JPH0465041A - 真空インタラプタにおけるシールド取付構造 - Google Patents
真空インタラプタにおけるシールド取付構造Info
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- JPH0465041A JPH0465041A JP17443890A JP17443890A JPH0465041A JP H0465041 A JPH0465041 A JP H0465041A JP 17443890 A JP17443890 A JP 17443890A JP 17443890 A JP17443890 A JP 17443890A JP H0465041 A JPH0465041 A JP H0465041A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/662—Housings or protective screens
- H01H33/66261—Specific screen details, e.g. mounting, materials, multiple screens or specific electrical field considerations
- H01H2033/66269—Details relating to the materials used for screens in vacuum switches
-
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- H01H2033/66276—Details relating to the mounting of screens in vacuum switches
-
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- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/662—Housings or protective screens
- H01H33/66261—Specific screen details, e.g. mounting, materials, multiple screens or specific electrical field considerations
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、真空インタラプタにおけろ絶縁筒内面へのシ
ールドの取付構造に関する。
ールドの取付構造に関する。
Ｂ 発明の概要
本発明に係るシールド取付構造は、セラミックス製の絶
縁筒の内面にチタン（Ｔｉ ）を介してｌ１１（Ｃｕ）
もしくはＣｕ合金製のリングをろう付けし、このリング
の端にシールドをろう付けするようにして、従来、シー
ルド取付けのために必要であった絶縁筒内面の突起を不
要としたものである。
縁筒の内面にチタン（Ｔｉ ）を介してｌ１１（Ｃｕ）
もしくはＣｕ合金製のリングをろう付けし、このリング
の端にシールドをろう付けするようにして、従来、シー
ルド取付けのために必要であった絶縁筒内面の突起を不
要としたものである。
Ｃ従来の技術
真空インタラプタの従来のものの一例を第５図に示す。
１はアルミナセラミックス製の絶縁筒で、その両端には
金属環１ａ、ｌｂが取付けである。
金属環１ａ、ｌｂが取付けである。
金属環１ａ、ｌｂの端には固定側フランジ２、可動側フ
ランジ３が取付けである。固定側フランジ２の中央部に
は固定リード棒５が貫通している。固定リード棒５は固
定側フランジ２と一体となっている。絶縁筒１内におい
て固定リード棒５の先端には固定電極６が取付けである
。
ランジ３が取付けである。固定側フランジ２の中央部に
は固定リード棒５が貫通している。固定リード棒５は固
定側フランジ２と一体となっている。絶縁筒１内におい
て固定リード棒５の先端には固定電極６が取付けである
。
可動側フランジ３の中央部には孔７があけてあり、そこ
より絶縁筒１内に可動リード棒８が挿入しである。この
可動リード棒８の先端には前記固定電極６と対向する可
動電極９が取付けである。
より絶縁筒１内に可動リード棒８が挿入しである。この
可動リード棒８の先端には前記固定電極６と対向する可
動電極９が取付けである。
可動リード棒８と可動側フランジ３との間はベローズ１
０で結合してあり、可動リード棒８は軸方向に移動可能
となっている。可動リード棒８には図示されていない操
作機構が連結されており、操作機構により可動リード棒
８が軸方向に動かされることにより、電極６．９は開閉
される。
０で結合してあり、可動リード棒８は軸方向に移動可能
となっている。可動リード棒８には図示されていない操
作機構が連結されており、操作機構により可動リード棒
８が軸方向に動かされることにより、電極６．９は開閉
される。
絶縁ＦＪＩの内面には、間断時の発弧に伴って発生する
金属蒸気が絶縁筒内面に付着して絶縁耐力を省化させる
のを防止するため、金属性のシールド（アークシールド
）１１が取付けられる。
金属蒸気が絶縁筒内面に付着して絶縁耐力を省化させる
のを防止するため、金属性のシールド（アークシールド
）１１が取付けられる。
このシールド１１の絶縁ｆＷＪ１内面への固定方法とし
ては、従来、特公昭４８−４４５１１号公報に記載され
ているように、絶縁筒１の内面に突起を設けて、この突
起に対しシールドを機械的にかしめる方法、あるいは、
第６図に示すように、シールド１１の内面の突起１２に
