
リフトオフ後、上記スピンチヤツク手段のヘツ
ド36は、ウエハを保持したまま再び第9図鎖線
に示す位置に上昇する。第10図〜第12図に
は、処理後のウエハを上記スピンチヤツク手段か
ら取り出すアンローダー手段が示されている。
アンローダー手段のアンローダー台45は、上
記ローダー台19とほぼ同様に構成されている。
すなわち、ウエハを載置するよう間隔をあけて対
向する2本の脚板46,46を設け、支持板47
に取付けて該支持板47をシリンダ48のピスト
ンロツド49に連結し、該シリンダを作動させ上
記スピンチヤツク手段のヘツド部36の上方と格
納槽50に近接する位置との間で前後動させる。
また、該支持板47の移動は案内ローラ51…と
ガイド板52により規制される。第12図に示す
ように、上記アンローダー台45の上方には送り
込み部が設けられている。該送り込み部は、上記
アンローダー台45の上方で、シリンダ53によ
り昇降可能に設けた取付板54を有し、該取付板
の先端から上記アンローダー台45の方向に送込
板55を垂下させかつ該シリンダ53等を取付け
た支持板56を他のシリンダ57のピストンロツ
ド58に連結してある。そして、上記シリンダ5
3により取付板54、送込板55を上昇させてお
くと、上記アンローダー台45は、ウエハ7を載
置した状態で上記送込板55の下端に通過するこ
とができる。ウエハが該送込板55の下端を通過
した後、該シリンダ53により取付板54、送込
板55を降下させると、送込板55の下端に形成
した送込片59は、ウエハ7の側面に対向する。
そこで、上記シリンダ57を動作させると、上記
支持板56を介し上記送込片59はウエハをアン
ローダー台45上で第11図左方へ移送し、カセ
ツト6内に収納する。該支持板56の移動は案内
ローラ60…とガイド板61により規制される。
上記格納槽50内には、上記ローダー部分のエレ
ベーター手段と同様の同符号を付したエレベータ
ー手段を設けてあり、該エレベーター手段で槽内
に支持したカセツト6を、ウエハを1枚収納する
ごとに1段ずつ降下させる。該格納槽は、乾式で
あるが、適宜湿式に構成することもできる。
而して、第1図〜第4図、特に第4図を参照し
ながら本発明を使用する装置の作動を説明する
と、アセトン等の有機溶剤の浸漬槽8に浸漬され
たカセツトは、1段ずつ上昇し、シリンダ29に
より送り出し部の押出板27でウエハを押し出
し、これをローダー台19上に載置する。ローダ
ー台19は上記有機溶剤でレジストが膨潤された
ウエハを受取るとシリンダ22の作用で前進し、
ウエハをスピンチヤツク手段の上方へ移送する。
スピンチヤツク手段のヘツド36はシリンダ33
の作用で上昇し、ローダー台19からウエハを受
取る。ローダー台19は、その後後退し、ヘツド
36は降下する。ヘツド36が所定位置に戻る
と、噴出手段から、有機溶剤、水等がウエハ表面
の上記レジストに向けてジエツトされ、ウエハ表
面のレジスト及びメタル膜をリフトオフする。処
理後、上記ヘツドはシリンダ33の作用で上昇
し、アンローダー台45がシリンダ48の作用で
該ヘツドの下方へ移動する。この際送り込み部の
送込片59は、シリンダ53の作用で上昇してい
る。アンローダー台45がヘツド36の下方に到
達した後、ヘツドはシリンダ33の作用で降下
し、該ヘツドに保持されていたウエハはアンロー
ダー台45上に移る。アンローダー台45は、シ
リンダ48の作用で格納槽方向へ移動する。その
後、シリンダ53の作用で送込片59はウエハに
当る位置まで降下し、シリンダ57を作用させる
ことによりウエハを、格納槽50に待機するカセ
ツト内に収納する。ウエハを収納したカセツト
は、1段ずつ降下する。以下上記の作用を繰返
し、全自動でリフトオフすることができる。
(発明の効果) 本発明は上記のように構成され、有機溶剤に浸
漬してウエハ表面のレジストを膨潤させた後、ス
ピンチヤツクに保持して回転し、上記膨潤したレ
ジストに向けて有機溶剤を噴射するようにしたの
で、有機溶剤はメタル膜とウエハの間の膨潤した
レジストにさらに的確に供給され、従来のように
単に浸漬しただけの場合に比べてレジストの膨潤
は一層促進され、したがつて該レジスト及びメタ
ル膜は容易に除去される。そして、ウエハは回転
しているため、オリフラの影響で、除去したメタ
ルがウエハの裏面周縁に付着する傾向になるが、
該ウエハの裏面周縁には窒素ガス等の流体がリン
グ状に外方に向けて近接して噴出しているから、
ウエハの表面から除去されて裏面にまわり込もう
とするメタルは吹き飛ばされて裏面に付着するこ
とはない。このようにして、ウエハの表面の不要
なメタル膜は、ウエハを損傷することなく確実に
除去される。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の自動リフトオフ方法を使用する
装置の実施例を示し、第1図は平面図、第2図は
第1図のA−A線断面図、第3図は第1図のB−
B線断面図、第4図は作用の説明図、以下拡大し
て示し、第5図は主としてエレベーター手段の側
面図、第6図はローダー手段の平面図、第7図は
一部を省略したローダー手段の側面図、第8図は
送り出し部の正面図、第9図はスピンチヤツク手
段の断面図、第10図は送り込み部を省略したア
ンローダー部の平面図、第11図は送り込み部の
平面図、第12図はアンローダー手段の側面図で
ある。 2…ローダー手段、3…スピンチヤツク手段、
4…噴出手段、5…アンローダー手段、6…カセ
ツト、7…ウエハ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 表面にレジストを介し除去すべきメタル膜が
    形成された半導体ウエハを有機溶剤に浸漬し、上
    記レジストを膨潤させた後、該半導体ウエハをス
    ピンチヤツクに保持して回転し、ウエハの裏面に
    除去されたメタル膜が付着しないように上記ウエ
    ハの裏面の周縁に窒素ガス等の流体をリング状に
    近接してウエハ外周方向に噴射させつつ上記ウエ
    ハの表面の上記膨潤したレジストに向けて有機溶
    剤を噴射し、上記メタル膜を除去することを特徴
    とする自動リフトオフ方法。
JP33291587A 1987-12-29 1987-12-29 自動リフトオフ方法 Granted JPH01175236A (ja)

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US7067241B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-27 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Method for producing a unit having a three-dimensional surface patterning, and use of this method
JP4895859B2 (ja) * 2007-02-23 2012-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6086837A (ja) * 1983-10-19 1985-05-16 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法

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