メタライズを施しく図中、１３で示す）、それにろう付
けする方法などがとられている。
ては、従来、特公昭４８−４４５１１号公報に記載され
ているように、絶縁筒１の内面に突起を設けて、この突
起に対しシールドを機械的にかしめる方法、あるいは、
第６図に示すように、シールド１１の内面の突起１２に
メタライズを施しく図中、１３で示す）、それにろう付
けする方法などがとられている。
Ｄ 発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のシールド取付方法はいずれも絶縁
筒内面に突起を設けるものであるので、絶縁筒の製造コ
ストアップを招くという問題がある。
筒内面に突起を設けるものであるので、絶縁筒の製造コ
ストアップを招くという問題がある。
また、突起の位置が限定されるため、シールド設計の自
由がきかず、設計に自由度を認めろと、突起の位置が違
うシールドを何菖類も用意しなければならない。
由がきかず、設計に自由度を認めろと、突起の位置が違
うシールドを何菖類も用意しなければならない。
さらに、突起を設けることにより絶縁筒外径、すなわち
真空インタラプタの外径自体が太き（なってしまうとい
う問題もある。
真空インタラプタの外径自体が太き（なってしまうとい
う問題もある。
Ｅ、 課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明に係る真空インタラプ
タにおけるシールド取付構造では、セラミックス製の絶
縁筒の内面にＴｉを介してＣｕもしくはＣｕ合金製のリ
ングをろう付けすると共に、このリングの端に筒状のシ
ールドをろう付けするようにしたのである。
タにおけるシールド取付構造では、セラミックス製の絶
縁筒の内面にＴｉを介してＣｕもしくはＣｕ合金製のリ
ングをろう付けすると共に、このリングの端に筒状のシ
ールドをろう付けするようにしたのである。
前記リングとしては、その外周面にＴｉめっきをしたも
のあるいはＴｉ蒸着したものを用いる。
のあるいはＴｉ蒸着したものを用いる。
前記リングは開放部分を有し、かつ力をかけない状態で
はその外径は前記絶縁筒の内径より大であるものとする
。つまり、絶縁筒内面に嵌め込んだときにはリング自体
の弾性力で保持されるものとする。
はその外径は前記絶縁筒の内径より大であるものとする
。つまり、絶縁筒内面に嵌め込んだときにはリング自体
の弾性力で保持されるものとする。
Ｆ 作 用
リングと絶縁筒内面とはＴｉによりろう付け（接合）さ
れる。Ｔｉは活性金属であり、セラミックスとは濡れ性
がよく、両者は良好に接合される。リングとシールドと
はろう材を介してろう付けされる。シールドはリングの
内側ではなく、端にろう付けされるので、内側に突出す
ることがなく、絶縁筒の径増大を招くことがない。
れる。Ｔｉは活性金属であり、セラミックスとは濡れ性
がよく、両者は良好に接合される。リングとシールドと
はろう材を介してろう付けされる。シールドはリングの
内側ではなく、端にろう付けされるので、内側に突出す
ることがなく、絶縁筒の径増大を招くことがない。
Ｇ実施例
次に、本発明に係る真空インタラプタにおけるシールド
取付構造を図面に示す一実施例に基づき説明する。
取付構造を図面に示す一実施例に基づき説明する。
第１図には一実施例に係るシールド取付構造の断面を示
し、第２図にはリングの外観を示す。
し、第２図にはリングの外観を示す。
２１はセラミックス製の絶縁筒で、内面に突起のないス
トレートの円筒となっている。セラミックスとしては、
アルミナ（Ａｊ Ｏ）だけでなく、炭化ケイ素（ＳｉＣ
） 、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ジルコニア（Ｚ ｒ
Ｏ□）などのニューセラミックス、ファインセラミッ
クスが採用される。
トレートの円筒となっている。セラミックスとしては、
アルミナ（Ａｊ Ｏ）だけでなく、炭化ケイ素（ＳｉＣ
） 、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ジルコニア（Ｚ ｒ
Ｏ□）などのニューセラミックス、ファインセラミッ
クスが採用される。
一方、Ｃｕ又はＣｕ合金製のリング２２は、その一部に
空間部２３を有する構造で、力をかけない状態での外径
ｄ、は絶縁筒２１の内径ｄより大きくなっている。空間
部２３があることによりリング２２は弾力的に縮小する
ことができる。
空間部２３を有する構造で、力をかけない状態での外径
ｄ、は絶縁筒２１の内径ｄより大きくなっている。空間
部２３があることによりリング２２は弾力的に縮小する
ことができる。
このシールド取付構造を製作するには、先ず、絶縁筒２
１内の適宜位置にＴｉ箔２４を介在させてリング２２を
嵌め込む。リング２２は縮径されて嵌め込まれるので、
リング２２外周面がＴｉ箔２４を介して絶縁筒２１内面
を弾力的に押し付けることになり、リング２２自体が脱
落することはない。したがって、リング２２の取付位置
には自由度があり、設計変更などにも容易に対応するこ
とができろ。
１内の適宜位置にＴｉ箔２４を介在させてリング２２を
嵌め込む。リング２２は縮径されて嵌め込まれるので、
リング２２外周面がＴｉ箔２４を介して絶縁筒２１内面
を弾力的に押し付けることになり、リング２２自体が脱
落することはない。したがって、リング２２の取付位置
には自由度があり、設計変更などにも容易に対応するこ
とができろ。
次に、リング２２の上端面２２ａ上にろう材を介して筒
状のシールド１１を設置する。
状のシールド１１を設置する。
このシールド１１は、Ｃｕ１ニツケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆ
ｅ）、ステンレス鋼などで作られる。
ｅ）、ステンレス鋼などで作られる。
ろう材としては、例えば、Ｃｕ −Ｍ ｎ −Ｎ ｉろ
う材などが使われる。
う材などが使われる。
上記のように仮組み立てしたものを真空炉等内に装入し
、加熱してリング２２と絶縁筒２１、リング２２とシー
ルド１】とをろう付けする。Ｔ１は活性化金属であり、
セラミックスとの濡れ性がよく、絶縁筒２１内面に含浸
し反応層を形成する。また、Ｔｉとリング２２との接触
面では、相互に反応し合ってろう付は温度である９６０
℃で溶融し、接合される。第３図にはＣＩｍ −Ｔ ｉ
の状態図を示す。
、加熱してリング２２と絶縁筒２１、リング２２とシー
ルド１】とをろう付けする。Ｔ１は活性化金属であり、
セラミックスとの濡れ性がよく、絶縁筒２１内面に含浸
し反応層を形成する。また、Ｔｉとリング２２との接触
面では、相互に反応し合ってろう付は温度である９６０
℃で溶融し、接合される。第３図にはＣＩｍ −Ｔ ｉ
の状態図を示す。
接合部の金属組織の顕微鏡写真を第４図に示す。図にお
いて、■がリング２２のＣｕ層部分であり、■がＣｕ−
Ｔｉの反応層、■がＴ １−Ａｌ２Ｏ，の反応層、■が
絶縁筒２１のセラミックス（Ａｊ２０．）層である。こ
の写真からリング２２と絶縁＠２１内面とは反応層■。
いて、■がリング２２のＣｕ層部分であり、■がＣｕ−
Ｔｉの反応層、■がＴ １−Ａｌ２Ｏ，の反応層、■が
絶縁筒２１のセラミックス（Ａｊ２０．）層である。こ
の写真からリング２２と絶縁＠２１内面とは反応層■。
■を介して良好に接合されていることがわかる。
リング端面２２ａとシールド１１とはろう材によりろう
付は接合されろ。
付は接合されろ。
以上より、第１図に示したようなシールド取付構造が得
られる。この工程は絶縁筒２１とシールド１１との組立
工程として行ってもよいが、他の真空インタラプタ構成
部品のろう付は工程において併せて行うようにしてもよ
い。
られる。この工程は絶縁筒２１とシールド１１との組立
工程として行ってもよいが、他の真空インタラプタ構成
部品のろう付は工程において併せて行うようにしてもよ
い。
なお、上記実施例では、リング２２外周のチタン層とし
てチタン箔を採用したが、第２図に示すように、リング
２２の外周面にチタン層２４ａをメツキ又は蒸着、さら
にはその他の薄膜形成法により形成するようにしてもよ
い。
てチタン箔を採用したが、第２図に示すように、リング
２２の外周面にチタン層２４ａをメツキ又は蒸着、さら
にはその他の薄膜形成法により形成するようにしてもよ
い。
Ｈ発明の効果
本発明に係る真空インタラプタにおけるシールド取付構
造によれば、セラミックス製の絶縁筒の内面にＴ１を介
してＣｕ又はＣｕ合金製のリングをろう付けすると共に
、このリングの端にシールドをろう付けする構造とした
ので、絶縁筒内面に突起を設けることなくシールドを固
定できるようになり、シールドの設計の自由度が拡大し
、また、突起がない分真空インタラプタを小型化できろ
ようになる。
造によれば、セラミックス製の絶縁筒の内面にＴ１を介
してＣｕ又はＣｕ合金製のリングをろう付けすると共に
、このリングの端にシールドをろう付けする構造とした
ので、絶縁筒内面に突起を設けることなくシールドを固
定できるようになり、シールドの設計の自由度が拡大し
、また、突起がない分真空インタラプタを小型化できろ
ようになる。
しかも、他の真空インタラプタ構成部品のろう付は作業
は従来の工程がその適用でさる。
は従来の工程がその適用でさる。
さらに、突起の成形不要、シールド設計の自由度拡大、
小型化可能等の理由から真空インタラプタ自体の製造コ
ストを下げろことが可能となる。
小型化可能等の理由から真空インタラプタ自体の製造コ
ストを下げろことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係るシールド取付構造の断
面図、第２図はリングの外１１！図、第３図はＣｕ−Ｔ
ｉの状態図、第４図はＣｕ、Ｔｉ。 セラミックスの接合部の金属組織を表す顕微鏡写真、第
５図は真空インタラプタの構造の−例の断面図、 図である。 第６図はシールドと絶縁筒との断面 図 面 中、 １１はシールド、 １は絶縁筒、 ２２はリング、 ２４はＴｉ箔である。 特 許 出 願 人 株式会社 明 電 舎 代 理 人
面図、第２図はリングの外１１！図、第３図はＣｕ−Ｔ
ｉの状態図、第４図はＣｕ、Ｔｉ。 セラミックスの接合部の金属組織を表す顕微鏡写真、第
５図は真空インタラプタの構造の−例の断面図、 図である。 第６図はシールドと絶縁筒との断面 図 面 中、 １１はシールド、 １は絶縁筒、 ２２はリング、 ２４はＴｉ箔である。 特 許 出 願 人 株式会社 明 電 舎 代 理 人
Claims (3)
- （１）セラミックス製の絶縁筒の内面にチタンを介して
銅もしくは銅合金製のリングをろう付けすると共に、こ
のリングの端に筒状のシールドをろう付けすることを特
徴とする真空インタラプタにおけるシールド取付構造。 - （２）前記リングとしてチタンめっきをしたものあるい
はチタン蒸着したものを用いる請求項（１）記載の真空
インタラプタにおけるシールド取付構造。 - （３）前記リングは開放部分を有し、かつ力をかけない
状態ではその外径は前記絶縁筒の内径より大である請求
項（１）又は請求項（２）記載の真空インタラプタにお
けるシールド取付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17443890A JPH0465041A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 真空インタラプタにおけるシールド取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17443890A JPH0465041A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 真空インタラプタにおけるシールド取付構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465041A true JPH0465041A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=15978525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17443890A Pending JPH0465041A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 真空インタラプタにおけるシールド取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465041A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0663670A1 (de) * | 1994-01-17 | 1995-07-19 | PLANSEE Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer Kühleinrichtung |
| FR2903221A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | Schneider Electric Ind Sas | Procede de fixation d'un element dans un appareil electrique et appareil electrique tel une ampoule a vide comportant au moins deux parties fixees suivant un tel procede |
| JP2008293686A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 真空バルブ |
| JP2021048029A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 富士電機株式会社 | 真空バルブ |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17443890A patent/JPH0465041A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0663670A1 (de) * | 1994-01-17 | 1995-07-19 | PLANSEE Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer Kühleinrichtung |
| FR2903221A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | Schneider Electric Ind Sas | Procede de fixation d'un element dans un appareil electrique et appareil electrique tel une ampoule a vide comportant au moins deux parties fixees suivant un tel procede |
| JP2008016449A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Schneider Electric Industries Sas | 電気装置内への素子取り付け方法及びそのような方法で取り付けられた少なくとも２つの部品を有する例えばバキュームスイッチのような電気装置 |
| EP1873804A3 (fr) * | 2006-06-30 | 2010-04-14 | Schneider Electric Industries SAS | Procédé de fixation d'un élément dans un appareil électrique et appareil électrique tel une ampoule à vide comportant au moins deux parties fixées suivant un tel procédé |
| US7820934B2 (en) | 2006-06-30 | 2010-10-26 | Schneider Electric Industries Sas | Method for fixing an element in an electrical apparatus and an electrical apparatus including two parts fixed according to such a method |
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